JPS6297123A - 薄膜磁気デイスク - Google Patents
薄膜磁気デイスクInfo
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- JPS6297123A JPS6297123A JP23519185A JP23519185A JPS6297123A JP S6297123 A JPS6297123 A JP S6297123A JP 23519185 A JP23519185 A JP 23519185A JP 23519185 A JP23519185 A JP 23519185A JP S6297123 A JPS6297123 A JP S6297123A
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- Japan
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- magnetic
- magnetic disk
- head
- protective film
- disk
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、薄膜磁気ディスクに係り、特に磁気ディスク
と磁気ヘッドとの摺動、及び接触に対して十分な強度を
得るため忙好適な保護膜を持つ薄膜磁気ディスクに関す
る。
と磁気ヘッドとの摺動、及び接触に対して十分な強度を
得るため忙好適な保護膜を持つ薄膜磁気ディスクに関す
る。
従来の薄膜磁気ディスク(例えば、スパッタまたはめっ
きなどによる薄膜形成手法を用いて磁性媒体、例えばr
−Fe、O,系またはN1−P系などをディスク基板上
に形成した磁気ディスク)は、磁気ヘッドと磁気ディス
クとのJI!擦低減効果磁性媒体面上に潤滑層を形成し
ている。一方磁気ディスク装置では、磁気ディスクと磁
気ヘッドをコンタクトさせたままディスク回転の起動、
停止を行うコンタクト・スタート・ストン“プ(以後C
8Sと記する)の方式を採用している。また記録密度を
向上させるために磁気ヘッドと磁気ディスクのMVa、
いわゆるヘクトスペーシングを狭くすると言う手法を実
行している。
きなどによる薄膜形成手法を用いて磁性媒体、例えばr
−Fe、O,系またはN1−P系などをディスク基板上
に形成した磁気ディスク)は、磁気ヘッドと磁気ディス
クとのJI!擦低減効果磁性媒体面上に潤滑層を形成し
ている。一方磁気ディスク装置では、磁気ディスクと磁
気ヘッドをコンタクトさせたままディスク回転の起動、
停止を行うコンタクト・スタート・ストン“プ(以後C
8Sと記する)の方式を採用している。また記録密度を
向上させるために磁気ヘッドと磁気ディスクのMVa、
いわゆるヘクトスペーシングを狭くすると言う手法を実
行している。
この結果、C8Sにより磁気ヘッドと磁気ディスクとが
摺動する頻度が増し、また狭スペーシングにした事によ
り高速回転している磁気ディスク表面に磁気ヘッドが接
触する確率が増えた。
摺動する頻度が増し、また狭スペーシングにした事によ
り高速回転している磁気ディスク表面に磁気ヘッドが接
触する確率が増えた。
すると、摺動に伴なう磁性媒体の信号出力の低下、信号
エラーの増加などの記録データの信頼性が低下したり、
磁性媒体面に傷が生じ、ヘッドクラクシエを訪発する様
な問題が生じた。
エラーの増加などの記録データの信頼性が低下したり、
磁性媒体面に傷が生じ、ヘッドクラクシエを訪発する様
な問題が生じた。
そこで、これら摺動、及び接触から磁性媒体を保護する
膜、例えばIrf開昭53−76r115号公報。
膜、例えばIrf開昭53−76r115号公報。
特公昭55−29500号公報などに示さ几る様にピリ
珪酸Si0.などの酸化物の硬質保護膜を塗布またはス
パツクなどによる薄膜形成手法により磁性媒体上に形成
する方法が考えられている。
珪酸Si0.などの酸化物の硬質保護膜を塗布またはス
パツクなどによる薄膜形成手法により磁性媒体上に形成
する方法が考えられている。
しかし、実際にはポリ珪酸、 Sin!は硬く摩耗に対
しては強いが、その反面脆く、ヘッドの接触による衝撃
によってポリ珪酸、Si0*が欠は出し、その粒子がデ
ィスク表面とヘッドの間で研磨粒子の役割を果し、ディ
スク及びヘッドの表面の破壊を促進させ、ヘッドクラク
シーに至らすという問題があった。
しては強いが、その反面脆く、ヘッドの接触による衝撃
によってポリ珪酸、Si0*が欠は出し、その粒子がデ
ィスク表面とヘッドの間で研磨粒子の役割を果し、ディ
スク及びヘッドの表面の破壊を促進させ、ヘッドクラク
シーに至らすという問題があった。
本発明の目的は、C18時忙生じる磁気ディスクと磁気
ヘッドとの摺動、及び磁気ヘクトに浮上時に生じる事が
ある磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触により、磁気デ
ィスク面が変形しない強度を持つ保護膜を被覆し、その
保護膜上に潤滑層を設けることにより、ヘッドクラクシ
息を誘発しない磁気ディスクを提供することにある。
ヘッドとの摺動、及び磁気ヘクトに浮上時に生じる事が
ある磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触により、磁気デ
ィスク面が変形しない強度を持つ保護膜を被覆し、その
保護膜上に潤滑層を設けることにより、ヘッドクラクシ
息を誘発しない磁気ディスクを提供することにある。
従来の磁気ディスク、例えば、ディスク基板上にr−F
es Os系の磁性媒体を形成し、その表面に潤滑層を
設けた磁気ディスクがヘッドクラクシ−に至るまでの履
歴を磁気ヘッド浮上試験や摺動試験などの結果の観察、
及び考察から類推すると、まず峡スペーシングにした事
により、浮上中の磁気ヘッドが何らかの外乱、例えば突
発的な装置の振動などにより磁気ディスクと接触する確
率が増える。初期の間は、磁気ディス、り表面に施した
潤滑層の効果により、磁気ヘッドの接触または、それに
伴なう摺動では、ヘッドクラクシ島までには至らない。
es Os系の磁性媒体を形成し、その表面に潤滑層を
設けた磁気ディスクがヘッドクラクシ−に至るまでの履
歴を磁気ヘッド浮上試験や摺動試験などの結果の観察、
及び考察から類推すると、まず峡スペーシングにした事
により、浮上中の磁気ヘッドが何らかの外乱、例えば突
発的な装置の振動などにより磁気ディスクと接触する確
率が増える。初期の間は、磁気ディス、り表面に施した
潤滑層の効果により、磁気ヘッドの接触または、それに
伴なう摺動では、ヘッドクラクシ島までには至らない。
しかし接触かたび重なるに従い次第忙潤滑効果がなくな
り、磁気ディスクと磁気ヘッドとの摩擦力が大きくなる
。するとヘッドスライダ−のエツジ部により磁気ディス
ク表面KWk少な傷が付(。この傷は凸起となりヘッド
浮上安定性を損ねると同時に、傷が発生した時に生じた
磁性媒体粒子が、磁気ディスクと磁気ヘッドの間で研磨
粒子的役割を果し、傷の拡大を促進させる。そして最後
にヘッドクラクシ島に至らすことが判った。
り、磁気ディスクと磁気ヘッドとの摩擦力が大きくなる
。するとヘッドスライダ−のエツジ部により磁気ディス
ク表面KWk少な傷が付(。この傷は凸起となりヘッド
浮上安定性を損ねると同時に、傷が発生した時に生じた
磁性媒体粒子が、磁気ディスクと磁気ヘッドの間で研磨
粒子的役割を果し、傷の拡大を促進させる。そして最後
にヘッドクラクシ島に至らすことが判った。
一般に磁気ヘッド材料として使用しているフェライト合
金のビクカース硬度は、600〜800程度と知られて
いる。従って、磁性媒体上に形成する保護膜は、磁気ヘ
ッドの接触により傷の発生及び変形を起さない程の硬度
を持っていなげればならない。そnにできるだけ容易に
薄膜形成ができる材料でなければならない。さらに、磁
気ディスクと磁気ヘッドとの摺動時には一相対する磁気
ヘッドにできるだけダメージを及ぼさない保護膜または
潤滑層を設けた保護膜でなければならない。
金のビクカース硬度は、600〜800程度と知られて
いる。従って、磁性媒体上に形成する保護膜は、磁気ヘ
ッドの接触により傷の発生及び変形を起さない程の硬度
を持っていなげればならない。そnにできるだけ容易に
薄膜形成ができる材料でなければならない。さらに、磁
気ディスクと磁気ヘッドとの摺動時には一相対する磁気
ヘッドにできるだけダメージを及ぼさない保護膜または
潤滑層を設けた保護膜でなければならない。
ところで、ヘッド材料より硬質でしかも薄膜形成ができ
るi料は、多く知られている。本発明において、これら
の中でSiの炭化物であるSiCは、ビクカース硬度が
2500程度とヘッド材より十分硬質であり、しかも、
各種保護膜材料と比較した結果、磁気ヘッドく及ぼすダ
メージが少ないという特性が・ある事が判った。さらK
SiCは磁性媒体上に容易に薄膜形成ができる材料で
あるため、SiCを保護膜として耐摺動性。
るi料は、多く知られている。本発明において、これら
の中でSiの炭化物であるSiCは、ビクカース硬度が
2500程度とヘッド材より十分硬質であり、しかも、
各種保護膜材料と比較した結果、磁気ヘッドく及ぼすダ
メージが少ないという特性が・ある事が判った。さらK
SiCは磁性媒体上に容易に薄膜形成ができる材料で
あるため、SiCを保護膜として耐摺動性。
耐C8S性などを検討した所、良好な結果を得た。
また、この保護膜上にカーボン(以後、短にCと記述す
ることもある。)、パーフロロポリエーテル糸、フロロ
エチレン系、金属石鹸系の潤滑層を形成した磁気ディス
クについても検討したところ、さらに良好な結果を得た
。
ることもある。)、パーフロロポリエーテル糸、フロロ
エチレン系、金属石鹸系の潤滑層を形成した磁気ディス
クについても検討したところ、さらに良好な結果を得た
。
本発明の一実施例を第1図、第2図により説明する。
実施例1
まず、AJ −Mg 合金基板を研削して得た基板1上
にN1−P・合金の下地層を13μmの厚さで電解めっ
きした。このN1−P合金めっき基板を200°Cの温
度で大気中熱処理を施し、そのN1−P合金下地層10
μmの厚さまで両面研摩し、荒さRa−0,001μm
程度のN1−P合金下地層2を得た。
にN1−P・合金の下地層を13μmの厚さで電解めっ
きした。このN1−P合金めっき基板を200°Cの温
度で大気中熱処理を施し、そのN1−P合金下地層10
μmの厚さまで両面研摩し、荒さRa−0,001μm
程度のN1−P合金下地層2を得た。
こうして得られた磁気ディスク用基板上に磁性媒体5を
形成した。磁性媒体3は、COを2%含trFeターゲ
ットをAr 十〇!雰囲気中でRFスパッタを行ない、
磁気ディスク用基板上にFe、Q。
形成した。磁性媒体3は、COを2%含trFeターゲ
ットをAr 十〇!雰囲気中でRFスパッタを行ない、
磁気ディスク用基板上にFe、Q。
を成膜した。これを250℃の大気中で熱酸化し、r−
Fe、Osの磁性媒体3を形成した。
Fe、Osの磁性媒体3を形成した。
次に磁性媒体3上にSiCの保護膜4をスパッタ法で形
成した。保護膜4の形成方法を以下く説明する。まず、
磁性媒体3まで形成した磁気ディスクを200℃で真空
予備加熱する。数時間このまま保持した後、SiC焼結
ターゲクトをAr雰囲気中でRFスパクタし、磁性媒体
3上にSiC・膜を成膜した。この時の主な成膜条件は
、次の通りである。
成した。保護膜4の形成方法を以下く説明する。まず、
磁性媒体3まで形成した磁気ディスクを200℃で真空
予備加熱する。数時間このまま保持した後、SiC焼結
ターゲクトをAr雰囲気中でRFスパクタし、磁性媒体
3上にSiC・膜を成膜した。この時の主な成膜条件は
、次の通りである。
0 スパクタ雰囲気ガス・・・Ar
Oスパクタ雰囲気圧力…5mTorr
Oターゲラを印加電力密度・・・2.6W/sfO保護
膜膜厚・・・500x この様にして第1図に示した構成の磁気ディスクを得た
。
膜膜厚・・・500x この様にして第1図に示した構成の磁気ディスクを得た
。
実施例2
実施例1で得られた磁気ディスク(SiC保護膜を形成
したところまでの第1図の磁気ディスク)の保譲1N1
4上に潤滑層5としてCをスパクタ成膜した。この時、
ターゲットとしては、高密度(90%以上の充填率)の
C焼結体ターゲクトを用いた。主な成膜条件は次の通り
である。
したところまでの第1図の磁気ディスク)の保譲1N1
4上に潤滑層5としてCをスパクタ成膜した。この時、
ターゲットとしては、高密度(90%以上の充填率)の
C焼結体ターゲクトを用いた。主な成膜条件は次の通り
である。
Q 真空予備加熱温度・・・200°COスパクタ雰囲
気ガス・・・Ar Oスパクタ雰凹気圧力・・・3mTorrOターゲラ)
印加電力密度・・・五5W/dO潤滑層膜厚・・・10
0A この様にして、第2因に示した構成の磁気ディスクを得
た、 実施例3 実施例1で得られた磁気ディスクの保護膜4上に潤滑層
5として分子量約2500のパー70pぎりエーテル系
の潤滑剤を塗布した。この時、薄く均一に塗布するため
忙7レオンTF()リクロロFリフonエタン)中K
O,01vol、 %程度の濃度で溶解させた溶液を使
用し1厚さ約100Aの潤滑層を形成した。また同様に
、潤滑層として分子量約3700の70ロエチレン系の
潤滑剤を塗布した。これも同様にフレオンTFIK溶解
させた溶液を使用し、厚さ約100人の潤滑層を形成し
た。この様にして第2図に示した潤滑層を形成した構成
の磁気ディスクを得た。
気ガス・・・Ar Oスパクタ雰凹気圧力・・・3mTorrOターゲラ)
印加電力密度・・・五5W/dO潤滑層膜厚・・・10
0A この様にして、第2因に示した構成の磁気ディスクを得
た、 実施例3 実施例1で得られた磁気ディスクの保護膜4上に潤滑層
5として分子量約2500のパー70pぎりエーテル系
の潤滑剤を塗布した。この時、薄く均一に塗布するため
忙7レオンTF()リクロロFリフonエタン)中K
O,01vol、 %程度の濃度で溶解させた溶液を使
用し1厚さ約100Aの潤滑層を形成した。また同様に
、潤滑層として分子量約3700の70ロエチレン系の
潤滑剤を塗布した。これも同様にフレオンTFIK溶解
させた溶液を使用し、厚さ約100人の潤滑層を形成し
た。この様にして第2図に示した潤滑層を形成した構成
の磁気ディスクを得た。
実施例4
実施例1で得られた磁気ディスクの保護膜4上に潤滑層
5としてステアリン酸Liを蒸着法により形成した。蒸
着法は、タングステンボードによる抵抗加熱型の蒸着装
置を使用した。基板温度は、−坦200°Cまで真空加
熱し、それから100°C以下まで基板温度を下げ、そ
の後蒸着して膜厚約100人のステアリン酸Liの膜を
形成した。この様にしてwL2図忙示した潤滑層を形成
した構成の磁気ディスクを得た。
5としてステアリン酸Liを蒸着法により形成した。蒸
着法は、タングステンボードによる抵抗加熱型の蒸着装
置を使用した。基板温度は、−坦200°Cまで真空加
熱し、それから100°C以下まで基板温度を下げ、そ
の後蒸着して膜厚約100人のステアリン酸Liの膜を
形成した。この様にしてwL2図忙示した潤滑層を形成
した構成の磁気ディスクを得た。
以上4つの実施例で得た磁気ディスクと比較のため、磁
性媒体上に実施例3の潤滑層を形成した磁気ディスクを
C8S試験、摺動試験により磁気ヘッドと磁気ディスク
の接触、摺動に対する強度を評価した。
性媒体上に実施例3の潤滑層を形成した磁気ディスクを
C8S試験、摺動試験により磁気ヘッドと磁気ディスク
の接触、摺動に対する強度を評価した。
C8S試験は、磁気ヘクトに定状回転(3600rpm
)で0.3μm浮上するヘッドを使用し、同一トラック
上でC8Sを繰り返す。そして磁気ディスク面にキスが
入った回数をそのディスクの寿命とした。
)で0.3μm浮上するヘッドを使用し、同一トラック
上でC8Sを繰り返す。そして磁気ディスク面にキスが
入った回数をそのディスクの寿命とした。
摺動試験法は、R5mlのルビー球面を使用し、周速1
m/sec、、荷重iog一定にして、ディスクを回転
し、ディスク表面を摺動した。そして磁気ディスク面ば
キズが入った時の回転回数をそのディスクの寿命とした
。
m/sec、、荷重iog一定にして、ディスクを回転
し、ディスク表面を摺動した。そして磁気ディスク面ば
キズが入った時の回転回数をそのディスクの寿命とした
。
表11表2にそれぞれC8S試験、摺動試験の結果を示
す。まず、C8S試験の結果より、SiC保護膜4を形
成した場合(実施例1〜4)と形成しない場合を比較す
ると、保護膜を形成しない場合1〜5に回のC8Sで媒
体表面に傷が入るのに対してSiC保設膜を形成すると
潤滑層の有無、または潤滑層の種類にかかわらず50に
回置上のC8Sに耐えることを確認した。この時、磁気
ヘッドのダメージ、及びヘッド付着物がないことも確認
した。次に摺動試験の結果より、SiC保護膜上に潤滑
層を設けることにより、耐摺動回数が向上することが判
る。例えば、実施例1と3を比較すると約7〜8倍向上
してい、る。
す。まず、C8S試験の結果より、SiC保護膜4を形
成した場合(実施例1〜4)と形成しない場合を比較す
ると、保護膜を形成しない場合1〜5に回のC8Sで媒
体表面に傷が入るのに対してSiC保設膜を形成すると
潤滑層の有無、または潤滑層の種類にかかわらず50に
回置上のC8Sに耐えることを確認した。この時、磁気
ヘッドのダメージ、及びヘッド付着物がないことも確認
した。次に摺動試験の結果より、SiC保護膜上に潤滑
層を設けることにより、耐摺動回数が向上することが判
る。例えば、実施例1と3を比較すると約7〜8倍向上
してい、る。
以上より、磁性媒体上に保護膜としてSiCを形成した
場合、耐摺動性が飛躍的忙向上し、またその保時膜上に
潤滑層を設けることにより、さらに耐摺動性が向上する
結果を得た。
場合、耐摺動性が飛躍的忙向上し、またその保時膜上に
潤滑層を設けることにより、さらに耐摺動性が向上する
結果を得た。
表2 摺動試験結果
〔発明の効果〕
本発明によれば、磁気ヘッドと高速回転している磁気デ
ィスクとが何らかの原因で接触した場合、もしくは、C
88により磁気ヘッドと磁気ディスクが摺動した場合磁
性媒体上にSiC保護膜を形成しておくことにより、そ
の接触に対して十分耐え得る強度を持ち、保護膜自身の
変形、欠落などによっズ、ヘッドクラクシ島に至る事を
防ぐ効果がある。
ィスクとが何らかの原因で接触した場合、もしくは、C
88により磁気ヘッドと磁気ディスクが摺動した場合磁
性媒体上にSiC保護膜を形成しておくことにより、そ
の接触に対して十分耐え得る強度を持ち、保護膜自身の
変形、欠落などによっズ、ヘッドクラクシ島に至る事を
防ぐ効果がある。
また、潤滑層を形成したSiC保護膜と、潤滑層を形成
しないSiC保護膜と比較すると、SiC保護膜上にC
,パーフロロポリエーテル糸、フロロエチレン系、金属
石鹸系の潤滑層を形成したSiC保護膜は、潤滑層を形
成しない保護膜に対して約2〜8倍もの耐摺動強度を向
上させる効果がある。
しないSiC保護膜と比較すると、SiC保護膜上にC
,パーフロロポリエーテル糸、フロロエチレン系、金属
石鹸系の潤滑層を形成したSiC保護膜は、潤滑層を形
成しない保護膜に対して約2〜8倍もの耐摺動強度を向
上させる効果がある。
第1図は本発明の一実施例の保護膜を磁性媒体上に形成
した磁気ディスクの概念的な部分断面図、第2図は保護
膜上に潤滑層を形成した磁気ディスクの概念的な部分断
面図である。 1・・・kl−Mg合金基板、 2・・・N1−P合金めっき下地層、 3・・・γ−Fe、O,磁性媒体、 4・・・SiC保護膜、 5・・・潤滑層。
した磁気ディスクの概念的な部分断面図、第2図は保護
膜上に潤滑層を形成した磁気ディスクの概念的な部分断
面図である。 1・・・kl−Mg合金基板、 2・・・N1−P合金めっき下地層、 3・・・γ−Fe、O,磁性媒体、 4・・・SiC保護膜、 5・・・潤滑層。
Claims (1)
- 1、磁気ディスク用基板と、該基板上に薄膜形成手法を
用いて形成した磁気記録媒体から成る薄膜磁気ディスク
において、該薄膜磁気ディスク面上にSiとCを主成分
とした保護膜を形成したことを特徴とする薄膜磁気ディ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23519185A JPS6297123A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 薄膜磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23519185A JPS6297123A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 薄膜磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297123A true JPS6297123A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=16982423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23519185A Pending JPS6297123A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 薄膜磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297123A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63149823A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Akai Electric Co Ltd | 薄膜磁気記録媒体 |
| JPH03142708A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP23519185A patent/JPS6297123A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63149823A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Akai Electric Co Ltd | 薄膜磁気記録媒体 |
| JPH03142708A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
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