JPS6297327A - 重ね合わせ精度評価方法 - Google Patents
重ね合わせ精度評価方法Info
- Publication number
- JPS6297327A JPS6297327A JP60237043A JP23704385A JPS6297327A JP S6297327 A JPS6297327 A JP S6297327A JP 60237043 A JP60237043 A JP 60237043A JP 23704385 A JP23704385 A JP 23704385A JP S6297327 A JPS6297327 A JP S6297327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment mark
- alignment
- exposure device
- alignment marks
- marks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃｐｉ業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置のパターンを形成する転写工程
ｉｃおいて、半導体装置の各レイヤー間の塩１−合わせ
精度を評価する方法＋Ｃ関するものであるＯ 〔従来の技術］ 従来、このような重ね合わせ精度を評価する方法としＣ
，第２図に示すバーニアがあった。第２図に２いて、（
１Ｆは重ね合わせを評価しようとする第１の工程で形成
された第１のバーニアパターンで、各パターンの間隔を
り、とする。（２）は重ね合わせを評価しようとする第
２の工程で形成された第２のバーニアパターンで、パタ
ーン間の間隔をＬ！とする。
ｉｃおいて、半導体装置の各レイヤー間の塩１−合わせ
精度を評価する方法＋Ｃ関するものであるＯ 〔従来の技術］ 従来、このような重ね合わせ精度を評価する方法としＣ
，第２図に示すバーニアがあった。第２図に２いて、（
１Ｆは重ね合わせを評価しようとする第１の工程で形成
された第１のバーニアパターンで、各パターンの間隔を
り、とする。（２）は重ね合わせを評価しようとする第
２の工程で形成された第２のバーニアパターンで、パタ
ーン間の間隔をＬ！とする。
第２図Ａは重ね合わせずれがない状態を表わし。
この場合用１のパターン（１）と第２のパターン（２）
トの各中央部が一致している。
トの各中央部が一致している。
＠２図Ｂは重ね合わせずれが発生した状態を表わすもの
で中央から２つ目で第ｔ、ｇｚのパターン（１） 、
＋２）が一致している。この場合のずれ量は２Ｘ （Ｌ
、〜Ｌ、）で表わされる。このように、中央からｎ番目
（ｎ＝０．１．２．・・・）のパターンが一致している
場合のすれ量はｎ（Ｌ、〜Ｌ２）で表わすことができる
。通常、中央から何番目のパターンが一致しているかは
光学顕微鏡等を用いて目視で検査するＯ 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の重ね合わせずれの評価方法は以上の様であるので
、ずれ量の検定がバーニアパターン作成時に作成できる
最小寸法で規定される。通常この最小寸法は０．０５１
１ｍ程度であるので、より小さなずれ量を検出すること
が不可能である。又、目視でずれｆを叱声するため再現
性が悪く、時間もかかるという問題点があった。
で中央から２つ目で第ｔ、ｇｚのパターン（１） 、
＋２）が一致している。この場合のずれ量は２Ｘ （Ｌ
、〜Ｌ、）で表わされる。このように、中央からｎ番目
（ｎ＝０．１．２．・・・）のパターンが一致している
場合のすれ量はｎ（Ｌ、〜Ｌ２）で表わすことができる
。通常、中央から何番目のパターンが一致しているかは
光学顕微鏡等を用いて目視で検査するＯ 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の重ね合わせずれの評価方法は以上の様であるので
、ずれ量の検定がバーニアパターン作成時に作成できる
最小寸法で規定される。通常この最小寸法は０．０５１
１ｍ程度であるので、より小さなずれ量を検出すること
が不可能である。又、目視でずれｆを叱声するため再現
性が悪く、時間もかかるという問題点があった。
この発明は上記のようｔ問題点を解消するためになされ
たもので、精度よく、自動的に重ね合わせずれが評価で
きる方法を得ることを目的とする〇〔問題点を解決する
ための手段〕 この発明に係る重ね合わせ精度評価方法は、露光装置の
高精度なアライメント系及び座標測定系を利用するもの
である。
たもので、精度よく、自動的に重ね合わせずれが評価で
きる方法を得ることを目的とする〇〔問題点を解決する
ための手段〕 この発明に係る重ね合わせ精度評価方法は、露光装置の
高精度なアライメント系及び座標測定系を利用するもの
である。
〔作 用〕
この発明では実際にアライメントマークを各工程で形成
し、これを露出装置の高精度なアライメント系及び座標
測定系で検査するので、十分な評価ができる。
し、これを露出装置の高精度なアライメント系及び座標
測定系で検査するので、十分な評価ができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する０
第１図Ａにふいて、【３）は半導体基板、（４）は以前
の工程で形成された第１の７ライメントマーク、（５）
はその上に形成された各種被膜、（６）は現在のマスク
パターンを形成するために塗布された感光性樹脂の薄膜
を表わす。そして、第１図Ｂは、現在のマスクパターン
を転写・現像した後の断面図で。
の工程で形成された第１の７ライメントマーク、（５）
はその上に形成された各種被膜、（６）は現在のマスク
パターンを形成するために塗布された感光性樹脂の薄膜
を表わす。そして、第１図Ｂは、現在のマスクパターン
を転写・現像した後の断面図で。
（７）は現在の工程で形成された感光性樹脂膜の第２の
アライメントマークを示す。
アライメントマークを示す。
第１図Ｂで示した状態で、露光装置のアライメントマー
ク検出系を用いて、第１図Ｂの第１及び８ｇ２のアライ
メントマーク（４）及び（７）を検出して、その位置を
測定し１両アライメントマーク（４）と（７）の間の距
離り、と設計値りと誤差Δ＝−Ｌ、〜Ｌを求める０ 露光装置のアライメントマーク検出系では、一般的６ζ
第１図Ａのような上部に感光性樹脂の被膜を有するアラ
イメントマークの検出に対して被膜の被覆状態の左右非
対称性等の影響で誤差が生じやすいが、上部にそのよう
な被膜のないｔａ１図Ｂの（４）のような第１のアライ
メントマーク及び感光性樹脂膜によるｆ４１図Ｂの（７
）のような第２の７ライメントマークに対しては精度良
くアライメントできる。また、露光装置の座標測定系は
ｌ／１００μｍのオーダーで位置検出が可能であるので
従来方法より高精度にずれが検出できる。
ク検出系を用いて、第１図Ｂの第１及び８ｇ２のアライ
メントマーク（４）及び（７）を検出して、その位置を
測定し１両アライメントマーク（４）と（７）の間の距
離り、と設計値りと誤差Δ＝−Ｌ、〜Ｌを求める０ 露光装置のアライメントマーク検出系では、一般的６ζ
第１図Ａのような上部に感光性樹脂の被膜を有するアラ
イメントマークの検出に対して被膜の被覆状態の左右非
対称性等の影響で誤差が生じやすいが、上部にそのよう
な被膜のないｔａ１図Ｂの（４）のような第１のアライ
メントマーク及び感光性樹脂膜によるｆ４１図Ｂの（７
）のような第２の７ライメントマークに対しては精度良
くアライメントできる。また、露光装置の座標測定系は
ｌ／１００μｍのオーダーで位置検出が可能であるので
従来方法より高精度にずれが検出できる。
更６ζ露光装置に通常付随している演算機能を使用する
と短時間に多量のデータを処理することができる。
と短時間に多量のデータを処理することができる。
尚、上記実施例ではアライメントマーク検出系に座標計
測系を兼備したステップアンドリピート形の露光装置で
の実施例について示したが、同様の機能を有する他の形
の露光装置でも同様の効果を達成できる。
測系を兼備したステップアンドリピート形の露光装置で
の実施例について示したが、同様の機能を有する他の形
の露光装置でも同様の効果を達成できる。
以上の様に、この発明６ζよれば露光装置のアライメン
トマーク検出系と座標計測系を用いて重ね合わせ精度を
評価するようにしたので、従来方法より高精度で、短時
間に多量のデータを処理することができる。
トマーク検出系と座標計測系を用いて重ね合わせ精度を
評価するようにしたので、従来方法より高精度で、短時
間に多量のデータを処理することができる。
Ｍｇ１図はこの発明の一実施例に２けるアライメントマ
ークの形成状況を示す断面図、第２図は従来のバーニア
パターンによる重ね合わせ精度評価方法を説明するパタ
ーン図である０ 図に２いて、（４）は第１のアライメントマーク、（７
）はｇ２のアライメントマークである。 なお１図中同一符号は同一、または相当部分を示す。
ークの形成状況を示す断面図、第２図は従来のバーニア
パターンによる重ね合わせ精度評価方法を説明するパタ
ーン図である０ 図に２いて、（４）は第１のアライメントマーク、（７
）はｇ２のアライメントマークである。 なお１図中同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上に、半導体素子形成に必要な複数のパター
ンを順次転写形成するに際して、第１及び、第２のパタ
ーン形成工程で各半導体素子に、上記両パターン間の重
ね合わせのための第１及び第２の専用マーク（アライメ
ントマーク）をそれぞれ形成し、上記第２の工程で形成
した第２のアライ メントマークと、上記第１の工程で形成した第１のアラ
イメントマークとの距離を露光装置のアライメントマー
ク検出系及び、座標計測系を用いて測定することを特徴
とする重ね合わせ精度評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60237043A JPS6297327A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 重ね合わせ精度評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60237043A JPS6297327A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 重ね合わせ精度評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297327A true JPS6297327A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=17009556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60237043A Pending JPS6297327A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 重ね合わせ精度評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297327A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115737A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-27 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板外観検査装置 |
| US5627083A (en) * | 1993-08-03 | 1997-05-06 | Nec Corporation | Method of fabricating semiconductor device including step of forming superposition error measuring patterns |
| US5882980A (en) * | 1993-10-15 | 1999-03-16 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Process of forming bipolar alignment mark for semiconductor |
| US20080212057A1 (en) * | 2006-12-12 | 2008-09-04 | Asml Netherlands B.V. | Substrate comprising a mark |
| US8722179B2 (en) | 2006-12-12 | 2014-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Substrate comprising a mark |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP60237043A patent/JPS6297327A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115737A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-27 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板外観検査装置 |
| US5627083A (en) * | 1993-08-03 | 1997-05-06 | Nec Corporation | Method of fabricating semiconductor device including step of forming superposition error measuring patterns |
| US5882980A (en) * | 1993-10-15 | 1999-03-16 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Process of forming bipolar alignment mark for semiconductor |
| US20080212057A1 (en) * | 2006-12-12 | 2008-09-04 | Asml Netherlands B.V. | Substrate comprising a mark |
| US8609441B2 (en) * | 2006-12-12 | 2013-12-17 | Asml Netherlands B.V. | Substrate comprising a mark |
| US8722179B2 (en) | 2006-12-12 | 2014-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Substrate comprising a mark |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4423127A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP3630269B2 (ja) | 重ね合わせマ−クおよびこの重ね合わせマークを使用した半導体装置の製造方法 | |
| US4437760A (en) | Reusable electrical overlay measurement circuit and process | |
| ATE142775T1 (de) | Verfahren sowie gerät zur messung der schichtanordnung in einem halbleiter-wafer | |
| US6239858B1 (en) | Exposure method, exposure apparatus and semiconductor device manufactured by using the exposure apparatus | |
| JPH09166866A (ja) | フォトマスクの目合わせマーク及び半導体装置 | |
| CN111508932A (zh) | 套刻标记及套刻误差的测量方法 | |
| KR100263323B1 (ko) | 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법 | |
| KR970012022A (ko) | 얼라이먼트 방법 | |
| JP2975872B2 (ja) | 合わせマークの位置ずれ検査方法 | |
| US5616438A (en) | Reticle and a method for measuring blind setting accuracy using the same | |
| CN222281048U (zh) | 一种套刻量测标记 | |
| JPH011232A (ja) | パタ−ン重ね合わせ精度測定方法 | |
| JPH0432216A (ja) | 重ね合わせ精度及び寸法精度の評価方法 | |
| JPS5983167A (ja) | 多層印刷の位置合わせ方法 | |
| JPS588132B2 (ja) | 集積回路製造方法 | |
| US20020127486A1 (en) | Shot configuration measuring mark and transfer error detection method using the same | |
| JPS61144022A (ja) | フオトマスク | |
| JPS6111461B2 (ja) | ||
| US5373232A (en) | Method of and articles for accurately determining relative positions of lithographic artifacts | |
| JP2513540Y2 (ja) | アライメント測定装置 | |
| KR100192171B1 (ko) | 반도체 소자의 오버레이 버어니어와 그것의 형성방법 및 검사방법 | |
| KR100375290B1 (ko) | 웨이퍼 패턴 오차의 요인 해석 방법 및 사진 제판용마스크의 제조 장치 | |
| KR100265827B1 (ko) | 레티클 제조 정확도 측정방법 | |
| JPH03167817A (ja) | 露光装置 |