JPS6292448A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPS6292448A JPS6292448A JP23137385A JP23137385A JPS6292448A JP S6292448 A JPS6292448 A JP S6292448A JP 23137385 A JP23137385 A JP 23137385A JP 23137385 A JP23137385 A JP 23137385A JP S6292448 A JPS6292448 A JP S6292448A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に配
線領域として高融点金属シリサイドを用いた半導体集積
回路装置の製造方法に関する。
線領域として高融点金属シリサイドを用いた半導体集積
回路装置の製造方法に関する。
近年における半導体集積回路装置の高集積化、高速化に
伴って、各素子の一部を構成するための電極はもとより
、各素子相互間や素子と外部とを接続するための配線領
域に低抵抗でかつ信顛性の高い高融点金属シリサイドが
利用される傾向にある。この高融点金属シリサイドを形
成するに法としては、従来高融点金属シリサイドの分子
を直接基板上に被着させるスパッタ法と、高融点金属を
シリコンと反応させながら基板上に成長させる気相成長
法があり、半導体集積回路装置に応じて適宜選択されて
用いられている。
伴って、各素子の一部を構成するための電極はもとより
、各素子相互間や素子と外部とを接続するための配線領
域に低抵抗でかつ信顛性の高い高融点金属シリサイドが
利用される傾向にある。この高融点金属シリサイドを形
成するに法としては、従来高融点金属シリサイドの分子
を直接基板上に被着させるスパッタ法と、高融点金属を
シリコンと反応させながら基板上に成長させる気相成長
法があり、半導体集積回路装置に応じて適宜選択されて
用いられている。
上述した従来の高融点金属シリサイドの形成に際し、前
者のスパッタ法では基板の段差部における被覆性が悪い
ため、下地の絶縁膜の形状に凹凸が存在しているとこの
段部で膜厚にバラツキが生じ、膜厚の薄い箇所で断線が
生じるという問題がある。特に、下層配線領域と接続を
行うコンタクト部位では、層間絶縁膜に形成した微細な
コンタクト孔を通して高融点金属シリサイド膜を形成す
るために、このコンタクト孔の急峻な段差によって断線
が生じ易い。
者のスパッタ法では基板の段差部における被覆性が悪い
ため、下地の絶縁膜の形状に凹凸が存在しているとこの
段部で膜厚にバラツキが生じ、膜厚の薄い箇所で断線が
生じるという問題がある。特に、下層配線領域と接続を
行うコンタクト部位では、層間絶縁膜に形成した微細な
コンタクト孔を通して高融点金属シリサイド膜を形成す
るために、このコンタクト孔の急峻な段差によって断線
が生じ易い。
また、後者の気相成長法では上述した被覆性は良好であ
るものの、下地の絶縁膜、通常ではシリコン酸化膜との
密着性が極端に低いため、この界面における剥離が生じ
易く、配線領域の信転性の低下を招くという問題がある
。
るものの、下地の絶縁膜、通常ではシリコン酸化膜との
密着性が極端に低いため、この界面における剥離が生じ
易く、配線領域の信転性の低下を招くという問題がある
。
本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、高融点金属
シリサイドからなる配線領域の断線の防止を図るととも
に下地との界面における密着性を向上してその信軌性を
高めるものであり、高融点金属シリサイド膜の形成に際
して、スパッタ法により下側高融点金属シリサイド膜を
形成した上に重ねて気相成長法により上側高融点金属シ
リサイド膜を形成する工程を含んでいる。この場合、上
側高融点金属シリサイド膜は下側高融点金属シリサイド
膜と同一又は異なる金属シリサイドで形成する。
シリサイドからなる配線領域の断線の防止を図るととも
に下地との界面における密着性を向上してその信軌性を
高めるものであり、高融点金属シリサイド膜の形成に際
して、スパッタ法により下側高融点金属シリサイド膜を
形成した上に重ねて気相成長法により上側高融点金属シ
リサイド膜を形成する工程を含んでいる。この場合、上
側高融点金属シリサイド膜は下側高融点金属シリサイド
膜と同一又は異なる金属シリサイドで形成する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例の断面図
である。
である。
先ず、同図（ａ）のように、シリコン基板１の表面に絶
縁膜としてシリコン酸化膜２を形成後、スパッタ法によ
って下側高融点金属シリサイド膜としてタングステンシ
リサイド膜３を１０００人の厚さに被着形成する。次い
で、同図（ｂ）のように、減圧下でＷＦ６ガスと、５ｉ
Ｈｎガスの反応による気相成長法により、前記タングス
テンシリサイド膜３の直上に重なるようにして上側高融
点金属シリサイド膜としてタングステンシリサイド層膜
４を４０００人成長させ、両タングステンシリサイド層
膜３．４を一体化させて配線領域５を構成する。
縁膜としてシリコン酸化膜２を形成後、スパッタ法によ
って下側高融点金属シリサイド膜としてタングステンシ
リサイド膜３を１０００人の厚さに被着形成する。次い
で、同図（ｂ）のように、減圧下でＷＦ６ガスと、５ｉ
Ｈｎガスの反応による気相成長法により、前記タングス
テンシリサイド膜３の直上に重なるようにして上側高融
点金属シリサイド膜としてタングステンシリサイド層膜
４を４０００人成長させ、両タングステンシリサイド層
膜３．４を一体化させて配線領域５を構成する。
第２図は本発明方法を下層配線領域とのコンタクト部位
に適用した実施例である。
に適用した実施例である。
即ち、シリコン基板１１の表面にシリコン酸化膜１２を
形成し、この上に下層配線領域としてのリンを導入して
低抵抗化した多結晶シリコン層１６を形成する。その上
に層間絶縁膜としてシリコン酸化膜１７を成長させ、こ
れに異方性エツチング法を利用してコンタクト孔１８を
開設する。
形成し、この上に下層配線領域としてのリンを導入して
低抵抗化した多結晶シリコン層１６を形成する。その上
に層間絶縁膜としてシリコン酸化膜１７を成長させ、こ
れに異方性エツチング法を利用してコンタクト孔１８を
開設する。
次いで、スパッタ法により下側高融点金属シリサイド膜
としてタングステンシリサイド膜１３ｔ−１０００人の
厚さに被着し、その上に直接気相成長法により上側高融
点金属シリサイド膜としてタングステンシリサイド膜１
４を４０００人の厚さに成長させる。これにより、下側
及び上側の各タングステンシリサイド膜１３．１４は一
体化され、上層配線領域１５を形成できる。
としてタングステンシリサイド膜１３ｔ−１０００人の
厚さに被着し、その上に直接気相成長法により上側高融
点金属シリサイド膜としてタングステンシリサイド膜１
４を４０００人の厚さに成長させる。これにより、下側
及び上側の各タングステンシリサイド膜１３．１４は一
体化され、上層配線領域１５を形成できる。
したがって、これら構成の配ＷＡ’ｆ；Ｍ域５，１５は
、スパッタ法により形成した下側高融点金属シリサイド
膜３．１３によって下地となるシリコン酸化膜２，１７
との密着性は良好なものとなり、剥離等を防止して信軌
性を向上できる。また、このスパッタ法によるシリサイ
ド膜のみでは段差部における被覆性に問題が生じるが、
これは気相成長法により形成した上側高融点金属シリサ
イド膜としての高融点金属シリサイド膜４，１４の段差
部における良好な被覆性によって補うことができる。
、スパッタ法により形成した下側高融点金属シリサイド
膜３．１３によって下地となるシリコン酸化膜２，１７
との密着性は良好なものとなり、剥離等を防止して信軌
性を向上できる。また、このスパッタ法によるシリサイ
ド膜のみでは段差部における被覆性に問題が生じるが、
これは気相成長法により形成した上側高融点金属シリサ
イド膜としての高融点金属シリサイド膜４，１４の段差
部における良好な被覆性によって補うことができる。
これにより、下地との密着性が良好でかつ断線の生じる
ことのない配線領域を得ることができる。
ことのない配線領域を得ることができる。
ここで前記実施例では下側高融点金属シリサイド膜と、
上側高融点金属シリサイド膜とを同じ金属シリサイドで
構成しているが、両者を異なる金属シリサイド層で構成
することもできる。また、高融点金属シリサイドとして
は、前記したタングステンの他にモリブデン、チタン等
を用いることもできる。
上側高融点金属シリサイド膜とを同じ金属シリサイドで
構成しているが、両者を異なる金属シリサイド層で構成
することもできる。また、高融点金属シリサイドとして
は、前記したタングステンの他にモリブデン、チタン等
を用いることもできる。
以上説明したように本発明は、スパッタ法により下側高
融点金属シリサイド膜を形成した後、上側高融点金属シ
リサイド膜を気相成長法により形成して配線領域を形成
しているので、下側高融点金属シリサイド膜によって下
地との密着性を向上するとともに、上側高融点金属シリ
サイド膜によって段差部における被覆性を向上でき、こ
れにより断線及び剥離のない信顛性に優れた配ｖＡＳｆ
ｆ域を有する半導体集積回路装置を製造することができ
る。
融点金属シリサイド膜を形成した後、上側高融点金属シ
リサイド膜を気相成長法により形成して配線領域を形成
しているので、下側高融点金属シリサイド膜によって下
地との密着性を向上するとともに、上側高融点金属シリ
サイド膜によって段差部における被覆性を向上でき、こ
れにより断線及び剥離のない信顛性に優れた配ｖＡＳｆ
ｆ域を有する半導体集積回路装置を製造することができ
る。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例を工程順
に示す断面図、第２図は他の実施例の断面図である。 １．１１・・・シリコン基板、２，１２．１７・・・シ
リコン酸化膜、３，１３・・・下側高融点金属シリサイ
ド膜（タングステンシリサイド膜）、４．１４・・・上
側高融点金属シリサイド膜（タングステンシリサイド膜
）、５．１５・・・配線領域、１６・・・下層配線領域
、１８・・・コンタクト孔。 第１図 第２図
に示す断面図、第２図は他の実施例の断面図である。 １．１１・・・シリコン基板、２，１２．１７・・・シ
リコン酸化膜、３，１３・・・下側高融点金属シリサイ
ド膜（タングステンシリサイド膜）、４．１４・・・上
側高融点金属シリサイド膜（タングステンシリサイド膜
）、５．１５・・・配線領域、１６・・・下層配線領域
、１８・・・コンタクト孔。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高融点金属シリサイド膜で配線領域を構成してなる
半導体集積回路装置の製造に際し、スパッタ法により下
側高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、この下側
高融点金属シリサイド膜上に気相成長法により上側高融
点金属シリサイド膜を重ねて形成し、これら上下の各高
融点金属シリサイド膜で配線領域を構成する工程とを含
むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 ２、上側高融点金属シリサイド膜を下側高融点金属シリ
サイド膜と同一又は異なる金属シリサイドで形成してな
る特許請求の範囲第１項記載の半導体集積回路装置の製
造方法。 ３、上側、下側の各高融点金属シリサイド膜を夫々タン
グステンシリサイド膜で形成してなる特許請求の範囲第
２項記載の半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23137385A JPS6292448A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23137385A JPS6292448A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6292448A true JPS6292448A (ja) | 1987-04-27 |
Family
ID=16922602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23137385A Pending JPS6292448A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6292448A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837600A (en) * | 1995-06-30 | 1998-11-17 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP23137385A patent/JPS6292448A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837600A (en) * | 1995-06-30 | 1998-11-17 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device |
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