JPS6293902A - Ptc導電性ポリマ−デバイス - Google Patents
Ptc導電性ポリマ−デバイスInfo
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- JPS6293902A JPS6293902A JP61236970A JP23697086A JPS6293902A JP S6293902 A JPS6293902 A JP S6293902A JP 61236970 A JP61236970 A JP 61236970A JP 23697086 A JP23697086 A JP 23697086A JP S6293902 A JPS6293902 A JP S6293902A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/027—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient consisting of conducting or semi-conducting material dispersed in a non-conductive organic material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C61/00—Shaping by liberation of internal stresses; Making preforms having internal stresses; Apparatus therefor
- B29C61/06—Making preforms having internal stresses, e.g. plastic memory
- B29C61/0608—Making preforms having internal stresses, e.g. plastic memory characterised by the configuration or structure of the preforms
- B29C61/0625—Preforms comprising incorporated or associated heating means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/146—Conductive polymers, e.g. polyethylene, thermoplastics
-
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S174/00—Electricity: conductors and insulators
- Y10S174/08—Shrinkable tubes
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- Conductive Materials (AREA)
- Cable Accessories (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
]産業上の利用分i’F ]
本イこ明は、P TC導電性ポリマー組成tワから成ろ
トヘ回・、u性電気デバイスに関する。
トヘ回・、u性電気デバイスに関する。
■[! 、’4’、の技術]
導′i5性ポリマーは既知である。導電性ポリマー、i
、釘113ポリマー中に分散させた、あるいは有機ポリ
マーにより一体に支持された粒状導電性充tl剤を含(
’Tする。C電性ポリマーは、電流が通過ずろ回路、例
えばヒーターおよび回路保護に使用され、そのような用
途において、P′PC(正温度係数)また:h z ′
r c C零温度係数)挙動として知られろ挙動を示す
ことかできる。rPTC挙動」なる語は、当技術分野で
通常に使用され、抵抗率か最乙大きい増加を示す14℃
の温度範囲におけろ最初と最後の抵抗率の比をR14か
表し、抵抗率か最ら人きい増加を示す100℃の温度範
囲にお(」′ろ最初と最後の抵抗率の比をnIooが示
し、抵抗率が最ら大きい増+1t1を示す30℃の温度
範囲における最初と最後の抵抗率の比をR3oがネタ場
合、操作温度範囲において、少なくとも25のR14値
または少なくと6IOのnIoo値、好ま1.<は両者
を有し、まlこ、少なくとtJ6の[?3o値を(rす
るのが好ましい組成物を0味する乙のとして本明細書で
は使用している。、FZTC挙動」なろ1;hら通常当
技術分野で使用され、操作温度範囲においてp ′r
c挙動を示さない組成物を色味するしのとして本明細書
では使用している。従って、この語は、デバイスの操作
温度範囲、例えばo−1oo℃において、(a)抵抗率
か実質的に変化しない、(b)抵抗率が実質的に増加す
るが、上で規定し1こようなl(1,まノニはnIoo
値を何さない、あるいは(C)実質的に抵抗率が減少す
る(しばしばN TC(負温度係数)挙動と表される。
、釘113ポリマー中に分散させた、あるいは有機ポリ
マーにより一体に支持された粒状導電性充tl剤を含(
’Tする。C電性ポリマーは、電流が通過ずろ回路、例
えばヒーターおよび回路保護に使用され、そのような用
途において、P′PC(正温度係数)また:h z ′
r c C零温度係数)挙動として知られろ挙動を示す
ことかできる。rPTC挙動」なる語は、当技術分野で
通常に使用され、抵抗率か最乙大きい増加を示す14℃
の温度範囲におけろ最初と最後の抵抗率の比をR14か
表し、抵抗率か最ら人きい増加を示す100℃の温度範
囲にお(」′ろ最初と最後の抵抗率の比をnIooが示
し、抵抗率が最ら大きい増+1t1を示す30℃の温度
範囲における最初と最後の抵抗率の比をR3oがネタ場
合、操作温度範囲において、少なくとも25のR14値
または少なくと6IOのnIoo値、好ま1.<は両者
を有し、まlこ、少なくとtJ6の[?3o値を(rす
るのが好ましい組成物を0味する乙のとして本明細書で
は使用している。、FZTC挙動」なろ1;hら通常当
技術分野で使用され、操作温度範囲においてp ′r
c挙動を示さない組成物を色味するしのとして本明細書
では使用している。従って、この語は、デバイスの操作
温度範囲、例えばo−1oo℃において、(a)抵抗率
か実質的に変化しない、(b)抵抗率が実質的に増加す
るが、上で規定し1こようなl(1,まノニはnIoo
値を何さない、あるいは(C)実質的に抵抗率が減少す
る(しばしばN TC(負温度係数)挙動と表される。
)組成物を包含するムのとして使用している。これらの
組成物は、操作温度範囲を越えるとPTC挙動を示すこ
とができる。
組成物は、操作温度範囲を越えるとPTC挙動を示すこ
とができる。
導電性ポリマー組成物およびデバイスに関する文献には
、例えば、以下のような乙のが挙げられろ。アメリカ合
衆国特許第2,952,761.2゜978.665.
3.243.753.3.351゜882.3,571
,777.3,757,086、3.793,716.
3,823,217.3.858,144.3,861
,029.3,950.G。
、例えば、以下のような乙のが挙げられろ。アメリカ合
衆国特許第2,952,761.2゜978.665.
3.243.753.3.351゜882.3,571
,777.3,757,086、3.793,716.
3,823,217.3.858,144.3,861
,029.3,950.G。
11.4.017,715.4,072,848.4゜
085.286.4.1 17,312.4.177゜
376.4,177.446.4,188,276.4
.237,441.4,242,573.4,246.
1I68.4,250,400.4.252,692、
=1,255,698.4,271.350.4゜27
2.47+、4.304,987.4,309゜596
.4,309,597.4.314,230.4.31
4,231,4,315,237.4,317.027
.4,318,881.4,327,351.4,33
0.704.4,334,351,4゜352.083
.4.361,799.4,311!8゜607.4,
398,084.4゜413,301゜4.425,3
97.4,426,339.4.426.633.4,
427,877.4,435.639.4.429,2
16.4,442,139.4゜4.59.473.4
,481.498.4.476゜450.4,502,
929.4,514,620.4.517.419.1
.534,889および4゜5GO,498号、クラソ
ンtsよびクーバット(KlasonおよびK uba
t) 、ジャーナル・オブ・アプライド・ポリマー・サ
イエンス(J、Applie4Polymer 5ci
ence)I 9,813−815(1975);ナル
キス(Narkis)ら、ポリマー・エンジニアリング
・アンド・サイエンス(P olymer E ngi
neeringand 5cience)上8.649
−653(1978):ヨーロッパ特許出願第38,7
13.38.7 + 4.38.718; 74.2
8L、92.406.119.807.133,748
.134,145.144.187.157,640.
158.410.175.550および176.284
号。
085.286.4.1 17,312.4.177゜
376.4,177.446.4,188,276.4
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ンtsよびクーバット(KlasonおよびK uba
t) 、ジャーナル・オブ・アプライド・ポリマー・サ
イエンス(J、Applie4Polymer 5ci
ence)I 9,813−815(1975);ナル
キス(Narkis)ら、ポリマー・エンジニアリング
・アンド・サイエンス(P olymer E ngi
neeringand 5cience)上8.649
−653(1978):ヨーロッパ特許出願第38,7
13.38.7 + 4.38.718; 74.2
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.134,145.144.187.157,640.
158.410.175.550および176.284
号。
特に重要なデバイスは、導電性ポリマー要素から成り、
導電性ポリマーに電流を通して回復を起こすのに必要な
熱を発生させることにより、例えば電話用ケーブルスプ
ライスの回りで回復できろような熱回復性物品である。
導電性ポリマーに電流を通して回復を起こすのに必要な
熱を発生させることにより、例えば電話用ケーブルスプ
ライスの回りで回復できろような熱回復性物品である。
このようなデバイスは、加熱方法を制御して過熱が起こ
り得ないようにするPTC導電性ポリマー要素を何して
成ってよい。これに関する参考文献としては、例えばア
メリカ合衆国特許第4,223,209.4,330.
703および4,421,582号、ならびにイギリス
国特許第1,265,194号がある。当技術分野では
周知であるように、ポリマー物品は、架橋し、溶融点以
上の温度で架橋した物品を変形し、変形した状態で冷却
することにより熱回復性に変えることができる(例えば
、アメリカ合衆国特許第3,086,242.2,02
7.962.3゜08G、242.3,253,618
.3,253゜619.3.379.218.3.45
5,336および3.770.556号参照)。しかし
ながら、残念なことに、架橋PTC導電性ポリマーを延
伸した場合、スイッチング温度(Ts)付近の抵抗率の
増加か減少する。多くの場合、架橋PTC導電性ポリマ
ーを2倍以上(即ち、元の寸法の2倍以上)に延伸する
と、暴走加熱に対する適当な保証を提供する導電性ポリ
マーの抵抗率の増加が止まり、例えば、先に定義したP
TC挙動を示さないようになる。アメリカ合衆国特許第
4,177.446および4.223.209号は、す
き間の形状の変化により寸法的変化を起こすことかてき
、また、非導電性熱回復性物品に取り付けろすき間付き
p ’r c導電性ポリマーヒーターにより、このよう
な欠点を克服しようとしている。これらの方法は育用で
あるが、回復後、ヒーター自体が、す気などに対する遮
断層を提供しないという欠点か問題である。
り得ないようにするPTC導電性ポリマー要素を何して
成ってよい。これに関する参考文献としては、例えばア
メリカ合衆国特許第4,223,209.4,330.
703および4,421,582号、ならびにイギリス
国特許第1,265,194号がある。当技術分野では
周知であるように、ポリマー物品は、架橋し、溶融点以
上の温度で架橋した物品を変形し、変形した状態で冷却
することにより熱回復性に変えることができる(例えば
、アメリカ合衆国特許第3,086,242.2,02
7.962.3゜08G、242.3,253,618
.3,253゜619.3.379.218.3.45
5,336および3.770.556号参照)。しかし
ながら、残念なことに、架橋PTC導電性ポリマーを延
伸した場合、スイッチング温度(Ts)付近の抵抗率の
増加か減少する。多くの場合、架橋PTC導電性ポリマ
ーを2倍以上(即ち、元の寸法の2倍以上)に延伸する
と、暴走加熱に対する適当な保証を提供する導電性ポリ
マーの抵抗率の増加が止まり、例えば、先に定義したP
TC挙動を示さないようになる。アメリカ合衆国特許第
4,177.446および4.223.209号は、す
き間の形状の変化により寸法的変化を起こすことかてき
、また、非導電性熱回復性物品に取り付けろすき間付き
p ’r c導電性ポリマーヒーターにより、このよう
な欠点を克服しようとしている。これらの方法は育用で
あるが、回復後、ヒーター自体が、す気などに対する遮
断層を提供しないという欠点か問題である。
[発明の構成]
発明者らは、(1)比較的低架橋度または非架橋p ’
r c導電性ポリマー要素、および(2)比較的高架橋
度の導電性ポリマーから成るのが好ましい熱回復性要素
を一体に組み合わせることにより上述のような欠点を克
服できることを見出たした。
r c導電性ポリマー要素、および(2)比較的高架橋
度の導電性ポリマーから成るのが好ましい熱回復性要素
を一体に組み合わせることにより上述のような欠点を克
服できることを見出たした。
第1の要旨において、本発明は、
(1)架橋導電性ポリマーから成り、熱回復性である第
1要素、 (2)導電性ポリマーから成り、p ’r c挙動を示
す第2要素、および (3)電源に接続可能な電極 からなる熱回復性デベフイスであって、該電極ならびに
第1および第2要素は、’11i極か適当な7u源に接
続された場合、デ・くイスが回復するように電流か第1
および第2要素を流れるようになっており、また、該第
2要素は以下の特性の少なくとも1つ:(a)実質的に
架橋されていない: (b)6Mラド以下、好ましくは3\4ラド以下の線量
て放射線、照射により架橋されている:(c)放射線]
!(i射により第1要素が架橋さイまた場合、第1要素
の架橋に使用し1こ線量より少なくと02Mラド低い、
好ましくは少なくと65Mラド低い線量で放射線照射に
より、第2要素が架橋されている。および ((1)結晶溶融温度より15℃高い温度において、(
i )40 ミルノq−サを有し、かツ(ii ) l
OM:r Fの線虫で2.7MeV電子線により一方
の表面を放射線照射した同一の材料のサンプルの同じ温
度におけるN11o。値の065倍を越えないM Hg
O値をHする。
1要素、 (2)導電性ポリマーから成り、p ’r c挙動を示
す第2要素、および (3)電源に接続可能な電極 からなる熱回復性デベフイスであって、該電極ならびに
第1および第2要素は、’11i極か適当な7u源に接
続された場合、デ・くイスが回復するように電流か第1
および第2要素を流れるようになっており、また、該第
2要素は以下の特性の少なくとも1つ:(a)実質的に
架橋されていない: (b)6Mラド以下、好ましくは3\4ラド以下の線量
て放射線、照射により架橋されている:(c)放射線]
!(i射により第1要素が架橋さイまた場合、第1要素
の架橋に使用し1こ線量より少なくと02Mラド低い、
好ましくは少なくと65Mラド低い線量で放射線照射に
より、第2要素が架橋されている。および ((1)結晶溶融温度より15℃高い温度において、(
i )40 ミルノq−サを有し、かツ(ii ) l
OM:r Fの線虫で2.7MeV電子線により一方
の表面を放射線照射した同一の材料のサンプルの同じ温
度におけるN11o。値の065倍を越えないM Hg
O値をHする。
を育することを特徴とするデバイスを提供する。
好ましいデバイスは、熱回復性てあり、架橋導電性ポリ
マーから「戊ろ第3要素を何して成り、第2要素は、第
1 、bよび第3要木によりモ:!〕5ぞれの電極から
離され、その活用、第1、第2および第3要素に電流が
流れる。これにより、デバイスの操作時にPTC要素に
形成されろ加熱部分か電髄に隣接Uず、従って、デバイ
スが回復する時のアーク改組または電気的短絡の可能性
を大きく減少させることを確保する。本発明の使用によ
り、驚くへき高回復比、例えば少なくと62または3、
あるいはそれ以上の回復比を有する熱回復性デバイスを
作ることか可能である。
マーから「戊ろ第3要素を何して成り、第2要素は、第
1 、bよび第3要木によりモ:!〕5ぞれの電極から
離され、その活用、第1、第2および第3要素に電流が
流れる。これにより、デバイスの操作時にPTC要素に
形成されろ加熱部分か電髄に隣接Uず、従って、デバイ
スが回復する時のアーク改組または電気的短絡の可能性
を大きく減少させることを確保する。本発明の使用によ
り、驚くへき高回復比、例えば少なくと62または3、
あるいはそれ以上の回復比を有する熱回復性デバイスを
作ることか可能である。
新規デバイスは、括(才のカバーリング、例えば電話用
ケーブルまたは他のケーブル間のスプライスに特に(r
効であり、該デバイスは、基材に隣接して配置し、次い
で適当な電源に接続して自己加熱17、基材に対して回
復させる。
ケーブルまたは他のケーブル間のスプライスに特に(r
効であり、該デバイスは、基材に隣接して配置し、次い
で適当な電源に接続して自己加熱17、基材に対して回
復させる。
本発明の熱回復性デバイスは、あらゆる構造にすること
ができるが、接触し、かつ好ましくは連続した(即し、
すき間がない)導電性ポリマ一層から成る積層熱収縮性
デバイスであるのが好ましく、主にそのようなデバイス
を参照して本発明を説明]る。r積層」なる語は、第3
次元よりはるかにkきし12つの次元を資4−るあらゆ
るデバイスを包含4−るちのとして使用している;従っ
て、積層デバイスはゝト面であ−)でらよいが、例えば
断面が環状てあ−、てしよい。本発明の積層デバイスは
、例えば包囲4−へさ基材の回りに巻き付け、巻き付け
lコC11uを固定し、物品に通電し、基+4に対して
回復さU−ることにより使用でさろ可撓性平面物品の彩
態に製造才ろのか好ましい。収縮した物品は、括Hに直
接的または間接的に、例えば接i?剤またはマスデック
の熱感応層であ−〕でよい例えば中間層をl!T!l:
て接触してよい。
ができるが、接触し、かつ好ましくは連続した(即し、
すき間がない)導電性ポリマ一層から成る積層熱収縮性
デバイスであるのが好ましく、主にそのようなデバイス
を参照して本発明を説明]る。r積層」なる語は、第3
次元よりはるかにkきし12つの次元を資4−るあらゆ
るデバイスを包含4−るちのとして使用している;従っ
て、積層デバイスはゝト面であ−)でらよいが、例えば
断面が環状てあ−、てしよい。本発明の積層デバイスは
、例えば包囲4−へさ基材の回りに巻き付け、巻き付け
lコC11uを固定し、物品に通電し、基+4に対して
回復さU−ることにより使用でさろ可撓性平面物品の彩
態に製造才ろのか好ましい。収縮した物品は、括Hに直
接的または間接的に、例えば接i?剤またはマスデック
の熱感応層であ−〕でよい例えば中間層をl!T!l:
て接触してよい。
γh規デバイスによ5いて、所望の回復か牛しるよJ〕
に要素を選択する必要があるのは当然である。
に要素を選択する必要があるのは当然である。
[〔旧、gに、熱回復性層を熱回復性に変化さける1r
iに浪素を一体に固定する程度に関して、所望の回復f
18す、えろことができろように堡索を選択4−る必要
か夕)る5、奸ま[、い電極は、変形して回復(場合に
より、膨張)に適応できるしの、特に回復時にすき間の
形状を変化さ仕ることにより形状を変化さU″ることが
できろすき間付き電極、例えば膨張金属メ・・ノンコ゛
市極、穿孔金属石電極および織金属?TI極である。し
、かじながら、電極のいずかれの長手方向に対して実質
的に直fQに回復が起こる限り、硬質電極を使用するこ
とができる。まノこ、デバイスかへ回復性要素の回復温
度に達し、(−分な回復か生じる間、その温度を保持す
るのを確保するように導電性ポリマーを慎重に選択する
必要かある。
iに浪素を一体に固定する程度に関して、所望の回復f
18す、えろことができろように堡索を選択4−る必要
か夕)る5、奸ま[、い電極は、変形して回復(場合に
より、膨張)に適応できるしの、特に回復時にすき間の
形状を変化さ仕ることにより形状を変化さU″ることが
できろすき間付き電極、例えば膨張金属メ・・ノンコ゛
市極、穿孔金属石電極および織金属?TI極である。し
、かじながら、電極のいずかれの長手方向に対して実質
的に直fQに回復が起こる限り、硬質電極を使用するこ
とができる。まノこ、デバイスかへ回復性要素の回復温
度に達し、(−分な回復か生じる間、その温度を保持す
るのを確保するように導電性ポリマーを慎重に選択する
必要かある。
熱回復性ポリマー物品の回復は、一般にポリマーの結晶
溶融点付近で起こるが、適度な時間(例えば、5分以T
:)で十分な回復を確保・[るために、幾分高い温度、
例えば少なくとも5℃高目に:4−るのが望ましい。■
)′l″C4電性ポリマーのスイッチング温度(’I’
s)は、一般に結晶溶融、11に度より少し低いが、I
〕i’ C導電性ポリマーをr]−4−る適当に設計さ
れたデバイスては、導電性ポリマー固有の′1゛S以」
−の′rsをfi′4’るようにすることが可能であり
、これに関しては、アメリカ合衆国特許第4.017.
715および4 、177 、376号に説明されてい
る。従って、すべての熱回復性要素かl) T C要素
として同一のポリマーを基本とする場合、高い回復比を
得るのは困難である。それ故、熱回復性要素の少なくと
も1つが第1結晶性ポリマーをから成り、PTC要素が
第1結晶性ポリマーの結晶溶融点より高い、好ましくは
少なくとも5℃高い、例えば5〜20℃高い結晶溶融点
を有する第2結晶性ポリマーから成るのが好ましい。(
導電性ポリマーを熱回復性に変えた場合に生じろような
)架橋PTC導電性ポリマーの配向は、加熱時に生じる
抵抗率の増加を減少さ仕、特に2倍またはそれ以上の高
膨張比において、乙はやPTC挙動を示さず、むしろZ
TC挙動を示す熱回復性部÷4になり得る。本発明は、
延伸された状態でもP′FC挙動を示す熱回復性要素、
およびZTC挙動を示し、PTC挙動を示す要素を延伸
することにより得られる熱回復性要素から成るデバイス
を包含する。しかしながら、このような要素は、特にP
TC要素の結晶性ポリマーより低い溶融点を打する結晶
性ポリマーから成る場合、回復する時に望ましくない一
〃、去で電流J)流れを阻害」゛ろl)T C挙動を再
度水土危険性がある。それ故、熱回復性要素の少なくと
も1つか収縮または非延伸の状態でZ T C挙動を示
す導電性ポリマーから成るへきであることか好ましい。
溶融点付近で起こるが、適度な時間(例えば、5分以T
:)で十分な回復を確保・[るために、幾分高い温度、
例えば少なくとも5℃高目に:4−るのが望ましい。■
)′l″C4電性ポリマーのスイッチング温度(’I’
s)は、一般に結晶溶融、11に度より少し低いが、I
〕i’ C導電性ポリマーをr]−4−る適当に設計さ
れたデバイスては、導電性ポリマー固有の′1゛S以」
−の′rsをfi′4’るようにすることが可能であり
、これに関しては、アメリカ合衆国特許第4.017.
715および4 、177 、376号に説明されてい
る。従って、すべての熱回復性要素かl) T C要素
として同一のポリマーを基本とする場合、高い回復比を
得るのは困難である。それ故、熱回復性要素の少なくと
も1つが第1結晶性ポリマーをから成り、PTC要素が
第1結晶性ポリマーの結晶溶融点より高い、好ましくは
少なくとも5℃高い、例えば5〜20℃高い結晶溶融点
を有する第2結晶性ポリマーから成るのが好ましい。(
導電性ポリマーを熱回復性に変えた場合に生じろような
)架橋PTC導電性ポリマーの配向は、加熱時に生じる
抵抗率の増加を減少さ仕、特に2倍またはそれ以上の高
膨張比において、乙はやPTC挙動を示さず、むしろZ
TC挙動を示す熱回復性部÷4になり得る。本発明は、
延伸された状態でもP′FC挙動を示す熱回復性要素、
およびZTC挙動を示し、PTC挙動を示す要素を延伸
することにより得られる熱回復性要素から成るデバイス
を包含する。しかしながら、このような要素は、特にP
TC要素の結晶性ポリマーより低い溶融点を打する結晶
性ポリマーから成る場合、回復する時に望ましくない一
〃、去で電流J)流れを阻害」゛ろl)T C挙動を再
度水土危険性がある。それ故、熱回復性要素の少なくと
も1つか収縮または非延伸の状態でZ T C挙動を示
す導電性ポリマーから成るへきであることか好ましい。
当業者が、自分の知識および本明細書の開示”1f項に
より本発明を実施Wろための適当な導電性ポリマーを決
定l−ることは全く困難ではない。適当な組成物には、
アメリカ合衆国特許出願第720゜118号と同時出願
である例えばヨーロッパ特許出願第8630244.0
号(公開番号第197759号)に記載されている乙の
か包含され、それには溶融加工可能なポリマー、特に徂
景11平均分子量Mwが少なくともI 50000、好
ましくは150000〜400000のポリエチレンが
含まれる。これらの組成物は、昇温下でら、また少し架
橋されていてもまたは全く架橋されていなくても優秀な
物性を示し、第2要素として使用するのに特に好ましい
。他の適当な組成物は、ヨーロッパ特許公開第1531
99号および第157640号に開示され、それらは、
分子ffl M wが3百万以上のポリマー、特に焼結
したポリマーから成る。
より本発明を実施Wろための適当な導電性ポリマーを決
定l−ることは全く困難ではない。適当な組成物には、
アメリカ合衆国特許出願第720゜118号と同時出願
である例えばヨーロッパ特許出願第8630244.0
号(公開番号第197759号)に記載されている乙の
か包含され、それには溶融加工可能なポリマー、特に徂
景11平均分子量Mwが少なくともI 50000、好
ましくは150000〜400000のポリエチレンが
含まれる。これらの組成物は、昇温下でら、また少し架
橋されていてもまたは全く架橋されていなくても優秀な
物性を示し、第2要素として使用するのに特に好ましい
。他の適当な組成物は、ヨーロッパ特許公開第1531
99号および第157640号に開示され、それらは、
分子ffl M wが3百万以上のポリマー、特に焼結
したポリマーから成る。
第2要素のPTC導電性ポリマーは、延伸後でし要素が
必要な温度制御を堤供するように架橋されていないか、
あるいは比較的架橋度が低いことが重要である。デバイ
スを熱回復性にするために使用する膨張比が大きければ
大きいほど、許容できる架橋度は低くなる。本発明は、
膨張比が3倍以上、好ましくは4倍以上の場合、特に存
効である。
必要な温度制御を堤供するように架橋されていないか、
あるいは比較的架橋度が低いことが重要である。デバイ
スを熱回復性にするために使用する膨張比が大きければ
大きいほど、許容できる架橋度は低くなる。本発明は、
膨張比が3倍以上、好ましくは4倍以上の場合、特に存
効である。
新規デバイスは、種々の要素を一体に積層し、導電性ポ
リマー要素は、既に所望の架橋度を在しくまたは第2要
素は全く架橋されていない)、次いで積層物を熱回復性
にする処理に付すことにより容易に製造することかでき
る。この方法において、各要素は(積層の前に)個々の
部材として存在してよい。別法では、2つまたはそれ以
上の導電性ポリマー要素は、2つまたはそれ以上の部材
の積層物あるいは単一部材の選択的架橋により製造され
た単一部材として存在してよい。このような選択的架橋
は、適当な層におけろ放射線ロ6射架12剤または放射
線照射架橋禁11−剤の17住により、および/または
導電性ボリマーシートの片側または両側表面に照射する
エネルギーを小さくして、架橋密度がシートの中央より
表面のほうか実質的に高くなるようにすることより得る
ことができる。
リマー要素は、既に所望の架橋度を在しくまたは第2要
素は全く架橋されていない)、次いで積層物を熱回復性
にする処理に付すことにより容易に製造することかでき
る。この方法において、各要素は(積層の前に)個々の
部材として存在してよい。別法では、2つまたはそれ以
上の導電性ポリマー要素は、2つまたはそれ以上の部材
の積層物あるいは単一部材の選択的架橋により製造され
た単一部材として存在してよい。このような選択的架橋
は、適当な層におけろ放射線ロ6射架12剤または放射
線照射架橋禁11−剤の17住により、および/または
導電性ボリマーシートの片側または両側表面に照射する
エネルギーを小さくして、架橋密度がシートの中央より
表面のほうか実質的に高くなるようにすることより得る
ことができる。
導電性ポリマーを架橋しfこ程1丈の尺度の1つは、溶
融点以上でのM I OO値である。第2要素は、結晶
溶融温度より15℃高い、温度において、40ミルの厚
さを有しかつ10Mラドの線晴で27\1eV電T線に
より表面を放射線、llQ射した同一[村5Lのサンプ
ルの同じ温度におけろM r o o値の0.65倍を
越えない、特に0.5倍を越えないN1□。。値をrf
するのか好ましい。本明細書で使用するM、、、値は、
材料の結晶溶融温度より15℃高いIAM空で実施ずろ
動的弾性率試験により測定される。この試験において、
要素のサンプルの伸びか100%になる(あるいは10
0%伸びにならない場合は破壊する)までに必要な応力
を測定する。インストロン(I n5tron)加熱川
内で、1イン手(2,54cm)離れノー印をトソグボ
ーンサンプル(長さ4インチ、!9さ40ミル、中央部
分の幅0125インヂ、試験に使用したゲージ長さ15
インチ)の中央部分に配置し、十オ料の結晶溶融温度よ
り15℃高い温度て、2インヂ/′分の速度でサンプル
を延伸する。100%伸びにおけろ負荷を測定し、次式
によりMloo(直を計算する。
融点以上でのM I OO値である。第2要素は、結晶
溶融温度より15℃高い、温度において、40ミルの厚
さを有しかつ10Mラドの線晴で27\1eV電T線に
より表面を放射線、llQ射した同一[村5Lのサンプ
ルの同じ温度におけろM r o o値の0.65倍を
越えない、特に0.5倍を越えないN1□。。値をrf
するのか好ましい。本明細書で使用するM、、、値は、
材料の結晶溶融温度より15℃高いIAM空で実施ずろ
動的弾性率試験により測定される。この試験において、
要素のサンプルの伸びか100%になる(あるいは10
0%伸びにならない場合は破壊する)までに必要な応力
を測定する。インストロン(I n5tron)加熱川
内で、1イン手(2,54cm)離れノー印をトソグボ
ーンサンプル(長さ4インチ、!9さ40ミル、中央部
分の幅0125インヂ、試験に使用したゲージ長さ15
インチ)の中央部分に配置し、十オ料の結晶溶融温度よ
り15℃高い温度て、2インヂ/′分の速度でサンプル
を延伸する。100%伸びにおけろ負荷を測定し、次式
によりMloo(直を計算する。
最初の断面積
本発明のデバイスは、通常デバイスの回復を阻害せず、
また好ましくは自体熱回復性である電気絶縁材の層によ
り包囲される。
また好ましくは自体熱回復性である電気絶縁材の層によ
り包囲される。
第1図および第2図は、第1膨張金属電極l、z ’r
c yt動を示す架橋導電性ポリマーの連続熱間f夏性
層2、架橋導電性ポリマーの連続熱回復性層3、PTC
挙動を示す非架橋導電性ポリマーの連続層4、架橋導電
性ポリマーの連続熱回復性層5、ZTC挙動を示′4−
架橋導電性ボリマーの連続熱回復性層6、および第2膨
張金属電極7をrfシて成る熱収縮性積層デ・・イスを
示す、。
c yt動を示す架橋導電性ポリマーの連続熱間f夏性
層2、架橋導電性ポリマーの連続熱回復性層3、PTC
挙動を示す非架橋導電性ポリマーの連続層4、架橋導電
性ポリマーの連続熱回復性層5、ZTC挙動を示′4−
架橋導電性ボリマーの連続熱回復性層6、および第2膨
張金属電極7をrfシて成る熱収縮性積層デ・・イスを
示す、。
本発明のデバイスを製造する方法を説明する次の実施例
を参1!u (、て本発明を説1!1目゛る。こび)方
法は、例えば層3、4および5が単一のf” T C層
として供給される第1図および第2図に示しノこデバイ
スを製造するために使用4゛ることかできる。
を参1!u (、て本発明を説1!1目゛る。こび)方
法は、例えば層3、4および5が単一のf” T C層
として供給される第1図および第2図に示しノこデバイ
スを製造するために使用4゛ることかできる。
実施、;i−
最初に、以下のようにしてデバイスの要素のつ■酸物を
製造した。
製造した。
A)絶縁組成物(第1図および第2図に示さ」0)DE
FI)1225(非常に低密度の線状ポリエチレン、ユ
ニオン・カーバイト(Union(、Carbi(lt
=)製) 97,0irj量%スタテッ
クス(S Latex)MT (カーホンブラック、コ
〔Jンビアン・ケミカル(ColumbianChem
ical)社1) 2.0重ffi%酸化
防止剤 1.0重量%B)電極メツシ
ュ(第1図および第2図の部十41)10−AL−to
575(デルカー(Delker)社製) メツツクの厚さは、IOミルであり、メツシュの各スト
ランドの幅はIOミルであり、1インチに12のスリッ
トかある。
FI)1225(非常に低密度の線状ポリエチレン、ユ
ニオン・カーバイト(Union(、Carbi(lt
=)製) 97,0irj量%スタテッ
クス(S Latex)MT (カーホンブラック、コ
〔Jンビアン・ケミカル(ColumbianChem
ical)社1) 2.0重ffi%酸化
防止剤 1.0重量%B)電極メツシ
ュ(第1図および第2図の部十41)10−AL−to
575(デルカー(Delker)社製) メツツクの厚さは、IOミルであり、メツシュの各スト
ランドの幅はIOミルであり、1インチに12のスリッ
トかある。
C) 7. T C組成物(第1図および第2図の部材
2および6) ケンチェンブラノク(KeLjcnblack) 30
0 、J (アタツトヘミー(、八kzo Chem
ic)製)200重量% Dr’D6169(エチレンエチルアクリレート、ユニ
オン・カーバイド製) 790重帛%酸化防+L−剤
l O重量%I))I)′r’c組
成物(第り図および第2図の部材3、4および5) スタテソクスG11(カーボンブラック、コロノヒアン
・ケミカル社製) 41.OJn’tt%マーレッ
クス(Marlex)t(X M 50100 (高分
子iit 1’+”f+密度ポリエヂレン、フィリップ
ス(1)hillips)製) 58 、
0重M%酸化防止剤 10重−4%使
用した酸化防+t′、剤は、アメリカ合衆国特許第3.
986.981吋に記載されている4へ均重合度が3〜
4の4、4−ヂオビス(3−メチル−6−t−ブヂルフ
エノール)のオリゴマーである。
2および6) ケンチェンブラノク(KeLjcnblack) 30
0 、J (アタツトヘミー(、八kzo Chem
ic)製)200重量% Dr’D6169(エチレンエチルアクリレート、ユニ
オン・カーバイド製) 790重帛%酸化防+L−剤
l O重量%I))I)′r’c組
成物(第り図および第2図の部材3、4および5) スタテソクスG11(カーボンブラック、コロノヒアン
・ケミカル社製) 41.OJn’tt%マーレッ
クス(Marlex)t(X M 50100 (高分
子iit 1’+”f+密度ポリエヂレン、フィリップ
ス(1)hillips)製) 58 、
0重M%酸化防止剤 10重−4%使
用した酸化防+t′、剤は、アメリカ合衆国特許第3.
986.981吋に記載されている4へ均重合度が3〜
4の4、4−ヂオビス(3−メチル−6−t−ブヂルフ
エノール)のオリゴマーである。
ポリマー組成物は、4゛へてバンバリー(B unba
ry)配合機、次いでペレット成型機により製造した。
ry)配合機、次いでペレット成型機により製造した。
次いで、ポリマー組成物を(シートグイ幅21インチ、
スクリュー直径2.5インチの押出機を使用して)押し
出してシートにした。この場合、絶縁層は300〜35
0°■?で、Zr2層は320〜350°Fで、またP
’l” C層は380〜1150°Fで押し出し、p
rcli′n+戊物は40ミルの17さの、またZ ’
r cおよび絶縁シートは35ミルの厚さのシートにし
た。絶縁組成物のシート、電極メソツユおよびZ i’
C組成物のシートから成り、電極メツノコをポリマー
<n酸物の間に挾んだ2つの債、判物を製造した。積層
lJ、aoo°1?て挾み!7−ルを10フイ一ト/分
で操作し25psiの力を作用させて実施した。積層物
は32’Fで冷却した。iひられたWr層物を14側か
ら2.7λ4(へl電子線により8Mラドの線(ilで
放射腺照111.t L /−0P T C組成物のシ
−1・は、両側から175MeV電子線により20Mラ
ドの線(iで放射線照射した。次いで、第2債層王程を
実施し、1iij以て製造した2枚の絶縁材/電極/Z
TC積層物の間に放射線、口(1射したP TCシート
を積層した。第2積層工程は1,150°Fで挾みロー
ルを3.5フイ−h/分で操作し15psiの力を作用
させ−て実施した。最終積層物は、320Fで冷却した
。積jΔ処理のためにP T C層は100℃に予熱し
た。最終的に得られた積層物を膨張させて熱回復性にし
た。膨張は、エキスパンダーを使用して行い、積層物を
5フイ一ト/分でエキスパンダーに供給し、15フイ一
ト/分でエキスパンダーから引いた。膨張処理の〕゛こ
めに、積層物は230℃に予熱した。
スクリュー直径2.5インチの押出機を使用して)押し
出してシートにした。この場合、絶縁層は300〜35
0°■?で、Zr2層は320〜350°Fで、またP
’l” C層は380〜1150°Fで押し出し、p
rcli′n+戊物は40ミルの17さの、またZ ’
r cおよび絶縁シートは35ミルの厚さのシートにし
た。絶縁組成物のシート、電極メソツユおよびZ i’
C組成物のシートから成り、電極メツノコをポリマー
<n酸物の間に挾んだ2つの債、判物を製造した。積層
lJ、aoo°1?て挾み!7−ルを10フイ一ト/分
で操作し25psiの力を作用させて実施した。積層物
は32’Fで冷却した。iひられたWr層物を14側か
ら2.7λ4(へl電子線により8Mラドの線(ilで
放射腺照111.t L /−0P T C組成物のシ
−1・は、両側から175MeV電子線により20Mラ
ドの線(iで放射線照射した。次いで、第2債層王程を
実施し、1iij以て製造した2枚の絶縁材/電極/Z
TC積層物の間に放射線、口(1射したP TCシート
を積層した。第2積層工程は1,150°Fで挾みロー
ルを3.5フイ−h/分で操作し15psiの力を作用
させ−て実施した。最終積層物は、320Fで冷却した
。積jΔ処理のためにP T C層は100℃に予熱し
た。最終的に得られた積層物を膨張させて熱回復性にし
た。膨張は、エキスパンダーを使用して行い、積層物を
5フイ一ト/分でエキスパンダーに供給し、15フイ一
ト/分でエキスパンダーから引いた。膨張処理の〕゛こ
めに、積層物は230℃に予熱した。
第1図および第2図は、第1膨張金属電極1、z ”r
c挙動を示す架橋導電性ポリマーの連続熱回復性層2
、架橋導電性ポリマーの連続熱回復性層3、P TC挙
動を示す非架橋導電性ポリマーの連続層4、架橋導電性
ポリマーの連続熱回復性層5、Z T C挙動を示す架
橋導電性ポリマーの連続熱回復性層6、および第2膨張
金嘱電極7を有(2て成る熱収縮性積層デバイスの図。
c挙動を示す架橋導電性ポリマーの連続熱回復性層2
、架橋導電性ポリマーの連続熱回復性層3、P TC挙
動を示す非架橋導電性ポリマーの連続層4、架橋導電性
ポリマーの連続熱回復性層5、Z T C挙動を示す架
橋導電性ポリマーの連続熱回復性層6、および第2膨張
金嘱電極7を有(2て成る熱収縮性積層デバイスの図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(1)架橋導電性ポリマーから成り、熱回復性であ
る第1要素、 (2)導電性ポリマーから成り、PTC挙動を示す第2
要素、および (3)電源に接続可能な電極 からなる熱回復性デバイスであって、該電極ならびに第
1および第2要素は、電極が適当な電源に接続された場
合、デバイスが回復するように電流が第1および第2要
素を流れるようになっており、また、該第2要素は以下
の特性の少なくとも1つ: (a)実質的に架橋されていない; (b)6Mラド以下の線量で放射線照射により架橋され
ている; (c)放射線照射により第1要素が架橋された場合、第
1要素の架橋に使用した線量より少なくとも2Mラド低
い線量で放射線照射により、第2要素が架橋されている
、および (d)結晶溶融温度より15℃高い温度において、 (i)40ミルの厚さを有し、かつ (ii)10Mラドまでの線量で2.7MeV電子線に
より一方の表面を放射線照射した同一の材料のサンプル
の同じ温度におけるM_1_0_0値の0.65倍を越
えないM_1_0_0値を有する; を有することを特徴とするデバイス。 2、更に、(4)架橋導電性ポリマーから成り、熱回復
性である第3要素を有して成る特許請求の範囲第1項記
載のデバイスであって、第2要素が第1要素と第3要素
との間にあり、従って、電極間に電流が流れた場合、第
1、第2および第3要素に電流が流れることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のデバイス。 3、熱収縮性であり、第1、第2および第3要素が連続
した積層シートの形態である特許請求の範囲第2項記載
のデバイス。 4、回復比が少なくとも2である特許請求の範囲第2項
または第3項記載のデバイス。 5、第1結晶溶融点を有する導電性ポリマーから成り、
ZTC挙動を示す熱収縮性要素、およびPTC挙動を示
し、第1溶融点より少なくとも5℃高い第2結晶溶融点
を有する導電性ポリマーから成る第2要素を有して成る
特許請求の範囲第1〜4項のいずれかに記載のデバイス
。 6、第2溶融点が、第1溶融点より5〜20℃高い特許
請求の範囲第5項記載のデバイス。 7、順に、(a)架橋導電性ポリマーから成り、熱収縮
性状態および収縮状態でZTC挙動を示す熱収縮性シー
ト、 (b)架橋導電性ポリマーから成り、収縮状態でPTC
挙動を示す熱収縮性シート、 (c)実質的に非架橋導電性ポリマーから成り、熱収縮
性状態および収縮状態でPTC挙動を示す熱収縮性シー
ト、 (d)架橋導電性ポリマーから成り、収縮状態でPTC
挙動を示す熱収縮性シート、および (e)架橋導電性ポリマーから成り熱収縮性状態および
収縮状態でZTC挙動を示す熱収縮性シートから成る特
許請求の範囲第1〜6項のいずれかに記載のデバイス。 8、(A)PTC挙動を示し、比較的低架橋度である内
側層および比較的高架橋度である2つの外側層から放射
線照射後にシートが成るような条件下で導電性ポリマー
から成るシートを放射線照射する工程;および (B)工程(A)で得られた放射線照射したシートを熱
収縮性にする処理に付す工程から成る方法により製造さ
れた特許請求の範囲第1〜7項のいずれかに記載のデバ
イス。 9、第2要素が、分子量が150000〜400000
であるポリエチレンから成る導電性ポリマーから成る特
許請求の範囲第1〜8項のいずれかに記載のデバイス。 10、(A)基材に隣接して特許請求の範囲第1〜9項
のいずれかに記載の熱回復性デバイスを配置する工程、
および (B)電極を電源に接続し、デバイスを基材に対して回
復させる工程から成る基材のカバーリング方法。
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