JPS631016A - コンデンサ用電解液 - Google Patents
コンデンサ用電解液Info
- Publication number
- JPS631016A JPS631016A JP14458386A JP14458386A JPS631016A JP S631016 A JPS631016 A JP S631016A JP 14458386 A JP14458386 A JP 14458386A JP 14458386 A JP14458386 A JP 14458386A JP S631016 A JPS631016 A JP S631016A
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- JP
- Japan
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- quaternary phosphonium
- electrolyte
- capacitor
- silicic acid
- solvents
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明によれば、電導塵の高い優れたコンデンサ用電解
液（以下単Ｋｔ解液と称することがある）が得られる。
液（以下単Ｋｔ解液と称することがある）が得られる。
従来の技術
］ンデンサの特性は種々の要因によって決定されている
が、特にコンデンサ素子とともに外装ケースに収納され
る電解液のＩＦＩ性は、インピーダンスあるいは等価直
列抵抗（ＥＳＲ）に大きな影響を及ぼすことが判明して
いる。
が、特にコンデンサ素子とともに外装ケースに収納され
る電解液のＩＦＩ性は、インピーダンスあるいは等価直
列抵抗（ＥＳＲ）に大きな影響を及ぼすことが判明して
いる。
たとえば、電解コンデンサには、従来よりエチレングリ
コール−アジピンｒ皮アンモニウム系の′Ｌ孔酵解液使
用されている。
コール−アジピンｒ皮アンモニウム系の′Ｌ孔酵解液使
用されている。
発明が解決しようとする問題点
しかし、近年のスイッチングレギニレーターの高周波化
に伴ない、更に低インピーダンスあるいは低等価直列抵
抗のコンデンサが必要となり、高電導度の電解液の開発
が望まれている。
に伴ない、更に低インピーダンスあるいは低等価直列抵
抗のコンデンサが必要となり、高電導度の電解液の開発
が望まれている。
問題点を解決するための手段
本発明者らは、電導塵の高い電解液を見い出すべく鋭意
検討を行ない、硅酸の四級ホスホニウム塩が高い電導塵
を示すことを見い出し本発明を完成した。
検討を行ない、硅酸の四級ホスホニウム塩が高い電導塵
を示すことを見い出し本発明を完成した。
即ち、本発明は硅酸の四級ホスホニウム塩を溶質として
使用することを特徴とするコンデンサ用濯解腹を提供す
るものである。
使用することを特徴とするコンデンサ用濯解腹を提供す
るものである。
発明の詳細な説明
本発明において溶質として用いられる硅酸の四級ホスホ
ニウムにおける四級ホスホニウム塩としては、テトラメ
チルホスホニウム、テトラエテルホスホニウム、テトラ
プロピルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、メ
チルトリエテルホスホニウム、メチルトリプロピルホス
ホニウム、メチルトリブチルホスホニウム、ジメチルジ
エチルホスホニウム、ジメチルジプロピルホスホニウム
、ジメチルジブチルホスホニウム、トリメデルエチルホ
スホニウム、トリエチルブチルホスホニウム、トリメチ
ルブチルホスホニウム、エチルトリプロピルホスホニウ
ム、エチルトリブチルホスホニウム、ジメチルジプロピ
ルホスホニウム、ジエチルジブチルホスホニウム、トリ
エチルブチルホスホニウム、トリエチルブチルホスホニ
ウム、プロピルトリブチルホスホニウム、ジエチルジブ
チルホスホニウム、トリプロピルブチルホスホニウム等
の脂肪族四級ホスホニウム塩および、１゜１−ジメチル
ホスホラニウム、１−メチル−１−エチルホスホラニウ
ム、１，１−ジエチルホスホラニウム、１，１−ジエチ
ルホスホラニウム、１−メチル−１−エチルホスホラニ
ウム、１．１−ジエチルホスホラニウム、１，１−ペン
タメチレンホスホリナニウム等の脂環式四級ホスホニウ
ム塩を例示することができる。
ニウムにおける四級ホスホニウム塩としては、テトラメ
チルホスホニウム、テトラエテルホスホニウム、テトラ
プロピルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、メ
チルトリエテルホスホニウム、メチルトリプロピルホス
ホニウム、メチルトリブチルホスホニウム、ジメチルジ
エチルホスホニウム、ジメチルジプロピルホスホニウム
、ジメチルジブチルホスホニウム、トリメデルエチルホ
スホニウム、トリエチルブチルホスホニウム、トリメチ
ルブチルホスホニウム、エチルトリプロピルホスホニウ
ム、エチルトリブチルホスホニウム、ジメチルジプロピ
ルホスホニウム、ジエチルジブチルホスホニウム、トリ
エチルブチルホスホニウム、トリエチルブチルホスホニ
ウム、プロピルトリブチルホスホニウム、ジエチルジブ
チルホスホニウム、トリプロピルブチルホスホニウム等
の脂肪族四級ホスホニウム塩および、１゜１−ジメチル
ホスホラニウム、１−メチル−１−エチルホスホラニウ
ム、１，１−ジエチルホスホラニウム、１，１−ジエチ
ルホスホラニウム、１−メチル−１−エチルホスホラニ
ウム、１．１−ジエチルホスホラニウム、１，１−ペン
タメチレンホスホリナニウム等の脂環式四級ホスホニウ
ム塩を例示することができる。
本発明の硅酸の四級ホスホニウム塩を溶解させる溶媒と
しては、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−エチルホルムア
ミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチ
ルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−エチル
アセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ
−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリジノン等の
アミド溶媒、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン
、δ−バレロラクトン等のラクトン溶媒、エチレンカー
ボネート、フロピレンカーボ＊ −） 、７’ ｆ ｖ
ンカーボネート等のカーボネート溶媒、エチレングリ
コール、グリセリン、メチルセロソルプ等のアルコール
溶媒、３−メトキシプロピオニトリル等のニトリル溶媒
、およびトリメチルホスフェート等の燐酸エステル溶媒
の単独あるいは混合溶媒を例示することができる。これ
らの中でもγ−ブチロラクトンを主体とする溶媒が毒性
が低く、コンデンサの封孔剤のアタックやノ・ロゲンの
混入が少ない等のことから特に好ましい。
しては、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−エチルホルムア
ミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチ
ルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−エチル
アセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ
−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリジノン等の
アミド溶媒、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン
、δ−バレロラクトン等のラクトン溶媒、エチレンカー
ボネート、フロピレンカーボ＊ −） 、７’ ｆ ｖ
ンカーボネート等のカーボネート溶媒、エチレングリ
コール、グリセリン、メチルセロソルプ等のアルコール
溶媒、３−メトキシプロピオニトリル等のニトリル溶媒
、およびトリメチルホスフェート等の燐酸エステル溶媒
の単独あるいは混合溶媒を例示することができる。これ
らの中でもγ−ブチロラクトンを主体とする溶媒が毒性
が低く、コンデンサの封孔剤のアタックやノ・ロゲンの
混入が少ない等のことから特に好ましい。
上記溶媒に対する硅酸の四級ホスホニウム塩の溶解量は
飽和濃度以下、好ましくは１〜４０重量シである。
飽和濃度以下、好ましくは１〜４０重量シである。
また、上記電解液中の溶解塩は中性塩でも酸性塩でも良
い。
い。
本発明の電解液は、本質的には、硅酸の四級ホスホニウ
ム塩と溶媒よりなるが、電蝕防止、漏れば流の低減等、
種々の目的で少量の助溶質を添加しても差し支えない。
ム塩と溶媒よりなるが、電蝕防止、漏れば流の低減等、
種々の目的で少量の助溶質を添加しても差し支えない。
発明の効果
本発明で溶質として使用する硅酸の四級ホスホニウム塩
は溶媒に対する溶解性が良く、その電解液は高い電導度
を示し、凝固点〜沸点範囲の広い溶媒と伴に用いること
により、使用温度範囲の広いコンデンサ用電解液となる
。
は溶媒に対する溶解性が良く、その電解液は高い電導度
を示し、凝固点〜沸点範囲の広い溶媒と伴に用いること
により、使用温度範囲の広いコンデンサ用電解液となる
。
実倹例
以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
実施例１
γ−プチロジクトン溶媒に２０重計％の硅酸のテトラブ
チルホスホニウム塩をｄ解させて電解液を得た。この１
攬解夜の２５℃における電導度は４．５ ｍＳ／ｃＷｔ
であり、＋、−一組のアルミニウム平滑箔に４ｍＡ／ｃ
Ｊの定を流印加時の火花発生ル圧は４１０ｖであった。
チルホスホニウム塩をｄ解させて電解液を得た。この１
攬解夜の２５℃における電導度は４．５ ｍＳ／ｃＷｔ
であり、＋、−一組のアルミニウム平滑箔に４ｍＡ／ｃ
Ｊの定を流印加時の火花発生ル圧は４１０ｖであった。
実施例２
実施例１において、γ−ブチロラクトン溶媒の代わりに
、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒を使用した電解液
の電導度および火花発生屯田はそれぞれ６−１ ｍｓ／
ｏｎ、 ５００ ｖであった。
、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒を使用した電解液
の電導度および火花発生屯田はそれぞれ６−１ ｍｓ／
ｏｎ、 ５００ ｖであった。
実施例３
実施例１において、γ−ブチロラクトン溶媒の代わ９に
、プロピレンカーボネート溶媒を防用した電解液の電導
度および火花発生磁圧はそれぞれ４ 、７ ｍｓ／ ｏ
ｎ、５００ｖであった。
、プロピレンカーボネート溶媒を防用した電解液の電導
度および火花発生磁圧はそれぞれ４ 、７ ｍｓ／ ｏ
ｎ、５００ｖであった。
Claims (1)
- 硅酸の四級ホスホニウム塩を溶質として使用すること
を特徴とするコンデンサ用電解液。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14458386A JPS631016A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | コンデンサ用電解液 |
| EP87304335A EP0246825B1 (en) | 1986-05-20 | 1987-05-15 | Quaternary salt solution electrolyte for electrolytic capacitors |
| DE8787304335T DE3768141D1 (de) | 1986-05-20 | 1987-05-15 | Elektrolytische loesung quaternaerer salze fuer elektrolytischen kondensator. |
| US07/050,574 US4774011A (en) | 1986-05-20 | 1987-05-18 | Electrolyte for aluminum electrolytic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14458386A JPS631016A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | コンデンサ用電解液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS631016A true JPS631016A (ja) | 1988-01-06 |
Family
ID=15365495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14458386A Pending JPS631016A (ja) | 1986-05-20 | 1986-06-20 | コンデンサ用電解液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS631016A (ja) |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14458386A patent/JPS631016A/ja active Pending
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