JPS6258655B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6258655B2 JPS6258655B2 JP57160973A JP16097382A JPS6258655B2 JP S6258655 B2 JPS6258655 B2 JP S6258655B2 JP 57160973 A JP57160973 A JP 57160973A JP 16097382 A JP16097382 A JP 16097382A JP S6258655 B2 JPS6258655 B2 JP S6258655B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold
- thickness
- pusher
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/0055—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor with incorporated overflow cavities
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C43/36—Moulds for making articles of definite length, i.e. discrete articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
- B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明は半導体素子の樹脂封止方法に係り、特
に超薄型でかつ樹脂厚さのバラツキを皆無に近い
半導体素子の樹脂封止方法に関するものである。 電卓、電子時計等の薄型化、小型化が進み、こ
れに伴つて樹脂封止半導体の樹脂厚さを薄くする
要求が高まつている。この封止樹脂の厚さは半導
体素子の樹脂封止方法に大きく依存する。 現在、半導体素子は第１図ａに示すように配線
基板１（配線部図示せず）に半導体素子２を接着
剤等で固定し、両者をボンデイングワイヤ３で接
続してから、例えばシリコーングリースでダム４
を形成し、第１図ｂに示すように液状熱硬化性樹
脂５を滴下して半導体素子２、ボンデイングワイ
ヤ３を被覆し、これを真空脱泡してから加熱硬化
し、更にダム４を除去して第１図ｃの樹脂封止半
導体素子としている。 この方法では熱硬化性樹脂滴下後の樹脂厚さt1
が硬化後にはt2に減少する。 しかし、上記方法は硬化後の封止樹脂厚さt2は
樹脂滴下量に大きく左右されるため厚さを精度よ
く制御できず、ボンデイングワイヤ３が露出した
り、規格以上の厚さになり製品の品質歩留りを大
きく低下させている。 本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし封止樹脂厚さを薄くし、かつその厚さのばら
つきが少ない半導体の樹脂封止方法を提供するこ
とにある。 すなわち、上記発明は離型性良好な型で封止部
分を囲み、この中に樹脂を滴下してから型内壁寸
法より若干小さな寸法の表面が平滑な治具で所定
厚さに加圧して加熱硬化する点に特徴がある。 次に上記発明に至つた経過を説明する。まず、
厚さを均一にするため樹脂滴下量の制御に重点を
おき、樹脂の粘度、温度と滴下量との関係を検討
したが目的を達し得なかつた。 そこで、封止樹脂厚さを決めるため装置につい
て検討し上記の本発明の方法を見出した。 以下本発明を実施例により詳述する。第２図に
示すように、配線基板１（配線部図示せず）上に
半導体素子２（例えば4.5mm×4.5mm×0.2mmｔ）
を、例えば真空吸引などで固定し配線基板の配線
部と素子の端子部（図示せず）とをボンデイング
ワイヤ３（例えば直径25μｍ）で接続した。これ
をベース６にセツトし、テフロンなどの離型剤１
０を厚さ30〜40μｍコートした四角の貫通孔（円
形の貫通孔でも良い）を有する板７を配線基板１
の所定位置に設置した。その後、その板７を固定
治具８で固定した。この際、ベース６と上記の板
７は予め百数十度に加熱した。ついで液状熱硬化
性樹脂５（例えばフイラ含有のエポキシ樹脂）を
40〜50mg滴下した。その後、テフロンなどの離型
剤１０を厚さ30〜40μｍに塗布したプツシヤ９を
装填し所定の厚さになるようにセツトした。プツ
シヤ９の先端には角度θの突起部が設けられてお
り、上記の板７とのクリアランスａ，ｂが設けら
れている。ａ，ｂ，θを表のように変えた。これ
らの寸法は、位置決めピンにて±0.005mmの精度
で設定された。ついで、この状態で本装置を百数
十度に数分間加熱し、液状熱硬化性樹脂５を硬化
させた。硬化後、プツシヤ９を取りはずした。こ
の時、余分な封止樹脂１２は折れて除去された。
ついで固定治具８、前記の板７を解体する。これ
らの一連の工程を第３図に示した。第４図はこの
ようにして製作した樹脂封止半導体素子であり、
封止樹脂の厚さt2は0.485〜0.510mmであつた。
に超薄型でかつ樹脂厚さのバラツキを皆無に近い
半導体素子の樹脂封止方法に関するものである。 電卓、電子時計等の薄型化、小型化が進み、こ
れに伴つて樹脂封止半導体の樹脂厚さを薄くする
要求が高まつている。この封止樹脂の厚さは半導
体素子の樹脂封止方法に大きく依存する。 現在、半導体素子は第１図ａに示すように配線
基板１（配線部図示せず）に半導体素子２を接着
剤等で固定し、両者をボンデイングワイヤ３で接
続してから、例えばシリコーングリースでダム４
を形成し、第１図ｂに示すように液状熱硬化性樹
脂５を滴下して半導体素子２、ボンデイングワイ
ヤ３を被覆し、これを真空脱泡してから加熱硬化
し、更にダム４を除去して第１図ｃの樹脂封止半
導体素子としている。 この方法では熱硬化性樹脂滴下後の樹脂厚さt1
が硬化後にはt2に減少する。 しかし、上記方法は硬化後の封止樹脂厚さt2は
樹脂滴下量に大きく左右されるため厚さを精度よ
く制御できず、ボンデイングワイヤ３が露出した
り、規格以上の厚さになり製品の品質歩留りを大
きく低下させている。 本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし封止樹脂厚さを薄くし、かつその厚さのばら
つきが少ない半導体の樹脂封止方法を提供するこ
とにある。 すなわち、上記発明は離型性良好な型で封止部
分を囲み、この中に樹脂を滴下してから型内壁寸
法より若干小さな寸法の表面が平滑な治具で所定
厚さに加圧して加熱硬化する点に特徴がある。 次に上記発明に至つた経過を説明する。まず、
厚さを均一にするため樹脂滴下量の制御に重点を
おき、樹脂の粘度、温度と滴下量との関係を検討
したが目的を達し得なかつた。 そこで、封止樹脂厚さを決めるため装置につい
て検討し上記の本発明の方法を見出した。 以下本発明を実施例により詳述する。第２図に
示すように、配線基板１（配線部図示せず）上に
半導体素子２（例えば4.5mm×4.5mm×0.2mmｔ）
を、例えば真空吸引などで固定し配線基板の配線
部と素子の端子部（図示せず）とをボンデイング
ワイヤ３（例えば直径25μｍ）で接続した。これ
をベース６にセツトし、テフロンなどの離型剤１
０を厚さ30〜40μｍコートした四角の貫通孔（円
形の貫通孔でも良い）を有する板７を配線基板１
の所定位置に設置した。その後、その板７を固定
治具８で固定した。この際、ベース６と上記の板
７は予め百数十度に加熱した。ついで液状熱硬化
性樹脂５（例えばフイラ含有のエポキシ樹脂）を
40〜50mg滴下した。その後、テフロンなどの離型
剤１０を厚さ30〜40μｍに塗布したプツシヤ９を
装填し所定の厚さになるようにセツトした。プツ
シヤ９の先端には角度θの突起部が設けられてお
り、上記の板７とのクリアランスａ，ｂが設けら
れている。ａ，ｂ，θを表のように変えた。これ
らの寸法は、位置決めピンにて±0.005mmの精度
で設定された。ついで、この状態で本装置を百数
十度に数分間加熱し、液状熱硬化性樹脂５を硬化
させた。硬化後、プツシヤ９を取りはずした。こ
の時、余分な封止樹脂１２は折れて除去された。
ついで固定治具８、前記の板７を解体する。これ
らの一連の工程を第３図に示した。第４図はこの
ようにして製作した樹脂封止半導体素子であり、
封止樹脂の厚さt2は0.485〜0.510mmであつた。
【表】
この結果、厚さのばらつき、未充填発生率は表
に示すように良好であり、作業時間も表に示すよ
うに短縮された。 なお、前記の板７の欠損部１１は配線基板１に
密着するように設けたものであるが、欠損部が無
くてもシリコーングリースなどを塗布すれば密着
する。
に示すように良好であり、作業時間も表に示すよ
うに短縮された。 なお、前記の板７の欠損部１１は配線基板１に
密着するように設けたものであるが、欠損部が無
くてもシリコーングリースなどを塗布すれば密着
する。
第１図は従来の樹脂封止半導体素子の一例を示
す断面図、第２図は本発明の製造方法を示す断面
図、第３図は本発明の工程図、第４図は本発明の
方法で製造した樹脂封止半導体素子の断面図であ
る。 １……配線基板、２……半導体素子、３……ボ
ンデイングワイヤ、４……ダム、５……液状熱硬
化性樹脂、６……ベース、７……板、８……固定
治具、９……プツシヤ、１０……離型剤、１１…
…欠損部、１２……余分な封止樹脂。
す断面図、第２図は本発明の製造方法を示す断面
図、第３図は本発明の工程図、第４図は本発明の
方法で製造した樹脂封止半導体素子の断面図であ
る。 １……配線基板、２……半導体素子、３……ボ
ンデイングワイヤ、４……ダム、５……液状熱硬
化性樹脂、６……ベース、７……板、８……固定
治具、９……プツシヤ、１０……離型剤、１１…
…欠損部、１２……余分な封止樹脂。
Claims (1)
- １ 配線基板上にボンデイングワイヤで接続した
半導体素子の樹脂封止による製造方法において、
離型性良好な型で封止部分を囲み、この中に樹脂
を滴下してから型内壁寸法より若干小さな寸法の
表面平滑な治具で所定厚さに加圧して加熱硬化
し、余分の硬化樹脂を除去することを特徴とする
半導体の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160973A JPS5950534A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 半導体の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160973A JPS5950534A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 半導体の樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950534A JPS5950534A (ja) | 1984-03-23 |
| JPS6258655B2 true JPS6258655B2 (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=15726152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57160973A Granted JPS5950534A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 半導体の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950534A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW325744U (en) * | 1993-07-21 | 1998-01-21 | Ciba Geigy Ag | Two-sided contact lens mold |
| JP5235312B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2013-07-10 | サンデン株式会社 | インバータ一体型電動圧縮機の製造方法 |
| JP5247045B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2013-07-24 | サンデン株式会社 | インバータ一体型電動圧縮機の製造方法 |
| JP2008202566A (ja) | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Sanden Corp | インバータ一体型電動圧縮機 |
| JP6398399B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2018-10-03 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP57160973A patent/JPS5950534A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5950534A (ja) | 1984-03-23 |
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