JPS63100646A - 光磁気情報再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、磁気光学効果を利用して記録媒体に磁気的に
記録された情報を再生する光磁気情報再生装置に関する
。

〔従来技術〕

近年、半導体レーザ光により記録再生を行なう光メモリ
は、高密度記Ｏメモリとして実用化への研究開発が盛ん
である。この内、既に製品化されたコンパクトディスク
等に代表される再生専用光ディスクやＤ　ＲＡ　Ｗタイ
プ光ディスクとともに、特に消去・書き換えが可能な光
磁気ディスクが有望視されてきている。光磁気ディスク
は、レーザスポット照射による磁性薄膜の局所的温度上
昇を利用して磁気的に情報を記録し、磁気光学効果（特
にカー効果）により情報を再生するものである。ここで
カー効果とは、光が磁気記録媒体によって反射された場
合に、偏光面が回転する現象をさす。

従来の光磁気ディスク装匝の基本的構成を第７図に示す
。第７図において、１は半導体レーザ、２はコリメータ
レンズ、ｌｌはハーフミラ−１４は対物レンズ、６は光
磁気記録媒体、７は検光子、８は集光レンズ、９は光検
出器で、Ｐ偏光方向は紙面に平行、Ｓ偏光方向は垂直で
ある。

次に上記装置において、光磁気情報を再生する場合につ
いて説明する。半導体レーザｌからＰ偏光方向の直線偏
光として射出された光束は、コリメータレンズ２により
平行光束とされ、ハーフミラ−１１を通過する。Ｐ偏光
成分振幅透過率をｔｐ、ｓ偏光成分振幅透過率をｔｓと
すれば、１１においては１ｔｐｌ”＝　１ｔｓｌ”＝０
．５である。光束は、対物レンズ４により光磁気記録媒
体６上に微小なスポットとして結像される。媒体６上に
あらかじめ磁区（ピット）が形成されている場合には、
第８図に示す様に媒体６からの反射光は、カー効果によ
りスポット照射領域の磁化方向上向きか又は下向きかに
応じて、各々±θにの偏光面の回転を受ける。ここで、
記録媒体６の振幅反射率のＰ偏光成分をＲ，Ｓ偏光成分
をＫとすれば次式が成り立つ。

光磁気変調された反射光は、対物レンズ４で再び平行光
束とされ、ハーフミラ−１１で反射された後、検光子７
で強度変調された光束に変換される。即ち、第８図にお
いて反射光束は、その振幅の検光子光学軸への正射影と
して検光されるので、光磁気媒体への入射光強度をＩＯ
１検光子の光学軸のＰ偏光方向からの角度をθＡとすれ
ば、カー回転角±θＫに応じて検光子を透過した光束の
強度Ｉ＋θに、　　１−θには各々（２）式のようにあ
られせる。

θに〜１°であるから、ＩＲＩ”＞ＩＫ＋”が成り立つ
ので、（２）式は、 ｉ＾ とあられせる。（３）式の括弧内箱２項が光磁気変調成
分、第１項が非変調成分であり、各々の強度をＯ ＋Ｒ〜−ｌ　Ｒｌ　”ｃｏｓ”θＡ　　　　　　　　　
　　（５）このような検出光束は集光レンズ８を経て、
光検出器９により光磁気信号として検出される。

ここでカー効果による偏光面回転角ＯＫは、一般には１
０　程度であり、検光子７を通過して得られる光磁気変
調成分が非常に微少な量であることを考えると、検光子
の光学軸の方位角θＡは検出信号のＣ／Ｎ　（搬送波と
雑音との比）が最大となる様な最適位置に設定する必要
がある。

そこで従来の光磁気情報記録再生装置においては検光子
７の光学軸の方位角θＡは、（４）式であられされる光
磁気変調成分強度を最大とするため、入射光束の偏光方
向に対して４５°に設定されていた。しかしながら、検
出信号に重畳される雑音を考慮すると、必ずしもθＡ＝
４５’　　とすることにより１１大のＣ／Ｎを得られる
とは限らない。

〔発明の概要〕

本発明の目的は、上記従来技術の欠点を改良し、ピンフ
ォトダイオードなどの増幅作用のない安価な光検出器を
用いて、簡単な構成でＣ／Ｎの良好な光磁気信号の再生
が可能な光磁気情報再生装置を提供することにある。

本発明の上記目的は光磁気情報再生装置を、所定の方向
に偏光した光束を磁気的に情報が記録された記録媒体上
に照射する手段と、磁気光学効果により前記情報に応じ
て偏光状態に変調を受けた前記記録媒体からの反射又は
透過光束を検光する検光手段と、該検光手段を透過した
光束を光電検出する増幅作用のない光検出器と、前記光
検出器の検出信号を増幅し、前記情報を再生する増幅手
段とから構成し、前記光検出器に入射する磁気光学効果
により変調を受けない偏光成分強度の平均をＴＲ１光磁
気信信号測周波数におけるこの強度ゆらぎの２乗平均を
△Ｉ２Ｒ１ξ＝△ＦＲ／　Ｉ’Ｒ１前記記録媒体上にお
ける入射光束の光量をＩｏ、前記記録媒体の振幅反射率
をＲ１前記検光手段を除（記録媒体より光検出器に至る
光学系の光利用効率をε、前記光検出器の光電変換効率
をに１電荷量をｅ１光磁気信号観測周波数における前記
増幅手段の熱雑音をＴ１検出信号のバンド幅をΔＢ１前
記検出手段の振幅透過率をｔＡ、同じ（検光手段の消光
比を６人としたときに、前記検光手段の光学軸と前記所
定の方向とのなす角度θＡが以下の条件、 但し、 ＦＲ＝　　ξ・（Ｋε　ｌ　ｔＡｌ　’　　ｌ　Ｒｌ　
”　Ｉｏア・ΔＢＳ　＝　ｚｅｔｃｅ　ｌｔ＾ｌ”　ｌ
Ｒ１”ｌｏ−ΔＢを満足するように設定することによっ
て達成される。

〔実施例〕

以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。

第１図及び第２図は、本発明に基づく光磁気情報再生装
置の第１実施例を示し、夫々第１図は光学系の概略構成
図、第２図は信号処理回路の概略構成図である。第１図
において、２１は半導体レーザ、２２はコリメータレン
ズ、２３はハーフミラ−１２４は対物レンズ、２６は光
磁気記録媒体、２７は検光子、２８は集光レンズ、２９
は光検出器で、Ｐ偏光方向は紙面に平行、Ｓ偏光方向は
垂直である。また、１３は検光子２７を透過した光束を
示し、この検出光束１３は第２図のように光検出器２９
で光電変換され、負荷抵抗１６を含む増幅器１５によっ
て電圧増幅されて、端子１４より再生信号として出力さ
れる。

上記ハーフミラ−２３はビーム整形機能を有し、これに
より、楕円形の遠視野像をもつ半導体レーザ２１の光束
を、記録媒体２６上に効率良く円形スポットとして結像
することができる。また、面ａは光検出器２９に迷光が
入射しない様に所定の角度傾けである。記録媒体２６上
にはトラッキング用の溝（不図示）が紙面垂直方向に形
成されており、対物レンズ２４により記録媒体２６上に
集光された光束は、この溝により回折される。２５は、
トラックずれによって生ずる±１次回折光のアンバラン
スを検出するための光検出器であり、対物レンズ２４の
開口周縁に固定されている。このため、対物レンズ２４
がトラック溝と垂直方向に移動してもトラッキングエラ
ー信号にオフセットを生じない利点がある。光検出器２
９はＳｉ−ピンフォトダイオードなどの増幅作用のない
光検出器であり、光磁−信号号及びフォーカスエラー信
号の検出を行なう。フォーカスエラー検出には公知の方
法を用いるが、本発明との直接の関係はないので詳細な
説明は省略する。

上記装置において、半導体レーザ２１はＰ偏光光束を出
射する。この出射光束は、コリメータレンズ２２で平行
光となり、ハーフミラ−２３を透過して対物レンズ２４
によって記録媒体２６上に強度ＩＯの光スポットとして
照射される。そして、記録媒体２６で反射された光束は
、該記録媒体２６に磁気的に記録された情報に応じて偏
光状態に変調を受け、再び対物レンズ２４を通ってハー
フミラ−２３で反射し、検光子２７に導かれる。検光子
２７を通過した検出光１３は強度変調され、集光レンズ
２８を介して光検出器２９で受光される。

検光子２７を通って強度変調された光束１３は、第２図
に示す光検出器２９で光電流に変換される。光電変換効
率には、ｅを電荷量、ｈをブランク定数、ρを光検出器
の量子効率、νを光束の振動数として次式で与えられる
。

ｅρ １（＝　−（６） ｈν ここで、信号読み出しにおける雑音源として次の４種の
雑音が考えられる。

ｌ）非変調成分光ＩＲの２乗平均強度ゆらぎ△Ｉ２Ｒに
起因する雑音。

２）変調成分光ＩＫの２乗平均強度ゆらぎ△ｌ”Ｋに起
因する雑音。

３）光検出器のショット雑音。

４）増幅器による熱雑音。

ｌ）のΔＩ２Ｒによる雑音、及び２）のΔ１”Ｋによる
雑音は、記録媒体の表面粗さや不均質性、半導体レーザ
の強度変動等により生じ、媒体や半導体レーザなどの雑
音源によって決まる定数を各々ξ、ζ、非変調成分、変
調成分の実効値の平均を各々ＴＲ，ＴＫとすれば次式が
成り立つ。

△Ｉ２Ｒ；ξＰＲΔＢ（７） △Ｉ２に一ζｐｘ△Ｂ（８） 但し、ΔＢは検出信号のバンド幅である。

△Ｉ２Ｒに起因する雑音、△Ｉ２Ｋに起因する雑音、シ
ョット雑音、熱雑音を各々ＦＲ，ＦＫ、　　Ｓ、　　Ｔ
とすれば次式であられせる。

ＦＲ＝ξに２ＦＲΔＢ（９） ＦＫ＝ζに２Ｔ’に△Ｂ　　　　　　　　　　　　　　
（１０）Ｓ＝ＺｅＫＴＲ△Ｂ　　　　　　　　　　　　
　　　　（１１）但し、ｋはボルツマン定数、Ｔｅは等
価雑音温度、Ｒｔは負荷抵抗１６の抵抗値である。

（４）、　　（５）式により、検光子光学軸方位角θＡ
について、光磁気変調成分強度ＩＫは５ｉｎ２ＯＡ、非
変調成分強度ＩＲはｃ　ｏ　ｓ”θＡの依存性をもつこ
とから、各雑音のθＡ依存性は次の様にあられせる。

Ｆｉｃｃｃｏｓ’θＡ（１３） ＦＫ”ｓｉｎ”２θＡ（１４） Ｓｃｃｃｏｓ”θＡ（１５） Ｔ＝ｃｏｎｓｔ　　　　　　　　　　　　　　（１６）
これらを用いて、Ｃ／Ｎをデシベル表示であられせば、
次式の様になる。

（１７）式のＣ／Ｎは検光子光学軸方位角θへの関数と
なるので、（１７）をθＡで偏微分して極値を求める。

θＡに関して極値を求めれば次の様になる。

５＝ｅＫ　ｌ　Ｒｌ　Ｉ　０ｃｏｓ”θＡ”ΔＢ　　　
　（２０）ｔ　＝　Ｔ　　　　　　　　　　　　　　　
　　（２１）（１８）〜（２１）式を満足する様な検光
子の光学軸方位角を設定してやれば、Ｃ／Ｎを最大値と
することができる。

第７図の説明においては信号レベル低下は、記録媒体及
び光学系により生じないとしたが、実際の光学系でＣ／
Ｎを正確に予想するうえでは、考慮しなければならない
。信号レベル低下の原因としては次の２点が考えられる
。

ｌ）光ｎ損失（吸収やケラレによる振幅の低下）２）　
Ｐ−３偏光間位相差 光磁気変調成分強度の低下にはｌ）及び２）が寄与し、
非変調成分強度の低下にはｌ）のみが寄与する。

光磁気非変調成分強度の低下（光量の損失）を評価する
ため、光利用効率εＲを定義する。本発明では光利用効
率として、記録媒体上の光量と光検出器に到達する光量
の比に注目していることに注意されたい。本実施例では
εＲを求める際に以下の点を考慮した。

ｌ）トラッキング用溝（ピッチ１．６μｍ、深さλ／８
．λ＝８３５ｎｍ）からの回折光が対物レンズ入射瞳内
に入射する割合、これを光利用効率εＯとする。

２）記Ω媒体から光検出器に至る光路中にある検光子を
除くｎ個の光学素子のＰ偏光方向振幅透過率（または反
射率）の２乗の光路に沿った積を考え、光利用効率ε１
とする。１番目の光学素子の振幅透過率をｔｐｉ、反射
率をｒｐ−とすればε１は次式であられせる。

（２２）式においてｉ番目の光学素子で光束が反射され
る場合にはｌ　ｊｐｉ　１２のかわりにｌ　ｒｐｉ　ｉ
２を代入すればよい。なお検光子の透過率はＣ／Ｎ計算
の際変化量として取り扱うのでε１から除外しである。

１）、　　２）より光磁気非変調成分の光利用効率εＲ
は次式であられせる。

εＲ＝ε０εＩ（２３） 次に光磁気変調成分の強度低下を考える。そのためには
光量損失の他にＰ−３偏光間の位相差について考慮しな
ければならない。

例えば第３図に示す様に記録媒体からの反射光は一般的
には第８図で示した様な直線偏光ではな（Ｐ偏光成分と
Ｓ偏光成分の間に生ずる位相差により、長袖がカー回転
角θにだけ傾いた楕円偏光となることが知られている。

即ち記録媒体の振幅反射率のＰ、Ｓ偏光成分Ｒ，Ｋは（
２４）式の様にあられせる。

但しα。、Ｒ０は各振幅反射率の位相成分である。

この場合カー回転角θには、 ＩＫＩ θＫ　＝　−ＣＯ８△Ｏ（２５） ＩＲｌ とあられせる。△。＝ｎπ（ｎ＝整数）ならば記録媒体
からの反射光は直線偏光となるが、それ以外の場合には
θＫを減少させ好ましくない。

光学素子についても全く同様なことがいえて、本実施例
では光磁気変調成分の強度低下を評価するため光利用効
率εＫを定義し、εＫを求める際、以下の点を考慮した
。

即ち、光磁気変調成分に対しては記録媒体から光検出器
に至る光路中にある検光子を除くｎ個の光学素子のＰ、
　Ｓ偏光方向振幅透過率（または反射率）の光路に沿っ
た積を考え、光利用効率ε２とする。

ｉ番目の光学素子のＰ、Ｓ偏光方向振幅透過率を、ｔｐ
ｉ、　　ｔｓ＋　（反射率ならｒＩ”＋　　ｒｓｌ）と
すれば、次式が成り立つ。

（２９）を用いてε２を次式の様にあられす。

（３０）において、ｉ番目の光学素子で光束が反射され
る場合には１ｔｐｉｌ・１ｔｓｌのかわりにＩ　ｒｐｉ
　１１　ｒｓｉ　ｌを代入すればよい。なお検光子の透
過率はＣ／Ｎ計算の際に変化量として取り扱うのでε２
から除外しである。

これより光磁気変調成分の光利用効率εには次式であら
れされる。

εに＝ε０ε２　　　　　　　　　　　　　（２８）検
光子についてもより正確な評価を行なう事にする。

検光子の振幅透過率をｔＡ、消光比をｎＡとすれば（２
）式においてｃｏｓ１３Ａをｌ　ｔＡｌ・（ｃｏｓθＡ
十ｖ’ηＡｓ１ｎθＡ）、　　５ｉｎｏＡをｉ　ｔＡｌ
　−（ｓｉｎθＡ＋ｆηＡＣＯ８ＯＡ）と置き換えて考
えればよい。

ＩＲＩ”＞ＩＫＩ”として光磁気変調成分強度に対して
はεにと次式で与えられる検光子の透過率ε３の積をと
ればよい。

ε３＝ｌｔＡｌ”（１ｎＡ）ｓｉｎ２θＡ　　（２９）
但し検光子の振幅透過率はＰ−８偏光酸分方向で等しく
、かつＰ−Ｓ偏光間に位相差を与えないものとした。

光磁気非変調成分に対しては、εＲと次式で与えられる
検光子の透過率ε４の積をとればよい。

５　、　＝　１ｔＡｌ”（ｃｏｓ”θＡ＋７７Ａｓｉｎ
”ｎＡ）　　（３０）以上より光磁気変調成分、非変調
成分の強度を各々ＩＫ、　　ＩＲとすれば、 １に□Ｉ（１εｏＥｏ’　　ＩＲＩ　　ＩＫＩ　　１ｔ
Ａｌ　２（１−ｎＡ）ｓｉｎ２（７人ＩＲ−１ｏεｏε
、　ｌ　Ｒ１”ｌｔ＾ｌ”（ｃｏｓ”ＯＡ＋ηＡｓ１ｎ
２ＯＡ）＝ＩｏεＲＩＲｌ”ｌｔ＾ｌ　”（ｃｏｓ２θ
Ａ＋ｙ７Ａｓｉｎ”θ、＼）とあられされる。

（３１）、（３２）式を（１７）式に代入して、Ｃ／Ｎ
を最大とする検光子光学軸の入射光束偏光方向かｆ’Ｒ
：　　ξ（Ｋ　εＲ１ｔ、〜　ｌ”　ｌ　　Ｒｌ　２１
０　）”−△　Ｉ３　　　　　　　　（３４）Ｓ’　　
＝２ｅＫεＲｌ　ｔ　Ａ　＋２１　Ｒ１２１ｏ　・ΔＢ
　　　　　（３５）ｔ’　　＝Ｔ　　　　　　　　　　
　　　　　　　　（３６）以下に計算条件を示す。

半導体レーザ２１は波長λ＝８３５ｎｍであり、記録媒
体２６上で入射光：ＱＩ　ｏ　＝２Ｘ　１０−’Ｗとな
る様にハーフミラ−２３透過率ｌ　ｔｐ　１２にがかゎ
らず出力を調節されている。

記録媒体２６にはＧｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏが用いられ、
ｌ　Ｒｌ”＝０．１２．　　θＫ　＝　０．７４°、　
　ｐ、ｓ偏光方向振幅反射率の位相成分α。、β。の位
相差　△。

は△。＝２０°である。

光利用効率ε。はトラッキング用溝（ピッチ１．６μｍ
、深さλ／８）からの回折光をＮ、Ａ　＝　０．５の対
物レンズで受ける場合ε。＝０．６となる。

光利用効率ε１は記録媒体から光検出器に至るる光路中
にある検光子を除く光学素子の透過率（ハーフミラ−で
は反射率）の積を考え、ε、＝０．３９である。

光利用効率ε２は記録媒体から光検出器に至る光路中に
ある検光子を除く光学素子のＰ、Ｓ振幅透過率（ハーフ
ミラ−では反射率）の積を考えればよい。本実施例中で
用いたハーフミラ−２３はＰ−８偏光間に、△＋−＋Ｍ
＝　１６０°の位相差を生じさせる様になっている。し
たがって記録媒体で生ずる位相差△。との間に、 △０＋△ＨＭ−π　　　　　　　　　　　（３７）なる
関係があり、これにより光磁気変調成分強度低下を防止
している。その池水実施例では透過の際にｐ−ｓ偏光間
に位相差を与える光学素子はないあるから、ε２＝０．
３９となる。

光検出器２５は光電変換率に＝０．５４の８１−ピンフ
ォトダイオードである。記録媒体や半導体レーザなどの
雑音源によって決まる定数ξ及びζは各々以下の様に与
えられる。

ξ＝　２　ｘ　１０−”　（Ｒ，１，Ｎ　）ζ＝　Ｉ　
Ｘ　１０−”　（Ｒ，１，Ｎ　）また熱雑音Ｔはボルツ
マン定数に＝１．３８Ｘ１０−１、等価雑音温度Ｔｅ＝
３００　［ｋ］、負荷抵抗Ｒｒ＝　Ｉ　Ｘ　１０−“［
Ω］、信号検出のバンド幅ΔＢ　＝　３　Ｘ　１０’　
［１／　Ｈｚ　］として、Ｔ　＝　５　Ｘ　１０−”と
与えられる。

なお、光検出器のもつ容量などにより熱雑音Ｔは（１２
）式の様な簡単な形で記述できないこともあるので、そ
のような場合はこれに従う必要はない。

検光子は振幅透過率ｔｐはｌ　ｔＰ　ｌ”＝０．８４、
消光比ηＡ　＝　ｔ　ｘ　ｔ　Ｏ−”　テア６゜第４図
は検光子の光学軸の入射光束偏光方向からの角度θＡと
Ｃ／Ｎの関係を示した図である。（３３）〜（３６）式
で与えられる最適なθＡ＝　７９．４’で、本実施例の
Ｃ／Ｎが最大となることがわかる。θＡ＝４５’とした
従来の装置の場合と比較すると、本実施例では８ｄＢ以
上Ｃ／Ｎが向上している。θＡ＝７００〜８５°　とす
れば十分に良好なＣ／Ｎが得られる。

第５図は光磁気非変調成分強度の２乗平均ゆらぎを決め
る定数ξの値を、ξ＝ｌｘｌＱ−”、１０−”、１０−
”。

１０−１４と変化させた場合のθＡとＣ／Ｈの関係を示
した図である。

（３３）式により、△Ｉ３Ｒに起因する雑音ＦＲやショ
ット雑音Ｓが熱雑音Ｔより相対的に大きな場合、θＡの
最適値は９０″　に近づいてい（ことを示している。ま
た、θＡ最適値におけるＣ／ＮとθＡ＝４５゜のＣ／Ｎ
を比較すると、ＦＲとＳがＴよりも相対的に大きくなる
と、よりＣ／Ｎが改善されることがわかる。例えばξ＝
　Ｉ　Ｘ　１０−”の場合には１８ｄＢ以上Ｃ／Ｎが向
上しており、本発明が非常に有効である。

第６図（Ａ）、（Ｂ）は夫々本発明の第４実施例を示す
概略図であり、（Ｂ）は（Ａ）を矢印六方向から見た図
を示している。第６図（Ａ）、（Ｂ）において第１図と
同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略す
る。本実施例においても、光検出器２９以後の信号処理
系は第２図示の如く構成される。本実施例は第１実施例
のハーフミラ−２３の代わりにハーフミラ−１０を用い
、このハーフミラ−１Ｏの透過光を検出するように構成
したものである。ハーフミラ−１０の面すは光検出器２
９に迷光が入射しない様に所定の角度傾けである。

本実施例では、第１図の説明文中で使用したＰ。

Ｓ偏光方向を各々置き換えて考えれば良い。

また第１図及び第６図ではハーフミラ−２３及びｌＯを
用いているが、これを偏光ビームスプリッタと置き換え
ても本発明は有効である。例えば特開昭５８−１８９６
１２号で公知な偏光ビームスプリッタ（１ｒｐｌ”＝０
．２．　１ｒｓＩ”＝１）を第１図で用いればよりＣ／
Ｎを向上させることができる。第６図では例えばｌ　ｔ
ｓ　ｌ”＝０．２．　　ｌ　ｔｐ　ｌ”＝１なる特性を
持つ偏光ビームスプリッタを用いれば、よりＣ／Ｎを向
上させることができる。

本発明は以上説明した実施例の他にも種々の応用が可能
である。例えば実施例では光磁気記録媒体の反射光を検
出したが、光磁気記録媒体を通過してファラデー効果に
よって変調を受けた光束を検出するように構成しても良
い。

〔発明の効果〕

以上説明した様に本発明は光磁気情報再生装置において
、検光子光学軸の入射光束偏光方向からの角度を従来の
４５°から量適な角度に設定する事により、信号検出の
Ｃ／Ｎを向上させる効果を有する。

更には本発明により高いＣ／Ｎが得られるので従来の装
置の様な複雑な検出系が不要となり装置の信頼性を高め
、且つ製造コストを低減する事が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光学系を示す概略図、第２
図は第１図示の実施例の信号処理系を示す概略図、第３
図は光磁気記録媒体からの反射光の偏光状態を示す図、
第４図及び第５図は夫々本発明における検光子の光学軸
方位角とＣ／Ｎとの関係を示す図、第６図（Ａ）、（Ｂ
）は夫々本発明の他の実施例を示す概略図、第７図は従
来の光磁気情報再生装置の例を示す概略図、第８図は一
般的な光磁気信号検出の原理を示す図である。 １３・・・検出光、　　　　　２１・・・半導体レーザ
、２２・・・コリメータレンズ、２３・・・ハーフミラ
−１２４・・・対物レンズ、　　　２６・・・光磁気記
録媒体、２７・・・検光子、　　　　　２８・・・集光
レンズ、２９・・・光検出器。 ％ θＡＣｄｅｃ３］ （Ａ） 手続ネ由正書（自発） 昭和６２年１０月５　日 １、事件の表示 昭和６１年特許願第２４６６１６号 ２、発明の名称 光６１気情報再生装匝 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２キャノン株式会
社内（電話７５Ｂ−２１１１）５、補正の対象 明　　細　　書 ６、補正の内容 明細書全文を別紙の通り訂正する。 全文訂正　明　細　書 １、発明の名称 光磁気情報再生装置 ２、特許請求の範囲 （１）所定の方向に偏光した光束を磁気的に情報が記録
された記録媒体上に照射する手段と、磁気光学効果によ
り前記情報に応じて偏光状態に変調を受けた前記記録媒
体からの反射又は透過光束を検光する検光手段と、該検
光手段を透過した光束を光電検出する増幅作用のない光
検出器と、前記光検出器の検出信号を増幅し、前記情報
を再生する増幅手段とから成り、前記光検出器に入射す
る磁気光学効果により変調を受けない偏光成分強度の平
均をＴＲ１光磁気信信号測周波数におけるこの強度ニラ
キノ２乗平均ヲ△ｌ２Ｒ１Ｅ　＝　△ＰＲ７’ｒＩＲ１
前記記録媒体上における入射光束の光量をＩＯ１前記記
録媒体の振幅反射率をＲ１前記検光手段を除く記録媒体
より光検出器に至る光学系の光利用効率をε、前記光検
出器の光電変換効率をに１電荷量をｅ１光磁気信号観測
周波数における前記増幅手段の熱雑音をＴ１検出信号の
バンド幅をΔＢ１前記検光手段の振幅透過率をｔＡ、同
じく検光手段の消光比をηＡとしたときに、前記検光手
段の光学軸と前記所定の方向とのなす角度θＡが以下の
条件、但し、 ＦＲ＝ξ拳（にε１ｔＡｌ”　ｌＲ１”ｌｏ）”　・Δ
ＢＳ　　＝２ｅにｔ　　１ｔＡｌ”　ｌＲ１”Ｉｏ−Δ
Ｂを満足することを特徴とした光磁気情報再生装置。 ３、発明の詳細な説明 〔技術分野〕 本発明は、磁気光学効果を利用して記録媒体に磁気的に
記録された情報を再生する光磁気情報再生装置に関する
。 〔従来技術〕 近年、半導体レーザ光により記録再生を行なう光メモリ
は、高密度記録メモリとして実用化への研究開発が盛ん
である。この内、既に製品化されたコンパクトディスク
等に代表される再生専用光ディスクやＤＲＡＷタイプ光
ディスクとともに、特に消去・書き換えが可能な光磁気
ディスクが有望視されてきている。光磁気ディスクは、
レーザスポット照射による磁性薄膜の局所的温度上昇を
利用して磁気的に情報を記録し、磁気光学効果（特にカ
ー効果）により情報を再生するものである。 ここでカー効果とは、光が磁気記録媒体によって反射さ
れた場合に、偏光面が回転する現象をさす。 従来の光磁気ディスク装置の基本的構成を第７図に示す
。第７図において、ｌは半導体レーザ、２はコリメータ
レンズ、１１はハーフミラ−１４は対物レンズ、６は光
磁気記録媒体、７は検光子、８は集光レンズ、９は光検
出器で、Ｐ偏光方向は紙面に平行、Ｓ偏光方向は垂直で
ある。 次に上記装置において、光磁気情報を再生する場合につ
いて説明する。半導体レーザｌからＰ偏光方向の直線偏
光として射出された光束は、コリメータレンズ２により
平行光束とされ、ハーフミラ−１１を通過する。Ｐ偏光
成分振幅透過率をｔｐ、Ｓ偏光成分振幅透過率をｔｓと
すれば、１１においては１ｔｐ１２＝　１ｔｓｌ”＝０
．５である。光束は、対物レンズ４により光磁気記録媒
体６上に微小なスポットとして結像される。媒体６上に
あらかじめ磁区（ピット）が形成されている場合には、
第８図に示す様に媒体６からの反射光は、カー効果によ
りスポット照射領域の磁化方向上向きか又は下向きかに
応じて、各々±θにの偏光面の回転を受ける。ここで、
記録媒体６の振幅反射率のＰ偏光成分をＲ，Ｓ偏光成分
をＫとすれば次式が成り立つ。 光磁気変調された反射光は、対物レンズ４で再び平行光
束とされ、ハーフミラ−１１で反射された後、検光子７
で強度変調された光束に変換される。即ち、第８図にお
いて反射光束は、その振幅の検光子光学軸への正射影と
して検光されるので、光磁気媒体への入射光強度をｉｏ
、検光子の光学軸のＰ偏光方向からの角度をθＡとすれ
ば、カー回転角±θＫに応じて検光子を透過した光束の
強度Ｉ＋θに、Ｉ−θには各々（２）式のようにあられ
せる。 θに〜１０　であるから、ｌＲＩ”）ｌＫ＋”が成り立
つので、（２）式は、 とあられせる。（３）式の括弧内筒２項が光磁気変調成
分、第１項が非変調成分であり、各々の強度をＴ。 ＩＲ〜−ｌ　Ｒｌ　”ｃｏｓ”θＡ　　　　　　　　　
　　（５）このような検出光束は集光レンズ８を経て、
光検出器９により光磁気信号として検出される。 ここでカー効果による偏光面回転角θには、一般にはＰ
程度であり、検光子７を通過して得られる光磁気変調成
分が非常に微少な量であることを考えると、検光子の光
学軸の方位角θＡは検出信号のＣ／Ｎ　（搬送波と雑音
との比）が最大となる様な最適位置に設定する必要があ
る。 そこで従来の光磁気情報記録再生装置においては検光子
７の光学軸の方位角θＡは、（４）式であられされる光
磁気変調成分強度を最大とするため、入射光束の偏光方
向に対して４５°に設定されていた。しかしながら、検
出信号に重畳される雑音を考慮すると、必ずしもθＡ＝
４５°　とすることにより最大のＣ／Ｎを得られるとは
限らない。 〔発明の概要〕 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を改良し、ピンフ
ォトダイオードなどの増幅作用のない安価な光検出器を
用いて、簡単な構成でＣ／　Ｎの良好な光磁気信号の再
生が可能な光磁気情報再生装置を提供することにある。 本発明の上記目的は光磁気情報再生装置を、所定の方向
に偏光した光束を磁気的に情報が記録された記録媒体上
に照射する手段と、磁気光学効果により前記情報に応じ
て偏光状態に変調を受けた前記記録媒体からの反射又は
透過光束を検光する検光手段と、該検光手段を透過した
光束を光電検出する増幅作用のない光検出器と、前記光
検出器の検出信号を増幅し、前記情報を再生する増幅手
段とから構成し、前記光検出器に入射する磁気光学効果
により変調を受けない偏光成分強度の平均をＴＲ，光磁
気信号観測周波数におけるこの強度、ゆらぎの２乗平均
を△Ｉ”Ｒ、ξ＝ΔＩ２Ｒ／Ｉ２Ｒ１前記記録媒体上に
おける入射光束の光量を１０　ｓ前記記録媒体の振幅反
射率をＲ１前記検光手段を除く記録媒体より光検出器に
至る光学系の光利用効率をε、前記光検出器の光電変換
効率をに１電荷全をｅ１光磁気信号観測周波数に　おけ
る前記増幅手段の熱雑音をＴ１検出信号のバンド幅をΔ
Ｂ１前記検出手段の振幅透過率をｔ＾、同じ（検光手段
の消光比を０人としたときに、前記　検光手段の光学軸
と前記所定の方向とのなす角度θＡが以下の条件、但し
、 ＦＲ＝ξ・（にεｌｔ＾ｌ”　ｌＲ１”１ｏ）２・ΔＢ
Ｓ＝３ｅにε１ｔＡｌ”　ｌＲ１”ｌｏ・ΔＢを満足す
るように設定することによって達成される。 〔実施例〕 以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。 第１図及び第２図は、本発明に基づく光磁気情報再生装
置の第１実施例を示し、夫々第１図は光学系の概略構成
図、第２図は信号処理回路の概略構成図である。第１図
において、２１は半導体レーザ、２２はコリメータレン
ズ、２３はハーフミラ−１２４は対物レンズ、２６は光
磁気記録媒体、２７は検光子１．２８は集光レンズ、２
９は光検出器で、Ｐ偏光方向は紙面に平行、Ｓ偏光方向
は垂直である。また、１３は検光子２７を透過した光束
を示し、この検出光束１３は第２図のように光検出器２
９で光電変換され、負荷抵抗１６を含む増幅器１５によ
って電圧増幅されて、端子１４より再生信号として出力
される。 上記ハーフミラ−２３はビーム整形機能を有し、これに
より、楕円形の遠視野像をもつ半導体レーザ２１の光束
を、記録媒体２６上に効率良く円形スポットとして結像
することができる。また、面ａは光検出器２９に迷光が
入射しない様に所定の角度傾けである。記録媒体２６上
にはトラッキング用の溝（不図示）が紙面垂直方向に形
成されており、対物レンズ２４により記録媒体２６上に
集光された光束は、この溝により回折される。２５は、
トラックずれによって生ずる±１次回折光のアンバラン
スを検出するための光検出器であり、対物レンズ２４の
開口周縁に固定されている。このため、対物レンズ２４
がトラック溝と垂直方向に移動してもトラッキングエラ
ー信号にオフセットを生じない利点がある。光検出器２
９はＳｉ−ビンフォトダイオードなどの増幅作用のない
光検出器であり、光磁気信号及びフォーカスエラー信号
の検出を行なう。フォーカスエラー検出には公知の方法
を用いるが、本発明との直接の関係はないので詳細な説
明は省略する。 上記装置において、半導体レーザ２１はＰ偏光光束を出
射する。この出射光束は、コリメータレンズ２２で平行
光となり、ハーフミラ−２３を透過して対物レンズ２４
によって記録媒体２６上に強度１０の光スポットとして
照射される。そして、記録媒体２６で反射された光束は
、該記録媒体２６に磁気的に記録された情報に応じて偏
光状態に変調を受け、再び対物レンズ２４を通ってハー
フミラ−２３で反射し、検光子２７に導かれる。検光子
２７を通過した検出光１３は強度変調され、集光レンズ
２８を介して光検出器２９で受光される。 検光子２７を通って強度変調された光束１３は、第２図
に示す光検出器２９で光電流に変換される。光電変換効
率には、ｅを電荷量、ｈをブランク定数、ρを光検出器
の量子効率、νを光束の振動数として次式で与えられる
。 ここで、信号読み出しにおける雑音源として次の４種の
雑音が考えられる。 ｌ）非変調成分光ＩＲの２乗平均強度ゆらぎ△Ｉ”＋＋
に起因する雑音。 ２）変調成分光■にの２乗平均強度ゆらぎ△Ｉ２Ｋに起
因する雑音。 ３）光検出器のショット雑音。 ４）増幅器による熱雑音。 ｌ）の△Ｉ２Ｈによる雑音、及び２）の△Ｉ２Ｋによる
雑音は、記録媒体の表面粗さや不均質性、半導体レーザ
の強度変動等により生じ、媒体や半導体レーザなどの雑
音源によって決まる定数を各々ξ、ζ、非変調成分、変
調成分の実効値の平均を各々ＴＲ，ＴＫとすれば次式が
成り立つ。 △Ｉ’Ｒ−ξＰＲ△Ｂ（７） △Ｉ２に＝ζｐｇΔＢ（８） 但し、ΔＢは検出信号のバンド幅である。 △Ｉ’Ｒに起因する雑音、△Ｉ”Ｋに起因する雑音、シ
ョット雑音、熱雑音を各々ＦＲ，’　　ＦＫ、　　Ｓ、
　　Ｔとすれば次式であられせる。 ＦＲ＝ξに”ＦａｔΔＢ（９） Ｆ　ｘ　＝　　ζに”　ＴＩＫ　△Ｂ　　　　　　　　
　　　　　　　　（１０）Ｓ＝Ｚｅ　ｐｃ　　ＴＲ△Ｂ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　（１１）Ｒ＋ 但し、ｋはポルツマン定数、Ｔｅは等価雑音温度、Ｒ＋
は負荷抵抗１６の抵抗値である。 （４）、　　（５）式により、検光子光学軸方位角ＯＡ
について、光磁気変調成分強度ＩＫはｓ　ｉ　ｎ２θＡ
、非変調成分強度ＩＲはｃ　ｏ　ｓ２θＡの依存性をも
つことから、各雑音のθＡ依存性は次の様にあられせる
。 ＦＲｏｃ　ｃｏｓ″θＡ　　　　　　　　　　　　　（
１３）ＦＫｏｃｓｉｎ”２θＡ　　　　　　　　　　　
　（１４）Ｓ”ＣＯ８”θＡ　　　　　　　　　　　　
　（１５）Ｔ＝ｃｏｎｓｔ、（１６） これらを用いて、Ｃ／Ｎをデシベル表示であられせば、
次式の様になる。 （１７）式のＣ／　Ｎは検光子光学軸方位角θＡの関数
となるので、（１７）をθ八で偏微分して極値を求める
。 θＡに関して極値を求めれば次の様になる。 ｆＲ−ξ（−にｌＲ１２Ｉｏｃｏｓ２θＡ）２・ΔＢ　
　　　　　（１９）Ｓ＝ｅに１ＲＩＩＯｃｏｓ”θＡ・
ΔＢ　　　　（２０）ｔ　＝　Ｔ　　　　　　　　　　
　　　　　　　（２１）（１８）〜（２１）式を満足す
る様な検光子の光学軸方位角を設定してやれば、Ｃ／Ｎ
を最大値とすることができる。 第７図の説明においては信号レベル低下は、記録媒体及
び光学系により生じないとしたが、実際の光学系でＣ／
Ｎを正確に予想するうえでは、考慮しなければならない
。信号レベル低下の原因としては次の２点が考えられる
。 １）光量損失（吸収やケラレによる振幅の低下）２）Ｐ
−３偏光間位相差 光磁気変調成分強度の低下にはｌ）及び２）が寄与し、
非変調成分強度の低下にはｌ）のみが寄与する。 光磁気非変調成分強度の低下（光量の損失）を評価する
ため、光利用効率εＲを定義する。本発明では光利用効
率として、記録媒体上の光量と光検出器に至：ｒ達する
光量の比に注目していることに注意されたい。本実施例
ではεＲを求める際に以下の点を考慮した。 ｌ）トラッキング用溝（ピッチ１．６μｍ、深さλ／８
゜λ＝８３５ｎｍ）からの回折光が対物レンズ入射瞳内
に入射する割合、これを光利用効率ε０とする。 ２）記録媒体から光検出器に至る光路中にある検光子を
除くｎ個の光学素子のＰ偏光方向振幅透過率（又は反射
率）の２乗の光路に沿った積を考え、光利用効率ε１と
する。ｉ番目の光学素子の振幅透過率をｊｐｉ、反射率
をｒｐｉとすればε１は次式であられせる。 （２２）式においてｉ番目の光学素子で光束が反射され
る場合にはｌ　ｔ、ｉ　ｌ”のかわりにｌ　ｒｐｉ　１
’を代入すればよい。なお検光子の透過率はＣ／Ｎ計算
の際変化量として取り扱うのでε１から除外しである。 １）、２）より光磁気非変調成分の光利用効率εＲは次
式であられせる。 ε　Ｒ＝　ε　０　ε　ｒ　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　（２３）次に光磁気変調成分の強度低下
を考える。そのためには完全損失の他にＰ−３偏光間の
位相差について考慮しなければならない。 例えば第３図に示す様に記録媒体からの反射光は一般的
には第８図で示した様な直線偏光ではな（Ｐ偏光成分と
Ｓ偏光成分の間に生ずる位相差により、長軸がカー回転
角θにだけ傾いた楕円偏光となることが知られている。 即ち記録媒体の振幅反射率のＰ、Ｓ偏光成分Ｒ、Ｋは（
２４）式の様にあられせる。 Ｒ＝　ｌ　Ｒｌ　ｅｌｌｌｏ Ｋ　＝　ｌ　Ｋ　ｌ　ｅ”’　　　　　　　　　　　　
　（２４）△０＝α。−β。 但しα。、β。は各振幅反射率の位相成分である。 この場合カー回転角θには、 とあられせる。△。＝ｎπ（ｎ　＝整数）ならば記録媒
体からの反射光は直線偏光となるが、それ以外の場合に
はθＫを減少させ好ましくない。 光学素子についても全く同様なことがいえて、本実施例
では光磁気変調成分の強度低下を評価するため光利用効
率εＫを定義し、θＫを求める際、以下の点を考慮した
。 即ち、光磁気変調成分に対しては記録媒体から光検出器
に至る光路中にある検光子を除くｎ個の光学素子のＰ、
Ｓ偏光方向振幅透過率（または反射率）の光路に沿った
積を考え、光利用効率ε２とする。 ｉ番目の光学素子のＰ、Ｓ偏光方向振幅透過率を、ｒｐ
ｌ、　　ｔｓｉ　（反射率ならｒＧＩＩ＋　　ｒｓｌ）
とすれば、次式が成り立つ。 ｔ　ｐｉ　＝　ｌ　ｔ　ｐｉ　ｌ　ｅ”’ｔｓ＋　＝　
ｌ　ｔｓ＋　ｌ　ｅｌＪ’　　　　　　　　　　　（２
６）△ｉ＝αｉ−β１ （２９）を用いてε２を次式の様にあられす。 （３０）において、ｉ番目の光学素子で光束が反射され
る場合には１ｔｐｔｌｌｔｓ＋ｌのかわりにｌ　ｒｐｌ
　ｌｌ　ｒｓｉ　ｌを代入すればよい。なお検光子の透
過率はＣ／Ｎ計算の際に変化量として取り扱うのでε２
から除外しである。 これより光磁気変調成分の光利用効率εには次式であら
れされる。 εに＝ε０ε２　　　　　　　　　　　　　（２８）検
光子についてもより正確な評価を行なう事にする。 検光子の振幅透過率をｔＡ、消光比をηＡとすれば（２
）式においてＣＯ５θＡを１ｔ＾１・（ＣＯＳθＡ＋　
ｒ　ｓ　ｉ　ｎθＡ）、　ｓｉｎθＡをｌ　ｔＡｌ　・
（ｓｉｎθＡ＋　ｌ　ｃ　ｏ　ｓθＡ）と置き換えて考
えればよい。 ＩＲＩ”＞ＩＫＩ”として光磁気変調成分強度に対して
はεにと次式で与えられる検光子の透過率ε３の積をと
ればよい。 εｓ　＝　ｌ　ｔＡｌ”　（１−７７Ａ）　５ｉｎ２θ
Ａ　　　（２９）但し検光子の振幅透過率はＰ−８偏光
酸分方向で等しく、かつＰ−８偏光間に位相差を与えな
いものとした。 光磁気非変調成分に対しては、εＲと次式で与えられる
検光子の透過率ε４の積をとればよい。 ε４＝１ｔ＾ｌ　２（ｃ　ｏ　ｓ”θＡ＋ηＡｓｉｎ”
θＫ）（３０）以上より光磁気変調成分、非変調成分の
強度を各々Ｉに、　　ＩＲとすれば、 ■−ＴＩ・′・“・’　ＩＲＩ　ＩＫＩ　１ｔｘｌ”（
１−η・）　５ｉｎ２θ・ＩＲ”−１ｏεｏε１１　　
Ｒ１２１ｔ＾ｌ”（ｃｏｓ”θＡ＋７７　Ａ　ｓｉｎ”
θＫ）＝Ｉｏ　εＲＩＲｌ”ｌｔ　＾ｌ”（ｃｏｓ”θ
Ａ＋　７７　Ａ　ｓｉｎ”　　θＫ）とあられされる。 （３１）、（３２）式を（１７）式に代入して、Ｃ／Ｎ
を最大とする検光子光学軸の入射光束偏光方向からの角
度θＡを求めると次の様になる。 ｆＲ’＝ξ（にεＲ１ｔ＾ｌ”ｌＲ１”ｌｏ）’・ΔＢ
　　　　（３４）Ｓ’　　＝　２ｅ　にｇＲ１ｔ＾ｌ”
１ＲＩＪｏ・ΔＢ　　　　（３５）ｔ’＝Ｔ　　　　　
　　　　　　　　　　（３６）以下に計算条件を示す。 半導体レーザ２１は波長λ＝８３５ｎｍであり、記静媒
体２６上で入射光量■。＝　２　Ｘ　１０−３Ｗとなる
様にハーフミラ−２３透過率１　ｔｐ　１２にかかわら
ず出力を調節されている。 記録媒体２６にはＧｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏが用いられ、
］Ｒｌ’＝ｏ、１２．　　θに＝０．７４°、Ｉ）、Ｓ
偏光方向振幅反射率の位相成分α。、β。の位相差△。 は△。−２０°　である。 光利用効率ε。はトラッキング用溝（ピッチ１．６μｍ
、深さλ／８）からの回折光をＮ、Ａ　＝　０．５の対
物レンズで受ける場合ε。＝０，６となる。 光利用効率ε１は記録媒体から光検出器に至るる光路中
にある検光子を除く光学素子の透過率（ハーフミラ−で
は反射率）の積を考え、ε、＝０．３９である。 光利用効率ε２は記録媒体から光検出器に至る光路中に
ある検光子を除く光学素子のＰ、Ｓ振幅透過率（ハーフ
ミラ−では反射率）の積を考えればよい。本実施例中で
用いたハーフミラ−２３はＰ−８偏光間に、△１１〜＋
　＝　１６０°の位相差を生じさせる様になっている。 したがって記ｎ媒体で生ずる位相差△。との間に、 △。＋へＩ因＝π　　　　　　　　　　　（３７）なる
関係があり、これにより光磁気変調成分強度低下を防止
している。その低木実施例では透過の際にＰ−８偏光間
に位相差を与える光学素子はないのでΣ３　’　＝ｃｏ
ｓ　（ΣΔ１）＝１．またＮｐ１ｌ＝ｌｔｓｌで−Ｑ あるから、ε２＝０．３９となる。 光検出器２５は光電変換率に＝０．５４のＳｉ−ピンフ
ォトダイオードである。記録媒体や半導体レーザなどの
雑音源によって決まる定数ξ及びζは各々以下の様に与
えられる。 ξ＝２ｘｌＯ−”　（Ｒ，１，Ｎ） ζ＝　１　ｘ　１０−１ｌ（Ｒ，１，Ｎ　）また熱雑音
Ｔはボルツマン定数に＝１．３８Ｘ１０−”、等価雑音
温度Ｔｅ＝３００　［Ｋ］、負荷抵抗Ｒ＋＝ＩＸＩＯ−
’［Ωコ、信号検出のバンド幅△Ｂ　＝　３　Ｘ　Ｉ　
Ｏ’　［１／　Ｈｚコとして、Ｔ　＝　５　Ｘ　１０−
”と与えられる。 なお、光検出器のもつ容量などにより熱雑音Ｔは（１２
）式の様な簡単な形で記述できないこともあるので、そ
のような場合はこれに従う必要はない。 検光子は振幅透過率ｔｐは１ｔｐｌ”＝０．８４、消光
比ηＡ−１ｘｌＯ−１である。 第４図は検光子の光学軸の入射光束偏光方向からの角度
θＡとＣ／Ｈの関係を示した図である。（３３）〜（３
６）式で与えられる最適なθＡ＝７９．４°で、本実施
例のＣ／Ｎが最大となることがわかる。θＡ＝４５゜と
した従来の装置の場合と比較すると、本実施例では８ｄ
Ｂ以上Ｃ／Ｎが向上している。θＡ＝　７０’〜８５°
　とすれば十分に良好なＣ／Ｎが得られる。 第５図は光磁気非変調成分強度の２乗平均ゆらぎを決め
６定数ξの値を、ξ＝　Ｉ　Ｘ　１０−”、　　１０−
”、　　１０−”。 １０−”と変化させた場合のθＡとＣ／Ｎの関係を示し
た図である。 （３３）式により、△Ｉ２Ｒに起因する雑音ＦＲやショ
ット雑音Ｓが熱雑音Ｔより相対的に大きな場合、０人の
最適値は９０°に近づいていくことを示している。また
、θ入量適値１こおけるＣ／Ｎとθへ＝４５゜のＣ／Ｎ
を比較すると、ＦＲとＳがＴよりも相対的に大きくなる
と、よりＣ／Ｎが改善されることがわかる。例えばξ＝
　Ｉ　Ｘ　１０−”の場合には１８　ｄＢ以上Ｃ／Ｎが
向上しており、本発明が非常に有効である。 第６図（Ａ）、（Ｂ）は夫々本発明の第４実施例を示す
概略図であり、（Ｂ）は（Ａ）を矢印ノ＼方向から見た
図を示している。第６図（Ａ）、（Ｂ）において第１図
と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略
する。本実施例においても、光検出器２９以後の信号処
理系は第２図示の如くｖζ成される。本実施例は第１実
施例のハーフミラ−２３゛の代わりにハーフミラ−１Ｏ
を用い、このハーフミラ−１０の透過光を検出するよう
に構成したものである。ハーフミラ−１Ｏの面すは光検
出器２９に迷光が入射しない様に所定の角度傾けである
。 本実施例では、第１図の説明文中で使用したＰ。 Ｓ偏光方向を各々置き換えて考えれば良い。 また第１図及び第６図ではハーフミラ−２３及びｌＯを
用いているが、これを偏光ビームスプリッタと置き換え
ても本発明は有効である。例えば特開昭５８−１８９６
１２号で公知な偏光ビームスプリッタ（ｌ　ｒｒ　ｌ”
＝０．２．　　ｌ　ｒｓ　ｌ”＝１）を第１図で用いれ
ばよりＣ／　Ｎを向上させることができる。第６図では
例えばｌ　ｔｓ　ｌ”−０，２，ｌ　ｔｒ　１２＝１な
る特性を持つ偏光ビームスプリッタを用いれば、よりＣ
／Ｎを向上させることができる。 本発明は以上説明した実施例の他にも種々の応用が可能
である。例えば実施例では光磁気記録媒体の反射光を検
出したが、光磁気記録媒体を通過してファラデー効果に
よって変調を受けた光束を検出するように構成しても良
い。 〔発明の効果〕 以上説明した様に本発明は光磁気情報再生装置において
、検光子光学軸の入射光束偏光方向からの角度を従来の
４５°から最適な角度に設定する事により、信号検出の
Ｃ／Ｎを向上させる効果を有する。 更には本発明により高いＣ／　Ｎが得られるので従来の
装置の様な複雑な検出系が不要となり装置の信頓性を高
め、且つ製造コストを低減する事が出来る。 ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明の一実施例の光学系を示す概略図、第２
図は第１図示の実施例の信号処理系を示す概略図、第３
図は光磁気記録媒体からの反射光の偏光状態を示す図、
第４図及び第５図は夫々本発明における検光子の光学軸
方位角とＣ／Ｎとの関係を示す図、第６図（Ａ）、　　
ＣＢ）は夫々本発明の他の実施例を示す概略図、第７図
は従来の光磁気情報再生装置の例を示す概略図、第８図
は一般的な光磁気信号検出の原理を示す図である。 １３・・・検出光、　　　　　２１・・・半導体レーザ
、２２・・・コリメータレンズ、２３・・・ハーフミラ
−１２４・・・対物レンズ、　　　２６・・・光磁気記
録媒体、２７・・・検光子、　　　　　２８・・・集光
レンズ、２９・・・光検出器。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の方向に偏光した光束を磁気的に情報が記録
   された記録媒体上に照射する手段と、磁気光学効果によ
   り前記情報に応じて偏光状態に変調を受けた前記記録媒
   体からの反射又は透過光束を検光する検光手段と、該検
   光手段を透過した光束を光電検出する増幅作用のない光
   検出器と、前記光検出器の検出信号を増幅し、前記情報
   を再生する増幅手段とから成り、前記光検出器に入射す
   る磁気光学効果により変調を受けない偏光成分強度の平
   均を＠Ｉ＠＿Ｒ、光磁気信号観測周波数におけるこの強
   度ゆらぎの２乗平均をΔＩ＾２＿Ｒ、ξ＝ΔＩ＾２＿Ｒ
   ／＠Ｉ＠＿Ｒ、前記記録媒体上における入射光束の光量
   をＩ＿Ｏ、前記記録媒体の振幅反射率をＲ、前記検光手
   段を除く記録媒体より光検出器に至る光学系の光利用効
   率をε、前記光検出器の光電変換効率をＫ、電荷量をｅ
   、光磁気信号観測周波数における前記増幅手段の熱雑音
   をＴ、検出信号のバンド幅をΔＢ、前記検光手段の振幅
   透過率をｔ＿Ａ、同じく検光手段の消光比をη＿Ａとし
   たときに、前記検光手段の光学軸と前記所定の方向との
   なす角度θ＿Ａが以下の条件、▲数式、化学式、表等が
   あります▼但し、 ＦＲ＝ξ・（Ｋε｜ｔ＿Ａ｜＾２｜Ｒ｜＾２Ｉ＿Ｏ）＾
   ２・ΔＢＳ＝ｚｅκε｜ｔ＿Ａ｜＾２｜Ｒ｜＾２Ｉ＿Ｏ
   ・ΔＢを満足することを特徴とした光磁気情報再生装置
   。