JPS6292331A - 半導体チツプの封止方法 - Google Patents
半導体チツプの封止方法Info
- Publication number
- JPS6292331A JPS6292331A JP60231017A JP23101785A JPS6292331A JP S6292331 A JPS6292331 A JP S6292331A JP 60231017 A JP60231017 A JP 60231017A JP 23101785 A JP23101785 A JP 23101785A JP S6292331 A JPS6292331 A JP S6292331A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor chip
- sealing
- circuit board
- circuit substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体チップの回路基板に対する封止方法に係
り、更に詳しくは、回路基板の孔内に半導体チップをワ
イヤボンディングによって吊り下げた状態にて孔内に合
成樹脂液を滴下充填するようにした半導体チップの封止
方法に関する。
り、更に詳しくは、回路基板の孔内に半導体チップをワ
イヤボンディングによって吊り下げた状態にて孔内に合
成樹脂液を滴下充填するようにした半導体チップの封止
方法に関する。
従来より半導体チップを回路基板に固定するには、合成
樹脂を半導体テップと回路基板との間に充填硬化させて
一体化する方法がとられている。
樹脂を半導体テップと回路基板との間に充填硬化させて
一体化する方法がとられている。
第２図はこのような従来方法による半導体チップの封止
方法を示すもので、まず半導体テップ１の端子と回路基
板２の端子間を金属細線６で接続し、回路基板２の孔２
ａＰｉＫ半導体チップ１を宙吊り状！Ｉ（第２図ａ）に
連結する。この回路基板２を前記孔２ａより大きな孔４
ａｉ穿った下台４上に載置し、上方より封止用の合成樹
脂を滴下し、合成樹脂を半導体テップ１の上部及び回路
基板２の孔２ａ内に充填し、加熱硬化さ虻で封止部５を
形成しく第２図ｂ）、半導体チップ１の、ヒｍｉ及び周
辺部を被覆するように回路基板２に固定するものである
。
方法を示すもので、まず半導体テップ１の端子と回路基
板２の端子間を金属細線６で接続し、回路基板２の孔２
ａＰｉＫ半導体チップ１を宙吊り状！Ｉ（第２図ａ）に
連結する。この回路基板２を前記孔２ａより大きな孔４
ａｉ穿った下台４上に載置し、上方より封止用の合成樹
脂を滴下し、合成樹脂を半導体テップ１の上部及び回路
基板２の孔２ａ内に充填し、加熱硬化さ虻で封止部５を
形成しく第２図ｂ）、半導体チップ１の、ヒｍｉ及び周
辺部を被覆するように回路基板２に固定するものである
。
しかし乍ら上記の封止方法においては、合成樹脂の滴下
量や粘度の変化などによって、第２図（ｅ）に示すよう
な合成樹脂の未充填部６．するいは第２図（ｄ）に示す
ような過充填部７が生じたりする。
量や粘度の変化などによって、第２図（ｅ）に示すよう
な合成樹脂の未充填部６．するいは第２図（ｄ）に示す
ような過充填部７が生じたりする。
未充填部６があれば封止部５の機械的強度が十分でなく
、また過充填部７１回路基板２の実装占有空間を太きく
１７、スペース効率を悪化させる。
、また過充填部７１回路基板２の実装占有空間を太きく
１７、スペース効率を悪化させる。
史に上記封止方法によれば、半導体テップ１の底面は回
路基板２の底面より突ｆｆ１Ｌ、且つ合成樹脂によって
被覆きれていない。従って、半導体チップ１け十分に補
強系れておらず、熱衝撃にも弱いため、薄型パッケージ
として適さない。
路基板２の底面より突ｆｆ１Ｌ、且つ合成樹脂によって
被覆きれていない。従って、半導体チップ１け十分に補
強系れておらず、熱衝撃にも弱いため、薄型パッケージ
として適さない。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、機械的強度
が大きく、薄型パッケージ化が可能な半導体テップの封
止方法の提供を目的としている。
が大きく、薄型パッケージ化が可能な半導体テップの封
止方法の提供を目的としている。
＝Ｌ記の目的を達成するため、本発明は耐熱性。
剥離性を備オ比つ微細孔ｔＷするフィルム上に予め半導
体テップをボンディングした回路基板を載せ、このフィ
ルム上において回路基板の孔内に合成樹脂を充填して硬
化させ、その後フィルムを回路基板から剥離するように
したものである。これにより、樹脂封止時に樹脂内に空
気が残ることを避け、半導体チップの底面に樹脂がまわ
りこむことなく、十分月、つ一定量の樹脂による封止部
全形成することができるのである。
体テップをボンディングした回路基板を載せ、このフィ
ルム上において回路基板の孔内に合成樹脂を充填して硬
化させ、その後フィルムを回路基板から剥離するように
したものである。これにより、樹脂封止時に樹脂内に空
気が残ることを避け、半導体チップの底面に樹脂がまわ
りこむことなく、十分月、つ一定量の樹脂による封止部
全形成することができるのである。
〔実施し１」〕
本発明の突流しリを第１図（ａ）、 （ｈ）に基づい−
Ｃ説明する。
Ｃ説明する。
まず、従来し１］と同様に、回路基板２の所定の孔２ａ
内に金属細線３にて宙吊り状態にボンディングした半導
体チップ１を用意［７ておく。一方全面にわたり平坦な
面をもつ下台４を約＋ ００ Ｃ℃）に加熱し、下台４
上にフィルム８を付設する。このフィルム８は耐熱性、
剥離性に富んだテフロンフィルムが適しており、微細孔
を形成したものであって、本実施列に用いたのけ耐熱性
２００（’Ｃ）。
内に金属細線３にて宙吊り状態にボンディングした半導
体チップ１を用意［７ておく。一方全面にわたり平坦な
面をもつ下台４を約＋ ００ Ｃ℃）に加熱し、下台４
上にフィルム８を付設する。このフィルム８は耐熱性、
剥離性に富んだテフロンフィルムが適しており、微細孔
を形成したものであって、本実施列に用いたのけ耐熱性
２００（’Ｃ）。
厚さｔ＝５０（μｒｎ）、微細孔の径ｄ＝（ＬＩ（ｐｍ
）の商品名フロロボア（住友電工社製）でおる。このフ
ィルム已に前記半導体チップ１′ｆｒボンデイングした
回路基板２を載せ（第１図ａ）、封止枠９をあてがって
半導体テップ１の上方より低粘度のエポキシ樹脂を滴下
し、半導体テップ１の下面を除く上面、周辺部全エポキ
シ樹脂にて被覆する（第１図ｂ）。この際、封ＩＥ部５
の上面仕上り状態はエポキシ樹脂の粘性にまかせても良
いし、エポキシ樹脂が硬化後に剥離できるテフロンコー
ティング等を行った金属板などで押え成形してもよい。
）の商品名フロロボア（住友電工社製）でおる。このフ
ィルム已に前記半導体チップ１′ｆｒボンデイングした
回路基板２を載せ（第１図ａ）、封止枠９をあてがって
半導体テップ１の上方より低粘度のエポキシ樹脂を滴下
し、半導体テップ１の下面を除く上面、周辺部全エポキ
シ樹脂にて被覆する（第１図ｂ）。この際、封ＩＥ部５
の上面仕上り状態はエポキシ樹脂の粘性にまかせても良
いし、エポキシ樹脂が硬化後に剥離できるテフロンコー
ティング等を行った金属板などで押え成形してもよい。
次いで、炉中にて約１５０（’Ｃ）で２時間加熱し、エ
ポキシ樹脂を硬化させた後、下台４からフィルム８及び
回路基板２を取り外し、フィルム８を回路基板２より剥
離すれば、回路基板２に封止された半導体チップ１が得
られる。
ポキシ樹脂を硬化させた後、下台４からフィルム８及び
回路基板２を取り外し、フィルム８を回路基板２より剥
離すれば、回路基板２に封止された半導体チップ１が得
られる。
この様にして得られ次薄型パッケージは、α３〔闘〕
の厚さの半導体テップ１を用いた場合において、厚さく
Ｌ５ｈｇ）であり、半導体テップ１の下面は回路基板２
と同一面上であった。
の厚さの半導体テップ１を用いた場合において、厚さく
Ｌ５ｈｇ）であり、半導体テップ１の下面は回路基板２
と同一面上であった。
尚、上記製造工程において、半導体チップ１０周辺部は
下面がフィルム８に塞がれているが、フィルム８はα１
（ｐｍ）の径の孔を有しているため、樹脂硬化時に発生
する空気粒はこの孔を介して下方に抜ける。従って封止
部５け内部に気孔を有さない強度の大なものとすること
ができる。この抜き孔の径は小さい方が好ましいが充填
される樹脂粒子より小さいものであれば数１０〔μｍ〕
のものも使用することができる。
下面がフィルム８に塞がれているが、フィルム８はα１
（ｐｍ）の径の孔を有しているため、樹脂硬化時に発生
する空気粒はこの孔を介して下方に抜ける。従って封止
部５け内部に気孔を有さない強度の大なものとすること
ができる。この抜き孔の径は小さい方が好ましいが充填
される樹脂粒子より小さいものであれば数１０〔μｍ〕
のものも使用することができる。
また厚さ５０〔μｍ〕のフィルム８は適度な弾性を有す
るため、樹脂充填の際に半導体テップ１の底面に密着し
た状態にてその周辺部がたわみ、樹脂が半導体テップ１
の底面側に入り込むことを阻止している。
るため、樹脂充填の際に半導体テップ１の底面に密着し
た状態にてその周辺部がたわみ、樹脂が半導体テップ１
の底面側に入り込むことを阻止している。
更に上記実施列ではフィルム８としてテフロンフィルム
を用いたが、封止用樹脂の熱硬化温度以上の耐熱性と、
封止用樹脂との十分な剥離性を備えたものであれば他の
材料′ｔ−使用することは可能である。
を用いたが、封止用樹脂の熱硬化温度以上の耐熱性と、
封止用樹脂との十分な剥離性を備えたものであれば他の
材料′ｔ−使用することは可能である。
本発明は以上の如くであり、フィルム上の半導体チップ
に封止用樹脂を流し込むから、半導体チップの下面より
下方に封止部が突出せず、封止用樹脂の未充填部や過充
填部を下面側に生じさせることがない。しかもフィルム
８け微細孔を有するから封止部内の空気を十分に抜くこ
とができる。
に封止用樹脂を流し込むから、半導体チップの下面より
下方に封止部が突出せず、封止用樹脂の未充填部や過充
填部を下面側に生じさせることがない。しかもフィルム
８け微細孔を有するから封止部内の空気を十分に抜くこ
とができる。
従って封止部の厚さ、機械的強度を十分かつ一定にＩ−
たものを得ることができ、半導体チップの薄型パッケー
ジ化が可能となるものである。
たものを得ることができ、半導体チップの薄型パッケー
ジ化が可能となるものである。
第１図は本発明の実施例における製造工程要部を示して
おり、（ａ）は前工程、Φ）は後工程をそれぞれ示す。 第２図は従来例を示し、（ａ）は封止前、（ｂ）け封止
後の断面図、（Ｃ）は封止樹脂の未充填部、（ｄ）は過
充填部を説明する断面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・回路基板、２ａ・・・
孔、Ｓ・・・金属細線、５・・・封止部、８・・・フィ
ルム。 第１図 ｒσノ （ｂ）
おり、（ａ）は前工程、Φ）は後工程をそれぞれ示す。 第２図は従来例を示し、（ａ）は封止前、（ｂ）け封止
後の断面図、（Ｃ）は封止樹脂の未充填部、（ｄ）は過
充填部を説明する断面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・回路基板、２ａ・・・
孔、Ｓ・・・金属細線、５・・・封止部、８・・・フィ
ルム。 第１図 ｒσノ （ｂ）
Claims (1)
- 回路基板の孔内に金属細線によりボンディングして半導
体チップを吊り下げるとともに合成樹脂を孔内に充填し
て半導体チップを回路基板に封止する方法であつて、半
導体チップをボンディングした回路基板を、耐熱性及び
剥離性を備え微細孔を有するフィルム上に載置し、フィ
ルム上の回路基板の孔内に合成樹脂を充填して硬化させ
た後、フィルムを回路基板から剥離するようにした半導
体チップの封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231017A JPS6292331A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 半導体チツプの封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231017A JPS6292331A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 半導体チツプの封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6292331A true JPS6292331A (ja) | 1987-04-27 |
Family
ID=16916942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60231017A Pending JPS6292331A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 半導体チツプの封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6292331A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5041395A (en) * | 1989-04-07 | 1991-08-20 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Method of encapsulating an integrated circuit using a punched metal grid attached to a perforated dielectric strip |
| US5200362A (en) * | 1989-09-06 | 1993-04-06 | Motorola, Inc. | Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film |
| US5557252A (en) * | 1993-05-13 | 1996-09-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thick film circuit board and method of manufacturing the same |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60231017A patent/JPS6292331A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5041395A (en) * | 1989-04-07 | 1991-08-20 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Method of encapsulating an integrated circuit using a punched metal grid attached to a perforated dielectric strip |
| US5200362A (en) * | 1989-09-06 | 1993-04-06 | Motorola, Inc. | Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film |
| US5557252A (en) * | 1993-05-13 | 1996-09-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thick film circuit board and method of manufacturing the same |
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