JPS6289866A - 連続蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業、、Ｅ：Ｖ）利用分野〕 本発明はＬＣＤ用基板への工Ｔｏの蒸着、プラスチック
フィルム上へｆ７）ＡＡ。Ｃｒ’４蒸看において、バッ
チ式ではなく、いわゆる連続蒸着装置（一般にインライ
ン方式ともいう）を用いて、基板を＠線的に移動して蒸
着を行う場合の連続蒸着装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の基＆を連続的に投入できる連続蒸＠装Ｕでは、第
８図、第９図に示すように、求める映淳分布ｔ−得るた
めに１枚、あるいは２枚以上の補正板が、基板と蒸着源
が最も近づく位置でセない立置に設置さ江ていた。この
ｈ法だと、求める膜享分布Ｆｉ侍られるものの、膜質的
には、基板の進行方向に対して直交する場所でＦｌｔ膜
速度の違いにより非常に異なるため、この違いを緩和す
るために全体の成膜速度をおさえたり、蒸宥諒と基板位
置との距離を大きくとった装置とする等の対策が必要で
あった。尚、第８図ｊ第９図は皐層映の蒸着で、均一な
膜付けを行う場合をＶ／１」として辿んだ。

冥際には同様な蒸看槽をいくつか直列にして多１−膜と
する連続蒸着装置も多い。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は以上の様な従来技術の持つ欠点をなくし、求め
る膜厚分布を得ながらも、均質な膜質を得ることができ
る連続蒸着装置を提供することを目的とする。

〔問題を解決するため■手段〕

本発明では成膜速度の違いによる膜質のちがいを臘力小
さくするために、補正板を基板が蒸着源に最も近づく位
置を中心に設置した。

〔作用〕

一般に蒸着では、蒸着源からの距離２と、従来する粒子
数ｙの間には、 ｙ＝ｙ。６″″２／２・・・（１） の関係がある。ここでλμモ均自由行程で、で表わされ
る。ｙ（１：蒸着源から飛び出す粒子数、Ｐｒ：蒸着槽
内圧力 したがって、蒸着源から■距離が大きいほどηに釆する
粒子は少なくなり、従って、成膜速度が小さくなる０発
明者はこの原理から補正板を蒸着源直上に設置し、一番
我膜速匹の大きな場所での蒸着ビさけて、基板全体の＆
膜速度の均一化を社かった。

一般に蒸着では、＠、膜速度は出来た膜０ダレインの大
きさ、結晶比に大きく影響し、反応性蒸着においては、
導入ガスと■反応にも大きな影響を及ぼす、実際にどの
様に影響があり、又本発明がと０位大きな効果を生むか
は、実施例で述べる。

〔実施列〕

ＩＴＯを、０２ガスを導入しながら蒸着する反応性蒸着
の連続蒸着装置ｔ−列にとり説明する。

本実施例に用いた連続蒸着装置は財１．２図に示すよう
に蒸着源（１７口）が１カ所にあり、蒸着源から基板へ
の峡短距離＠は約８０国、蒸着中の薄板■移励距離■は
約８０傭であり、反応ガスとしてｕ３ガスヲ導入してい
る。基板は平板ガラスを前提としており、横巾０は約８
０鋸で般大８０關モ万の基板が蒸着可能である。

この連続蒸着装置で、従来の補正板と本発明による補正
＆を１４Ｊｖｈた場合の膜質Ｏ差、采注設定の差、を産
能力の差等を比軟する。

まずはじめに成膜速度と、最適導入０２ガス圧力、工Ｔ
Ｏの電気抵抗と、映の表面をサラン等でこすった場合の
表面状態（膜強度）について述べる。尚膜厚は１ｏｏｏ
ｉとする。

ル３図から、膜付は後Ｏ工Ｔｏ■電気抵抗を最小とする
ための最適導入０２ガス圧力は、ある成膜速度に対して
一ケ所あることがわかる。第３図Ｔ：は成膜速度を３　
Ａ　／　Ｓｅｃとした１次に第４図から、この最適導入
０３ガス圧力は、成膜速度が大きくなるほど高圧側へ移
ることがわかる。又、成膜速度が大きくなるほど膜表面
のダレインは大きくなり、膜強度が下がるため約ｌυＡ
／ｓｅｃ程度の成膜速度になると、サランできつくこす
った程度で狭面から欠落してしまう。

この連続蒸着装置で８０ｃＷＩ平方の基板に膜付けをす
る場合、 従来の連続蒸着装置のように、基板入口側と出口側に＠
５図の様な半月形の補正板を設置すると、均一な膜厚を
得るために、Ａ’（は♀０個、Ｂでは８０備の開口部と
する心安があった。これは成膜速度の比で約２．７　：
　１を意味する。したがってこの場合、蒸着源直上を移
動する（つまりＡを移動する）部分に尋人０！ガス圧力
を合わせるとＢを移動する部分では電気抵抗が大きくな
ってしまい、均質な膜とするには、成膜速度を小さくし
て、Ａ、Ｂ１７）峡適導入ｕ２ガス圧力の差を小さくし
なければならない、又、膜表面のグレインＯ欠落からく
る＆溪速度の限界から成膜速度を１０　Ａ／ｓｅａ　、
膜厚１ｋｘｏｏｏ′ｉとして基板の移動速度は約３ＷＪ
／ｓｅｃとなる。

次に第６図の様に補正板を蒸着源直上に設置した本発明
の場合を述べる。前述したＩＴＯ■反応性連続蒸着裟置
を装いて％補正板を蒸着源直上に設置して膜厚が均一に
なる様に調整したところ。

！４６図の”　Ａ’＝　３０Ｃ１ｎ　ａ　Ｂ’＝　８０
　ｃｍとなり、補正板は図■轍にラグビー最−ル状にな
った。この時、［膜速匿の比は約１．３　：　１である
。したがって、Ａ’とＢＩｖ）成膜速度の差は非常に小
さくなった。又基板の移動速度の限界はに米の約２倍と
なり、約６　ｗａ　／　５ｅｔｃとなりた。

導入ｕ、ガス圧力と電気抵抗Ｏ関係を、従来のものと本
発明のものをいっしょにして第７図に示すと、本発明に
より基板内の改膜速度Ｏバラツキが非常に小さくなり、
導入０２ガス圧力の設定が楽になることがわかる。

〔発明の効果〕

以上本発明の効果をまとめると、 １）基板の、蒸着源直上付近を通過する部分を、他θ部
分の成膜速度差が小さくなるため、均質な嗅が得られる
。

２）成膜速度を大きくすると膜強度が下がるが、本発明
により基板の移動速度を変化させずに成膜速度を下ける
ことができるため、工数を変えずに膜強度がとがる。

３）ざらに、基板の限界移動速度を上けることができる
。つまり生産能力を上けることができ、る。

４）基板内Ｏ成膜速度のバラツキが少なくなったため、
栄件の設定が楽になる。したがって、歩留りが上がる。

０４点が大きな効果として上けられる。こ＃″Ｌは、均
質で良質な膜を少ない時間で生産できることを意味し、
補正板の改良で画期的な効果を生む、コロンブス■卵的
な発明といえる。さらに、細かい効果をみると、 ５）補正板が一枚のため、交換、掃除等が楽になる。

等も上げられる。

最後に、本発明ではＩＴＯの反応註蒸看についてのみ実
施列としてとり上げたが、七の原理からその他の同様の
蒸着にも適応できるりは明らかであり、又、既存の同様
な蒸着装置で補正板のみ全本発明ｏＨに変更することも
容易である。

【図面の簡単な説明】

第１図μ本発明の実施列に用いた連続蒸着装置の側面図
。 第２図に端１図の装置を上面から見た図第３図は本発明
の装置による膜付は後の１ＴＯの電気抵抗と、導入０２
ガス圧の関係。 第４図は本発明の装置による工ＴＯの５５を膜速匿と岐
適専入０２ガス圧力の関係。 第５図は本発明の天施し１」に用いた連続蒸着装置０上
面から見た図（第２図に対応） 第６図は本発明による連続蒸着装置の上図から見た図（
第２図、第５図に対応） 左７図は本発明の装置を、従来のものと比較するため０
図 蘂８図は従来技術Ｌ７）説明図。 嶋９図は従来技術■説明図。 以　　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板が直線的に移動することにより蒸着することができ
   る連続蒸着装置において、所定の膜厚分布を得るために
   蒸着源と前記基板間に設置された膜厚補正板が、前記基
   板が前記蒸着源に最も近づいた位置を中心に設置されて
   いることを特徴とする連続蒸着装置。