JPS63101897A - 電力を有効に使えるプラズマパネルの維持ドライバーおよびアドレスドライバー - Google Patents

電力を有効に使えるプラズマパネルの維持ドライバーおよびアドレスドライバー

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JPS63101897A
JPS63101897A JP62242381A JP24238187A JPS63101897A JP S63101897 A JPS63101897 A JP S63101897A JP 62242381 A JP62242381 A JP 62242381A JP 24238187 A JP24238187 A JP 24238187A JP S63101897 A JPS63101897 A JP S63101897A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、プラズマパネルと、プラズマディスプレーパ
ネルのアドレスドライバー回路および維持ドライバー回
路の改良、特に独立維持およびアドレスプラズマディス
プレーパネルに関する。
（発明の背景） プラズマディスプレーパネル、すなわちガス放電パネル
は、当技術においてよく知られており。
一般には、一対の基板を含む構造を有し、基板上にはそ
れぞれ縦列と横列の電極を支持し、各電極はガラス材等
の誘電体層によって被覆し且つ間隔をあけて並列に配置
し、電極間に生じるギャップにはイオンガスを封入する
。更に、基板は電極が互いに直交する関係に配置し、交
点を形成する。
交点は放電セルを形成し、このセルにおいて選択的な放
電を行うことによって望みの記憶あるいは表示機能を得
る。更に、この種のパネルを交流電圧で作動させること
、特に１選択された縦列および横列の電極によって定ま
る特定の放電点における放電開始電圧を上回る書き込み
電圧を印加することによって９選択されたセルにおいて
放電を行うことも既知である０選択されたセルにおける
放電は、交番性維持電圧（これ自身では放電を開始する
のに不十分である）を加えることによって。
連続的に「維持ｊすることができる。この技術は。
基板の誘電体層に発生する壁電荷が、維持電圧とともに
働いて放電を維持することに基づくものである。
このようなガス放電パネル、すなわちプラズマディスプ
レーに関する詳細な事項は、　１９７１年１月２６日に
Ｄｏｎａｌｄ　Ｌ、　Ｂｉｔｚｅｒ等に与えられた合衆
国特許番号３．５５９．１９０に記載されている。
過去２０年間に、交流プラズマディスプレーは。
その優れた光の質ならびに平板特性の故に、広範囲にわ
たって使用されてきた。これらの特質によって、プラズ
マディスプレーは平板形ディスプレー市場のリーダーと
なっている。しかしながら。
プラズマパネルは、値段の安いブラウン管（ＣＲＴ）製
品との競争から、その潜在的な市場のわずかの部分を占
めたに過ぎない。
プラズマディスプレーの費用の最も大きな要素は、ディ
スプレーそのものではなく、ディスプレー用電子装置の
費用である。採用されているマトリックスアドレス方式
においては、各ディスプレー電極に個別の電圧ドライバ
ーが必要である。したがって、一般的な　５１２　Ｘ　
５１２ビクセルデイスプレーでは、総計１０２４個の電
子ドライバーと結線が必要であり、このために最終製品
の容積および費用がかなり増大する。
１９８５年１０月１５日に提出され且つ本出願人に譲渡
された合衆国特許出願番号７８７．５４１において、独
立維持およびアドレス（ＩＳＡ）プラズマパネルが記載
されている。さらに、　Ｌ、Ｆ、　ＷｅｂｅｒおよびＲ
，Ｃ。
Ｙｏｕｎｃｅの’Ｉｎｄｅｐｅｎｄｅｎｔ　５ｕｓｔａ
ｉｎ　ａｎｄ　ＡｄｄｒｅｓｓＴｅｃｈｎｉｑｕｅ　Ｆ
ｏｒ　Ｔｈｅ　ＡＣＰｌａｓｍａ　Ｄｉｓｐｌａｙ　（
交流プラズマディスプレーの独立維持およびアドレス技
術）　Ｊ　、　１９８６年、５ｏｃｉｅｔｙ　Ｆｏｒ　
Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ　　Ｉｎｔｅ
ｒｎａｔｉｏｎａｌ　　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　　Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ　　Ｒｅｃｏｒｄ＋　　ｐｐ、　２２０
−２２３．　Ｓａｎ　Ｄｉｅｇｏ、　１９８６年５月の
刊行物も参照されたい。ＩＳＡプラズマパネル技術は。
維持電極の間に独立アドレス電極を新たに設けることを
含む。これらのアドレス電極はアドレスドライバーに接
続する。維持電極はバスで連結し。
サステイナ−に直接に接続することができる。
ＩＳＡプラズマパネルには２つの大きな利点がある。第
一に、アドレス電極は大きな維持電流を放電ピクセルに
供給しなくてもよいので、アドレスドライバーが必要と
する電流は低い、このため。
低価格のドライバーを使用することができる。第二の利
点は、１本のアドレス電極は、そのいずれの側の維持電
極にも役立つので、アドレスドライバーの数は従来の半
分で済む。
ＩＳＡパネルによってもたらされた利点は大きいが、こ
のようなパネルの製造費用をさらにできる限り低減する
ことが望ましい、しかしながら、たしかにＩＳＡパネル
は、一般的な５１２　Ｘ　５１２ピクセルデイスプレー
に必要なアドレスドライバーを。
１０２４個の電子アドレスドライバーから僅か５１２個
のドライバーに低減することを可能にしたが、これでも
まだかなりの数の電子部品が必要である。
実際に、プラズマパネルの費用の主なものは、アドレス
ドライバー回路および維持ドライバー回路等の、関連す
る必要な電子回路の費用である。さらに、プラズマパネ
ルのキャパシタンスの充電および放電において通常喪失
されるエネルギーを低減することが望まれる。
したがって、関連する電子部品の費用を低減することに
よってプラズマパネル製造の費用を低減することが望ま
れる。
さらに、プラズマパネルの作動費用を低減することが望
まれる。
（発明の要旨） 本発明の一態様によると、　ＩＳＡプラズマパネルは、
改良されたアドレスドライバー回路を備える。
この新しいドライバー回路が使用する開−ドレイン（Ｎ
チャネルあるいはＰチャネル）　ＭＯ３ＦＥＴ出力構造
は通常使用されているトーテムポールドライバーと比べ
ると安い費用で製造できる０本発明に独自の特徴は、同
型の低費用のＮチャネル開−ドレインＭＯＳＦＥＴデバ
イスを用いることによって、適切な正および負のパルス
をＩＳＡプラズマディスプレーパネルに印加する技術に
ある。したがって。
ハイにプルしくすなわち、正のパルスを用いてプラズマ
パネルを駆動する）、またローにプルする（すなわち、
負のパルスを用いてプラズマパネルを駆動する）必要が
あった従来のプラズマパネルアドレスドライバー回路と
は対照的に３本発明独自の特徴によって、Ｎチャネル開
−ドレインＭＯＳＦＥＴデバイスをローにプルするよう
に設計するだけで済む。
”本発明の別の態様によると、プラズマディスプレーパ
ネル、エレクトロルミネッセンスパネル。
液晶ディスプレー等の、パネル電極によってかなりの固
有パネルキャパシタンスがある平板と共に用いる電力を
有効に使えるサステイナ−（維持）回路が開発された。
この新しい維持ドライバー回路は、パネルキャパシタン
スの充電および放電に誘導子を用いることによって１通
常パネルキャパシタンスの駆動で失われるエネルギーの
９０％を回収する。したがって１本発明による電力を有
効を使える維持ドライバー回路を取り入れたプラズマパ
ネルは、先行技術のプラズマパネル維持回路に通常に必
要なエネルギーの僅か１０％だけで作動することができ
る。
（実施例） 本発明を１本発明の一態様に従う新しい且つ改良された
アドレスドライバー回路と１本発明の別の態様に従う新
しい電力を有効に使える維持ドライバー回路を取り入れ
たＩＳＡプラズマパネルに関連して説明する。説明の便
宜上、まず本発明の最初の態様、すなわち新しい且つ改
良されたドライバー回路について説明し、続いて電力を
有効に使える維持ドライバー回路を説明する。
〔プラズマパネル用のＩＳＡ　ドライバー回路〕本発明
の主な改良点は、アドレス回路ドライバーの簡略化であ
る。これらのドライバーは、ローにプルするように設計
する必要があるだけである。
これは、ハイにプルし且つローにプルしなければならな
い通常のプラズマパネル回路と対照的である。プルロー
型ドライバーは、かなり安い費用で製造することができ
る。第１図に９本発明で用いることができる基本型のア
ドレス回路ドライバーを示す。第１ａ図は、ダイオード
と並列した簡単なスイッチを示す、このスイッチは、ス
イッチの状Ｂ（開または閉）に応じて９選択的なアドレ
スパルスをプラズマパネルに印加するのに用いる。現在
の固体スイッチ技術では、このスイッチは９通常は二つ
の形態をとる。一つは第１ｂ図に示すＭＯ３電界効果ト
ランジスター（ＭＯＳＦＥＴ）と、いま一つは第１ε図
に示すバイポーラトランジスターである。
通常はこれらのトランジスターには固有の並列ダイオー
ドが伴うので、第１ａ図のスイッチと並列するダイオー
ドは１回路モデルに含まれるものとして理解する必要が
ある。本明細書に示す実施例はＮチャネルＭＯＳＦＩｌ
’ＴおよびＮＰＮ形バイポーラトランジスターのもので
あるが、その理由はこれらが集積に最も適したデバイス
だからである。しかしながら、波形および回路に適切な
調整を加えれば。
極性が逆のデバイスを用いることも出来る。
第２図は、　ＩＳＡプラズマパネル、すなわち前述した
ように、独立した維持電極およびアドレス電極を持つプ
ラズマディスプレーパネルのアドレス電極をドライブす
るために本発明の概念を適用するための回路図である。
この実施例では、第１ｂ図に示すＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔデバイスを使用するが、当然ながらその他の適切なス
イッチを用いることも可能である。基本的な概念は、各
ＭＯ５ＦＥＴのドレイン電極をＩＳＡプラズマパネルの
各アドレス電極に接続し、それから一定のディスプレー
軸上にあるＭＯＳＦＥＴの全てのソースをコモンバスに
接続することである。このようなＭＯＳＦＥＴ　ｌ−ラ
ンジスタを集積する場合には、トランジスタが全てのソ
ースを一つのコモンバスに接続していれば、これらのト
ランジスタのアレーを製造することは非常に容易である
。この構成は。
通常は開ドレイン構成と呼ばれる。第２図のＸ軸とＹ軸
のアドレス電極は、双方とも開ドレイン構成のＮチャネ
ル？’ｌ０ＳＦＥＴを使用することに注意されたい、こ
れには、Ｘ軸およびＹ軸の双方に同じ電気部品が使用出
来るという利点がある。通常は二つの異なる部品を設計
し、製造し且つ保管しなければならないから、これによ
って回路の費用を低減することが可能となる。さらに、
二つの部品を必要とするシステムの数量の２倍の数量の
単一部品を製造することができるから、単一部品を大量
に製造することは、費用の低減につながる０通常は二つ
の部品が必要であるが、これはＸ軸とＹ軸が異なる極性
のアドレスパルスを必要とするためである。ここに示す
実施例では、Ｘ軸は正のパルスを必要とし、Ｙ軸は負の
パルスを必要とする。
本発明の新規な特徴は、同一の低価格Ｎチャネル開ドレ
インＭＯ５ＦＥＴデバイスを用いて適切な正および負の
パルスをＩＳＡプラズマディスプレーパネルアドレス電
極に印加するのに用いる技術である。
第３図は、　ＩＳＡパネルをドライブするのに用いる波
形を示す。これは、第２図の８列のピクセルを上から下
に向かってアドレスするためのパネルの画像走査の一部
を示す。ここに図示した画像走査側以外のその他の走査
技術を用いることもできる。各列のピクセルは二つの２
０マイクロ秒アドレスサイクルを必要とする。上の４本
の波形は、４個のサステイナ−によって印加される信号
を示す。
これらの波形の整相は、あるアドレスサイクルのあいだ
に第２図の各アドレスセルを取り囲む４つのピクセルの
どれをアドレスすることができるか選択する。この整相
の基本的な周期性は、第２図に用いた維持電極接続技術
によって、８アドレスサイクルとなる。
維持波形の下のものは、アドレス電極に関連する信号で
ある。ＸＡＰおよびＹＡＰと標識した波形は。
第２図に示すようにアドレスドライバートランジスター
のコモンバスに接続されるアドレスパルス発生器から供
給される。これらのアドレスパルサーは、適切な信号を
アドレス電極に印加するためにアドレスドライバーに必
要な特別な波形を発生する。　ＸＡ濾波形、Ｘアドレス
電極上に選択的な消去信号を示す。ＸＡレベルが高いと
１選択されたピクセル１個が消え、　ＸＡレベルが低い
とピクセルが点灯した状態となる。４本の隣接するＹア
ドレス電極のＹＡ波形を第３図の下段に示す。
〔Ｙ軸の動作〕
次に、第２図の回路がどのように動作するか詳細に検討
する。Ｙ軸の動作が最も簡単なので、まずＹ軸から検討
する。開ドレイントランジスターのりニア−アレーは、
ソース電極を全てコモンバスに接続しである。このバス
は、Ｙアドレスパルサーと呼ばれるパルス発生器と接続
し、　ＹＡＰと標識しである。このパルス発生器の目的
は、アドレスパルスのエネルギーを供給し、さらに選択
されたＹアドレス電極に印加される波形の形状を決定す
ることにある。第３図に示すように、この発生器は、二
重振幅の負パルスを供給することに注意されたい。例え
ば、アドレス周期のあいだは２選択されたＹアドレス電
極に負のパルスを印加する必要がある。この周期のあい
だは、負のパルスがＹＡＰによって発生され、このパル
スは、全てのＹアドレストランシスターのソース電極に
印加される。オフのトランジスターは導通せず、それら
に関連するプラズマパネルアドレス電極は、負のパルス
の発生前の時の電位と実質的に同じ電位を保持する。オ
ンになったトランジスターは４通し。
それらと関連するプラズマパネルアドレス電極は。
負のパルスを印加され、プラズマパネル内でアドレス動
作を引き起こす。この技術を用いて幾つのＹアドレス電
極でも選択的に負のパルスを印加することができるが、
ビデオモードにおいては、ｙ軸アドレス電極は、走査す
る映像を逐次的に発生するように９通常は一度に一つだ
けパルスを印加する。
ＩＳＡプラズマパネルのアドレス電極は、無理なく単純
なキャパシタンスとしてモデル化することができるので
、トランジスターを流れる電流は。
ＹＡＰ発生器の遷移時に主に流れる。ＹＡＰ発生器の負
の遷移時には、伝導電流は主にトランジスターを流れね
ばならない。しかし、負のアドレスパルスの正への遷移
時（負のパルスを印加する前に最初のレベルにもどる時
）には、電流は、　ＭＯＳＦＥＴ　トランジスターと、
トランジスターに付けたボディーダイオードの双方を流
れることができる。このボディーダイオードは、当然の
ことながら、トランジスターがオフ状態あるいはオフ状
態のいずれであろうとも伝導する。これによって、　Ｙ
ＡＰ発生器がそのハイレベルにある場合には、全てのＹ
アドレス電極を同じ高さレベルにプルすることができる
。
〔Ｘ軸の動作〕
次に、第２図に示すＸ軸回路の動作について説明する。
Ｙ軸は負のパルスであったが、Ｘ軸は正のパルスを印加
しなければならないので、この回路はＹ軸の回路とは異
なる。Ｙ軸の場合とまったく同じように、Ｎチャネル開
ドレインＭＯＳＦＥＴ　）ランシスターのアレーはソー
ス電極を全て共通のバスに接続しており、このバスは、
　ＸＡＰと標識したＸアドレスパルス発生器に接続する
。このＸＡＰ発生器は、出力パルスの極性が反対である
ので、　ＹＡＰ発生器とは極めて異なる動作をする。Ｘ
ＡＰ波形の形状は、２本の短いパルスであり（第３図と
。
第４図の拡大図を参照のこと）、これらのパルスはプラ
ズマパネルアドレス電極上に単一の長いパルスを発生す
るのに使用される。第一のＸＡＰパルスは、アドレス電
極パルスの立ち上り区間に対応し、第二のＸＡＰパルス
は、アドレス電極パルスの立ち下り区間に対応する。
さて、第一のＸＡＰパルスについて検討する。全てのア
ドレス電極は、最初のパルスを印加する直前には、　Ｘ
ＡＰ発生器と同じ電位にあるものと想定する。ＸＡＰ発
生器が立ち上がるとともに、電流はＭＯＳＦＥＴ　）ラ
ンシスタの全てのボディーダイオードに流れる。これに
より、全てのＸアドレス電極は。
ＸＡＰ発生器よりも１ダイオードドロツプだけ低いレベ
ルにプルアップされる。この動作は、　ＸＡＰ　発生器
がその最初のピークに達するまで続く。全てのＸアドレ
ス電極は９選択されるか選択されないにかかわらず、こ
の時点で正のパルスを印加される。
選択動作は、第一のＸＡＰパルスの立ち下り区間までは
起きない。この時間のあいだに、いずれかの選択された
Ｘアドレス電極に正のパルスが保持されるならば、関連
するＭＯＳＦＥＴ　）ランシスターがオフになる。オフ
のままのトランジスターは、　ＸＡＰ発生器の最初のパ
ルスが立ち下ると、トランジスターのアドレス電極をプ
ルダウンする。この動作は、第一パルスの終わりにＸＡ
Ｐ発生器が立ち下りを停止するまで続く。この時１選択
されたアドレス電極は全ての高電圧レベルにあり１選択
されていないアドレス電極は低レベルにある。このよう
な状態は、第二のＸＡＰパルスが印加されるまで。
長い時間にわたって続くことができる。選択されたアド
レス電極は、プラズマパネルアドレス電極の維持電極に
対するキャパシタンスによって、高電圧に保持される。
選択されないアドレス電極は。
オンしたＭＯＳＦＥＴ　トランジスターによって、　Ｘ
ＡＰ発生器の低電圧に保持される。
選択パルスは、　ＸＡＰ発生器が低レベルにある時に、
全てのトランジスターをオンにすることによって終了す
ることができる。これは動作はするが。
いくつかの望ましくない特性を伴う。まず第一に。
選択されたトランジスターがオンすると、トランジスタ
ーは急速にアドレス電極の電圧を放電する。
放電速度は、しばしば非常に早く、大きな変位電流がト
ランジスターおよびプラズマパネルキャパシタンスを流
れる。この変位電流は、幾つかの問題を引き起こす可能
性がある。第一に、この電流は、非常に早い速度で頻繁
に成長し崩壊するので。
大量の電気ノイズが発生する。このノイズは、システム
のその他の回路に問題を引き起こす傾向があり、プラズ
マパネルの動作を制御するのに用いられる多くの論理ゲ
ートを容易にミストリガーする可能性がある。この大電
流の第二の問題は、トランジスターにおいておきる大き
なエネルギー損失であり、その結果、キャパシタンスが
放電する。
このエネルギー損失は、場合によってはトランジスター
を焼き切ることもある。さらにこれはトランジスターを
高温にするので、特別のヒートシンクが必要となる。さ
らに、これらのトランジスターの加熱過程で失われるエ
ネルギーは回収することが不可能であり、プラズマディ
スプレーシステムの電源および電力消費量を大きなもの
とする。
これらの問題点は全て、下記のスイッチング技術を用い
ることによって大幅に軽減することができる。Ｘアドレ
スパルスが立ち下りを必要とする直前に、　ＸＡＰ発生
器は、その第二パルスの立ち上りを開始する。第一のＸ
ＡＰパルスは、アドレスパルスを起こすのに使用された
ことを想起されたい。
第二パルスの立ち上りのあいだに、電流は１選択されて
いないＸアドレス電極と関連するＭＯＳＦＥＴのボディ
ーダイオードを流れる。選択されていないトランジスタ
ーのＭＯＳＦＥＴがまだオンの場合には。
これらのＭＯＳＦＥＴにも幾分かの伝導が起こる。この
電流は９選択されていないアドレス電極を充電し。
その電圧を上げる。この充電は、第二のＸパルスがその
ピークに達するまで続く。このピークにおいて、全ての
Ｘ軸ＭＯＳＦＥＴはオンとなる。第二のＸＡＰパルスが
立ち下りを開始すると、電流が全てのＸ　ＭＯＳＦＥＴ
を流れて全てのアドレス電極を放電する。
この動作は、第二のＸパルスの立ち下りが最低レベルに
行き着くまで続く。この時点において、全てのアドレス
電極は、この低χＡＰ電圧となる。これはアドレス動作
の最終段階であり、全てのＸアドレス電極は２次のアド
レス動作までこの低電圧レベルに保持される。
消去前書き込みアドレス動作は、下記の順序で進む。第
３図は、最初に書き込みパルスがＹＡｎ＋１電極に印加
され、それがＹＡｎ＋１のいずれかの側の２列の全ての
ピクセルをオンにする。この書き込みパルスが完了した
後に、４つの消去パルスを用いて、　ＹＡｎのいずれか
の側の２列のピクセルを選択的に消去する０画像は、消
去動作の際に、　ＸＡアドレス電極の電圧を制御するこ
とによって１選択消去によってパネルに導入される。こ
のシーケンスはＹＡｎ＋２のいずれかの側の２列に書き
込み１次に選択的にＹＡｎ＋１に続く２列を消去するこ
とによって続く、このように書き込み動作と消去動作を
ずらすことによって１選択的な消去動作が起こる前の少
なくとも４サイクルのあいだ書き込まれたセルを安定さ
せて、パネルの電圧マージンを改善する。アドレスシー
ケンスに書き込み動作を加えても、維持ならびに選択消
去動作にすでに必要な時間を上回るような追加時間は必
要としないことに注意する必要がある。これによって、
更新速度を高めることができる。
低価格の開ドレインアドレスドライバーを用いることを
可能とする重要な要素は、アドレスパルサーの波形のデ
ザインである。第３図は、　ＹＡアドレス電極が１選択
的に印加された負のパルスを必要とし、χＡアドレス電
極が９選択的に印加された正のパルスを必要とすること
を示す。ＸアドレスパルサーおよびＹアドレスパルサー
の波形のデザインによってこれら２つの極性が同じＮチ
ャネルＩＣ設計で可能となる。
まずＹＡ動作を要約するにあたって、全てのＹアドレス
トランシスターのソースに印加されるＹＡＰ信号は１選
択されたＹＡアドレス電極信号に忠実に従うことに注意
されたい。ある時点において５選択されたＹＡ電極トラ
ンジスターはオンとなり、その他の全てのＹＡトランジ
スターはオフのままとなる。したがって、　ＹＡＰによ
って発生される負のパルスは９選択されたＹＡアドレス
電極に伝達される。
ＸＡアドレス電極の動作の要約はもっと複雑である。こ
れを、第３図の波形図の拡大図である第４図に示す。Ｘ
ＡＰの波形は、各ＸＡ消去パルスに対して、２つの短い
パルスを示していることに注意されたい。これらのパル
スは、　ＸＡ消去パルスの立ち上り区間および立ち下り
区間を定めている。本発明の構成態様において、これら
のパルスは、以下に述べる維持ドライブ回路に似たエネ
ルギー回収回路を用いて発生されるので、形状は正弦波
である。第一のＸＡＰパルスの立ち上がりは、　？ＩＯ
３ＦＥＴアドレスドライバーのボディーダイオードと伝
導チャネルを介して、全てのＸＡアドレス電極をハイに
プルする。第一のＸＡＰパルスのピークにおいて。
選択されたピクセルを消去する場合には１選択されたＭ
ＯＳＦＥＴはオフになる。伝導状態のままのｌ’１Ｏｓ
ＦＥＴは、第一のＸＡＰパルスが低下すると、それらの
ＸＡアドレス電極をローにプルする。伝導状態にない選
択されたＭＯＳＦＥＴは、維持電極に対するアドレス電
極のキャパシタンスによって、ハイに保持される。アド
レス電極のこのハイレベルによって。
ピクセルは消去される。
第二のＸＡＰパルスの立ち上がりは、全ての非選択ＸＡ
アドレス電極を９選択されたＸＡアドレス電極と同じ高
レベルにプルする。第二のＸＡＰパルスのピークにおい
て、全てのＸ軸アドレスドライバーはオンとなり、第二
のＸＡＰパルスの立ち下がりは。
全てのアドレス電極をもとのローレベルにプルする。
上記のＸＡアドレス技術によると、正のパルスを選択さ
れたＸＡアドレス電極にうまく与えることができるが、
この技術は、２つの短い正のパルスを。
ＸＡＰのパルスに対応する非選択ＸＡアドレス電極にも
与える。これらの２つの短いパルスが、非選択ピクセル
のミスアドレスを引き起こさないように。
第４図に示すように、　ＹＡＰパルスを適切に整相する
。ＹＡＰパルスは、第一のＸＡＰパルスが立ち下がった
の後に下がり、　ＹＡＰパルスは、第二〇ＸＡＰパルス
の立ち上がりの前に立ち上がる。これによって、非選択
ＸＡパルスが２選択されたＹ＾パルスに加わってミスア
ドレス放電が起きるのを防ぐ。
縦列ドライバーが高インピーダンス状態にある時に、低
インピーダンス状態にある隣接電極に印加されたパルス
が、容量的に高インピーダンス電極と結合し、この電極
が誤った電圧振幅を受けとる原因となることが懸念され
る。しかし、これは二つの理由から重大とは考えられな
い。まず第一に、第２図に示すように、アドレス電極は
、維持電極によって互いに遮へいされている。このため
。
アドレスライン間の結合によるパルス振幅の変動は、第
４図に示すようにアドレスパルス振幅の１０％未満に抑
えられる。第二の点は、ＩＳＡのアドレスマージンの設
計が優れているので、この１０％の変動は重大な問題で
はないということである。
第３図の対応する波形を供給するＸＡＰおよびＹＡＰア
ドレスパルス発生器として、標準型の電圧パルス発生器
を用いることができる。別法としては。
電力を有効に使える維持ドライバー回路に関して以下に
述べるエネルギー回収技術をＸＡＰおよびＹＡＰアドレ
スパルス発生器に用いることができる。
〔電力を有効に使える維持ドライブ回路〕プラズマパネ
ルは、サステイナ−１あるいは維持ドライバー回路と呼
ばれる高電圧ドライバー回路を必要とする。この回路は
全てのピクセルをドライブし、かなりの電力を消費する
。−例として。
４個のサステイナ−ドライバーＸＳＡ、　ＸＳＢ、　Ｙ
ＳＡ、　ＹＳＢを第２図にＩＳＡパネルと共に示す。
以下に説明するものは新しい高効率サステイナ−であり
、このサステイナ−は、従来のサステイナ−を用いてプ
ラズマパネルを駆動する場合に発生する電力の消費をほ
とんど解消するものである。
この新しいサステイナ−を用いることによって。
プラズマパネルの全費用をかなり低減することが可能で
ある。新しいサステイナ−は、標準的なプラズマパネル
、新しいＩＳＡプラズマパネル、そして高電圧ドライバ
ーを必要とするその他のタイプのディスプレーパネル、
たとえば固有のパネルキャパシタンスを有するエレクト
ロルミネセンスパネルあるいは液晶パネル等に用いるこ
とができる。
プラズマパネルをディスプレーに用いる場合には、パネ
ルの各側を交番に荷電して臨界電圧を発生させ、それに
よってガス放電を繰り返し発生させて、頻繁な放電を引
き起こす必要がある。この交番電圧は維持電圧と呼ばれ
る。アドレスドライバーによってピクセルがｒオンｊと
なると、サステイナ−は、このピクセルのセルを繰り返
し放電させることによってピクセルのｒオン」状態を維
持する。ピクセルがアドレスドライバーによって「オフ
ｊとなると、セル間の電圧は放電を起こすほど高くはな
らず、セルは「オフ１状態を保つ。
サステイナ−は、全てのピクセルを一度に駆動せねばな
らず、そのために、サステイナ−から見たキャパシタン
スは一般に非常に大きいものである。　５１２　Ｘ　５
１２パネルでは、パネルの全てのピクセルセルの全キャ
パシタンスＣｐは、　５　ｎＦにもなることがある。
従来のサステイナ−は、パネルを直接に駆動するので、
続いてパネルがアースに放電する時に。
サステイナ−内で１／２ＣｐＶ、　！が散逸する。完全
な１維持サイクルにおいて、パネルの各側はＶｓに充電
され、続いてアースに放電する。したがって。
総計で２ＣｐＶｓ　”が完全な１維持サイクルにおいて
費消される。その場合のサステイナ−の出力消費は２Ｃ
ｐＶ、　ｔｆとなり１式中のｆは維持サイクル周波数で
ある。　Ｃｐ　＝　５ｎＦ、Ｌ　”　１００Ｖ、および
ｆ−５０ｋＨｚとすると、パネルのキャパシタンスを駆
動するために生じる電力消費は５−である。
誘導子をパネルと直列に設けるとｔｃｐは誘導子を介し
て充電および放電することができる。理論的には、誘導
子は、誘導子を用いなければサステイナ−の出力抵抗に
おいて費消されてしまうエネルギーを全て貯え、このエ
ネルギーをＣｐに、あるいはｃｐから伝送するので、誘
導子を用いれば電力消費は零になる。しかし、　Ｃｐの
充電および放電に応じて、誘導子へのエネルギーの流れ
、および誘導子からのエネルギーの流れを制御するスイ
ッチングデバイスが必要である。ｒオンｊ抵抗、出力キ
ャパシタンス、およびスイッチング過渡時間は。
これらのスイッチングデバイスの特性であり、かなりの
エネルギー損失をまねく可能性がある。これらの特性に
よって実際に喪失されるエネルギー量、シたがって効率
は、おもに、これらの喪失を最小限に抑えるように回路
がどれだけうまく設計されているかによって決まる。
Ｃｐの充電および放電に加えて、サステイナ−はさらに
、大きなガス放電電流をプラズマパネルに供給しなけれ
ばならない。この電流Ｉは、ｒオンＪ状態のピクセルの
数に比例する。その結果生じる瞬間的な電力消費はＩｚ
Ｒであり９式中のＲはサステイナ−の出力抵抗である。
このように、放電電流による電力消費はＩｚ　ｌ　ある
いはｒオン」状態のピクセル数の二乗に比例する。
この電力消費を最小限に抑えるには、二つの方法がある
。その一つは、非常に低い抵抗の出力ドライバーを用い
て、サステイナ−の出力抵抗を最小限に抑えることであ
り、もう一つの方法は、各時点の「オンｊ状態のピクセ
ルの数を最小限に抑えることである。
本発明は、パネルキャパシタンスＣｐの充電および放電
で普通ならば失われるエネルギーを回収する新しいサス
テイナ−回路を提供する。サステイナ−がこのエネルギ
ーを回収する効率を、ここでは「回収ｊ効率と定義する
。ＣｐがＶ、に充電され、それからゼロまで放電する場
合には、　Ｃｐに流出入するエネルギーは　ＣｐＶ　ｓ
　”である、したがって１回収効率は下記のように定義
される。
Ｅｆｆ＝ｔｏｏ　ｘ　（ｃｐｖ　ｓ　”　−Ｅｔｏｓｔ
）／Ｃρｖ　ｓ　”＝　１００　　Ｘ　（１−（Ｅｔｏ
ｓｔ／ＣＰＶ＊　”））　％式中＋ＥＬ。ｓｌは、　Ｃ
ｐの充電および放電で失われるエネルギーである。
この回収効率は、負荷に供給された電力によって定めら
れる従来の電力効率と同じものではないことに注意され
たい。なぜなら、コンデンサーＣｐには電力は供給され
ない。単に充電され放電されるだけである。この回収効
率は、サステイナ−内でのエネルギー損失の尺度である
。
エレクトロルミネセンス（ＥＬ）パネルを慝区動するた
めの回路として、　Ｍ、　Ｌ、　Ｈｉｇｇｉｎｓ、　’
ＡＣＴＦＥＬディスプレー用低電カドライブ計画Ｊ　Ｉ
　ＳＩＤ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｍ　ｏｓ
ｉｕｍ　Ｄｉ　ｅｓｔ　ｏｆ　　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　
Ｐａ　ｅｒｓ。
第１６巻、　ｐｐ、　２２６−２２８．１９８５に発表
された回路を実験室で試験したが、８０％を上回るエネ
ルギー回収が不可能であったこと、および好ましくない
設計上の複雑さがあることから、放棄せざるをえなかっ
た。その後、新規の非常に効率の高い維持ドライバーが
開発され、このドライバーは先に提案された回路に固有
の問題を解消した。
まず最初に、新しい維持ドライバー回路の回路モデルを
解析し、予測される回収効率を求める。
次に、この新しい維持ドライバーを用いた場合に９０％
を上回る回収効率が可能となる理由を説明し。
さらにいくつかの設計指針を示す０次に、製作された新
しい維持ドライバーの試作品について説明する。
最初に理想的な維持ドライバー回路を示し、理想的な部
品が得られるものとして、新しい維持ドライバーの基本
動作を説明する。予想されるように、理想的な部品が得
られるとすれば、この回路は、容量性負荷の充電および
放電において１００％の回収効率を有する。この理想的
な維持ドライバー回路の回路図を第５図に示す、さらに
第６図には、４つのスイッチング状態において４つのス
イッチを開閉する場合に、この回路に予測される出力電
圧と誘導子電流の波形を示す、これら４つのスイッチン
グ状態のあいだの動作を以下に詳細に述べるが、この場
合、状態１の前には、　ＶｓｓがＶｃｃ／２　（Ｖｃｃ
は維持電力供給電圧である）、Ｖｐがゼロ。
ＳｌおよびＳ３が開、さらにＳ２およびＳ４が閉である
と仮定する。ＶｓｓがＶｃｃ／２である理由は、スイッ
チング動作の説明の後に、あらためて説明する。
状Ｂ１．開始にあたり、　Ｓｔを閉じ、　Ｓ２を開き。
さらにＳ４を開（。Ｓｌが閉じると、ＬおよびＣｐは直
列の共振回路を形成し、これはＶｓｓ　＝　Ｖｃｃ／２
のフォーシング電圧をもつ１次に、　ＶｐはＶｃｃまで
上昇し、この時点においてＩＬはゼロであり、さらにＤ
ｌは逆バイアスとなる。別法としては、ダイオードＤ１
を除くことも可能であり、　ＶｐがＶｃｃまで上昇する
と（＋１がゼロとなる時点）、Ｓｌが開く。
状態２゜Ｓ３を閉じて、　ＶｐをＶｃｃにクランプし。
さらに全てのｒオン」ピクセルに対して放電電流経路を
もたらす。
状ａ３．ｓ２が閉じ、　Ｓｌが開き、さらにＳ３が開く
。
Ｓ２が閉じると、ＬおよびＣｐは再び直列の共振回路を
形成し、これはＶｓｓ　＝　Ｖｃｃ／２のフォーシング
電圧をもつ０次にＶｐはアースレベルまで降下し、その
時点で■、はゼロとなり、さらにＤ２は逆バイアスとな
る。別法としては、ダイオードＤ２を除くことも可能で
あり、　Ｖｐがゼロまで降下すると（ＩＬがゼロとなる
時点）、Ｓ２が開く。
状ｇ４．ｓ４を閉じて、　Ｖｐをアースレベルにクラン
プし、一方パネルの反対側にある同型のドライバーが１
反対側をＶｃｃに駆動し、その場合、ｒオンＪのピクセ
ルがある場合には放電電流が３４を流れる。
上記のＣｐの充電および放電の際には、上記のＶｓＳは
Ｖｃｃ／２のレベルに安定しているものと想定した。こ
の理由は下記の通りである。もしＶｓｓがＶｓ３／２を
下回った場合には、　Ｖｐの立ち上がりにおいて、　Ｓ
ｌが閉じると、フォーシング電圧はＶｃｃ／２を下回る
ことになる。続いて、　Ｖｐの立ち下がりにおいて、　
Ｓ２が閉じると、フォーシング電圧はＶｃｃ／２を上回
ると考えられる。したがって、平均すると電流はＣｓｓ
に流入すると考えられる。逆に＋　ＶｓｓがＶｃｃ／２
を上回る場合には、平均すると電流はＣｓＳから流れ出
ると考えられる。したがってＣｓｓに流れ入る正味電流
がゼロである安定した電圧はＶｃｃ／２となる。実際に
、電源が入りＶｃｃが立ち上がる時、ドライバーが先に
説明した４つの状態に連続的に切り換わる場合には、　
Ｖｓｓは、　Ｖｃｃ／２において＋　Ｖｃｃとともに上
昇する。
そうでないならば、電圧Ｖｓｓを供給するのに。
調整された電力供給が必要であると考えられる。
これは維持回路機構の総費用を増大させるので。
この設計の欠点である。
実際のデバイス、すなわちスイッチングデバイス、ダイ
オードおよび誘導子に固有のキャパシタンスおよび抵抗
によるエネルギー損失は、第７図に示す実際的な回路モ
デルの解析によって明らかにすることができる。スイッ
チングデバイスは。
理想スイッチ、出力コンデンサ、および直列ｒオンｊ抵
抗器によってモデル化する。ダイオード（Ｄｅｌおよび
　Ｄｃ２を除く）は、理想ダイオード。
並列コンデンサー、および直列抵抗器によってモデル化
し、さらに誘導子は、理想誘導子および直列抵抗器によ
ってモデル化する。
ＤｅｌおよびＤｃ２は理想ダイオードである。これらは
、　Ｖｌがアースレベルより低くなること、およびｖ２
がＶｃｃより高くなることを防ぐために用いる。
以下に説明するように、　ＤｅｌおよびＤｃ２を使用し
ない場合には、　ＣＩ、　Ｃｄ２．　Ｃ２およびＣｄ２
に掛かる電圧は、　ＤｅｌおよびＤｃ２を使用する場合
よりも高くくなり、そのためにエネルギーの損失が増加
する。
この回路のスイッチング順序は、第５図に示す理想モデ
ルのスイッチング順序と同じである。第８図は、４つの
スイッチング状態におけるＶｐ、　Ｖｌ。
ｖＬおよびｖ２の電圧レベル、およびＩＬ　、　１１お
よびＩ２の電流レベルを示す。ここでも、　ＶｓｓはＶ
ｃｃ／２において安定すると想定する。
第７図の実際的な回路モデルの回収効率は、第８図を参
照にして、以下にように求めることができる０例えば、
スイッチングデバイス（ＣＩおよびＣ２）およびダイオ
ード（ＣｄｌおよびＣｄ２）のキャパシタンスによるエ
ネルギー損失を求めることが出来る。次に、スイッチン
グデバイス（Ｒ１およびＲ２）。
ダイオード（ＲｄｌおよびＲｄ２）　、さらに誘導子（
ＲＬ）の抵抗によるエネルギー損失を求めることが出来
る。そして最後に、スイッチングデバイスの有限スイッ
チング時間によるエネルギー損失を求めることができる
。各々の場合において、第８図に示す４つのスイッチン
グ状態を参照にすることができる。
スイッチングデバイスおよびダイオードのキャパシタン
スに原因する電力消費を求めるために。
全ての１／２ＣＶ”損失の評価を行う。最初には、　Ｓ
ｌおよびＳ３は開いており、　Ｓ２およびｓ４は閉じて
おり。
ｖＬはアースレベルにあり＋　ＶｓｓはＶｃｃ／２であ
ると想定する。
状態１．開始にあたって、　Ｓｌは閉じ、かっｓ４は開
く。次に、　ＶｌおよびｖＬがＶｓｓに上昇し、さらに
Ｃｄ２（Ｖ２−　ＶＬ　”）　ニ掛かる電圧およびＣＩ
　（Ｖｓｓ　−Ｖｌ）に掛かる電圧は、いずれも　Ｖｓ
ｓからゼロまで降下する。このように、　ＣＩＶｓｓ”
／２がＲ１において消費され、さらに　　Ｃｄ２Ｖｓｓ
”／２がＲ１，ＲｄｌおよびＲ２において消費される。
その後Ｓ２が開く。
Ｓｌが閉じているので、　Ｒ１，Ｒｄｌ、　ＬおよびＣ
ｐの直列結合は、フォーシング電圧がＶｓｓ　＝　Ｖｃ
ｃ／２の直列ＲＬＣ回路である。その波形を第８図に示
す。ＩＬが降下し、ゼロになると、Ｄｌは遮断され、■
、は上昇し始める。
状態２゜Ｓ３を閉じて、　ＶｐをＶｃｃにクランプする
。
（Ｓ３が閉じる前は、　Ｒ１，Ｒｄｌおよび　Ｒ５によ
る減衰が起きるので、　ＶｐはＶｃｃまでには上がりき
らないことに注意されたい、したがって、　Ｓ３が閉じ
ると、　ＶｐはＳ３を通ってＶｃｃまでプルされ、実際
の回路に漂遊インダクタンスが存在する場合には。
わずかなオーバシュートが起きることがある。このオー
バシュートを、第８図のＶｐの波形に示す。
）次に、　Ｃ２およびＣｄＨＶｔ　　Ｖｌ）　（７）双
方がゼロ力らＶｓｓまで上昇すると＋　　ＩＬは負にな
り、この時点において、　Ｄｃ２は順バイアスとなり、
　１２が流れ始める。　１２が流れ始める時の誘導子の
エネルギーは、　Ｊ／２（Ｃ２＋Ｃｄ１）Ｖｓｓ”であ
る。このエネルギーは。
Ｉ２がゼロに降下するに伴い、Ｒｔ、Ｒｄ２およびＲ３
で消費される。
状態３゜全てのｒオン」ピクセルセルに放電Ｎ流が供給
された後は、　Ｓ２が閉じ、さらにＳ３が開く。
それからｖ２およびｖＬがＶｓｓまで降下し、さらにＣ
ｄｌに掛かる電圧（Ｖ　Ｌ−Ｖｌ）およびＣ２に掛かる
電圧（Ｖ２−Ｖｓｓ）の双方が、　Ｖｓｓからゼロまで
降下する。したがって、　Ｒ２内でＣ２Ｖｓｓ”／２が
消費され、さらにＣｄ１Ｖｓｓ”／２が、　Ｒ２，Ｒｄ
２およびＲ１内で消費される。それからＳｌが開＜、Ｓ
２が閉じると、　Ｒ２，Ｒｄ２）　Ｒｔ　、　Ｌおよび
Ｃｐの直列結合は、フォーシング電圧Ｖｓｓ　＝　Ｖｃ
ｃ／２を持つ直列ＲＬＣ回路である。この波形を第８図
に示す。■、が上昇し、ゼロになると、　Ｄ２が遮断さ
れ＋　　ＶＬは降下し始める。
状態４゜Ｓ４が閉じ、　Ｖｐをアースレベルにクランプ
する。（Ｓ４が閉じる前は、　Ｒ２，Ｒｄ２およびＲＬ
による減衰のために、　Ｖｐはアースレベルには下がり
きっていないことに注意されたい。したがって。
Ｓ４が閉じると、ｖｐはＳ４を介してアースレベルまで
プルダウンされ、実際の回路に漂遊インダクタンスが存
在する場合には、わずかのアンダシュートが起きる可能
性がある。このアンダシュートを第８図の波形Ｖｐに示
す、その後、　ＣＣＩおよびＣｄ２が誘導子から充電さ
れると＋　　ＩＬは正になる。　Ｃ１に掛かる電圧（Ｖ
ｓｓ　−ＶＤおよびＣｄ２に掛かる電圧（Ｖ２−　ｖＬ
）はともにゼロからＶｓｓまで上昇し、この時点におい
て、　Ｄｅｌは順バイアスとなり、　＋１が流れ始める
。１１が流れ始める時の誘導子エネルギーは１／２（Ｃ
１＋Ｃｄ２）Ｖｓｓ”である。このエネルギーは。
１１がゼロまで降下するときに、Ｒｔ、ＲｄｌおよびＲ
４内で消費される。
このように、第７図の実際的な回路モデルは。
電力損失（ｆ）ＥＬｏ−ｔ＝０．１７−　をまねき、こ
の場合の維持周波数はｆ＝５０ｋＨｚに等しくなること
がわかる。これと比較して、エネルギーが回収されない
場合には、　Ｃｐの充電および放電による通常のエネル
ギー喪失は、　（ｆ）ＣｐＶｃｃ”　＝　２．５−にな
る。第７図の回路の回収効率（先に定義したもの）は。
Ｅｆｆ　＝　１００Ｘ（１−（Ｅｔｏｓｔ／　ＣｐＶｃ
ｃ”））＝９３％となり９式中、　Ｃｐ＝５　ｎＦおよ
びＶｃｃ　＝　１００　Ｖである。
要約すると、第７図の実際的な回路モデルは。
誘４子のＱが少なくとも８０であり、さらにスイッチ出
力キャパシタンスとｒオン」抵抗の間に最適のトレード
オフがあると想定した場合には、新しい維持ドライバー
は９３％の回収が可能であることを示している。
製作されたプロトタイプの維持ドライバー回路の回路図
を第９図に示し、さらに全部品の一覧表を第１表に示す
。
第９図に示す製作された回路の波形は、第７図の回路モ
デルから予測された第８図の波形にほとんど完全に一致
することが分かった。
第７図のスイッチＳｔ、　Ｓ２．　Ｓ３およびＳ４は、
適切な時間に開閉して、　Ｃｐに流入する電流とＣｐか
ら流出する電流の流れを制御するものとして説明した。
第９図のプロトタイプ回路では、パワーＭＯＳＦＥＴ（
Ｔｌ、　Ｉ２．　Ｉ３．　Ｉ４）が第７図の理想スイッ
チに置き代わっており、実際のドライバーによって適切
な時間にスイッチングを行って、　Ｃｐに流出入する電
流の流れを制御しなければならない。適切な時間にＴ１
およびＩ２のスイッチングを行うには、ｖｉの過渡時に
スイッチングを行うだけで済む、したがって、一つのド
ライバー（ドライバー１）だけがあればよい、しかし、
　Ｉ３およびＩ４のスイッチングにはもっと難しい問題
がある。それは、ｖｉの過渡時のスイッチングに加えて
、誘導子の電流が零となる時に常にスイッチングしなけ
ればならないためであるａ　Ｖｉが過渡状態となり、そ
の後すぐに誘導子電流が零となると常にｖｌおよびｖ２
が電圧過渡状態となるのでなければ、　Ｉ３およびＩ４
は、第９図の回路に入力を追加して制御する必要があっ
たであろう、このように、　Ｉ３およびＩ４のスイッチ
ングは。
ｖｌおよびｖ２の過渡を用いて、第９図のドライバー（
２および３）を適切な時間に切り換えることによってな
され、入力の追加は必要ではない。
ＭＯＳＦＥＴのスイッチングは、第９図および下記の説
明を参照すれば明らかとなる。Ｖｉが上がると。
ドライバー１の出力はｒローｊに切り換わり、さらにＴ
１およびＩ２のゲートは、カップリングコンデンサＣａ
ｌおよびＣ９！を介して「ロー」に駆動される。したが
って、　Ｔｌが「オンｊに切り換わると。
Ｔ２は「オフ」に換わり、さらに電流は誘導子に流れ初
めて、　Ｃｐを充電する。さらにＤ３は順バイアスとな
り、さらにＤ４は逆バイアスとなる。このため。
ドライバー２は、ただちにＣロー」に切り換わり。
それによってＴ４はｒオフＪに駆動される。一方。
ドライバー３は、　Ｖｐが上がるまでは「ロー」へのス
イッチングが遅れる。（後に述べるように、　Ｒ１およ
びＲ２は、　Ｖｃｃ電力が最初に印加される時且つ電圧
ｖ１およびｖ２の変化によってドライバー２および３が
切り換わることができるほどＶｓｓが上がる前の最初の
起動時にのみ必要である。）第８図の状態１の最後まで
戻って考える。Ｃｐに流入する誘導子電流が零まで下が
った直後に第９図のν２はＶｓｓからＶｃｃに上がり始
め、その時点でＴ３をｒオンＪに切り換えて、　Ｖｐを
ＶＣＣにクランプしなければならないことがわかる。第
９図において、　Ｖ２が上がると、カンプリングコンデ
ンサＣ４に電流が流れるために、ドライバー３の入力も
上が′る０次にドライバー３の出力は「ロー１に切り換
わり、さらにＴ３のゲートは、コンデンサＣｓ３を介し
て「ロー」に駆動される。したがって、　Ｔ３はｒオン
」に切り換わり、　ＶｐはＶｃｃにクランプされる。
その後、ｖｉが下がると、ドライバー１の出力はＣハイ
」に切り換わり、　ＴＩおよびＴ２のゲートは。
コンデンサＣ，ＩおよびＣ９２を介してＣハイ」に駆動
される。したがって、　ＴＩは　ｒオン」に切り換わり
、　Ｔ２はｒオンｊに切り換わり、さらに電流は誘導子
に流れ初めて、Ｃｐを放電する。さらにＤ４は順バイア
スとなり、　Ｄ３は逆バイアスとなる。このため、ドラ
イバー３は、ただちに「ハイ」に切り換わり、それによ
ってＴ３は「オフ」に駆動される一方で、ドライバー２
は、　Ｖｐが下がる後まで「ハイｊへのスイッチングが
遅れる。
Ｃｐから流れ出る誘導子電流が零まで下がった（第８図
の状Ｂ３の最後のように）直後に、　ＶｌがＶｓｓから
アースレベルに下がり始めると、ドライバー２の入力は
、カップリングコンデンサＣ３のために下がる。その後
、ドライバー２の出力は「ハイｊに切り換わり、さらに
Ｔ４のゲートは、Ｃハイ」に駆動される。したがって、
　Ｔ４はｒオン」に切り換わり、　Ｖｐをアースレベル
にクランプする。
外部タイミング回路は、　Ｔ３およびＴ４を切り換える
時を判断するのには必要ではないことに注意されたい。
なぜなら、スイッチングは、　　Ｖｐの立ち上がりある
いは立ち下がり時間に関係なく、誘導子電流が零となる
と直ぐに起きるからである。このため、インダクタンス
（いあるいはパネルキャパシタンス（ｃｐ）の変動と関
係しない単純な回路構成でよく、これまでに提案された
維持ドライバーと較べて優れた利点である。これはさら
に、わずか１つの入力で回路を駆動することを可能にし
。
そのため入力が固定された（「ハイ」あるいは「ロー」
）場合には、　Ｔ３およびＴ４を双方同時にｒオンｊに
することは不可能である。二つが共にｒオン」になると
、一方あるいは双方のデバイスが破壊する。
これまでに提案された回路と比較した場合のこの回路の
別の利点は、　ＴＩ、　Ｄｉ、　Ｔ２およびＤ２は、こ
れまでの回路のように全Ｖｃｃ電圧ではなく、１／２Ｖ
ｃｃ電圧だけを必要とすることである。低電圧スイッチ
ングデバイスは、低い降伏電圧を必要とし。
一般的に製造費用が少なくて済む、この結果１個別サス
テイナ−の部品費用は安くなり、また集積サステイナ−
の集積費用は安くなる。
抵抗器Ｒ１およびＲ２は、　Ｖｃｃの最初のパワーアッ
プ時のように、　Ｖｓｓが非常に低い電圧にある場合に
備えて設ける。この場合、電圧ｖ１およびｖ２は。
ドライバー２および３が切り換わるほど大きく変化する
ことはない、抵抗器を設けることによって。
ある遅延時間の後にドライバー２および３は切り換わる
ようになる。この遅延時間は、抵抗器の値とドライバー
の入力キャパシタンスによって決まる。
Ｖｓｓが非常に低い最初のパワーアンプ時にドライバー
２および３を切り換える必要がある理由は下記の通りで
ある。Ｖｓｓが上昇するためには、まず最初に、　Ｔ３
をｒオン」に切り換えて、ｖｐをＶｃｃまで上げる必要
がある。続いて、　Ｔ２がｒオンｊすると、電流はＣｐ
から　Ｃｓｓに流れる。Ｔ４を後で「オンｊに切り換え
ると、　Ｖｐをアースレベルにクランプすることになり
、　ＴＩがｒオンＪすると、　ＣｓＳから流出する電流
は、　ＶｓｓがＶｓｓ／２を上回るのを妨げ、　Ｃｐの
充電および放電が何度か繰り返された後にＶｓｓはＶｃ
ｃ／２に安定しはじめる。このように。
パワーアンプ時のＲ１およびＲ２の働きによってＴ３お
よびＴ４がｒオンｊに切り換わらない限り、　Ｖｓｓは
適切な電圧とならない。
供給電圧Ｖｃｃがパワーアップ時に急激に上昇する場合
に備えて、抵抗器Ｒ３を設けて、　Ｔ３のソース−ゲー
トキャパシタンスを放電する。　Ｒ３を設けないと、　
Ｔ３のソース−ゲート電圧は、　Ｖｃｃの上界に伴って
闇値を越え、さらにＶｃｃが上がった後にＴ３がｒオン
」すると、そのし朱ルに留まる。この場合、　Ｔ４がｒ
オン」になると、大きな電流がＴ３およびＴ４に流れ、
一方あるいは双方のデバイスを破壊する可能性がある。
第９図のプロトタイプ回路の効率を測定する実験装備に
おいて１回路がコンデンサー負荷（ＣＰ）　５ｎＦを駆
動する間に、供給電圧（Ｖｃｃ）および供給電流を正確
に測定した。この負荷は１周波数ｆ＝５０　ｋＨｚ、供
給電圧１００　Ｖで駆動した。したがって。
この場合に予測される通常の電力消費は下記のようにな
る。
ｐｔｏｓｔ＝（Ｃｐを充電するためのエネルギー損失＋
Ｃｐを放電するためのエネルギー 損失）　　Ｘｆ ＝　（１／２ＣｐＶｃｃ　”＋１／２ＣｐＶｃｃす×ｆ
＝　２．５　Ｗ 第９図の回路について、測定された供給電流は。
２．０　ｍＡであった。したがって、実際に供給電力か
ら取られドライバー内で消費された電力は０．２−であ
った。このように、この回路は、０．２−を除く通常の
損失電力全てを回収した。従って、先に定義した回収効
率は９２％となる。
これと比較して、第７図の回路モデルの解析から予測さ
れる回収効率は９３％である。これは、第９図の実際の
回路における電力損失の最も重要な発生源が、第７図の
モデルにおいて正確に把握されていること、さらにこの
モデルが実際の回路を確実に表すものであることを示し
ている。
第９図の維持ドライバーは、　ＩＳＡプラズマパネルの
各側に用いることができる。−例を挙げると。
第２図に示す各維持ドライバーＸＳＡ、　ＸＳＢ、　Ｙ
ＳＡ、　ＹＳＢは、第９図の維持ドライバーとすること
が可能であり、さらに先に第１〜４図との関連で説明し
た開ドレインアドレスドライバーとともに用いることが
できる。
２つの維持ドライバー（その各々は第９図に示したもの
で、コンデンサー負荷を持つ）を試験した後に、１つの
維持ドライバーを、　５１２　ｘ　５１２交流プラズマ
デイスプレーパネルの各側に接続した。
これらの維持ドライバーは１．ピクセルが一つもｒオン
」でない場合には、９０％の回収効率でパネルを駆動す
ることができ、さらに全てのピクセルがｒオン」の場合
にも、その電力消費は小さく。
ヒートシンクを必要としないものであった。全てのピク
セルがｒオンｊになった場合、　ＴＩおよびＴ２の電力
消費は変化しなかったが、　Ｔ３およびＴ４の電力消費
は、放電電流の流れによるＩ”Ｒの損失のために増大し
た。この電力消費は、　Ｔ３およびＴ４にｒオン」抵抗
の低いデバイスを用いることによって低減することがで
きる。
第９図のプロトタイプ維持ドライバー回路の試験におい
て、この回路は、パネルキャパシタンスあるいはコイル
のインダクタンスの大きな変化に関係なく、維持周波数
でパネルを充電および放電し続け９回収効率が高いこと
がわかった。これは。
これまでに提案された維持ドライバー回路を明らかに凌
駕する利点である。
適切に設計された回路におい′ては、パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ、すなわち第９図のＴ１およびＴ２の代わりにバイポ
ーラパワートランジスターを用いることも可能である。
さらに、第９図の維持ドライバー回路においては、電力
消費、したがって冷却の必要性は大幅に低減されたので
、もし全てのサステイナ−電極を単一シリコンチップに
経済的に集積することが出来るならば、全サステイナ−
を１つのヒートシンクを備えた単一ケースにパンケージ
することができる。
第１０図を参照されたい。抵抗器あるいはコンデンサー
を必要としない１本発明による集積された電力効率のよ
い維持ドライバー回路を図示しである。第１０図の回路
においては、　ＴｌおよびＴ２はレベルシフターによっ
て直接に駆動され、　Ｔ３はＣＭＯＳドライバーＤｒｌ
から直接に駆動され、さらにＴ４は０ＭＯ５ドライバー
Ｏｒ２から直接に駆動される。Ｃｓ５ｌ。
Ｃｓ５２および誘導子を集積から除外すると、集積回路
は、全て能動部品から構成されることになる。
したがって、必要なシリコン面積は最小限に抑えられる
。
この回路の動作は、基本的には第９図の回路と同じであ
る。先の場合と同様に、　ＴＩおよびＴ２は。
Ｌを介してｃｐの充電および放電を行い、さらにＴ３お
よびＴ４は、それぞれＶｐをＶｃｃとアースレベルにク
ランプする。相違点は、ゲート駆動回路Ｄｒ１．　Ｄｒ
２．ならびにレベルシフターにあり、さらにＣｓｓｌを
付加したことにある。
Ｃｓ５ｌおよびＣｓ５２は分圧器を形成し、　Ｃｓ５ｌ
＝Ｃｓｓ２である。したがって、パワーアップ時にＶｃ
ｃが上がり始めると、　ＶｓｓはＶｃｃ／２で上がる。
その後。
ＶｓｓがＭＯＳＦＥＴの闇値を上回ると、　ＶｓｓはＶ
ｃｃ／２に維持される。
レベルシフターは、セットリセットラッチであり、その
出力はＶｃｃあるいはアースレベルのいずれかである。
Ｖｉがｒハイｊに切り換えると、レベルシフターの出力
はアースレベルに下がり、さらに−ＶｓｓをＴ１および
Ｔ２の双方のゲート−ソースにくわえる。これによって
、　Ｔｌはｒオン」に、かつＴ２はｒオフｊに切り換わ
る。つぎに叶２への入力はＶｓｓとなり＋　Ｄｒ２の出
力はアースレベルまで下がり、さらにＴ４はｒオフＪに
切り換わる。その後＋　　１１が零まで下がり、続いて
逆向きになると。
Ｄｒｌへの入力はＶｓｓからＶｃｃに上がり、　Ｔ３の
ゲートは叶１によってＶｓｓまでプルダウンされ、さら
にＴ３はｒオン」に切り換わる。したがって、　Ｖｐは
。
Ｖｉが「ハイ」に切り換わると、　Ｖｃｃまで駆動され
る。
Ｖｉが「ロー」に切り換わると、レベルシフターの出力
はＶｃｃまで上がり１さらにＶｓｓをＴ１およびＴ２の
双方のゲート−ソースに印加する。これによって、　Ｔ
ｌは「オフ」に、かつＴ２はｒオン」に切り換わる。次
に、　Ｄｒｌへの入力はＶｓｓとなり、　Ｄｒｌの出力
はりＣＣまで上がり、さらにＴ３は「オフ」になる、後
に、　　ＩＬが零まで下がり、それから逆向きになると
、　Ｄｒ２への入力は、　Ｖｓｓからアースレベルまで
降下する。つぎにＴ４のゲートはＤｒ２によってＶｓｓ
まで駆動され、　Ｔ４はｒオンｊになる。
ＸＡＰおよびＹＡＰアドレスパルス発生器は、先に維持
ドライバー回路に関連して説明したエネルギー回収技術
を用いても設計することができる。−例として、第１１
図から第１４図を参照する。第１１図は、パルス電極に
出力ターミナルで接続したＸＡＰアドレスパルス発生器
を示す、第１２図は、スイッチＳｌおよびＳ４を開閉し
て各スイッチング状態を順に発生させる場合の、出力電
圧および誘導子電流の波形（維持ドライバーに関する第
５図および第６図と似たもの）を示す。第１２図の出力
電圧波形は、第３図および第４図の望ましいＸＡＰ波形
にと同じ形の正の二重パルスである。第５図のスイッチ
Ｓ２は、第１１図のＸＡＰ発生器では取り除いであるこ
とに注意されたい。なぜなら、ダイオードＤ３が。
第５図および第６図のＤ２およびＳ３を・・・。
第１３図はＹＡＰ発生器を示し、第１４図は、各スイッ
チング状態に対応する波形を示す。コンデンサＣＯ＋　
および出力ターミナルに接続される出力キャパシタンス
は９回路に供給される電圧Ｖｃｃの分圧器の働きをする
。書き込みパルスが必要な場合には（第１４図参照）、
スイッチＳ５を閉じてコンデンサＣＯを短絡し、全振幅
書き込みパルスをパネルに印加する。消去パルスが必要
な場合には、スイッチＳ３を開いて、低振幅の消去パル
スをパネルに印加する。
必要ならば、　ＩＳＡパネルは、先に説明したＹＡＰお
よびＸＡＰアドレスドライバー回路技術に似通った技術
を用いて、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴアドレスドライバー
を一方の軸に、またＰチャネ；ルＭＯ５ＦＥＴアドレス
ドライバーを他方の軸に用いることができる。
例えば、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴドライバーを備えたＹ
ＡＰアドレスパルス発生器は、第３図のＹＡＰパルスの
負のパルスに類似したパルスを用いて使用することがで
きる。ＸＡＰアドレスパルス発生器については、Ｐチャ
ネルＭＯＳＦＥＴドライバーは、第４図の拡大図に示す
２つの二重ＸＡＰパルスの間の幅に等しいパルス幅をも
つ、正の単一パルスを用いることができる。
以上の詳細な説明は、明確な理解をうるためにのみ意図
されたものであり、当業者においては変更は容易である
と思われるので、この説明から不必要な制限を解釈すべ
きではない。
【図面の簡単な説明】
ｉｌａ、　ｌｂ、　ｌｃ図は、アドレス回路ドライバー
を説明するのに有用なスイッチデバイスの略図である。 第２図は１本発明の一態様による開−ドレインアドレス
ドライバーおよび維持ドライバーを備えたプラズマパネ
ルの平面図である。 第３図は、第２図の動作を理解するのに有用な波形図で
ある。 第４図は、第３図の「第４図を参照」と標識された部分
の拡大波形図である。 第５図は２本発明による新しい維持ドライバーの理想的
なモデルを示す略回路図である。　第６図は、第５図の
動作を理解するのに有用な波形図である。 第７図は１本発明による新しい維持ドライバーの実際の
回路モデルを示す略回路図である。 第８図は、第７図および第９図の動作を理解するのに有
用な波形図である。 第９および９ａ図は１本発明による新しい維持ドライバ
ーの組み立て態様を示す略回路図である。 第１０図は、集積回路設計による新しい維持ドライバー
の略回路図である。 第１１図は９本発明によるエネルギー回収技術を取り入
れたχＡＰアドレスパルスドライバーの略回路図である
。 第１２図は、第１１図の動作を理解するのに有用な波形
図である。 第１３図は５本発明によるエネルギー回収技術を取り入
れたＹＡＰアドレスパルスドライバーの略回路図である
。 第１４図は、第１３図の動作を理解するのに有用な波形
図である。

Claims (56)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）交流プラズマパネルのＸおよびＹ次元アドレス電
    極のそれぞれのアレーのそれぞれのアドレス電極の交差
    によって定まる少なくとも１個のセルをアドレスするた
    めのアドレス装置で、 一極性の高レベルパルスを一次元アレーのアドレス電極
    に印加する手段、 プラズマパネルに取り入れる望みの情報に従い、前述の
    アドレス電極を一極性の高レベルに維持するか、または
    この電極を前述の一極性の低レベルにするかを選択する
    手段、および 前述の一次元アレーの前述のアドレス電極において、一
    極性の高レベルが選択された後に、反対の極性の高レベ
    ルパルスを、もう一方の次元アレーの対応するアドレス
    電極に印加し、定められたアドレスセルを放電させ、望
    みの情報をプラズマパネルに入れる手段を含むもの。
  2. （２）特許請求の範囲第１項のアドレス装置で、反対の
    極性の前述の高レベルパルスが終わった後に、前述の一
    極性の第２の高レベルパルスを前述の一次元アレーの前
    述のアドレス電極に印加し、前述のアドレス電極の前述
    の一極性の前述の高レベルから前述の低レベルへの制御
    可能な放電を可能とする手段を含むもの。
  3. （３）交流プラズマパネルのＸおよびＹ次元アドレス電
    極のそれぞれのアレーのそれぞれのアドレス電極の交差
    によって定まる少なくとも１個のセルをアドレスするた
    めのアドレス装置で、 一次元アレーのアドレス電極を一極性の高レベルに充電
    する手段、 プラズマパネルに取り入れる望みの情報に従い、前述の
    アドレス電極を一極性の高レベルに維持するか、または
    この電極を前述の一極性の低レベルにするかを選択する
    手段、および 前述の一次元アレーの前述のアドレス電極において、一
    極性の高レベルが選択された後に、反対の極性の高レベ
    ルパルスを、もう一方の次元アレーの対応するアドレス
    電極に印加し、定められたアドレスセルを放電させ、望
    みの情報をプラズマパネルに入れる手段を含むもの。
  4. （４）特許請求の範囲第３項のアドレス装置で、一次元
    アレーのアドレス電極を充電するための前述の手段が、
    前述の一極性の高レベルパルスを前述のアドレス電極に
    印加する手段を含むもの。
  5. （５）特許請求の範囲第３項のアドレス装置で、前述の
    望みの情報をプラズマパネルに入れた後に、前述の一極
    性の高レベルパルスを一次元アレーの前述のアドレス電
    極に印加することによって、前述のアドレス電極の前述
    の一極性の高レベルから前述の低レベルへの制御可能な
    放電を可能とする手段を含むもの。
  6. （６）特許請求の範囲第５項のアドレス装置で、一次元
    アレーのアドレス電極を充電するための前述の手段が、
    前述の一極性の高レベルパルスを前述のアドレス電極に
    印加するための手段を含むもの。
  7. （７）交流プラズマパネルのＸおよびＹ次元アドレス電
    極のそれぞれのアレーのそれぞれのアドレス電極の交差
    によって定まる少なくとも１個のセルをアドレスするた
    めのアドレス方法で、 一次元アレーのアドレス電極を一極性の高レベルに充電
    すること、 プラズマパネルに取り入れる望みの情報に従い、充電さ
    れた電極を高レベルに保持するか、またはこの電極を前
    述の一極性の低レベルにするかを選択すること、および 反対の極性の高レベル電荷をもう一方の次元アレーの対
    応するアドレス電極に印加することによって、充電され
    た電極が高レベルに維持されている定められたアドレス
    セルを放電し、望みの情報をプラズマパネルに入れるこ
    とを含むもの。
  8. （８）特許請求の範囲第７項の方法で、前述の充電が、
    前述の一極性の高レベルパルスを一次元アレーの前述の
    アドレス電極に印加することを含むもの。
  9. （９）特許請求の範囲第７項の方法で、前述の望みの情
    報をプラズマパネルに入れた後に、前述の一極性の高レ
    ベルパルスを一次元アレーの前述のアドレス電極に印加
    することによって、前述のアドレス電極の前述の一極性
    の前述の高レベルから前述の低レベルへの制御可能な放
    電を可能とするステップをさらに含むもの。
  10. （１０）特許請求の範囲第９項の方法で、前述の充電が
    、前述の一極性の第一の高レベルパルスを一次元アレー
    の前述のアドレス電極に印加することを含むもの。
  11. （１１）ディスプレーパネルのＸおよびＹ次元アドレス
    電極のそれぞれのアレーのそれぞれのアドレス電極の交
    差によって定まる少なくとも１個のピクセルをアドレス
    するためのアドレス装置で、 一極性の高レベルパルスを一次元アレーのアドレス電極
    に印加する手段、 プラズマパネルに取り入れる望みの情報に従い、前述の
    アドレス電極を一極性の高レベルに維持するか、または
    この電極を前述の一極性の低レベルにするかを選択する
    手段、および 前述の一次元アレーの前述のアドレス電極において、一
    極性の高レベルが選択された後に、反対の極性の高レベ
    ルパルスを、もう一方の次元アレーの対応するアドレス
    電極に印加し、望みの情報をプラズマパネルに入れる手
    段を含むもの。
  12. （１２）特許請求の範囲第１１項のアドレス装置で、反
    対の極性の前述の高レベルパルスが終わった後に、前述
    の一極性の第２の高レベルパルスを前述の一次元アレー
    の前述のアドレス電極に印加し、前述のアドレス電極の
    前述の一極性の前述の高レベルから前述の低レベルへの
    制御可能な放電を可能とする手段を含むもの。
  13. （１３）ディスプレーパネルのＸおよびＹ次元アドレス
    電極のそれぞれのアレーのそれぞれのアドレス電極の交
    差によって定まる少なくとも１個のピクセルをアドレス
    するためのアドレス装置で、 一次元アレーのアドレス電極を一極性の高レベルに充電
    するための手段、 ディスプレーパネルに入れる望みの情報に従い、前述の
    アドレス電極の一極性の高レベルを維持するか、または
    この電極を前述の一極性の低レベルにするかを選択する
    手段、および 前述の一次元アレーの前述のアドレス電極において、一
    極性の高レベルが選択された後に、反対の極性の高レベ
    ル電荷をもう一方の次元アレーの対応するアドレス電極
    に印加し、望みの情報をディスプレーパネルに入れる手
    段を含むもの。
  14. （１４）特許請求の範囲第１３項のアドレス装置で、前
    述の望みの情報をディスプレーパネルに入れた後に、前
    述の一極性の高レベルパルスを一次元アレーの前述のア
    ドレス電極に印加することによって、前述のアドレス電
    極の前述の一極性の前述の高レベルから前述の低レベル
    への制御可能な放電を可能とする手段をさらに含むもの
    。
  15. （１５）ディスプレーパネルのＸおよびＹ次元アドレス
    電極のそれぞれのアレーのそれぞれのアドレス電極の交
    差によって定まる少なくとも１個のアドレスセルをアド
    レスするための方法で、 一次元アレーのアドレス電極を一極性の高レベルに充電
    すること、 ディスプレーパネルに入れる望みの情報に従い、充電さ
    れた電極を高レベルに保持するか、またはアドレスサイ
    クル時にアドレス信号を選択されたＸおよびＹアドレス
    電極に印加し、少なくとも１個のアドレスセルを放電さ
    せるアドレス手段で、前述の放電によって発生したプラ
    ズマは、前述の放電側にある電圧に依存して、前述の２
    本の維持電極と関連する放電部位において、前述の放電
    部位に存在する電圧によって決まる残留壁電荷を残すも
    の、 続いて前述の維持電極に通電する維持手段で、この通電
    は前述の残留壁電圧とともに前述の一つあるいはそれ以
    上の放電部位の放電状態に選択的に影響を及ぼすものを
    含み、前述のアドレス手段は、前述のＸおよびＹ次元電
    極の各々に接続されたスイッチングデバイスを含み、第
    １および第２のアドレス発生器手段は、前述のアドレス
    サイクル時にパルスの形で前述のアドレス信号を発生す
    るものであり、 前述の第１アドレス発生器手段は、前述の次元アドレス
    電極の１本に関連する各スイッチングデバイスに接続さ
    れ、一極性の高レベルパルスを、この電極を前述の一極
    性の低レベルにするかを選択すること、および 反対の極性の高レベル電荷をもう一方の次元アレーの対
    応するアドレス電極に印加することによって、望みの情
    報をプラズマパネルに入れることを含むもの。
  16. （１６）特許請求の範囲第１５項の方法で、前述の望み
    の情報をディスプレーパネルに入れた後に、前述の一極
    性の高レベルパルスを一次元アレーの前述のアドレス電
    極に印加し、前述のアドレス電極の前述の一極性の前述
    の高レベルから前述の低レベルへの制御可能な放電を可
    能とする過程をさらに含むもの。
  17. （１７）独立維持およびアドレス交流プラズマパネルで
    、複数本のＸおよびＹ次元アドレス電極で、前述のアド
    レス電極の交差がアドレスセルを定めるもの、 複数本のＹ次元維持電極で、前述のＹアドレス電極が各
    々、少なくとも２本の維持電極の間に且つ隣接して位置
    するもの、 少なくとも１本の前述の次元のアドレス電極に印加する
    ものであり、 前述のアドレス手段はさらに、プラズマパネルに入れる
    望みの情報に従い、前述の一次元アドレス電極の一極性
    の高レベルを維持するか、またはこの電極を前述の一極
    性の低レベルにするかを選択する手段を含むものであり
    、さらに 前述の第２アドレス発生器手段は、前述の次元アドレス
    電極のもう一方と関連する各スイッチングデバイスと連
    結し、前述の一次元アドレス電極の前述のアドレス電極
    で一極性の高レベルが選択された後に、前述のもう一方
    の次元アドレス電極の少なくとも１本に反対の極性の高
    レベルパルスを印加し、定められたアドレスセルを放電
    し、さらに望みの情報をプラズマパネルに入れるもので
    あるもの。
  18. （１８）特許請求の範囲第１７項の独立維持およびアド
    レス交流プラズマパネルで、前述のスイッチングデバイ
    スの各々が同一の半導体デバイスであるもの。
  19. （１９）特許請求の範囲第１８項の独立維持およびアド
    レス交流プラズマパネルで、前述のスイッチングデバイ
    スが各々ＭＯＳＦＥＴデバイスであるもの。
  20. （２０）特許請求の範囲第１８項の独立維持およびアド
    レス交流プラズマパネルで、前述の第１のアドレス発生
    器手段は、正の極性の前述の高レベルパルスをもたらし
    、さらに前述の第２のアドレス発生器手段は、負の極性
    の前述の高レベルパルスをもたらすもの。
  21. （２１）特許請求の範囲第１８項の独立維持およびアド
    レス交流プラズマパネルで、前述の第２のアドレス発生
    器手段は、少なくとも二つの異なる振幅レベルのパルス
    をもたらし、この一つの振幅レベルは、情報をパネルに
    書き込み、さらにもう一方の振幅レベルは、情報をパネ
    ルから消去するものであるもの。
  22. （２２）独立維持およびアドレス交流プラズマパネルで
    、複数本のＸおよびＹ次元アドレス電極で、前述のアド
    レス電極の交差がアドレスセルを定めるもの、 複数本のＹ次元維持電極で、前述のＹアドレス電極が各
    々、少なくとも２本の維持電極の間に且つ隣接して位置
    するもの、 アドレスサイクル時にアドレス信号を選択されたＸおよ
    びＹアドレス電極に印加し、少なくとも１個のアドレス
    セルを放電させるアドレス手段で、前述の放電によって
    発生したプラズマは、前述の２本の維持電極と関連する
    放電部位において、前述の放電部位に存在する電圧によ
    って決まる残留壁電荷を残すもの、 続いて前述の維持電極に通電する維持手段で、この通電
    は前述の残留壁電圧とともに前述の一つあるいはそれ以
    上の放電部位の放電状態に選択的に影響を及ぼすものを
    含み、前述のアドレス手段は、前述のＸおよびＹ次元ア
    ドレス電極の各々と接続するスイッチングデバイスを含
    み、 第１および第２のアドレス発生器手段は、前述のアドレ
    スサイクル時に、パルスの形で前述のアドレス信号を供
    給し、 前述の第１アドレス発生器手段は、前述の次元アドレス
    電極の１本に関連する各スイッチングデバイスと結合し
    、第１の極性のパルスを供給し、前述の第２アドレス発
    生器手段は、前述の次元のアドレス電極のもう一方と関
    連する各スイッチングデバイスと結合し、第１極性の前
    述のパルスの開始の前に開始および終了する第２極性の
    パルスをもたらすもの。
  23. （２３）独立維持およびアドレス交流プラズマパネルで
    、複数本のＸおよびＹ次元アドレス電極で、前述のアド
    レス電極の交差がアドレスセルを定めるもの、 複数本のＹ次元維持電極で、前述のＹアドレス電極が各
    々、少なくとも２本の維持電極の間に且つ隣接して位置
    するもの、 アドレスサイクル時にアドレス信号を選択されたＸおよ
    びＹアドレス電極に印加し、少なくとも１個のアドレス
    セルを放電させるアドレス手段で、前述の放電によって
    発生したプラズマは、前述の２本の維持電極と関連する
    放電部位において、前述の放電部位に存在する電圧によ
    って決まる残留壁電荷を残すもの、 続いて前述の維持電極に通電する維持手段で、この通電
    は前述の残留壁電圧とともに前述の一つあるいはそれ以
    上の放電部位の放電状態に選択的に影響を及ぼすものを
    含み、前述のアドレス手段は、前述のＸおよびＹ次元ア
    ドレス電極の各々と接続するスイッチングデバイスを含
    み、第１および第２のアドレス発生器手段は、前述のア
    ドレスサイクル時に、パルスの形で前述のアドレス信号
    を供給し、 前述の第１アドレス発生器手段は、前述の次元アドレス
    電極の１本に関連する各スイッチングデバイスと結合し
    、一極性の高レベルパルスを、少なくとも１本の前述の
    次元のアドレス電極に印加し、 前述のアドレス手段はさらに、プラズマパネルに入れる
    望みの情報に従い、前述の一次元アドレス電極の一極性
    の高レベルを維持するか、またはこの電極を前述の一極
    性の低レベルにするかを選択する手段を含み、 前述の第２アドレス発生器手段は、前述の次元アドレス
    電極のもう一方に関連する各スイッチングデバイスと連
    結し、前述の一次元アドレス電極の前述のアドレス電極
    に一極性の高レベルが選択された後に、反対の極性の高
    レベルパルスを前述のもう一方の次元アドレス電極の少
    なくとも１本に印加し、定められたアドレスセルを放電
    し、望みの情報をプラズマパネルに入れ、さらに 前述の第１のアドレス発生器手段は、反対の極性の前述
    の高レベルパルスが終わった後に、前述の一極性の第２
    の高レベルパルスを前述の一次元アレーの前述のアドレ
    ス電極に印加し、前述のアドレス電極の前述の一極性の
    前述の高レベルから前述の低レベルへの制御可能な放電
    を可能とする手段を含むもの。
  24. （２４）特許請求の範囲第２３項の独立維持およびアド
    レス交流プラズマパネルで、各々の前述のスイッチング
    デバイスが同一の半導体デバイスであるもの。
  25. （２５）特許請求の範囲第２４項の独立維持およびアド
    レス交流プラズマパネルで、前述のスイッチングデバイ
    スがそれぞれＭＯＳＦＥＴデバイスであるもの。
  26. （２６）特許請求の範囲第２４項の独立維持およびアド
    レス交流プラズマパネルで、前述の第１のアドレス発生
    器手段は、正の極性の前述の第１および第２の高レベル
    パルスをもたらし、さらに前述の第２のアドレス発生器
    手段は、負の極性の前述の高レベルパルスを発生するも
    の。
  27. （２７）特許請求の範囲第２４項の独立維持およびアド
    レス交流プラズマパネルで、前述の第２のアドレス発生
    器手段は、少なくとも二つの異なる振幅レベルのパルス
    をもたらし、この一つの振幅レベルは情報をパネルに書
    き込み、さらにもう一方の振幅レベルは情報をパネルか
    ら消去するものであるもの。
  28. （２８）独立維持およびアドレス交流プラズマパネルで
    、複数本のＸおよびＹ次元アドレス電極で、前述のアド
    レス電極の交差がアドレスセルを定めるもの、 複数本のＹ次元維持電極で、前述のＹアドレス電極が各
    々、少なくとも２本の維持電極の間に且つ隣接して位置
    するもの、 アドレスサイクル時にアドレス信号を選択されたＸおよ
    びＹアドレス電極に印加し、少なくとも１個のアドレス
    セルを放電させるアドレス手段で、前述の放電によって
    発生したプラズマは、前述の２本の維持電極と関連する
    放電部位において、前述の放電部位に存在する電圧によ
    って決まる残留壁電荷を残すもの、 続いて前述の維持電極に通電する維持手段で、この通電
    は前述の残留壁電圧とともに前述の一つあるいはそれ以
    上の放電部位の放電状態に選択的に影響を及ぼすものを
    含み、前述のアドレス手段は、前述のＸおよびＹ次元ア
    ドレス電極の各々と接続するスイッチングデバイスを含
    み、第１および第２のアドレス発生器手段は、前述のア
    ドレスサイクル時に、パルスの形で前述のアドレス信号
    を供給し、前述の第１アドレス発生器手段は、前述の次
    元アドレス電極の１本に関連する各スイッチングデバイ
    スと結合して第１の極性のパルスをもたらし、前述の第
    ２のアドレス発生器手段は、前述の次元アドレス電極の
    もう一方と関連する各スイッチングデバイスと結合して
    、第１の極性の前述のパルスの発生が始まる前に開始お
    よび終了する第２の極性の第１のパルスをもたらし、さ
    らに第１の極性の前述のパルスが終了した後に開始する
    前述の極性の第２のパルスを印加するもの。
  29. （２９）独立維持およびアドレス交流プラズマパネルで
    、複数本のＸおよびＹ次元アドレス電極で、前述のアド
    レス電極の交差がアドレスセルを定めるもの 複数本のＹ次元維持電極で、前述のＹアドレス電極が各
    々、少なくとも２本の維持電極の間に且つ隣接して位置
    するもの、 アドレスサイクル時にアドレス信号を選択されたＸおよ
    びＹアドレス電極に印加し、少なくとも１個のアドレス
    セルを放電させるアドレス手段で、前述の放電によって
    発生したプラズマは、前述の２本の維持電極と関連する
    放電部位において、前述の放電部位に存在する電圧によ
    って決まる残留壁電荷を残すもの、 続いて前述の維持電極に通電する維持手段で、この通電
    は前述の残留壁電圧とともに前述の一つあるいはそれ以
    上の放電部位の放電状態に選択的に影響を及ぼすものを
    含み、前述のアドレス手段は、前述の１本のＸおよびＹ
    次元アドレス電極のアドレス電極を一極性の高レベルの
    充電する手段を含み、 さらに、プラズマパネルに取り入れる望みの情報に従い
    、前述のアドレス電極を一極性の高レベルに維持するか
    、またはこの電極を前述の一極性の低レベルにするかを
    選択する手段、および前述の１本のＸあるいはＹ次元ア
    ドレス電極の前述のアドレス電極において、一極性の高
    レベルが選択された後に、反対の極性の高レベルパルス
    を、もう一方の前述のＸあるいはＹ次元アドレス電極の
    対応するアドレス電極に印加し、前述の一つのアドレス
    セルを放電させ、望みの情報をプラズマパネルに入れる
    手段を含むもの。
  30. （３０）独立維持およびアドレス交流プラズマパネルで
    、複数本のＸおよびＹ次元アドレス電極で、前述のアド
    レス電極の交差がアドレスセルを定めるもの、 複数本のＹ次元維持電極で、前述のＹアドレス電極が各
    々、少なくとも２本の維持電極の間に且つ隣接して位置
    するもの、 アドレスサイクルを選択されたＸおよびＹアドレス電極
    に印加し、少なくとも１個のアドレスセルを放電させる
    アドレス手段で、前述の放電によって発生したプラズマ
    は、前述の２本の維持電極と関連する放電部位において
    、前述の放電部位に存在する電圧によって決まる残留壁
    電荷を残すもの、 続いて前述の維持電極に通電する維持手段で、この通電
    は前述の残留壁電圧とともに前述の一つあるいはそれ以
    上の放電部位の放電状態に選択的に影響を及ぼすものを
    含み、前述のアドレス手段は、前述の１本のＸおよびＹ
    次元アドレス電極のアドレス電極を一極性の高レベルの
    充電する手段を含み、 さらに、プラズマパネルに取り入れる望みの情報に従い
    、前述のアドレス電極を一極性の高レベルに維持するか
    、またはこの電極を前述の一極性の低レベルにするかを
    選択する手段、前述の１本のＸあるいはＹ次元アドレス
    電極の前述のアドレス電極において、一極性の高レベル
    が選択された後に、反対の極性の高レベルパルスを、も
    う一方の前述のＸあるいはＹ次元アドレス電極の対応す
    るアドレス電極に印加し、前述の一つのアドレスセルを
    放電させ、望みの情報をプラズマパネルに入れる手段、 および 前述の望みの情報をプラズマパネルに入れた後に、前述
    のアドレス電極の前述の一極性の前述の高レベルから前
    述の低レベルへの制御可能な放電を可能とする手段を含
    むもの。
  31. （３１）特許請求の範囲第３０項の独立維持およびアド
    レス交流プラズマパネルで、前述のアドレス電極の制御
    可能な放電を可能とする前述の手段は、反対の極性の前
    述の高レベルパルスが終わった後に、前述の一極性の高
    レベルパルスを、前述の一つのＸあるいはＹ次元アドレ
    ス電極の前述のアドレス電極に印加する手段を含むもの
    。
  32. （３２）ディスプレーパネルで、 Ｘ次元アドレス電極のアレー、 交差するＹ次元アドレス電極のアレーで、各ＸおよびＹ
    アドレス電極の交差がそれぞれのディスプレーピクセル
    を定めるもの、 アドレスサイクル時にアドレス信号を選択されたＸおよ
    びＹアドレス電極に印加し、少なくとも一つのディスプ
    レーピクセルを動作させるアドレス手段を含み、 前述のアドレス手段は、一つの前述のＸおよびＹ次元ア
    レーのアドレス電極を一極性の高レベルに充電する手段
    を含むものであり、 さらに、ディスプレーパネルに入れる望みの情報に従い
    、前述のアドレス電極を一極性の高レベルに維持するか
    、またはこの電極を前述の一極性の低レベルにするかを
    選択する手段、および前述の一つのＸあるいはＹ次元ア
    レーの前述のアドレス電極において一極性の高レベルを
    選択した後に、反対の極性の高レベルパルスをもう一方
    の前述のＸあるいはＹ次元アレーの対応するアドレス電
    極に印加し、望みの情報をディスプレーパネルに入れる
    手段を含むもの。
  33. （３３）特許請求の範囲第３２項のディスプレーパネル
    で、前述の望みの情報をディスプレーパネルに入れた後
    に、前述のアドレス電極の前述の一極性の前述の高レベ
    ルから前述の低レベルへの制御可能な放電を可能とする
    手段を含むもの。
  34. （３４）交流プラズマパネルで、 Ｘ次元電極のアレー、 交差するＹ次元電極のアレーで、それぞれのＸおよびＹ
    電極の交差がガス放電セルを定めのもの、信号を選択さ
    れたＸおよびＹアドレス電極に印加し、少なくとも一つ
    のガス放電セルを放電するアドレス手段を含み、 前述のアドレス手段は、前述のＸあるいはＹ次元アレー
    のアドレス電極を一極性の高レベルに充電する手段を含
    むものであり、 さらに、プラズマパネルに取り入れる望みの情報に従い
    、前述のアドレス電極を一極性の高レベルに維持するか
    、またはこの電極を前述の一極性の低レベルにするかを
    選択する手段、および前述の一つのＸあるいはＹ次元ア
    レーの前述のアドレス電極において、一極性の高レベル
    を選択した後に、反対の極性の高レベルパルスをもう一
    方の前述のＸあるいはＹ次元アレーの関連するアドレス
    電極に印加し、前述の一つのガス放電セルを放電し、望
    みの情報をプラズマパネルに入れるもの、を含むもの。
  35. （３５）特許請求の範囲第３４項の交流プラズマパネル
    で、前述の望みの情報をプラズマパネルに入れた後に、
    前述のアドレス電極の前述の一極性の前述の高レベルか
    ら前述の低レベルへの制御可能な放電を可能とする手段
    を含むもの。
  36. （３６）パネル電極およびこれに対応するパネルキャパ
    シタンスを持つディスプレーパネルにおける、パネル電
    極と結合した誘導子を介して前述のディスプレーパネル
    を駆動するエネルギー効率の高い方法で、 前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを充電し、
    最初に、誘導子の電流の大きさが最大に達するまで前述
    の誘導子内にエネルギーを蓄え、さらに第２に、誘導子
    の電流が零に達するまで蓄えたエネルギーを前述の誘導
    子から放出する過程、および前述の誘導子を介してパネ
    ルキャパシタンスを放電し、最初に、誘導子の電流の大
    きさが最大に達するまで前述の誘導子内にエネルギーを
    蓄え、さらに第２に、誘導子の電流が零に達するまで蓄
    えたエネルギーを前述の誘導子から放出する過程、を含
    むもの。
  37. （３７）特許請求の範囲第３６項の方法で、パネルキャ
    パシタンスの充電が、充電後にパネルキャパシタンスが
    達する電圧レベルの約１／２の大きさのフォーシング電
    圧の印加を含むもの。
  38. （３８）特許請求の範囲第３７項の方法で、パネルキャ
    パシタンスの放電が、充電後にパネルキャパシタンスが
    達する電圧レベルの約１／２の大きさのフォーシング電
    圧の印加を含むもの。
  39. （３９）特許請求の範囲第３６項の方法で、パネルキャ
    パシタンスの放電後、パネルキャパシタンスを再び充電
    する前に、パネルキャパシタンスを放電された状態に維
    持する過程を含むもの。
  40. （４０）特許請求の範囲第３６項の方法で、パネルキャ
    パシタンスの充電後、放電する前にパネルキャパシタン
    スを充電された状態に維持し、さらに放電後、再びパネ
    ルキャパシタンスを充電する前に、パネルキャパシタン
    スを放電された状態に維持する過程を含むもの。
  41. （４１）特許請求の範囲第４０項の方法で、パネルキャ
    パシタンスを充電された状態に維持する過程が、パネル
    キャパシタンスの電圧レベルを、誘導子電流が零に達し
    た時にクランプすること、さらに再び充電する前に、パ
    ネルキャパシタンスを放電された状態に維持する過程が
    、パネルキャパシタンスの電圧レベルを、誘導子電流が
    零に達した時にクランプするもの。
  42. （４２）パネル電極およびパネルキャパシタンス、パネ
    ル電極に結合した誘導子、および誘導子を介してディス
    プレーパネルを駆動させる誘導子に結合したドライバー
    回路を持つディスプレーパネルで、このドライバー回路
    は、 前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを充電する
    手段で、最初に、誘導子の電流の大きさが最大に達する
    まで前述の誘導誘導にエネルギーを蓄え、さらに第２に
    、誘導子の電流が零に達するまで蓄えたエネルギーを前
    述の誘導子から放出するもの、および 前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを放電する
    手段で、最初に、誘導子の電流の大きさが最大に達する
    まで前述の誘導子内にエネルギーを蓄え、さらに第２に
    、誘導子の電流が零に達するまで蓄えたエネルギーを前
    述の誘導子から放出するものを含むもの。
  43. （４３）特許請求の範囲第４２項のディスプレーパネル
    で、パネルキャパシタンスを充電するための前述の手段
    は、充電後にパネルキャパシタンスが達する電圧レベル
    の約１／２の大きさのフォーシング電圧を印加する手段
    を含むもの。
  44. （４４）特許請求の範囲第４３項のディスプレーパネル
    で、パネルキャパシタンスを放電するための前述の手段
    は、充電後にパネルキャパシタンスが達する電圧レベル
    の約１／２の大きさのフォーシング電圧を印加する手段
    を含むもの。
  45. （４５）特許請求の範囲第４２項のディスプレーパネル
    で、誘導子の電流が零に達した後、再びパネルキャパシ
    タンスを充電する前に、パネルキャパシタンスを放電さ
    れた状態に維持する手段を含むもの。
  46. （４６）特許請求の範囲第４２項のディスプレーパネル
    で、パネルキャパシタンスの充電後、放電する前に、パ
    ネルキャパシタンスを充電された状態に維持する手段、
    およびパネルキャパシタンスの放電後、再び充電される
    前に、パネルキャパシタンスを放電された状態に維持す
    る手段を含むもの。
  47. （４７）特許請求の範囲第４６項のディスプレーパネル
    で、パネルキャパシタンスを充電された状態に維持する
    前述の手段は、パネルキャパシタンスの充電時に、誘導
    子電流が零に達するとパネルキャパシタンスの電圧レベ
    ルを充電する手段を含み、さらにパネルキャパシタンス
    を放電された状態に維持するための前述の手段が、パネ
    ルキャパシタンスの放電の際に誘導子電流が零に達する
    とパネルキャパシタンスの電圧レベルをクランプするた
    めの手段を含むもの。
  48. （４８）ディスプレーパネルで、パネル電極およびパネ
    ルキャパシタンス、および前述のディスプレーパネルを
    駆動するパネル電極に結合したエネルギー回収維持回路
    を持ち、前述のエネルギー回収維持回路は、 前述のパネル電極に結合した誘導子で、パネルキャパシ
    タンスを充電および放電するもの、前述の誘導子を介し
    てパネルキャパシタンスを充電するための手段で、最初
    に、誘導子電流の大きさが最大に達するまで、前述の誘
    導子内にエネルギーを蓄え、第２に、誘導子電流が零に
    達するまで蓄えたエネルギーを前述の誘導子から放出す
    るもの、 パネルキャパシタンスの充電時に、誘導子電流が零に達
    すると前述のパネルキャパシタンスの電圧レベルをクラ
    ンプするための第１の手段、前述の誘導子を介してパネ
    ルキャパシタンスを放電するための手段で、最初に、誘
    導電流の大きさが最大に達するまで前述の誘導子内にエ
    ネルギーを蓄え、第２に、誘導子電流が零に達するまで
    蓄えられたエネルギーを前述の誘導子から放出するもの
    、 パネルキャパシタンスの放電時に、誘導子電流が零に達
    するとパネルキャパシタンスの電圧レベルをクランプす
    る第２の手段 を含むもの。
  49. （４９）特許請求の範囲第４８項のディスプレーパネル
    で、前述の第１および第２のクランプ手段は、誘導子電
    流が零に達するのに応答して前述の誘導子あるいは前述
    のパネルキャパシタンスの値の変化とは関係なく前述の
    クランプをもたらす手段を含むもの。
  50. （５０）パネル電極およびパネルキャパシタンスを有す
    るディスプレーパネルを駆動するエネルギー効率の高い
    ドライバー回路で、 前述のパネル電極に結合し、パネルキャパシタンスの充
    電および放電を行う誘導子、前述の誘導子を介してパネ
    ルキャパシタンスを充電するための手段で、最初に、誘
    導子電流の大きさが最大に達するまで、前述の誘導子内
    にエネルギーを蓄え、第２に、誘導子電流が零に達する
    まで蓄えたエネルギーを前述の誘導子から放出するもの
    、および前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを
    放電するための手段で、最初に、誘導電流の大きさが最
    大に達するまで前述の誘導子内にエネルギーを蓄え、第
    ２に、誘導子電流が零に達するまで蓄えられたエネルギ
    ーを前述の誘導子から放出するものを含むもの。
  51. （５１）パネル電極およびパネルキャパシタンスを有す
    るディスプレーパネルを駆動するエネルギー効率の高い
    維持回路で、 前述のパネル電極に結合し、パネルキャパシタンスの充
    電および放電を行う誘導子、前述の誘導子を介してパネ
    ルキャパシタンスを充電するための手段で、最初に、誘
    導子電流の大きさが最大に達するまで、前述の誘導子内
    にエネルギーを蓄え、第２に、誘導子電流が零に達する
    まで蓄えたエネルギーを前述の誘導子から放出するもの
    、およびパネルキャパシタンスの充電時に、誘導子電流
    が零に達するとパネルキャパシタンスの電圧レベルをク
    ランプするための第１の手段、 前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを放電する
    ための手段で、最初に、誘導電流の大きさが最大に達す
    るまで前述の誘導子内にエネルギーを蓄え、第２に、誘
    導子電流が零に達するまで蓄えられたエネルギーを前述
    の誘導子から放出するもの、およびパネルキャパシタン
    スの放電時に、誘導子電流が零に達するとパネルキャパ
    シタンスの電圧レベルをクランプする第２の手段を含む
    もの。
  52. （５２）特許請求の範囲第５１項のエネルギー効率の高
    い維持回路で、前述の第１および第２のクランプ手段は
    、誘導子電流が零に達するのに応答して前述の誘導子あ
    るいは前述のパネルキャパシタンスの値の変化とは関係
    なく前述のクランプをもたらす手段を含むもの。
  53. （５３）パネル電極およびパネルキャパシタンスを有す
    るディスプレーパネルを駆動するためのエネルギー効率
    の高いドライバー回路で、前述のドライバー回路は、 前述のパネル電極に結合し、前述のパネルキャパシタン
    スを望みの大きさの電圧レベルに充電し、また望みの大
    きさの電圧レベルから放電する誘導子、 前述の誘導子に結合した第１のスイッチ手段で、前述の
    誘導子を介して前述のパネルキャパシタンスを、第一の
    電圧レベルから、 （ａ）前述の誘導子にエネルギーを蓄える際に、最初に
    望みの電圧レベルの大きさの約１／２にあたる中間の電
    圧レベルの大きさに充電させ、さらに （ｂ）それから、前述の誘導子から前述の蓄えられたエ
    ネルギーを放出しながら、前述の望みの電圧レベルの大
    きさまで充電させるもの、 前述の誘導子に結合した第２のスイッチ手段で、前述の
    誘導子を介して前述のパネルキャパシタンスを、前述の
    望みの電圧レベルの大きさから、 （ａ）前述の誘導子にエネルギーを蓄える際に、まず望
    みの電圧レベルの大きさの約１／２にあたる中間の電圧
    レベルの大きさまで放電させ、さらに （ｂ）それから、前述の誘導子から前述の蓄えられたエ
    ネルギーを放出しながら、前述の最初の電圧レベルの大
    きさまで放電する手段を含むもの。
  54. （５４）特許請求の範囲第５３項のエネルギー効率の高
    いドライバーで、パネルキャパシタンスの電圧レベルを
    クランプし、パネルキャパシタンスが再び充電されるま
    でパネルキャパシタンスを放電された状態に維持するた
    めの、前述の誘導子に結合された第３のスイッチ手段を
    有するもの。
  55. （５５）特許請求の範囲第５３項のエネルギー効率の高
    いドライバーで、前述のパネルキャパシタンスの充電後
    に、パネルキャパシタンスの電圧を前述の望みの電圧レ
    ベルの大きさにクランプするための、前述の誘導子に結
    合された第３のスイッチ手段、および前述のパネルキャ
    パシタンスの放電後に、パネルキャパシタンスの電圧を
    前述の第１の電圧レベルの大きさにクランプするための
    、前述の誘導子に結合された第４のスイッチ手段を含む
    もの。
  56. （５６）特許請求の範囲第５５項のエネルギー効率の高
    いドライバーで、前述の第３のスイッチ手段および前述
    の第４のスイッチ手段はそれぞれ、前述の蓄えられたエ
    ネルギーを前述の誘導子からの放出の終了に応答して前
    述の誘導子あるいは前述のパネルキャパシタンスの値の
    変化には関係なく前述のそれぞれのクランプを行う手段
    を有するもの。
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