JPH07109542B2 - 電力を有効に使えるプラズマパネルの維持ドライバーおよびアドレスドライバー - Google Patents

電力を有効に使えるプラズマパネルの維持ドライバーおよびアドレスドライバー

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JPH07109542B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は，プラズマパネルと，プラズマディスプレーパ
ネルのアドレスドライバー回路および維持ドライバー回
路の改良，特に独立維持およびアドレスプラズマディス
プレーパネルに関する。
（発明の背景） プラズマディスプレーパネル，すなわちガス放電パネル
は，当技術においてよく知られており，一般には，一対
の基板を含む構造を有し，基板上にはそれぞれ縦列と横
列の電極を支持し，各電極がガラズ材等の誘電体層によ
って被覆し且つ間隔をあけて並列に配置し，電極間に生
じるギャップにはイオンガスを封入する。更に，基板は
電極が互いに直交する関係に配置し，交点を形成する。
交点は放電セルを形成し，このセルにおいて選択的な放
電を行うことによって望みの記憶あるいは表記機能を得
る。更に，この種のパネルを交流電圧で作動させるこ
と，特に，選択された縦列および横列の電極によって定
まる特定の放電点における放電開始電圧を上回る書き込
み電圧を印加することによって，選択されたセルにおい
て放電を行うことも既知である。選択されたセルにおけ
る放電は，交番性維持電圧（これ自身では放電を開始す
るのに不十分である）を加えることによって，連続的に
「維持」することができる。この技術は，基板の誘電体
層に発生する壁電荷が，維持電圧とともに働いて放電を
維持することに基づくものである。
このようなガス放電パネル，すなわちプラズマディスプ
レーに関する詳細な事項は,1971年１月26日にDonald L.
Bitzer等に与えられた合衆国特許番号3,559,190に記載
されている。
過去20年間に，交流プラズマディスプレーは，その優れ
た光の質ならびに平板特性の故に，広範囲にわたって使
用されてきた。これらの特質によって，プラズマディス
プレーは平板形ディスプレー市場のリーダーとなってい
る。しかしながら，プラズマパネルは，値段の安いブラ
ウン管（CRT）製品との競争から，その潜在的な市場の
わずかの部分を占めたに過ぎない。
プラズマディスプレーの費用の最も大きな要素は，ディ
スプレーそのものではなく，ディスプレー用電子装置の
費用である。採用されているマトリックスアドレス方式
においては，各ディスプレー電極に個別の電圧ドライバ
ーが必要である。したがって，一般的な512×512ピクセ
ルディスプレーでは，総計1024個の電子ドライバーと結
線が必要であり，このための最終製品の容積および費用
がかなり増大する。
1985年10月15日に提出された且つ本出願人に譲渡された
合衆国特許出願番号787,541において，独立維持および
アドレス（ISA）プラズマパネルが記載されている。さ
らに,L.F.WeberおよびR.C.Younce「Independent Sustai
n and Address Technique For The AC Plasma Dsiplay
（交流プラズマディスプレーの独立維持およびアドレス
技術）」,1986年,Society For Information Display In
ternational Symposium Conference Record,pp.220-22
3,San Diego,1986年５月の刊行物も参照されたい。ISA
プラズマパネル技術は，維持電極の間の独立アドレス電
極を新たに設けることを含む。これらのアドレス電極は
アドレスドライバーに接続する。維持電極はバスで連結
し，サステイナーに直接に接続することができる。
ISAプラズマパネルには２つの大きな利点がある。第一
に，アドレス電極は大きな維持電流を放電ピクセルに供
給しなくてもよいので，アドレスドライバーが必要とす
る電流は低い。このため，低価格のドライバーを使用す
ることができる。第二の利点は,1本のアドレス電極は，
そのいずれの側の維持電極にも役立つので，アドレスド
ライバーの数は従来の半分で済む。
ISAパネルによってもたらされた利点は大きいが，この
ようなパネルの製造費用をさらにできる限り低減するこ
とが望ましい。しかしながら，たしかにISAパネルは，
一般的な512×512クセルディスプレーに必要なアドレス
ドライバーを,1024個の電子アドレスドライバーから僅
か512個のドライバーに低減することを可能にしたが，
これでもまだかなりの数の電子部品が必要である。実際
に，プラズマパネルの費用の主なものは，アドレスドラ
イバー回路および維持ドライバー回路等の，関連する必
要な電子回路の費用である。さらに，プラズマパネルの
キャパシタンスの充電および放電において通常喪失され
るエネルギーを低減することが望まれる。
したがって，関連する電子部品の費用を低減することに
よってプラズマパネル製造の費用を低減することが望ま
れる。
さらに，プラズマパネルの作動費用を低減することが望
まれる。
（発明の要旨） 本発明の一態様によると,ISAプラズマパネルは，改良さ
れたアドレスドライバー回路を備える。この新しいドラ
イバー回路が使用する開−ドレイン（Ｎチャネルあるい
はＰチャネル）MOSFET出力構造は通常使用されているト
ーテムポールドライバーと比べると安い費用で製造でき
る。本発明に独自の特徴は，同型の低費用のＮチャネル
開−ドレインMOSFETデバイスを用いることによって，適
切な正および負のパルスをISAプラズマディスプレーパ
ネルに印加する技術にある。したがって，ハイにプルし
（すなわち，正のパルスを用いてプラズマパネルを駆動
する），またローにプルする（すなわち，負のパルスを
用いてプラズマパネルを駆動する）必要があった従来の
プラズマパネルアドレスドライバー回路とは対照的に，
本発明独自の特徴によって,Nチャネル開−ドレインMOSF
ETデバイスをローにプルするように設計するだけで済
む。
本発明の別の態様によると，プラズマディスプレーパネ
ル，エレクトロルミネッセンスパネル，液晶ディスプレ
ー等の，パネル電極によってかなりの固有パネルキャパ
シタンスがある平板と共に用いる電力を有効に使えるサ
ステイナー（維持）回路が開発された。この新しい維持
ドライバー回路は，パネルキャパシタンスの充電および
放電に誘導子を用いることによって，通常パネルキャパ
シタンスの駆動で失われるエネルーの90％を回収する。
したがって，本発明による電力を有効を使える維持ドラ
イバー回路を取り入れたプラズマパネルは，先行技術の
プラズマパネル維持回路に通常に必要なエネルギーの僅
か10％だけで作動することができる。
（実施例） 本発明を，本発明の一態様に従う新しい且つ改良された
アドレスドライバー回路と，本発明の別の態様に従う新
しい電力を有効に使える維持ドライバー回路を取り入れ
たISAプラズマパネルに関連して説明する。説明の便宜
上，まず本発明の最初の態様，すなわち新しい且つ改良
されたドライバー回路について説明し，続いて電力を有
効に使える維持ドライバー回路を説明する。
〔プラズマパネル用のISAドライバー回路〕
本発明の主な改良点は，アドレス回路ドライバーの簡略
化である。これらのドライバーは，ローにプルするよう
に設計する必要があるだけである。これは，ハイにプル
し且つローにプルしなければならない通常のプラズマパ
ネル回路と対照的である。プルロー型ドライバーは，か
なり安い費用で製造することができる。第１図に，本発
明で用いることができる基本型のアドレス回路ドライバ
ーを示す。第1a図は，ダイオードと並列した簡単なスイ
ッチを示す。このスイッチは，スイッチの状態（開また
は閉）に応じて，選択的なアドレスパルスをプラズマパ
ネルに印加するのに用いる。現在の固体スイッチ技術で
は，このスイッチは，通常は二つの形態をとる。一つは
第1b図に示すMOS電界効果トランジスター（MOSFET）
と，いま一つは第1c図に示すバイポーラトランジスター
である。通常はこれらのトランジスターには固有の並列
ダイオードが伴うので，第1a図のスイッチと並列するダ
イオードは，回路モデルに含まれるものとして理解する
必要がある。本明細書に示す実施例はＮチャネルMOSFET
およびNPN形バイポーラトランジスターのものである
が，その理由はこれらが集積に最も適したデバイスだか
らである。しかしながら，波形および回路に適切な調整
を加えれば，極性が逆のデバイスを用いることも出来
る。
第２図は,ISAプラズマパネル，すなわち前述したよう
に，独立した維持電極およびアドレス電極を持つプラズ
マディスプレーパネルのアドレス電極をドライブするた
めに本発明の概念を適用するための回路図である。
この実施例では，第1b図に示すＮチャネルMOSFETデバイ
スを使用するが，当然ながその他の適切なスイッチを用
いることも可能である。基本的な概念は，各MOSFETのド
レイン電極をISAプラズマパネルの各アドレス電極に接
続し，それから一定のディスプレー軸上にあるMOSFETの
全てのソースをコモンバスに接続することである。この
ようなMOSFETトランジスタを集積する場合には，トラン
ジスタが全てのソースを一つのコモンバスに接続してい
れば，これらのトランジスタのアレーを製造することは
非常に容易である。この構成は，通常は開ドレイン構成
と呼ばれる。第２図のＸ軸とＹ軸のアドレス電極は，双
方とも開ドレイン構成のＮチャネルMOSFETを使用するこ
とに注意されたい。これには,X軸およびＹ軸の双方に同
じ電気部品が使用出来るという利点がある。通常は二つ
の異なる部品を設計し，製造し且つ保管しなければなら
ないから，これによって回路の費用を低減することが可
能となる。さらに，二つの部品を必要とするシステムの
数量の２倍の数量の単一部品を製造することができるか
ら，単一部品を大量に製造することは，費用の低減につ
ながる。通常は二つの部品が必要であるが，これはＸ軸
とＹ軸が異なる極性のアドレスパルスを必要とするため
である。ここに示す実施例では,X軸は正のパルスを必要
とし,Y軸は負のパルスを必要とする。本発明の新規な特
徴は，同一の低価格Ｎチャネル開ドレインMOSFETデバイ
スを用いて適切な正および負のパルスをISAプラズマデ
ィスプレーパネルアドレス電極に印加するのに用いる技
術である。
第３図は,ISAパネルをドライブするのに用いる波形を示
す。これは，第２図の８列のピクセルを上から下に向か
ってアドレスするためのパネルの画像走査の一部を示
す。ここに図示した画像走査例以外のその他の走査技術
を用いることもできる。各列のクセルは二つの20マイク
ロ秒アドレスサイクルを必要とする。上の４本の波形
は,4個のサステイナーによって印加される信号を示す。
これらの波形の整相は，あるアドレスサイクルのあいだ
に第２図の各アドレスセルを取り囲む４つのピクセルの
どれをアドレスすることができるか選択する。この整相
の基本的な周期性は，第２図に用いた維持電極接続技術
によって,8アドレスサイクルとなる。
維持波形の下のものは，アドレス電極に関連する信号で
ある。XAPおよびYAPと標識した波形は，第２図に示すよ
うにアドレスドライバートランジスターのコモンバスに
接続されるアドレスパルス発生器から供給される。これ
らのアドレスパルサーは，適切な信号をアドレス電極に
印加するためにアドレスドライバーに必要な特別な波形
を発生する。XA波形は,Xアドレス電極上に選択的な消去
信号を示す。XAレベルが高いと，選択されたピクセル１
個が消え,XAレベルが低いとピクセルが点灯した状態と
なる。４本の隣接するＹアドレス電極のYA波形を第３図
の下段に示す。
〔Ｙ軸の動作〕
次に，第２図の回路がどのように動作するか詳細に検討
する。Ｙ軸の動作が最も簡単なので，まずＹ軸から検討
する。開ドレイントランジスターのリニアーアレーは，
ソース電極を全てコモンバスに接続してある。このバス
は,Yアドレスパルサーと呼ばれるパルス発生器と接続
し,YAPと標識してある。このパルス発生器の目的は，ア
ドレスパルスのエネルギーを供給し，さらに選択された
Ｙアドレス電極に印加される波形の形状を決定すること
にある。第３図に示すように，この発生器は，二重振幅
の負パルスを供給することに注意されたい。例えば，ア
ドレス周期のあいだは，選択されたＹアドレス電極に負
のパルスを印加する必要がある。この周期のあいだは，
負のパルスがYAPによって発生され，このパルスは，全
てのＹアドレストランジスターのソース電極に印加され
る。オフのトランジスターは導通せず，それらに関連す
るプラズマパネルアドレス電極は，負のパルスの発生前
の時の電位と実質的に同じ電位を保持する。オンになっ
たトランジスターは導通し，それらと関連するプラズマ
パネルアドレス電極は，負のパルスを印加され，プラズ
マパネル内でアドレス動作を引き起こす。この技術を用
いて幾つのＹアドレス電極でも選択的に負のパルスを印
加することができるが，ビデオモードにおいては,Y軸ア
ドレス電極は，走査する映像を逐次的に発生するよう
に，通常は一度に一つだけパルスを印加する。
ISAプラズマパネルのアドレス電極は，無理なく単純な
キャパシタンスとしてモデル化することができるので，
トランジスターを流れる電流は,YAP発生器の遷移時に主
に流れる。YAP発生器の負の遷移時には，伝導電流は主
にトランジスターを流れねばならない。しかし，負のア
ドレスパルスの正への遷移時（負のパルスを印加する前
に最初のレベルにもどる時）には，電流は,MOSFETトラ
ンジスターと，トランジスターに付けたボディーダイオ
ードの双方を流れることができる。このボディーダイオ
ードは，当然のことながら，トランジスターがオン状態
あるいはオフ状態のいずれであろうとも伝導する。これ
によって,YAP発生器がそのハイレベルにある場合には，
全てのＹアドレス電極を同じ高さレベルにプルすること
ができる。
〔Ｙ軸の動作〕
次に，第２図に示すＸ軸回路の動作について説明する。
Ｙ軸は負のパルスであったが,X軸は正のパルスを印加し
なければならないので，この回路はＹ軸の回路とは異な
る。Ｙ軸の場合とまったく同じように,Nチャネル開ドレ
インMOSFETトランジスターのアレーはソース電極を全て
共通のバスに接続しており，このバスは,XAPと標識した
Ｘアドレスパルス発生器に接続する。このXAP発生器
は，出力パルスの極性が反対であるので,YAP発生器とは
極めて異なる動作をする。XAP波形の形状は,2本の短い
パルスであり（第３図と，第４図の拡大図を参照のこ
と），これらのパルスはプラズマパネルアドレス電極上
に単一の長いパルスを発生するのに使用される。第一の
XAPパルスは，アドレス電極パルスの立ち上り区間に対
応し，第二のXAPパルスは，アドレス電極パルスの立ち
下り区間に対応する。
さて，第一のXAPのパルスについて検討する。全てのア
ドレス電極は，最初のパルスを印加する直前には,XAP発
生器と同じ電位にあるものと想定する。XAP発生器が立
ち上がるとともに，電流はMOSFETトランジスタの全ての
ボディーダイオードに流れる。これにより，全てのＸア
ドレス電極は,XAP発生器よりも１ダイオードドロップだ
け低いレベルにプルアップされる。この動作は,XAP発生
器がその最初のピークに達するまで続く。全てのＸアド
レス電極は，選択されるか選択されないにかかわらず，
この時点で正のパルスを印加される。
選択動作は，第一のXAPパルスの立ち下り区間までは起
きない。この時間のあいだに，いずれかの選択されたＸ
アドレス電極に正のパルスが保持されるならば，関連す
るMOSFETトランジスターがオフになる。オフのままのト
ランジスターは,XAP発生器の最初のパルスが立ち下る
と，トランジスターのアドレス電極をプルダウンする。
この動作は，第一パルスの終わりにXAP発生器が立ち下
りを停止するまで続く。この時，選択されたアドレス電
極は全ての高電圧レベルにあり，選択されていないアド
レス電極は低レベルにある。このような状態は，第二XA
Pパルスが印加されるまで，長い時間にわたって続くこ
とができる。選択されたアドレス電極は，プラズマパネ
ルアドレス電極の維持電極に対するキャパシタンスによ
って，高電圧に保持される。選択されないアドレス電極
は，オンしたMOSFETトランジスターによって,XAP発生器
の低電圧に保持される。
選択パルスは,XAP発生器が低レベルにある時に，全ての
トランジスターをオンにすることによって終了すること
ができる。これは動作するが，いくつかの望ましくない
特性を伴う。まず第一に，選択されたトランジスターが
オンすると，トランジスターは急速にアドレス電極の電
圧を放電する。放電速度は，しばしば非常に早く，大き
な変位電流がトランジスターおよびプラズマパネルキャ
パシタンスを流れる。この変位電流は，幾つかの問題を
引き起こす可能性がある。第一に，この電流は，非常に
早い速度で頻繁に成長し崩壊するので，大量の電気ノイ
ズが発生する。このノイズは，システムのその他の回路
に問題を引き起こす傾向があり，プラズマパネルの動作
を制御するのに用いられる多くの理論ゲートを容易にミ
ストリガーする可能性がある。この大電流の第二の問題
は，トランジスターにおいておきる大きなエネルギー損
失であり，その結果，キャパシタンスが放電する。この
エネルギー損失は，場合によってはトランジスターを焼
き切ることもある。さらにこれはトランジスターを高温
にするので，特別のヒートシンクが必要となる。さら
に，これらのトランジスターの加熱過程で失われるエネ
ルギーは回収することが不可能であり，プラズマディス
プレーシステムの電源および電力消費量を大きなものと
する。
これらの問題点は全て，下記のスイッチング技術を用い
ることによって大幅に軽減することができる。Ｘアドレ
スパルスが立ち下りを必要とする直前に,XAP発生器は，
その第二パルスの立ち上りを開始する。第一のXAPパル
スは，アドレスパルスを起こすのに使用されたことを想
起されたい。第二パルスの立ち上りのあいだに，電流
は，選択されていないＸアドレス電極と関連するMOSFET
のボディーダイオードを流れる。選択されていないトラ
ンジスターのMOSFETがまだオンの場合には，これらのMO
SFETにも幾分かの伝導が起こる。この電流は，選択され
ていないアドレス電極を充電し，その電圧を上げる。こ
の充電は，第二のＸパルスがそのピークに達するまで続
く。このピークにおいて，全てのＸ軸MOSFETはオンとな
る。第二のXAPパルスが立ち下りを開始すると，電流が
全てのX MOSFETを流れて全てのアドレス電極を放電す
る。この動作は，第二のＸパルスの立ち下りが最低レベ
ルに行き着くまで続く。この時点において，全てのアド
レス電極は，この低XAP電圧となる。これはアドレス動
作の最終段階であり，全てのＸアドレス電極は，次のア
ドレス動作までこの低電圧レベルに保持される。
消去前書き込みアドレス動作は，下記の順序で進む。第
３図は，最初に書き込みパルスがYAn＋１電極に印加さ
れ，それがYAn＋１のいずれかの側の２列の全てのピク
セルをオンにする。この書き込みパルスが完了した後
に,4つの消去パルスを用いて,YAnのいずれかの側の２列
のピクセルを選択的に消去する。画像は，消去動作の際
に,XAアドレス電極の電圧を制御することによって，選
択消去によってパネルに導入される。このシーケンスは
YAn＋２のいずれかの側の２列に書き込み，次に選択的
にYAn＋１に続く２列を消去することによって続く。こ
のように書き込み動作と消去動作をずらすことによっ
て，選択的な消去動作が起こる前の少なくとも４サイク
ルのあいだ書き込まれたセルを安定させて，パネルの電
圧マージンを改善する。アドレスシーケンスに書き込み
動作を加えても，維持ならびに選択消去動作にすでに必
要な時間を上回るような追加時間は必要とないことに注
意する必要がある。これによって，更新速度を高めるこ
とができる。
低価格の開ドレインアドレスドライバーを用いることを
可能とする重要な要素は，アドレスパルサーの波形のデ
ザインである。第３図は,YAアドレス電極が，選択的に
印加された負のパルスを必要とし,XAアドレス電極が，
選択的に印加された正のパルスを必要とすることを示
す。ＸアドレスパルサーおよびＹアドレスパルサーの波
形のデザインによってこれら２つの極性が同じＮチャネ
ルIC設計で可能となる。
まずYA動作を要約するにあたって，全てのＹアドレスト
ランジスターのソースに印加されるYAP信号は，選択さ
れたYAアドレス電極信号に忠実に従うことに注意された
い。ある時点において，選択されたYA電極トランジスタ
ーはオンとなり，その他の全てのYAトランジスターはオ
フのままとなる。したがって,YAPによって発生される負
のパルスは，選択されたYAアドレス電極に伝達される。
XAアドレス電極の動作の要約はもっと複雑である。これ
を、第３図の波形図の拡大図である第４図に示す。XAP
の波形は，各XA消去パルスに対して,2つの短いパルスを
示していることに注意されたい。こらのパルスは,XA消
去パルスの立ち上り区間および立ち下り区間を定めてい
る。本発明の構成態様において，これらのパルスは，以
下に述べる維持ドライブ回路に似たエネルギー回収回路
を用いて発生されるので，形状は正弦波である。第一の
XAPパルスの立ち上がりは,MOSFETアドレスドライバーの
ボディーダイオードと伝導チャネルを介して，全てのXA
アドレス電極をハイにプルする。第一のXAPパルスのピ
ークにおいて，選択されたピクセルを消去する場合に
は，選択されたMOSFETはオフになる。伝導状態のままの
MOSFETは，第一のXAPパルスが低下すると，それらのXA
アドレス電極をローにプルする。伝導状態にない選択さ
れたMOSFETは，維持電極に対するアドレス電極のキャパ
シタンスによって，ハイに保持される。アドレス電極の
このハイレベルによって，ピクセルは消去される。
第二のXAPパルスの立ち上がりは，全ての非選択XAアド
レス電極を，選択されたXAアドレス電極と同じ高レベル
にプルする。第二のXAPパルスのピークにおいて，全て
のＸ軸アドレスドライバーはオンとなり，第二のXAPパ
ルスの立ち下がりは，全てのアドレス電極をもとのロー
レベルにプルする。
上記のXAアドレス技術によると，正のパルスを選択され
たXAアドレス電極にうまく与えることができるが，この
技術は,2つの短い正のパルスを,XAPのパルスに対応する
非選択XAアドレス電極にも与える。これらの２つの短い
パルスが，非選択ピクセルのミスアドレスを引き起こさ
ないように，第４図に示すように,YAPパルスを適切に整
相する。YAPパルスは，第一のXAPパルスが立ち下がった
の後に下がり,YAPパルスは，第二のXAPパルスの立ち上
がりの前に立ち上がる。これによって，非選択XAパルス
が，選択されたYAパルスに加わってミスアドレス放電が
起きるのを防ぐ。
縦列ドライバーが高インピーダンス状態にある時に，低
インピーダンス状態にある隣接電極に印加されたパルス
が，容量的に高インピーダンス電極と結合し，この電極
が誤った電圧振幅を受けとる原因となることが懸念され
る。しかし，これは二つの理由から重大とは考えられな
い。まず第一に，第２図に示すように，アドレス電極
は，維持電極によって互いに遮へいされている。このた
め，アドレスライン間の結合によるパルス振幅の変動
は，第４図に示すようにアドレスパルス振幅の10％未満
に抑えられる。第二の点は,ISAのアドレスマージンの設
計が優れているので，この10％の変動は重大な問題では
ないということである。
第３図の対応する波形を供給するXAPおよびYAPアドレス
パルス発生器として，標準型の電圧パルス発生器を用い
ることができる。別法としては，電力を有効に使える維
持ドライバー回路に関して以下に述べるエネルギー回収
技術をXAPおよびYAPアドレスパルス発生器に用いること
ができる。
〔電力を有効に使える維持ドライブ回路〕
プラズマパネルは，サステイナー，あるいは維持ドライ
バー回路と呼ばれる高電圧ドライバー回路を必要とす
る。この回路は全てのピクセルをドライブし，かなりの
電力を消費する。一例として,4個のサステイナードライ
バーXSA,XSB,YSA,YSBを第２図にISAパネルと共に示す。
以下に説明するものは新しい高効率サステイナーであ
り，このサステイナーは，従来のサステイナーを用いて
プラズマパネルを駆動する場合に発生する電力の消費を
ほとんど解消するものである。この新しいサステイナー
を用いることによって，プラズマパネルの全費用をかな
り低減することが可能である。新しいサステイナーは，
標準的なプラズマパネル，新しいISAプラズマパネル，
そして高電圧ドライバーを必要とするその他のタイプの
ディスプレーパネル，たとえば固有のパネルキャパシタ
ンスを有するエレクトロルミネセンスパネルあるいは液
晶パネル等に用いることができる。
プラズマパネルをディスプレーに用いる場合には，パネ
ルの各側を交番に荷電して臨界電圧を発生させ，それに
よってガス放電を繰り返し発生させて，頻繁な放電を引
き起こす必要がある。この交番電圧は維持電圧と呼ばれ
る。アドレスドライバーによってピクセルが「オン」と
なると，サステイナーは，このピクセルのセルを繰り返
し放電させることによってピクセルの「オン」状態を維
持する。ピクセルがアドレスドライバーによって「オ
フ」となると，セル間の電圧は放電を起こすほど高くは
ならず，セルは「オフ」状態を保つ。
サステイナーは，全てのピクセルを一度に駆動せねばな
らず，そのため，サステイナーから見たキャパシタンス
は一般に非常に大きいものである。512×512パネルで
は，パネルの全てのピクセルセルの全キャパシタンスCp
は,5nFにもなることがある。
従来のサステイナーは，パネルを直接に駆動するので，
続いてパネルがアースに放電する時に，サステイナー内
で1/2CpVs 2が散逸する。完全な１維持サイクルにおい
て，パネルの各側はVsに充電され，続いてアースに放電
する。したがって，総計で２CpVs 2が完全な１維持サイ
クルにおいて費消される。その場合のサステイナーの出
力消費は２CpVs 2fとなり，式中のｆは維持サイクル周波
数である。Cp＝5nF,Vs＝100V,およびｆ＝50kHzとする
と，パネルのキャパシタンスを駆動するために生じる電
力消費は5Wである。
誘導子をパネルと直列に設けると,Cpは誘導子を介して
充電および放電することができる。理論的には，誘導子
は，誘導子を用いなければサステイナーの出力抵抗にお
いて費消されてしまうエネルギーを全て貯え，このエネ
ルギーをCpに，あるいはCpから伝送するので，誘導子を
用いれば電力消費は零になる。しかし,Cpの充電および
放電に応じて，誘導子へのエネルギーの流れ，および誘
導子からのエネルギーの流れを制御するスイッチングデ
バイスが必要である。「オン」抵抗，出力キャパシタン
ス，およびスイッチング過渡時間は，これらのスイッチ
ングデバイスの特性であり，かなりのエネルギー損失を
まねく可能性がある。これらの特性によって実際に喪失
されるエネルギー量，したがって効率は，おもに，これ
らの喪失を最小限に抑えるように回路がどれだけうまく
設計されているかによって決まる。
Cpの充電および放電に加えて，サステイナーはさらに，
大きなガス放電電流をプラズマパネルに供給しなければ
ならない。この電流Ｉは，「オン」状態のピクセルの数
に比例する。その結果生じる瞬間的な電力消費はI2Rで
あり，式中のＲはサステイナーの出力抵抗である。この
ように，放電電流による電力消費はI2，あるいは「オ
ン」状態のピクセル数の二乗に比例する。
この電力消費を最小限に抑えるには，二つの方法があ
る。その一つは，非常に低い抵抗の出力ドライバーを用
いて，サステイナーの出力抵抗を最小限に抑えることで
あり，もう一つの方法は，各時点の「オン」状態のピク
セルの数を最小限に抑えることである。
本発明は，パネルキャパシタンスCpの充電および放電で
普通ならば失われるエネルギーを回収する新しいサステ
イナー回路を提供する。サステイナーがこのエネルギー
を回収する効率を，ここでは「回収」効率と定義する。
CpがVsに充電され，それからゼロまで放電する場合に
は,Cpに流出入するエネルギーはCpVs 2である。したがっ
て，回収効率は下記のように定義される。
Eff＝100×（CpVs 2−ELost）／CpVs 2 ＝100×（１−（ELost／CpVs 2））％ 式中，ELostは,Cpの充電および放電で失われるエネルギ
ーである。
この回収効率は，負荷に供給された電力によって定めら
れる従来の電力効率と同じものではないことに注意され
たい。なぜなら，コンデサーCpには電力は供給されな
い。単に充電され放電されるだけである。この回収効率
は，サステイナー内でのエネルギー損失の尺度である。
エレクトロルミネセンス（EL）パネルを駆動するための
回路として,M.L.Higgins,「ACTFELディスプレー用低電
力ドライブ計画」,SID International Symposium Diges
t of Technical Papers,第16巻,pp.226-228,1985に発表
された回路を実験室で試験したが,80％を上回るエネル
ギー回収が不可能であったこと，および好ましくない設
計上の複雑さがあることから，放棄せざるをえなかっ
た。その後，新規の非常に効率の高い維持ドライバーが
開発され，このドライバーは先に提案された回路に固有
の問題を解消した。
まず最初に，新しい維持ドライバー回路の回路モデルを
解析し，予測される回収効率を求める。次に，この新し
い維持ドライバーを用いた場合に90％を上回る回収効率
が可能となる理由を説明し，さらにいくつかの設計指針
を示す。次に，製作された新しい維持ドライバーの試作
品について説明する。
最初に理想的な維持ドライバー回路を示し，理想的な部
品が得られるものとして，新しい維持ドライバーの基本
動作を説明する。予想されるように，理想的な部品が得
られるとすれば，この回路は，容量性負荷の充電および
放電において100％の回収効率を有する。この理想的な
維持ドライバー回路の回路図を第５図に示す。さらに第
６図には,4つのスイッチング状態において４つのスイッ
チを開閉する場合に，この回路に予測される出力電圧と
誘導子電流の波形を示す。これら４つのスイッチング状
態のあいだの動作を以下に詳細に述べるが，この場合，
状態１の前には,VssがVcc/2（Vccは維持電力供給電圧で
ある）,Vpがゼロ,S1およびS3が開，さらにS2およびS4が
閉であると仮定する。VssがVcc/2である理由は，スイッ
チング動作の説明の後に，あらためて説明する。
状態１。開始にあたり,S1を閉じ,S2を開き，さらにS4を
開く。S1が閉じると,LおよびCpは直列の共振回路を形成
し，これはVss＝Vcc/2のフォーシング電圧をもつ。次
に,VpはVccまで上昇し，この時点においてILはゼロであ
り，さらにD1は逆バイアスとなる。別法としては，ダイ
オードD1を除くことも可能であり,VpがVccまで上昇する
と（ILがゼロとなる時点）,S1が開く。
状態２。S3を閉じて,VpをVccにクランプし，さらに全て
の「オン」ピクセルに対して放電電流経路をもたらす。
状態3.S2が閉じ,S1が開き，さらにS3が開く。S2が閉じ
ると,LおよびCpは再び直列の共振回路を形成し，これは
Vss＝Vcc/2のフォーシング電圧をもつ。次にVpはアース
レベルまで降下し，その時点でILはゼロとなり，さらに
D2は逆バイアスとなる。別法としては，ダイオードD2を
除くことも可能であり,Vpがゼロまで降下すると（ILが
ゼロとなる時点）,S2が開く。
状態4.S4を閉じて,Vpをアースレベルにクランプし，一
方パネルの反対側にある同型のドライバーが，反対側を
Vccに駆動し，その場合，「オン」のピクセルがある場
合には放電電流がS4を流れる。
上記のCpの充電および放電の際には，上記のVssはVcc/2
のレベルに安定しているものと想定した。この理由は下
記の通りである。もしVssがVss/2を下回った場合には,V
pの立ち上がりにおいて,S1が閉じると，フォーシング電
圧はVcc/2を下回ることになる。続いて,Vpの立ち下がり
において,S2が閉じると，フォーシング電圧はVcc/2を上
回ると考えられる。したがって，平均すると電流はCss
に流入すると考えられる。逆に,VssがVcc/2を上回る場
合には，平均すると電流はCssから流れ出ると考えられ
る。したがってCssに流れ入る正味電流がゼロである安
定した電圧はVcc/2となる。実際に，電源は入りVccが立
ち上がる時，ドライバーが先に説明した４つの状態に連
続的に切り換わる場合には,Vssは,Vcc/2において,Vccと
ともに上昇する。
そうでないならば，電圧Vssを供給するのに，調整され
た電力供給が必要であると考えられる。これは維持回路
機構の総費用を増大させるので，この設計の欠点であ
る。
実際のデバイス，すなわちスイッチングデバイス，ダイ
オードおよび誘導子に固有のキャパシタンスおよび抵抗
によるエネルギー損失は，第７図に示す実際的な回路モ
デルの解析によって明らかにすることができる。スイッ
チングデバイスは，理想スイッチ，出力コンデンサ，お
よび直列「オン」抵抗器によってモデル化する。ダイオ
ード（Dc1およびDc2を除く）は，理想ダイオード，並列
コンデンサー，および直列抵抗器によってモデル化し，
さらに誘導子は，理想誘導子および直列抵抗器によって
モデル化する。
Dc1およびDc2は理想ダイオードである。これらは,V1が
アースレベルより低くなること，およびV2がよりVccよ
り高くなることを防ぐために用いる。以下に説明するよ
うに,Dc1およびDc2を使用しない場合には,C1,Cd2,C2お
よびCd2に掛かる電圧は,Dc1およびDc2を使用する場合よ
りも高くくなり，そのためにエネルギーの損失が増加す
る。
この回路のスイッチング順序は，第５図に示す理想モデ
ルのスイッチング順序と同じである。第８図は,4つのス
イッチング状態におけるVp,V1,VLおよびV2の電圧レベ
ル，およびIL,I1およびI2の電流レベルを示す。ここで
も,VssはVcc/2において安定すると想定する。
第７図の実際的な回路モデルの回収効率は，第８図を参
照にして，以下にように求めることができる。例えば，
スイッチングデバイス（C1およびC2）およびダイオード
（Cd1およびCd2）のキャパシタンスによるエネルギー損
失を求めることが出来る。次に，スイッチングデバイス
（R1およびR2），ダイオード（Rd1およびRd2），さらに
誘導子（RL）の抵抗によるエネルギー損失を求めること
が出来る。そして最後に，スイッチングデバイスの有限
スイッチング時間によるエネルギー損失を求めることが
できる。各々の場合において，第８図に示す４つのスイ
ッチング状態を参照にすることができる。
スイッチングデバイスおよびダイオードのキャパシタン
スに原因する電力消費を求めるために，全ての1/2CV2損
失の評価を行う。最初には,S1およびS3は開いており,S2
およびS4は閉じており，VLはアースレベルにあり、Vss
はVcc/2であると想定する。
状態1.開始にあたって,S1は閉じ，かつS4は開く。次に,
V1およびVLがVssに上昇し，さらにCd2（V2−VL）に掛か
る電圧およびC1（Vss−V1）に掛かる電圧は，いずれもV
ssからゼロまで降下する。このように，C1Vss2/2がR1に
おいて消費され，さらにCd2Vss2/2がR1,Rd1およびR2に
おいて消費される。その後S2が開く。S1が閉じているの
で,R1,Rd1,LおよびCpの直列結合は，フォーシング電圧
がVss＝Vcc/2の直列RLC回路である。その波形を第８図
に示す。ILが降下し，ゼロになると,D1は遮断され，VL
は上昇し始める。
状態２。S3を閉じて,VpをVccにクランプする。
（S3が閉じる前は,R1,Rd1およびRLによる減衰が起きる
ので,VpはVccまでには上がりきらないことに注意された
い。したがって,S3が閉じると,VpはS3を通ってVccまで
プルされ，実際の回路に漂遊インダクタンスが存在する
場合には，わずかなオーバシュートが起きることがあ
る。このオーバシュートを，第８図のVpの波形に示
す。）次に,C2およびCd1（VL−V1）の双方がゼロからVs
sまで上昇すると，ILは負になり，この時点において,Dc
2は順にバイアスとなり,I2が流れ始める。I2が流れ始め
る時の誘導子のエネルギーは,1/2（C2＋Cd1）Vss2であ
る。このエネルギーは,I2がゼロに降下するに伴い，RL,
Rd2およびR3で消費される。
状態３。全ての「オン」ピクセルセルに放電電流が供給
された後は,S2が閉じ，さらにS3が開く。それからV2お
よびVLがVssまで降下し，さらにCd1に掛かる電圧（VL−
V1）およびC2に掛かる電圧（V2−Vss）の双方が,Vssか
らゼロまで降下する。したがって,R2内でC2Vss2/2が消
費され，さらにCd1Vss2/2が,R2,Rd2およびR1内で消費さ
れる。それからS1が開く。S2が閉じると,R2,Rd2,RL,Lお
よびCpの直列結合は，フォーシング電圧Vss＝Vcc/2を持
つ直列RLC回路である。この波形を第８図に示す。ILが
上昇し，ゼロになると,D2が遮断され，VLは降下し始め
る。
状態４。S4が閉じ,Vpをアースレベルにクランプする。
（S4が閉じる前は,R2,Rd2およびRLによる減衰のために,
Vpはアースレベルには下がりきっていないことに注意さ
れたい。したがって,S4が閉じると,VpはS4を介してアー
スレベルまでプルダウンされ，実際の回路に漂遊インダ
クタンスが存在する場合には，わずかのアンダシュート
が起きる可能性がある。このアンダシュートを第８図の
波形Vpに示す。その後,CC1およびCd2が誘導子から充電
されると，ILは正になる。C1に掛かる電圧（Vss−V1）
およびCd2に掛かる電圧（V2−VL）はともにゼロからVss
まで上昇し，この時点において,Dc1は順バイアスとな
り,I1が流れ始める。I1が流れ始める時の誘導子エネル
ギーは1/2（C1＋Cd2）Vss2である。このエネルギーは,I
1がゼロまで降下するときに，RL,Rd1およびR4内で消費
される。
このように，第７図の実際的な回路モデルは，電力損失
（ｆ）ELost＝0.17Wをまねき，この場合の維持周波数は
ｆ＝50kHzに等しくなることがわかる。これと比較し
て，エネルギーが回収されない場合には、Cpの充電およ
び放電による通常のエネルギー喪失は，（ｆ）CpVcc2＝
2.5Wになる。第７図の回路の回収効率（先に定義したも
の）は， Eff＝100×（１−（ELost／CpVcc2））＝93％ となり，式中,Cp＝5nFおよびVcc＝100Vである。
要約すると，第７図の実際的な回路モデルは，誘導子の
Ｑが少なくとも80であり，さらにスイッチ出力キャパシ
タンスと「オン」抵抗の間に最適のトレードオフがある
と想定した場合には，新しい維持ドライバーは93％の回
収が可能であることを示している。
製作されたプロトタイプの維持ドライバー回路の回路図
を第９図に示し，さらに全部品の一覧表を第１表に示
す。
第９図に示す製作された回路の波形は，第７図の回路モ
デルから予測された第８図の波形にほとんど完全に一致
することが分かった。
第７図のスイッチS1,S2,S3およびS4は，適切な時間に開
閉して,Cpに流入する電流とCpから流出する電流の流れ
を制御するものとして説明した。第９図のプロトタイプ
回路では，パワーMOSFET（T1,T2,T2,T4）が第７図の理
想スイッチに置き代わっており，実際のドライバーによ
って適切な時間にスイッチングを行って,Cpに流出入す
る電流の流れを制御しなければならない。適切な時間に
T1およびT2のスイッチングを行うには,Viの過渡時にス
イッチングを行うだけで済む。したがって，一つのドラ
イバー（ドライバー１）だけがあればよい。しかし,T3
およびT4のスイッチングにはもっと難しい問題がある。
それは,Viの過渡時のスイッチングに加えて，誘導子の
電流が零となる時に常にスイッチングしなければならな
いためである。Viが過渡状態となり，その後すぐに誘導
子電流が零となると常にV1およびV2が電圧過渡状態とな
るのでなければ,T3およびT4は，第９図の回路に入力を
追加して制御する必要があったであろう。このように,T
3およびT4のスイッチングは,V1およびV2の過渡を用い
て，第９図のドライバー（２および３）を適切な時間に
切り換えることによってなされ，入力の追加は必要では
ない。
MOSFETのスイッチングは，第９図および下記の説明を参
照すれば明らかとなる。Viが上がると，ドライバー１の
出力は「ロー」に切り換わり，さらにT1およびT2のゲー
トは，カップリングコンデンサC91およびC92を介して
「ロー」に駆動される。したがって,T1が「オン」に切
り換わると,T2は「オフ」に換わり，さらに電流は誘導
子に流れ初めて,Cpを充電する。さらにD3は順バイアス
となり，さらにD4は逆バイアスとなる。このため，ドラ
イバー２は，ただちに「ロー」に切り換わり，それによ
ってT4は「オフ」に駆動される。一方，ドライバー３
は,Vpが上がるまでは「ロー」へのスイッチングが遅れ
る。（後に述べるように,R1およびR2は,Vcc電力が最初
に印加される時且つ電圧V1およびV2の変化によってドラ
イバー２および３が切り換わることができるほどVssが
上がる前の最初の起動時にのみ必要である。） 第８図の状態１の最後まで戻って考える。Cpに流入する
誘導子電流が零まで下がった直後に第９図のV2はVssか
らVccに上がり始め，その時点でT3を「オン」に切り換
えて,VpをVccにクランプしなければならないことがわか
る。第９図において,V2が上がると，カップリングコン
デンサC4に電流が流れるために，ドライバー３の入力も
上がる。次にドライバー３の出力は「ロー」に切り換わ
り，さらにT3のゲートは，コンデンサC93を介して「ロ
ー」に駆動される。したがって,T3は「オン」に切り換
わり,VpはVccにクランプされる。
その後,Viが下がると，ドライバー１の出力は「ハイ」
に切り換わり,T1およびT2のゲートは，コンデンサC91お
よびC92を介して「ハイ」に駆動される。したがって,T1
は「オフ」に切り換わり,T2は「オン」に切り換わり，
さらに電流は誘導子に流れ初めて,Cpを放電する。さら
にD4は順バイアスとなり,D3は逆バイアスとなる。この
ため，ドライバー３は，ただちに「ハイ」に切り換わ
り，それによってT3は「オフ」に駆動される一方で，ド
ライバー２は,Vpが下がる後まで「ハイ」へのスイッチ
ングが遅れる。
Cpから流れ出る誘導子電流が零まで下がった（第８図の
状態３の最後のように）直後に,V1がVssからアースレベ
ルに下がり始めると，ドライバー２の入力は，カップリ
ングコンデンサC3のために下がる。その後，ドライバー
２の出力は「ハイ」に切り換わり，さらにT4のゲート
は，「ハイ」に駆動される。したがって,T4は「オン」
に切り換わり,Vpをアースレベルにクランプする。外部
タイミング回路は,T3およびT4を切り換える時を判断す
るのには必要ではないことに注意されたい。なぜなら，
スイッチングは,Vpの立ち上がりあるいは立ち下がり時
間に関係なく，誘導子電流が零となると直ぐに起きるか
らである。このため、インダクタンス（Ｌ）あるいはパ
ネルキャパシタンス（cp）の変動と関係しない単純な回
路構成でよく，これまでに提案された維持ドライバーと
較べて優れた利点である。これはさらに，わずか１つの
入力で回路を駆動することを可能にし，そのため入力が
固定された（「ハイ」あるいは「ロー」）場合には,T3
およびT4を双方同時に「オン」にすることは不可能であ
る。二つが共に「オン」になると，一方あるいは双方の
デバイスが破壊する。
これまでに提案された回路と比較した場合のこの回路の
別の利点は,T1,D1,T2およびD2は，これまでの回路のよ
うに全Vcc電圧ではなく,1/2Vcc電圧だけを必要とすると
である。低電圧スイッチングデバイスは，低い降伏電圧
を必要とし，一般的に製造費用が少なくて済む。この結
果，個別サステイナーの部品費用は安くなり，また集積
サステイナーの集積費用は安くなる。
抵抗器R1およびR2は,Vccの最初のパワーアップ時のよう
に,Vssが非常に低い電圧にある場合に備えて設ける。こ
の場合，電圧V1およびV2は，ドライバー２および３が切
り換わるほど大きく変化することはない。抵抗器を設け
ることによって，ある遅延時間の後にドライバー２およ
び３は切り換わるようになる。この遅延時間は，抵抗器
の値とドライバーの入力キャパシタンスによって決ま
る。
Vssが非常に低い最初のパワーアップ時にドライバー２
および３を切り換える必要がある理由は下記の通りであ
る。Vssが上昇するためには，まず最初に,T3を「オン」
に切り換えて,VpをVccまで上げる必要がある。続いて,T
2が「オン」すると，電流はCpからCssに流れる。T4を後
で「オン」に切り換えると,Vpをアースレベルにクラン
プすることになり,T1が「オン」すると,Cssから流出す
る電流は,VssがVss/2を上回るのを妨げ,Cpの充電および
放電が何度か繰り返された後にVssはVcc/2に安定しはじ
める。このように，パワーアップ時のR1およびR2の働き
によってT3およびT4が「オン」に切り換わらない限り,V
ssは適切な電圧とならない。
供給電圧Vccがパワーアップ時に急激に上昇する場合に
備えて，抵抗器R3を設けて,T3のソース−ゲートキャパ
シタンスを放電する。R3を設けないと,T3のソース−ゲ
ート電圧は,Vccの上昇に伴って閾値を越え，さらにVcc
が上がった後にT3が「オン」すると，そのレベルに留ま
る。この場合,T4が「オン」になると，大きな電流がT3
およびT4に流れ，一方あるいは双方のデバイスを破壊す
る可能性がある。
第９図のプロトタイプ回路の効率を測定する実験装備に
おいて，回路がコンデンサー負荷（Cp）5nFを駆動する
間に，供給電圧（Vcc）および供給電流を正確に測定し
た。この負荷は，周波数ｆ＝50kHz,供給電圧100Vで駆動
した。したがって，この場合に予測される通常の電力消
費は下記のようになる。
PLost＝（Cpを充電するためのエネルギー損失＋Cpを放
電するためのエネルギー損失）×ｆ ＝（1/2CpVcc2＋1/2CpVcc2）×ｆ ＝2.5W 第９図の回路について，測定された供給電流は,2.0mAで
あった。したがって，実際に供給電力から取られドライ
バー内で消費された電力は0.2Wであった。このように，
この回路は,0.2Wを除く通常の損失電力全てを回収し
た。従って，先に定義した回収効率は92％となる。
これと比較して，第７図の回路モデルの解析から予測さ
れる回収効率は93％である。これは，第９図の実際の回
路における電力損失の最も重要な発生源が，第７図のモ
デルにおいて正確に把握されていること，さらにこのモ
デルが実際の回路を確実に表すものであることを示して
いる。
第９図の維持ドライバーは,ISAプラズマパネルの各側に
用いることができる。一例を挙げると，第２図に示す各
維持ドライバーXSA,XSB,YSA,YSBは，第９図の維持ドラ
イバーとすることが可能であり，さらに先に第１〜４図
との関連で説明した開ドレインアドレスドライバーとと
もに用いることができる。
２つの維持ドライバー（その各々は第９図に示したもの
で，コンデンサー負荷を持つ）を試験した後に,1つの維
持ドライバーを,512×512交流プラズマディスプレーパ
ネルの各側に接続した。これらの維持ドライバーは，ピ
クセルが一つも「オン」でない場合には,90％の回収効
率でパネルを駆動することができ，さらに全てのピクセ
ルが「オン」の場合にも，その電力消費は小さく，ヒー
トシンクを必要としないものであった。全てのピクセル
が「オン」になった場合,T1およびT2の電力消費は変化
しなかったが、T3およびT4の電力消費は，放電電流の流
れによるI2Rの損失のために増大した。この電力消費は,
T3およびT4に「オン」抵抗の低いデバイスを用いること
によって低減することができる。
第９図のプロトタイプ維持ドライバー回路の試験におい
て，この回路は，パネルキャパシタンスあるいはコイル
のインダクタンスの大きな変化に関係なく，維持周波数
でパネルを充電および放電し続け，回収効率が高いこと
がわかった。これは，これまでに提案された維持ドライ
バー回路を明らかに凌駕する利点である。
適切に設計された回路においては，パワーMOSFET,すな
わち第９図のT1およびT2の代わりにバイポーラパワート
ランジスターを用いることも可能である。さらに，第９
図の維持ドライバー回路においては，電力消費，したが
って冷却の必要性は大幅に低減されたので，もし全ての
サステイナー電極を単一シリコンチップに経済的に集積
することが出来るならば，全サステイナーを１つのヒー
トシンクを備えた単一ケースにパッケージすることがで
きる。
第10図を参照されたい。抵抗器あるいはコンデンサーを
必要としない，本発明による集積された電力効率のよい
維持ドライバー回路を図示してある。第10図の回路にお
いては,T1およびT2はレベルシフターによって直接に駆
動され,T3はCMOSドライバーDr1から直接に駆動され，さ
らにT4はCMOSドライバーDr2から直接に駆動される。Css
1,Css2および誘導子を集積から除外すると，集積回路
は，全て能動部品から構成されることになる。したがっ
て，必要なシリコン面積は最小限に抑えられる。
この回路の動作は，基本的には第９図の回路と同じであ
る。先の場合と同様に,T1およびT2は,Lを介してCpの充
電および放電を行い，さらにT3およびT4は，それぞれVp
をVccとアースレベルにクランプする。相違点は，ゲー
ト駆動回路Dr1,Dr2,ならびにレベルシフターにあり，さ
らにCsslを付加したことにある。
Css1およびCss2は分圧器を形成し,Css1＝Css2である。
したがって，パワーアップ時にVccが上がり始めると,Vs
sはVcc/2で上がる。その後,VssがMOSFETの閾値を上回る
と,VssはVcc/2に維持される。
レベルシフターは，セットリセットラッチであり，その
出力はVccあるいはアースレベルのいずれかである。Vi
が「ハイ」に切り換えると，レベルシフターの出力はア
ースレベルに下がり，さらに−VssをT1およびT2の双方
のゲート−ソースにくわえる。これによって,T1は「オ
ン」に，かつT2は「オフ」に切り換わる。つぎにDr2へ
の入力はVssとなり,Dr2の出力はアースレベルまで下が
り，さらにT4は「オフ」に切り換わる。その後，ILが零
まで下がり，続いて逆向きになると,Dr1への入力はVss
からVccに上がり,T3のゲートはDr1によってVssまでプル
ダウンさら，さらにT3は「オン」に切り換わる。したが
って,Vpは,Viが「ハイ」に切り換わると,Vccまで駆動さ
れる。
Viが「ロー」に切り換わると，レベルシフターの出力は
Vccまで上がり，さらにVssをT1およびT2の双方のゲート
−ソースに印加する。これによって,T1は「オフ」に，
かつT2は「オン」に切り換わる。次に,Dr1への入力はVs
sとなり,Dr1の出力はVccまで上がり，さらにT3は「オ
フ」になる。後に，ILが零まで下がり，それから逆向き
になると,Dr2への入力は,Vssからアースレベルまで降下
する。つぎにT4のゲートはDr2によってVssまで駆動さ
れ,T4は「オン」になる。
XAPおよびYAPのアドレスパルス発生器は，先に維持ドラ
イバー回路に関連して説明したエネルギー回収技術を用
いても設計することができる。一例として，第11図から
第14図を参照する。第11図は，パルス電極に出力ターミ
ナルで接続したXAPアドレスパルス発生器を示す。第12
図は，スイッチS1およびS4を開閉して各スイッチング状
態を順に発生させる場合の，出力電圧および誘導子電流
の波形（維持ドライバーに関する第５図および第６図と
似たもの）を示す。第12図の出力電圧波形は，第３図お
よび第４図の望ましいXAP波形にと同じ形の正の二重パ
ルスである。第５図のスイッチS2は，第11図のXAP発生
器では取り除いてあることに注意されたい。なぜなら，
ダイオードD3が，第５図および第６図のダイオードD2お
よびスイッチS2に取つて代わる。
第13図はYAP発生器を示し，第14図は，各スイッチング
状態に対応する波形を示す。コンデンサーCD，および出
力ターミナルに接続される出力キャパシタンスは，回路
に供給される電圧Vccの分圧器の働きをする。書き込み
パルスが必要な場合には（第14図参照），スイッチS5を
閉じてコンデンサCDを短絡し，全振幅書き込みパルスを
パネルに印加する。消去パルスが必要な場合には，スイ
ッチS3を開いて，低振幅の消去パルスをパネルに印加す
る。
必要ならば,ISAパネルは，先に説明したYAPおよびYAPア
ドレスドライバー回路技術に似通った技術を用いて,Nチ
ャネルMOSFETアドレスドライバーを一方の軸に，またＰ
チャネルMOSFETアドレスドライバーを他方の軸に用いる
ことができる。例えば,NチャネルMOSFETドライバーを備
えたYAPアドレスパルス発生器は，第３図のYAPパルスの
負のパルスに類似したパルスを用いて使用することがで
きる。XAPアドレスパルス発生器については,PチャネルM
OSFETドライバーは，第４図の拡大図に示す２つの二重X
APパルスの間の幅に等しいパルス幅をもつ，正の単一パ
ルスを用いることができる。
以上の詳細な説明は，明確な理解をうるためにのみ意図
されたものであり，当業者においては変更は容易である
と思われるので，この説明から不必要な制限を解釈すべ
きではない。
【図面の簡単な説明】
第1a,1b,1c図は，アドレス回路ドライバーを説明するの
に有用なスイッチデバイスの略図である。 第２図は，本発明の一態様による開−ドレインアドレス
ドライバーおよび維持ドライバーを備えたプラズマパネ
ルの平面図である。 第３図は，第２図の動作を理解するのに有用な波形図で
ある。 第４図は，第３図の「第４図を参照」と標識された部分
の拡大波形図である。 第５図は，本発明による新しい維持ドライバーの理想的
なモデルを示す略回路図である。第６図は，第５図の動
作を理解するのに有用な波形図である。 第７図は，本発明による新しい維持ドライバーの実際の
回路モデルを示す略回路図である。 第８図は，第７図および第９図の動作を理解するのに有
用な波形図である。 第９および9a図は，本発明による新しい維持ドライバー
の組み立て態様を示す略回路図である。 第10図は，集積回路設計による新しい維持ドライバーの
略回路図である。 第11図は，本発明によるエネルギー回収技術を取り入れ
たXAPアドレスパルスドライバーの略回路図である。 第12図は，第11図の動作を理解するのに有用な波形図で
ある。 第13図は，本発明によるエネルギー回収技術を取り入れ
たYAPアドレスパルスドライバーの略回路図である。 第14図は，第13図の動作を理解するのに有用な波形図で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マーク ビー．ウツド アメリカ合衆国 84087 ユタ ウツズ クロス サウス 500 ウエスト 680 (56)参考文献 特開 昭50−98731（ＪＰ，Ａ) 特公 昭56−51621（ＪＰ，Ｂ２)

Claims (41)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】交流プラズマパネルのＸおよびＹ次元アド
    レス電極のそれぞれのアレーのそれぞれのアドレス電極
    の交差によって定まるセルをアドレスするためのアドレ
    ス装置で、 一極性の高レベルパルスを一次元アレーの複数のアドレ
    ス電極に印加する手段、 プラズマパネルに取り入れる望みの情報に従い、前記複
    数のアドレス電極の非選択アドレス電極の選択的放電を
    行い、前記複数のアドレス電極の選択アドレス電極の前
    記一極性の高レベルを維持する手段、および 前記選択アドレス電極に於けるセルの放電のために前記
    非選択アドレス電極の選択的放電が行われた後に、反対
    の極性の高レベルパルスをもう一方の次元アレーの対応
    するアドレス電極に印加し、望みの情報をプラズマパネ
    ルに入れる手段を含むもの。
  2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項のアドレス装置で、
    反対の極性の前述の高レベルパルスが終わった後に、前
    述の一極性の第２の高レベルパルスを前述の一次元アレ
    ーの前述のアドレス電極に印加し、前述のアドレス電極
    の前述の一極性の前述の高レベルから前述の低レベルへ
    の制御可能な放電を可能とする手段を含むもの。
  3. 【請求項３】交流プラズマパネルのＸおよびＹ次元アド
    レス電極のそれぞれのアレーのそれぞれのアドレス電極
    の交差によって定まるセルをアドレスするためのアドレ
    ス装置で、 一次元アレーの複数のアドレス電極を一極性の高レベル
    に充電する手段、 プラズマパネルに取り入れる望みの情報に従い、前記充
    電された非選択アドレス電極の選択的放電を行い、前記
    複数のアドレス電極の充電された選択アドレス電極の前
    記一極性の高レベルを維持する手段、および 前記充電された選択アドレス電極に於けるセルの放電の
    ために前記充電された非選択アドレス電極の選択的放電
    が行われた後に、反対の極性の高レベルパルスをもう一
    方の次元アレーの対応するアドレス電極に印加し、望み
    の情報をプラズマパネルに入れる手段を含むもの。
  4. 【請求項４】特許請求の範囲第３項のアドレス装置で、
    一次元アレーの複数のアドレス電極を充電するための前
    述の手段が、前述の一極性の高レベルパルスを前述の複
    数のアドレス電極に印加する手段を含むもの。
  5. 【請求項５】特許請求の範囲第３項のアドレス装置で、
    前述の望みの情報をプラズマパネルに入れた後に、前述
    の一極性の高レベルパルスを一次元アレーの前述の複数
    のアドレス電極に印加することによって、前述の充電さ
    れた選択アドレス電極の前述の一極性の高レベルから前
    述の低レベルへの制御可能な放電を可能とする手段を含
    むもの。
  6. 【請求項６】特許請求の範囲第５項のアドレス装置で、
    一次元アレーの複数のアドレス電極を充電するための前
    述の手段が、前述の一極性の高レベルパルスを前述の複
    数のアドレス電極に印加するための手段を含むもの。
  7. 【請求項７】交流プラズマパネルのＸおよびＹ次元アド
    レス電極のそれぞれのアレーのそれぞれのアドレス電極
    の交差によって定まるアドレスセルをアドレスするため
    のアドレス方法で、 一次元アレーの複数のアドレス電極を一極性の高レベル
    に充電すること、 プラズマパネルに取り入れる望みの情報に従い、前記複
    数の選択された充電アドレス電極を放電させることな
    く、前記複数のアドレス電極の選択されない充電電極を
    選択的放電を行うこと、および 反対の極性の高レベル電荷をもう一方の次元アレーの対
    応するアドレス電極に印加することによって、前記複数
    の選択された充電アドレス電極のアドレスセルを放電
    し、望みの情報をプラズマパネルに入れることを含むも
    の。
  8. 【請求項８】特許請求の範囲第７項の方法で、前述の充
    電が、前述の一極性の高レベルパルスを一次元アレーの
    前述の複数のアドレス電極に印加することを含むもの。
  9. 【請求項９】特許請求の範囲第７項の方法で、前述の望
    みの情報をプラズマパネルに入れた後に、前述の一極性
    の高レベルパルスを一次元アレーの前述の複数のアドレ
    ス電極に印加することによって、前述の充電アドレス電
    極の制御可能な放電を可能とするステップをさらに含む
    もの。
  10. 【請求項１０】特許請求の範囲第９項の方法で、前述の
    充電が、前述の一極性の第一の高レベルパルスを一次元
    アレーの前述の複数のアドレス電極に印加することを含
    むもの。
  11. 【請求項１１】各々のＸ及びＹ次元アレーのそれぞれの
    アドレス電極の交差により規定されるアドレス画素のア
    ドレス装置で、 一極性の高レベルパルスを前述の一次元アレーのアドレ
    ス電極に印加するための手段と、 表示パネルに取り入れる望みの情報に従い、選択された
    アドレス電極を放電させることなく、選択されない充電
    電極を選択的放電を行う手段と、 前記選択アドレス電極の放電の後に、反対の極性の高レ
    ベルパルスをもう一方の次元アレーの対応するアドレス
    電極に印加し、望みの情報をディスプレーパネルに入れ
    る手段を含むもの。
  12. 【請求項１２】特許請求の範囲第11項のアドレス装置
    で、前記反対の極性の高レベルパルスの終了後に、第２
    の一極性の高レベルパルスを前記一次元アレーの前述の
    アドレス電極に印加することによって、前述の選択アド
    レス電極の制御可能な放電を可能とする手段を含むも
    の。
  13. 【請求項１３】ディスプレーパネルのＸおよびＹ次元ア
    ドレス電極のそれぞれのアレーのそれぞれのアドレス電
    極の交差によって定まるアドレス画素をアドレスするた
    めのアドレス装置で、 一次元アレーのアドレス電極を一極性の高レベルに充電
    する手段、 ディスプレーパネルに取り入れる望みの情報に従い、充
    電された非選択アドレス電極の選択的放電を行い、前記
    充電された選択アドレス電極の前記一極性の高レベルを
    維持する手段、および 前記充電された非選択アドレス電極の選択的放電の後
    に、反対の極性の高レベルパルスをもう一方の次元アレ
    ーの対応するアドレス電極に印加し、望みの情報を表示
    マパネルに入れる手段を含むもの。
  14. 【請求項１４】特許請求の範囲第13項のアドレス装置
    で、前述の望みの情報をディスプレーパネルに入れた後
    に、前述の一極性の高レベルパルスを一次元アレーの前
    述のアドレス電極に印加することによって、前述の充電
    された選択アドレス電極の前述の一極性の高レベルから
    前述の低レベルへの制御可能な放電を可能とする手段を
    含むもの。
  15. 【請求項１５】ディスプレーパネルのＸおよびＹ次元ア
    ドレス電極のそれぞれのアレーのそれぞれのアドレス電
    極の交差によって定まるアドレスセルをアドレスするた
    めのアドレス方法で、 一次元アレーのアドレス電極を一極性の高レベルに充電
    すること、 ディスプレーパネルに取り入れる望みの情報に従い、選
    択された充電アドレス電極ではなく非選択アドレス電極
    を選択的に放電させること、および 前記選択的放電の後に、反対の極性の高レベル電荷をも
    う一方の次元アレーの対応するアドレス電極に印加する
    ことによって、望みの情報をディスプレーパネルに入れ
    ることを含むもの。
  16. 【請求項１６】特許請求の範囲第15項の方法で、前述の
    望みの情報をディスプレーパネルに入れた後に、前述の
    一極性の高レベルパルスを一次元アレーの前述のアドレ
    ス電極に印加することによって、前述の充電アドレス電
    極の制御可能な放電を可能とするステップをさらに含む
    もの。
  17. 【請求項１７】ディスプレーパネルで、 Ｘ次元電極のアレー、 対応するＸアドレス電極及びＹアドレス電極の交差がそ
    れぞれの画素を規定するＹ次元電極の交差するアレー、 アドレスサイクルの間に、アドレス信号をＸ及びＹアド
    レス電極に印加して少なくとも一の画素を活性化する手
    段、 前述のアドレス手段は、前述のＸあるいはＹ次元アレー
    のアドレス電極を一極性の高レベルに充電する手段を含
    むものであり、 ディスプレーパネルに取り入れる望みの情報に従い、選
    択された充電アドレス電極ではなく非選択アドレス電極
    を選択的に放電させる手段、および 前記選択的放電の後に、反対の極性の高レベルパルスを
    もう一方の前述のＸ又はＹ次元アレーのアドレス電極に
    印加し、望みの情報をプラズマパネルに入れるもの、を
    含むもの。
  18. 【請求項１８】特許請求の範囲第17項のディスプレーパ
    ネルで、前述の望みの情報をディスプレーパネルに入れ
    た後に、前述のアドレス電極の前述の一極性の前述の高
    レベルからの制御可能な放電を可能とする手段を含むも
    の。
  19. 【請求項１９】交流プラズマパネルで、 Ｘ次元電極のアレー 交差するＹ次元電極のアレーで、それぞれのＸおよびＹ
    電極の交差がガス放電セルを定めるもの、信号を選択さ
    れたＸおよびＹアドレス電極に印加し、少なくとも一つ
    のガス放電セルを放電するアドレス手段を含み、 前述のアドレス手段は、前述のＸあるいはＹ次元アレー
    の１以上のアドレス電極を一極性の高レベルに充電する
    手段を含むものであり、 さらに、プラズマパネルに取り入れる望みの情報に従
    い、選択されたアドレス電極ではなく非選択アドレス電
    極の選択的放電を行って、前述の充電された選択アドレ
    ス電極の一極性の高レベルを維持する手段、および 前述の一つのＸあるいはＹ次元アレーの前述のアドレス
    電極において、前記選択的放電の後に、反対の極性の高
    レベルパルスをもう一方の前述のＸあるいはＹ次元アレ
    ーの関連するアドレス電極に印加し、前述の一つのガス
    放電セルを放電し、望みの情報をプラズマパネルに入れ
    るもの、を含むもの。
  20. 【請求項２０】特許請求の範囲第19項の交流プラズマパ
    ネルで、前述の望みの情報をプラズマパネルに入れた後
    に、前述のアドレス電極の前述の一極性の前述の高レベ
    ルから前述の低レベルへの制御可能な放電を可能とする
    手段を含むもの。
  21. 【請求項２１】パネル電極および対応するパネルキャパ
    シタンス持つディスプレーパネルに於いて、前記ディス
    プレーパネルを前記パネル電極に結合した誘導子を介し
    て駆動するためのエネルギー効率の高い方法で、 最初に、誘導子の電流の大きさが最大に達するまでの前
    述の誘導子内にエネルギーを蓄え、さらに第２に、誘導
    子の電流が零に達するまで蓄えたエネルギーを前述の誘
    導子から放出して、前述の誘導子を介してパネルキャパ
    シタンスを充電すること、および 最初に、誘導子の電流の大きさか最大に達するまで前述
    の誘導子内にエネルギーを蓄え、さらに第２に、誘導子
    の電流が零に達するまで蓄えたエネルギーを前述の誘導
    子から放出して、前述の誘導子を介してパネルキャパシ
    タンスを放電すること、を含むもの。
  22. 【請求項２２】特許請求の範囲第21項の方法で、パネル
    キャパシタンスの充電は、充電後にパネルキャパシタン
    スが達する電圧レベルの約1/2の大きさのフォーシング
    電圧を印加することを含むもの。
  23. 【請求項２３】特許請求の範囲第22項の方法で、パネル
    キャパシタンスの放電は、充電後にパネルキャパシタン
    スが達する電圧レベルの約1/2の大きさのフォーシング
    電圧を印加することを含むもの。
  24. 【請求項２４】特許請求の範囲第21項の方法で、パネル
    キャパシタンスの放電後、再びパネルキャパシタンスを
    充電する前に、パネルキャパシタンスを放電された状態
    に維持することを含むもの。
  25. 【請求項２５】特許請求の範囲第21項の方法で、パネル
    キャパシタンスの充電後、パネルキャパシタンスを放電
    する前に、パネルキャパシタンスを充電された状態に維
    持すること、およびパネルキャパシタンスの放電後、再
    びパネルキャパシタンスを充電する前に、パネルキャパ
    シタンスを放電された状態に維持する手段を含むもの。
  26. 【請求項２６】特許請求の範囲第25項の方法で、パネル
    キャパシタンスの充電された状態の維持は、パネルキャ
    パシタンスの充電時に、誘導子電流が零に達するとパネ
    ルキャパシタンスの電圧レベルをクランプすることを含
    み、さらにパネルキャパシタンスの放電された状態の維
    持は、誘導子電流が零に達するとパネルキャパシタンス
    の電圧レベルをクランプすることを含むもの。
  27. 【請求項２７】パネル電極およびパネルキャパシタン
    ス、パネル電極に結合した誘導子、および誘導子を介し
    てディスプレーパネルを駆動させる誘導子に結合したド
    ライバー回路を持つディスプレーパネルで、このドライ
    バー回路は、 前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを充電する
    手段で、最初に、誘導子の電流の大きさが最大に達する
    まで前述の誘導子内にエネルギーを蓄え、さらに第２
    に、誘導子の電流が零に達するまで蓄えたエネルギーを
    前述の誘導子から放出するもの、および 前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを放電する
    手段で、最初に、誘導子の電流の大きさか最大に達する
    まで前述の誘導子内にエネルギーを蓄え、さらに第２
    に、誘導子の電流が零に達するまで蓄えたエネルギーを
    前述の誘導子から放出するものを含むもの。
  28. 【請求項２８】特許請求の範囲第27項のディスプレーパ
    ネルで、パネルキャパシタンスを充電するための前述の
    手段は、充電後にパネルキャパシタンスが達する電圧レ
    ベルの約1/2の大きさのフォーシング電圧を印加する手
    段を含むもの。
  29. 【請求項２９】特許請求の範囲第28項のディスプレーパ
    ネルで、パネルキャパシタンスを放電するための前述の
    手段は、充電後にパネルキャパシタンスが達する電圧レ
    ベルの約1/2の大きさのフォーシング電圧を印加する手
    段を含むもの。
  30. 【請求項３０】特許請求の範囲第27項のディスプレーパ
    ネルで、誘導子の電流が零に達した後、再びパネルキャ
    パシタンスを充電する前に、パネルキャパシタンスを放
    電された状態に維持する手段を含むもの。
  31. 【請求項３１】特許請求の範囲第27項のディスプレーパ
    ネルで、パネルキャパシタンスの充電後、放電する前
    に、パネルキャパシタンスを充電された状態に維持する
    手段、およびパネルキャパシタンスの放電後、再び充電
    される前に、パネルキャパシタンスを放電された状態に
    維持する手段を含むもの。
  32. 【請求項３２】特許請求の範囲第31項のディスプレーパ
    ネルで、パネルキャパシタンスを充電された状態に維持
    する前述の手段は、パネルキャパシタンスの充電時に、
    誘導子電流が零に達するとパネルキャパシタンスの電圧
    レベルを充電する手段を含み、さらにパネルキャパシタ
    ンスを放電された状態に維持するための前述の手段が、
    パネルキャパシタンスの放電の際に誘導子電流が零に達
    するとパネルキャパシタンスの電圧レベルをクランプす
    るための手段を含むもの。
  33. 【請求項３３】ディスプレーパネルで、パネル電極およ
    びパネルキャパシタンス、および前述のディスプレーパ
    ネルを駆動するパネル電極に結合したエネルギー回収維
    持回路を持ち、前述のエネルギー回収維持回路は、 前述のパネル電極に結合した誘導子で、パネルキャパシ
    タンスを充電および放電するもの、 前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを充電する
    ための手段で、最初に、誘導子電流の大きさが最大に達
    するまで、前述の誘導子内にエネルギーを蓄え、第２
    に、誘導子電流が零に達するまで蓄えたエネルギーを前
    述の誘導子から放出するもの、 パネルキャパシタンスの充電時に、誘導子電流か零に達
    すると前述のパネルキャパシタンスの電圧レベルをクラ
    ンプするための第１の手段、 前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを放電する
    ための手段で、最初に、誘導電流の大きさが最大に達す
    るまで前述の誘導子内にエネルギーを蓄え、第２に、誘
    導子電流が零に達するまで蓄えられたエネルギーを前述
    の誘導子から放出するもの、 パネルキャパシタンスの放電時に、誘導子電流が零に達
    するとパネルキャパシタンスの電圧レベルをクランプす
    る第２の手段を含むもの。
  34. 【請求項３４】特許請求の範囲第33項のディスプレーパ
    ネルで、前述の第１および第２のクランプ手段は、誘導
    子電流が零に達するのに応答して前述の誘導子あるいは
    前述のパネルキャパシタンスの値の変化とは関係なく前
    述のクランプをもたらす手段を含むもの。
  35. 【請求項３５】パネル電極およびパネルキャパシタンス
    を有するディスプレーパネルを駆動するエネルギー効率
    の高いドライバー回路で、 前述のパネル電極に結合し、パネルキャパシタンスの充
    電および放電を行う誘導子、 前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを充電する
    ための手段で、最初に、誘導子電流の大きさが最大に達
    するまで、前述の誘導子内にエネルギーを蓄え、第２
    に、誘導子電流が零に達するまで蓄えたエネルギーを前
    述の誘導子から放出するもの、および 前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを放電する
    ための手段で、最初に、誘導電流の大きさが最大に達す
    るまで前述の誘導子内にエネルギーを蓄え、第２に、誘
    導子電流が零に達するまで蓄えられたエネルギーを前述
    の誘導子から放出するものを含むもの。
  36. 【請求項３６】パネル電極およびパネルキャパシタンス
    を有するディスプレーパネルを駆動するエネルギー効率
    の高い維持回路で、 前述のパネル電極に結合し、パネルキャパシタンスの充
    電および放電を行う誘導子、 前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを充電する
    ための手段で、最初に、誘導子電流の大きさが最大に達
    するまで、前述の誘導子内にエネルギーを蓄え、第２
    に、誘導子電流が零に達するまで蓄えたエネルギーを前
    述の誘導子から放出するもの、および パネルキャパシタンスの充電時に、誘導子電流が零に達
    するとパネルキャパシタンスの電圧レベルをクランプす
    るための第１の手段、 前述の誘導子を介してパネルキャパシタンスを放電する
    ための手段で、最初に、誘導電流の大きさが最大に達す
    るまで前述の誘導子内にエネルギーを蓄え、第２に、誘
    導子電流が零に達するまで蓄えられたエネルギーを前述
    の誘導子から放出するもの、および パネルキャパシタンスの放電時に、誘導子電流が零に達
    するとパネルキャパシタンスの電圧レベルをクランプす
    る第２の手段を含むもの。
  37. 【請求項３７】特許請求の範囲第36項のエネルギー効率
    の高い維持回路で、前述の第１および第２のクランプ手
    段は、誘導子電流が零に達するのに応答して前述の誘導
    子あるいは前述のパネルキャパシタンスの値の変化とは
    関係なく前述のクランプをもたらす手段を含むもの。
  38. 【請求項３８】パネル電極およびパネルキャパシタンス
    を有するディスプレーパネルを駆動するためのエネルギ
    ー効率の高いドライバー回路で、前述のドライバー回路
    は、 前述のパネル電極に結合し、前述のパネルキャパシタン
    スを望みの大きさの電圧レベルに充電し、また望みの大
    きさの電圧レベルから放電する誘導子、 前述の誘導子に結合した第１のスイッチ手段で、前述の
    誘導子を介して前述のパネルキャパシタンスを、第一の
    電圧レベルから、（ａ）前述の誘導子にエネルギーを蓄
    える際に、最初に望みの電圧レベルの大きさの約1/2に
    あたる中間の電圧レベルの大きさに充電させ、さらに
    （ｂ）それから、前述の誘導子から前述の蓄えられたエ
    ネルギーを放出しながら、前述の望みの電圧レベルの大
    きさまで充電させるもの、 前述の誘導子に結合した第２のスイッチ手段で、前述の
    誘導子を介して前述のパネルキャパシタンスを、前述の
    望みの電圧レベルの大きさから、（ａ）前述の誘導子に
    エネルギーを蓄える際に、まず望みの電圧レベルの大き
    さの約1/2にあたる中間の電圧レベルの大きさまで放電
    させ、さらに（ｂ）それから、前述の誘導子から前述の
    蓄えられたエネルギーを放出しながら、前述の最初の電
    圧レベルの大きさまで放電する手段を含むもの。
  39. 【請求項３９】特許請求の範囲第38項のエネルギー効率
    の高いドライバーで、パネルキャパシタンスの電圧レベ
    ルをクランプし、パネルキャパシタンスが再び充電され
    るまでパネルキャパシタンスを放電された状態に維持す
    るための、前述の誘導子に結合された第３のスイッチ手
    段を有するもの。
  40. 【請求項４０】特許請求の範囲第38項のエネルギー効率
    の高いドライバーで、前述のパネルキャパシタンスの充
    電後に、パネルキャパシタンスの電圧を前述の望みの電
    圧レベルの大きさにクランプするための、前述の誘導子
    に結合された第３のスイッチ手段、および前述のパネル
    キャパシタンスの放電後に、パネルキャパシタンスの電
    圧を前述の第１の電圧レベルの大きさにクランプするた
    めの、前述の誘導子に結合された第４のスイッチ手段を
    含むもの。
  41. 【請求項４１】特許請求の範囲第40項のエネルギー効率
    の高いドライバーで、前述の第３のスイッチ手段および
    前述の第４のスイッチ手段はそれぞれ、前述の蓄えられ
    たエネルギーを前述の誘導子からの放出の終了に応答し
    て前述の誘導子あるいは前述のパネルキャパシタンスの
    値の変化には関係なく前述のそれぞれのクランプを行う
    手段を有するもの。
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