JPS63100710A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS63100710A JPS63100710A JP24588786A JP24588786A JPS63100710A JP S63100710 A JPS63100710 A JP S63100710A JP 24588786 A JP24588786 A JP 24588786A JP 24588786 A JP24588786 A JP 24588786A JP S63100710 A JPS63100710 A JP S63100710A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- capacitor element
- organic semiconductor
- capacitor
- solid electrolytic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ1 産業上の利用分野
本発明はTONQ、の錯塩からなる有機半導体を固体電
解質とする固体電解コンデンサの製造方法に関する。
解質とする固体電解コンデンサの製造方法に関する。
(ロ) 従来の技術
TCNQ、と称される7、7.8.8−テトラシアノキ
ノジメタンの錯塩からなる有機半導体を溶融し、それを
コンデンサ素子に含浸後、冷却して固体電解質を形成す
る方法は特開昭57−173928号公報などに開示さ
れている。
ノジメタンの錯塩からなる有機半導体を溶融し、それを
コンデンサ素子に含浸後、冷却して固体電解質を形成す
る方法は特開昭57−173928号公報などに開示さ
れている。
上述した方法により形成される固体電解コンデンサは、
有機半導体をコンデンサに含浸し、冷却固化後、エポキ
シ樹脂等を用いて封口している。
有機半導体をコンデンサに含浸し、冷却固化後、エポキ
シ樹脂等を用いて封口している。
この固体電解コンデンサによれば、TCNQ、塩のコン
デンサ素子への含浸率が高まり、かつTONQ、塩本来
の優れた性質を活かすことができ、コンデンサ特性の向
上が図れる。
デンサ素子への含浸率が高まり、かつTONQ、塩本来
の優れた性質を活かすことができ、コンデンサ特性の向
上が図れる。
ところで、コンデンサ素子の陽極は誘電体である酸化皮
膜が形成されているが、コンデンサ素子の余熱および含
浸時の熱的あるいは含浸時の機械的衝撃によって酸化皮
、膜が傷つけられる。
膜が形成されているが、コンデンサ素子の余熱および含
浸時の熱的あるいは含浸時の機械的衝撃によって酸化皮
、膜が傷つけられる。
一般に固体電解コンデンサにおいて酸化皮膜を修復し漏
れ電流特性等の改善のため、素子の外装後に定格電圧の
1.0〜2.0倍の電圧を85〜150℃の温度範囲内
で印加するいわゆるエージング処理が行なわれている。
れ電流特性等の改善のため、素子の外装後に定格電圧の
1.0〜2.0倍の電圧を85〜150℃の温度範囲内
で印加するいわゆるエージング処理が行なわれている。
H発明が解決しようとする問題点
固体電解質としての有機半導体は、一般の電解コンデン
サに使用されている電解液に比べ酸化皮膜の修復性が弱
いため酸化皮膜の修復性は容易ではなかった。
サに使用されている電解液に比べ酸化皮膜の修復性が弱
いため酸化皮膜の修復性は容易ではなかった。
本発明は、有機半導体を電解質に用いた固体電解コンデ
ンサにおいて、漏れ電流特性の改善をし、歩留りを向上
させることを目的とする。
ンサにおいて、漏れ電流特性の改善をし、歩留りを向上
させることを目的とする。
に)問題点を解決するための手段
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、コンデンサ
素子に所定の電圧を印加しつつ、このコンデンサ素子に
、溶融した有機半導体を含浸し、その後、冷却固化する
ことを特徴とする。
素子に所定の電圧を印加しつつ、このコンデンサ素子に
、溶融した有機半導体を含浸し、その後、冷却固化する
ことを特徴とする。
(ホ)作 用
有機半導体が高温で且つ液化の状態で陽極と陰極となる
有機半導体の間に、所定電圧が印加されるため、酸化皮
膜の修復性が著しく向上する。
有機半導体の間に、所定電圧が印加されるため、酸化皮
膜の修復性が著しく向上する。
(へ)実施例
以下、本発明の製造方法を実施例に基いて説明する。
化成済のアルミニウム箔と陰極アルミニウム箔とを厚さ
50μmのマニラ紙からなるセパレータを介して、巻回
し、ポリエステルテープにて巻き止めしたコンデンサ素
子(1)の陽極箱の切り口を化成液を用いて陽極化成電
圧と略同じ電圧を印加して化成する。このようにして、
準備されたコンデンサ素子(1)の陽極リード(2)を
正電位が加えられる鉄製の接続板αGにスポット溶接に
より取り着ける。
50μmのマニラ紙からなるセパレータを介して、巻回
し、ポリエステルテープにて巻き止めしたコンデンサ素
子(1)の陽極箱の切り口を化成液を用いて陽極化成電
圧と略同じ電圧を印加して化成する。このようにして、
準備されたコンデンサ素子(1)の陽極リード(2)を
正電位が加えられる鉄製の接続板αGにスポット溶接に
より取り着ける。
また有機半導体としてTCNQの錯塩であるルーブチル
・インキツリウム・TCN Q、の粉末を適度の加圧下
でアルミニウムからなる金属ケース(5)につめる。こ
の金−属ケース(5)を熱・電気伝導性に優れているチ
タン製のケース保持治具■に収容する。
・インキツリウム・TCN Q、の粉末を適度の加圧下
でアルミニウムからなる金属ケース(5)につめる。こ
の金−属ケース(5)を熱・電気伝導性に優れているチ
タン製のケース保持治具■に収容する。
そして、加熱ヒータ(社)により金属ケース(5)を2
60〜300℃に加熱して有機半導体を融解液化する。
60〜300℃に加熱して有機半導体を融解液化する。
またケース保持治具■には負電位が加えられる。更に、
コンデンサ素子(1)に有機半導体を含浸後、急速冷却
するための、アルミニウムかラナル冷却用液槽■にも負
電位が加えられる。この液槽G内には冷却水等が充填さ
れている。
コンデンサ素子(1)に有機半導体を含浸後、急速冷却
するための、アルミニウムかラナル冷却用液槽■にも負
電位が加えられる。この液槽G内には冷却水等が充填さ
れている。
而して、前記コンデンサ素子(1)を乾燥後、3〜5分
間予熱した後、ケース(5)にコンデンサ素子(1)Σ 、挿入し、液化状態にある有機半導体を含浸する。
間予熱した後、ケース(5)にコンデンサ素子(1)Σ 、挿入し、液化状態にある有機半導体を含浸する。
このとき、接続板αGとケース保持治具■問および接続
板CI(Iと液槽器間に直流電源■より電圧を印加する
。ことによりコンデンサ素子(1)に所定の電圧が印加
される。続いて、ケース(5)を液槽器内の冷却水に浸
漬して、ケース(5)の底面を液槽−に接触させ、冷却
水でケース(5)を急速冷却する。そして、コンデンサ
素子(1)が急速冷却されることによりコンデンサ素子
(1)に有機半導体が含浸した状態で固化し、それが固
体電解コンデンサの電解質となる。
板CI(Iと液槽器間に直流電源■より電圧を印加する
。ことによりコンデンサ素子(1)に所定の電圧が印加
される。続いて、ケース(5)を液槽器内の冷却水に浸
漬して、ケース(5)の底面を液槽−に接触させ、冷却
水でケース(5)を急速冷却する。そして、コンデンサ
素子(1)が急速冷却されることによりコンデンサ素子
(1)に有機半導体が含浸した状態で固化し、それが固
体電解コンデンサの電解質となる。
この含浸工程中、前述したように直流電源■にて、コン
デンサ素子(1)には所定の電圧が印加される。
デンサ素子(1)には所定の電圧が印加される。
その後、ケース(5)の開口部を樹脂で封口して、固体
電解コンデンサが得られる。
電解コンデンサが得られる。
次に、本発明により製造した、固体電解コンデンサと、
比較のため有機半導体の含浸時に電圧を印加しない以外
は本発明と同様に製造した従来の固体電解コンデンサを
醜備し、初期特性および高温負荷試験を行なった結果を
第1表ないし第4表に示す。
比較のため有機半導体の含浸時に電圧を印加しない以外
は本発明と同様に製造した従来の固体電解コンデンサを
醜備し、初期特性および高温負荷試験を行なった結果を
第1表ないし第4表に示す。
試料コンデンサは、定格電圧25V−3,3μF。
外形寸法φ5wx6.8i(長さ)および定格電圧10
V−220μL 外形寸法$ 10flX 10ff(
長さ)の二種類のものを用いた。
V−220μL 外形寸法$ 10flX 10ff(
長さ)の二種類のものを用いた。
第1表および第2表は定格25V−5,3μFのコンデ
ンサを測定したもの、 第3表および第4表は定格IQV−220μFのコンデ
ンサを測定した結果を夫々示す。
ンサを測定したもの、 第3表および第4表は定格IQV−220μFのコンデ
ンサを測定した結果を夫々示す。
以下ぷ白
ここで、Cは容量、LCは漏れ電流ESRは等価直列抵
抗を示す。
抗を示す。
各表の特性値は各20個の平均値を示す。
尚、LCについては平均値と標準偏差を各々示す。
また、実施例(1)は10V、実施例(2)は16v1
参考例は22v1実施例(3)は6V、実施例(4)は
10vの電圧を夫々印加して、有機半導体を含浸したも
のである。
参考例は22v1実施例(3)は6V、実施例(4)は
10vの電圧を夫々印加して、有機半導体を含浸したも
のである。
第1表、第3表に示す通り、本発明による実施例tll
+21および+31141では、従来例に比べ漏れ電
流値が大幅に改善されていることが分る。
+21および+31141では、従来例に比べ漏れ電
流値が大幅に改善されていることが分る。
更に、第2表、第4表に示すように、本発明による実施
例ill 121および+31 +4)は信頼性も従来
と同様に高いことがわかる。
例ill 121および+31 +4)は信頼性も従来
と同様に高いことがわかる。
また、参考例のように、22vを印加した場合には逆に
特性が劣化している。定格25Vのコンデンサでは、2
2Vを越える電圧を印加して有機半導体を含浸した場合
、コンデンサ素子の陽極化成電圧(およそ20V〜20
0v)に関係なく、含浸時に素子が短絡してしまうこと
がある。このように、印加電圧は、定格電圧によっては
定格電圧内であっても高い電圧を印加すると逆に特性が
劣化する場合がある。定格電圧と印加電圧との関係を種
々検討した結果、定格電圧が16’V以内の1″− の80%以内の電圧を印加して、有機半導体を含浸する
と良い。また、印加電圧は好ましくは、定格電圧内で5
v〜20Vの範囲である。
特性が劣化している。定格25Vのコンデンサでは、2
2Vを越える電圧を印加して有機半導体を含浸した場合
、コンデンサ素子の陽極化成電圧(およそ20V〜20
0v)に関係なく、含浸時に素子が短絡してしまうこと
がある。このように、印加電圧は、定格電圧によっては
定格電圧内であっても高い電圧を印加すると逆に特性が
劣化する場合がある。定格電圧と印加電圧との関係を種
々検討した結果、定格電圧が16’V以内の1″− の80%以内の電圧を印加して、有機半導体を含浸する
と良い。また、印加電圧は好ましくは、定格電圧内で5
v〜20Vの範囲である。
更に好ましくはコンデンサ素子の定格電圧に関係なく、
すなわち陽極酸化皮膜の厚さには関係なく10V程度の
電圧をコンデンサ素子に印加して、有機半導体を含浸す
るのが良い。
すなわち陽極酸化皮膜の厚さには関係なく10V程度の
電圧をコンデンサ素子に印加して、有機半導体を含浸す
るのが良い。
上述した実施例では、急速冷却するための液槽(ハ)に
も負電圧を印加したが、液槽■に電圧を印加するのを省
略しても良い。
も負電圧を印加したが、液槽■に電圧を印加するのを省
略しても良い。
(ト) 発明の効果
本発明は、コンデンサ素子に有機半導体を含浸する際、
コンデンサ素子に電圧を印加することにより、漏れ電流
が改善され、初期歩留りが向上する。また有機半導体含
浸後あるいは封口後の電圧処理条件等を軽減できるため
工数削減にも役立つ。
コンデンサ素子に電圧を印加することにより、漏れ電流
が改善され、初期歩留りが向上する。また有機半導体含
浸後あるいは封口後の電圧処理条件等を軽減できるため
工数削減にも役立つ。
第1図は、本発明の製造方法を説明するための模式図で
ある。 (1)・・・コンデンサ素子、(5)・・・ケース、α
G・・・接続板、■・・・ケース保持治具、(社)・・
・加熱ヒータ、■・・・液槽、■・・・直流電源。
ある。 (1)・・・コンデンサ素子、(5)・・・ケース、α
G・・・接続板、■・・・ケース保持治具、(社)・・
・加熱ヒータ、■・・・液槽、■・・・直流電源。
Claims (3)
- (1)TCNQの錯塩からなる有機半導体を融解液化せ
しめ、溶融状態にある有機半導体をコンデンサ素子に含
浸し、冷却固化してなる固体電解コンデンサの製造方法
であって、前記コンデンサ素子に所定の電圧を印加しつ
つ、 有機半導体を含浸し、冷却固化することを 特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - (2)コンデンサ素子の定格電圧が16V以下の場合に
は定格電圧以下の電圧をコンデンサ素子に印加すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の固体電解コ
ンデンサの製造方法。 - (3)コンデンサ素子の定格電圧が16Vを越える場合
には、定格電圧の80%以内の電圧をコンデンサ素子に
印加することを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24588786A JPS63100710A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24588786A JPS63100710A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100710A true JPS63100710A (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=17140284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24588786A Pending JPS63100710A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100710A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5222407A (en) * | 1991-05-21 | 1993-06-29 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Slip clutch mechanism |
| JP2009053341A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Topcon Corp | レンズ装置 |
-
1986
- 1986-10-16 JP JP24588786A patent/JPS63100710A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5222407A (en) * | 1991-05-21 | 1993-06-29 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Slip clutch mechanism |
| JP2009053341A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Topcon Corp | レンズ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0617442A2 (en) | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same | |
| JPH04297012A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| KR970004277B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서의 제조방법 | |
| JP3253126B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2869131B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2919726B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2840516B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS6337610A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH09260215A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2919730B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH01205412A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0321007A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2771767B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS6337609A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| KR940005995B1 (ko) | 고체전해 콘덴서 | |
| JP2950898B2 (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2869145B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0547607A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH03136227A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH07249544A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0744131B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS63127525A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS61281513A (ja) | 電解コンデンサ | |
| JPH01105525A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH07115042A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 |