JPS629669A - ゲ−トタ−ンオフサイリスタ - Google Patents
ゲ−トタ−ンオフサイリスタInfo
- Publication number
- JPS629669A JPS629669A JP60149456A JP14945685A JPS629669A JP S629669 A JPS629669 A JP S629669A JP 60149456 A JP60149456 A JP 60149456A JP 14945685 A JP14945685 A JP 14945685A JP S629669 A JPS629669 A JP S629669A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- type semiconductor
- shape
- thyristor
- emitter region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/141—Anode or cathode regions of thyristors; Collector or emitter regions of gated bipolar-mode devices, e.g. of IGBTs
- H10D62/142—Anode regions of thyristors or collector regions of gated bipolar-mode devices
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、？−）ターンオフサイリスタに関する。
゛ 従来１ノードシ曹−ト型のダートターンオフサイリ
スタは、第４図に示すようなアノード側の主面を有して
いる。図中１は、Ｎ型半導体層の露出面で形成されたア
ノードショート部１は、第５図に示す如く楕円形をなし
ており、その周囲をＰ型のエミッタ領域２で囲まれてい
る。エミッタ領域２は、前述のＮ型半導体層の露出面３
で凹まれている。而して、このような構造を有するダー
トターンオフサイリスタからなる半導体装置では、素子
特性のトータルロスを最小にする上で■スナバーコンデ
ンサの容量を減らすこと、■定常オン電圧降下（ＶＴＭ
、）を小さくすることが必要である。しかし、スナバ
−コンデンサの容量の低減を、エミッタ領域２の直下の
所謂ペース幅を厚くすることは或はライフタイム（τ、
）を小さくすることにより、ピークターンオフ電流（Ｉ
ＴＧＯＭ 、）の能力を高めて実現すると、逆に定常オ
ン電圧降下を増大する結果となる。その結果、ライフタ
イム一定常オン電圧降下特性を改善できない問題があっ
た。
スタは、第４図に示すようなアノード側の主面を有して
いる。図中１は、Ｎ型半導体層の露出面で形成されたア
ノードショート部１は、第５図に示す如く楕円形をなし
ており、その周囲をＰ型のエミッタ領域２で囲まれてい
る。エミッタ領域２は、前述のＮ型半導体層の露出面３
で凹まれている。而して、このような構造を有するダー
トターンオフサイリスタからなる半導体装置では、素子
特性のトータルロスを最小にする上で■スナバーコンデ
ンサの容量を減らすこと、■定常オン電圧降下（ＶＴＭ
、）を小さくすることが必要である。しかし、スナバ
−コンデンサの容量の低減を、エミッタ領域２の直下の
所謂ペース幅を厚くすることは或はライフタイム（τ、
）を小さくすることにより、ピークターンオフ電流（Ｉ
ＴＧＯＭ 、）の能力を高めて実現すると、逆に定常オ
ン電圧降下を増大する結果となる。その結果、ライフタ
イム一定常オン電圧降下特性を改善できない問題があっ
た。
本発明は、ライフタイム一定常オン電圧降下特性（τ−
ＶＴＭ特性）の向上を図ったｆｆ−）ターンオンサイリ
スタを提供することをその目的とするものである。
ＶＴＭ特性）の向上を図ったｆｆ−）ターンオンサイリ
スタを提供することをその目的とするものである。
本発明は、アノードシ璽−ト部を囲むこれと反対導電型
の不純物囲域の面積を可能な限り大きくしたことにより
、ライフタイム一定常オン電圧降下特性（τ−ＶＴＭ特
性）の向上を達成したダートターンオフサイリスタであ
る。
の不純物囲域の面積を可能な限り大きくしたことにより
、ライフタイム一定常オン電圧降下特性（τ−ＶＴＭ特
性）の向上を達成したダートターンオフサイリスタであ
る。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である０図中２０は、底面側（アノード側〕から第２番
目のＮ型半導体層である。Ｎ型半導体層２０は、アノー
ドショート部２１となる露出部を有している。アノード
シ冒−ト部２１は、底面側から第１番目のＰ型半導体Ｈ
２２で構成されるエミッタ領域２３で囲まれ、アノード
エレメント２４を構成している。アノードエレメント２
４は、第２図に示す如く、Ｎ型半導体層２１と同時に形
成されたＮ型半導体層２５で囲まれた底面を構成すると
共に、この底面の中心部から放射状に複数段になフて配
置されている。アノードシ箇−ト部２１を囲むエミッタ
領域１３０−形状は、第３図に示す如く、略扇形に設定
されている。このエミッタ領域２３の形状は、露出面積
が最大になるように設定されてい、るものであれば略扇
形以外の如何なるものでありても良い。Ｎ型半導体層２
０上には、Ｐ型牛導体層２６、Ｎ型半導体層２１が順次
積層されている。底面側から３番目のＰ型半導体層２６
上には、ｆ−）電極２８が形成され、底面側から４番目
のＮ型半導体層２１上には、カソード電極２９が形成さ
れている。
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である０図中２０は、底面側（アノード側〕から第２番
目のＮ型半導体層である。Ｎ型半導体層２０は、アノー
ドショート部２１となる露出部を有している。アノード
シ冒−ト部２１は、底面側から第１番目のＰ型半導体Ｈ
２２で構成されるエミッタ領域２３で囲まれ、アノード
エレメント２４を構成している。アノードエレメント２
４は、第２図に示す如く、Ｎ型半導体層２１と同時に形
成されたＮ型半導体層２５で囲まれた底面を構成すると
共に、この底面の中心部から放射状に複数段になフて配
置されている。アノードシ箇−ト部２１を囲むエミッタ
領域１３０−形状は、第３図に示す如く、略扇形に設定
されている。このエミッタ領域２３の形状は、露出面積
が最大になるように設定されてい、るものであれば略扇
形以外の如何なるものでありても良い。Ｎ型半導体層２
０上には、Ｐ型牛導体層２６、Ｎ型半導体層２１が順次
積層されている。底面側から３番目のＰ型半導体層２６
上には、ｆ−）電極２８が形成され、底面側から４番目
のＮ型半導体層２１上には、カソード電極２９が形成さ
れている。
このように構成されたｒ−）ターンオフサイリスタＳＯ
によれば、工にツタ領域２３の露出面積が従来のものに
比べて遥かに大きく設定さているので、Ｎ型半導体層２
０で構成される所謂ペース幅りを厚くしても導通状態に
おける電流密度を十分に下げることができる。ライフタ
イム一定常オン電圧降下特性（τ−Ｖ！Ｍ特性〕を著し
く向上させ、ることかできる・ 〔発明の効果〕 以上説明した如く、本発明に係るｒ−）ターンオフサイ
リスタによれば、ライフタイム一定常オン電圧降下特性
（τ−ＶｒＭＷ性）を向上させることができるものであ
る。
によれば、工にツタ領域２３の露出面積が従来のものに
比べて遥かに大きく設定さているので、Ｎ型半導体層２
０で構成される所謂ペース幅りを厚くしても導通状態に
おける電流密度を十分に下げることができる。ライフタ
イム一定常オン電圧降下特性（τ−Ｖ！Ｍ特性〕を著し
く向上させ、ることかできる・ 〔発明の効果〕 以上説明した如く、本発明に係るｒ−）ターンオフサイ
リスタによれば、ライフタイム一定常オン電圧降下特性
（τ−ＶｒＭＷ性）を向上させることができるものであ
る。
第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図、
第２図は、同実施例の要部の底面図、第３図は、同要部
の拡大図、第４図は、従来のダートターンオフサイリス
タの要部の底面図、第５図は同要部の拡大図である。 ２０・・・Ｎ型半導体層、２１・・・アノードシ冒−ト
部、２２・・・Ｐ型半導体層、２３・・・スミツタ領域
、２４・・・アノードエレメント、２５・・・Ｎ型半道
＆唱の訝出面−２６・・・ｐ刑半道仕層−２１・・・Ｎ
型半導体層、２８・・・グー）電杓、２９・・・カソー
ド電極、３０・・・ダートタ、−ンオフサイリスタ。
第２図は、同実施例の要部の底面図、第３図は、同要部
の拡大図、第４図は、従来のダートターンオフサイリス
タの要部の底面図、第５図は同要部の拡大図である。 ２０・・・Ｎ型半導体層、２１・・・アノードシ冒−ト
部、２２・・・Ｐ型半導体層、２３・・・スミツタ領域
、２４・・・アノードエレメント、２５・・・Ｎ型半道
＆唱の訝出面−２６・・・ｐ刑半道仕層−２１・・・Ｎ
型半導体層、２８・・・グー）電杓、２９・・・カソー
ド電極、３０・・・ダートタ、−ンオフサイリスタ。
Claims (1)
- 互に導電型の異なる半導体層を順次４層積層すると共に
、底面側の主面を底面側から第２番目の半導体層と同じ
導電型の半導体層で形成されるアノードショート部が底
面側から第１番目の半導体層で囲まれた状態で前記主面
中心部より放射状に多数個配置されるように形成したゲ
ートターンオフサイリスタにおいて、アノードショート
部を囲む底面側から第１番目の半導体層の露出面の形状
を露出面積が最大になるように略扇形にしたことを特徴
とするゲートターンオフサイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149456A JPS629669A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149456A JPS629669A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629669A true JPS629669A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15475515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60149456A Pending JPS629669A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629669A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05123769A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-21 | Ishihara Kikai Kogyo Kk | スパイラルベンダ− |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610967A (en) * | 1979-07-06 | 1981-02-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57153467A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP60149456A patent/JPS629669A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610967A (en) * | 1979-07-06 | 1981-02-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57153467A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05123769A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-21 | Ishihara Kikai Kogyo Kk | スパイラルベンダ− |
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