JPS63103031A - レ−ザ−ウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生方法とウラン原子蒸気発生装置及び金属ウランタ−ゲツト体 - Google Patents
レ−ザ−ウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生方法とウラン原子蒸気発生装置及び金属ウランタ−ゲツト体Info
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- JPS63103031A JPS63103031A JP24824086A JP24824086A JPS63103031A JP S63103031 A JPS63103031 A JP S63103031A JP 24824086 A JP24824086 A JP 24824086A JP 24824086 A JP24824086 A JP 24824086A JP S63103031 A JPS63103031 A JP S63103031A
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分前)
本発明は、レーザー光を用いてウラン同位体を選択励起
することにより、ウラン同位体の濃縮を行−う所謂レー
ザーウラン濃縮に使用されるものであり、高密度なウラ
ン原子蒸気流をレーザーによる選択励起に最適な形状で
、しかも連続的に安定して発生できるようにしたレーザ
ーウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生方法と、それに使
用する装置並びに金属ウランターゲット体に関するもの
である。
することにより、ウラン同位体の濃縮を行−う所謂レー
ザーウラン濃縮に使用されるものであり、高密度なウラ
ン原子蒸気流をレーザーによる選択励起に最適な形状で
、しかも連続的に安定して発生できるようにしたレーザ
ーウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生方法と、それに使
用する装置並びに金属ウランターゲット体に関するもの
である。
(従来の技術)
所謂レーザーウラン濃縮を効率よく行なうためにはウラ
ン原子蒸気流(ウラン金属蒸気流)が必要であり、且つ
ウラン同位元素にレーザーエネルギーを十分に吸収せし
めてこれを確実に選択励起するためには、発生した前記
ウラン原子蒸気流が高密度で、しかもその形態が選択励
起用のレーザー光の進行方向に充分に長い寸法を有する
矩形断面の壁体状であることが望ましい。
ン原子蒸気流(ウラン金属蒸気流)が必要であり、且つ
ウラン同位元素にレーザーエネルギーを十分に吸収せし
めてこれを確実に選択励起するためには、発生した前記
ウラン原子蒸気流が高密度で、しかもその形態が選択励
起用のレーザー光の進行方向に充分に長い寸法を有する
矩形断面の壁体状であることが望ましい。
ところで、ウラン原子蒸気流の発生のためには金属ウラ
ンを2000’C以上の高温溶融状態にする必要がある
。しかし、このような高温溶融状態の金属ウラン(融点
1500’C)を通常の加熱炉で生成する場合には、溶
融金属ウランが大変反応性に富むため、タングステンや
タンタル等の高融点の炉壁を形成する物質と容易に化合
又は合金化する。
ンを2000’C以上の高温溶融状態にする必要がある
。しかし、このような高温溶融状態の金属ウラン(融点
1500’C)を通常の加熱炉で生成する場合には、溶
融金属ウランが大変反応性に富むため、タングステンや
タンタル等の高融点の炉壁を形成する物質と容易に化合
又は合金化する。
その結果、炉材料の融点を溶融金属ウランと同程度の融
点にまで著しく下げてしまい、炉壁の破壊を引き起こす
ことになる。
点にまで著しく下げてしまい、炉壁の破壊を引き起こす
ことになる。
従って、この種金属ウラン蒸気流の発生炉としては、電
子ビームによって金属ウランを局所的に加熱すると共に
、炉壁を強制的に水冷して炉の破壊を防止するようにし
た電子ビーム加熱炉が従来から使用されている。
子ビームによって金属ウランを局所的に加熱すると共に
、炉壁を強制的に水冷して炉の破壊を防止するようにし
た電子ビーム加熱炉が従来から使用されている。
しかし、金属ウラン蒸気流の蒸気圧を高めようとすpば
、局所的にしろ2300’に以上の高温に加熱する必1
要があり、加熱に要するエネルギーの殆んどが熱伝導や
輻射によって失なわれ、エネルギー効率(電気効率)が
極めて悪いという難点がある。
、局所的にしろ2300’に以上の高温に加熱する必1
要があり、加熱に要するエネルギーの殆んどが熱伝導や
輻射によって失なわれ、エネルギー効率(電気効率)が
極めて悪いという難点がある。
また、熱伝導を抑制すると炉壁との界面の温度が上昇す
るため、炉壁と溶融ウランとの反応を皆無にすることは
不可能であり、炉の寿命が著しく短かくなぁという問題
がある。
るため、炉壁と溶融ウランとの反応を皆無にすることは
不可能であり、炉の寿命が著しく短かくなぁという問題
がある。
更に、電子ビーム発生部と蒸発源を空間的に大きく切離
した構造には出来ないので、ウラン蒸気にさらされるこ
とやイオンスパッタリングなどのために、電子ビーム源
の寿命が問題となる。
した構造には出来ないので、ウラン蒸気にさらされるこ
とやイオンスパッタリングなどのために、電子ビーム源
の寿命が問題となる。
一方、選択励起用のレーザーエネルギーの吸収性を高め
るためには、ウラン原子蒸気流の密度即ち蒸気圧を高め
ると共に前述の如き壁体状の蒸気流を発生する必要があ
り、そのためには電子ビーム自体の電流密度を高めると
共に、矩形断面の電子ビームを投射するか、若しくは円
形の小さなビームスポットを線上に掃引するようにしな
ければならない。
るためには、ウラン原子蒸気流の密度即ち蒸気圧を高め
ると共に前述の如き壁体状の蒸気流を発生する必要があ
り、そのためには電子ビーム自体の電流密度を高めると
共に、矩形断面の電子ビームを投射するか、若しくは円
形の小さなビームスポットを線上に掃引するようにしな
ければならない。
しかし、高エネルギーの電子ビーム(10−30K e
V)の電流密度を高めようとすると、電子ビームと発
生蒸気との相互作用によりプラズマが発生してしまうた
め、蒸気圧を十分に高められないという問題がある。
V)の電流密度を高めようとすると、電子ビームと発
生蒸気との相互作用によりプラズマが発生してしまうた
め、蒸気圧を十分に高められないという問題がある。
また、矩形断面の電子ビームを投射する場合には、電子
ビームの線状の集束を得ることが電子ビーム内の静電ク
ーロン力により一般に著しく困難なうえ、電子ビーム流
を曲げるためには広い体積に亘り磁界を必要とするため
、ウランの選択励起を乱すという問題がある。
ビームの線状の集束を得ることが電子ビーム内の静電ク
ーロン力により一般に著しく困難なうえ、電子ビーム流
を曲げるためには広い体積に亘り磁界を必要とするため
、ウランの選択励起を乱すという問題がある。
更に、電子ビームスポットを掃引する場合には、広範囲
に亘る電磁界をかけて掃引する必要があるため、集束精
度及び上述の選択励起への影響が問題となる。
に亘る電磁界をかけて掃引する必要があるため、集束精
度及び上述の選択励起への影響が問題となる。
上述の如く、従前の電子ビーム加熱炉に於いては、高密
度で且つ矩形断面を有する金属ウラン蒸気流が簡単に得
られず、選択励起用のレーザーエネルギーの吸収性が悪
いという難点がある。
度で且つ矩形断面を有する金属ウラン蒸気流が簡単に得
られず、選択励起用のレーザーエネルギーの吸収性が悪
いという難点がある。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、従前のレーザーウラン濃縮用のウラン原子蒸
気発生装置に於ける上述の如き問題、即ち■加熱炉のエ
ネルギー効率(電気効率)が極めて悪いこと、■炉の寿
命や電子ビーム発生部の寿命が著しく短かいこと、■金
属ウラン蒸気流の蒸気圧を高めることが困難で、且つ■
矩形断面を有する蒸気流の発生が困難なため、選択励起
用のレーザーエネルギーの吸収率を高め難いこと等の間
通を解決し、高密度なウラン原子蒸気流を所望の蒸気流
形態で連続的に安定して効率よく発生できると共に、耐
用年数の大幅な延伸を可能としたレーザーウラン濃縮用
のウラン原子蒸気発生方法とそれに使用する装置及び金
属ウランターゲット体の提供を目的とするものである0 (問題点を解決するための手段) 本件第1発明は、金属ウランターゲット体へiRルスレ
ーザー光を集束照射し、該パルスレーザ−光の集束点を
掃引又は固定して前記金属ウランターゲット体の一定面
積範囲内を加熱することを発明の基本構成とするもので
ある0 本件第2発明は、加熱用パルスレーザ−の照射口と選択
励起用レーザーの照射口を備えた減圧チャンバーと、前
記減圧チャンバー内に配設した金属ウラン体と、該金属
ウラン体の外表面へパルスレーザ−光を集光照射してそ
の外表面の一定範囲を加熱するレーザー集光照射装置と
を発明の基本構成とするものである。゛ 本件第3発明は、レーザー光に対する吸収の少ない薄膜
に金属ウラン層を積層固着したことを発明の基本構成と
するものである。
気発生装置に於ける上述の如き問題、即ち■加熱炉のエ
ネルギー効率(電気効率)が極めて悪いこと、■炉の寿
命や電子ビーム発生部の寿命が著しく短かいこと、■金
属ウラン蒸気流の蒸気圧を高めることが困難で、且つ■
矩形断面を有する蒸気流の発生が困難なため、選択励起
用のレーザーエネルギーの吸収率を高め難いこと等の間
通を解決し、高密度なウラン原子蒸気流を所望の蒸気流
形態で連続的に安定して効率よく発生できると共に、耐
用年数の大幅な延伸を可能としたレーザーウラン濃縮用
のウラン原子蒸気発生方法とそれに使用する装置及び金
属ウランターゲット体の提供を目的とするものである0 (問題点を解決するための手段) 本件第1発明は、金属ウランターゲット体へiRルスレ
ーザー光を集束照射し、該パルスレーザ−光の集束点を
掃引又は固定して前記金属ウランターゲット体の一定面
積範囲内を加熱することを発明の基本構成とするもので
ある0 本件第2発明は、加熱用パルスレーザ−の照射口と選択
励起用レーザーの照射口を備えた減圧チャンバーと、前
記減圧チャンバー内に配設した金属ウラン体と、該金属
ウラン体の外表面へパルスレーザ−光を集光照射してそ
の外表面の一定範囲を加熱するレーザー集光照射装置と
を発明の基本構成とするものである。゛ 本件第3発明は、レーザー光に対する吸収の少ない薄膜
に金属ウラン層を積層固着したことを発明の基本構成と
するものである。
(作用)
減圧チャンバー内の金属ウランターゲット体の外表面へ
パルスレーザ−光を集光照射し、レーザー集光照射装置
により、パルスレーザ−光の集束点を線状に掃引するか
、又は細幅状の横に長い固定集束点を与える。
パルスレーザ−光を集光照射し、レーザー集光照射装置
により、パルスレーザ−光の集束点を線状に掃引するか
、又は細幅状の横に長い固定集束点を与える。
レーザー光はパルス幅が10.usec以下の短パルス
であるため、照射された金属ウランターゲット体はパル
スレーザ−光により極めて短時間に加熱され、融点をは
るかに越える高温度になる。即ち、嘲 短時間内、に高温度に加熱されるため、熱伝導によるエ
ネルギー損失が起らないうちに金属ウランは充分な蒸気
圧を持つ位いの温度となり、高いエネルギー効率でもっ
てウラン原子蒸気流を発生することが出来る。
であるため、照射された金属ウランターゲット体はパル
スレーザ−光により極めて短時間に加熱され、融点をは
るかに越える高温度になる。即ち、嘲 短時間内、に高温度に加熱されるため、熱伝導によるエ
ネルギー損失が起らないうちに金属ウランは充分な蒸気
圧を持つ位いの温度となり、高いエネルギー効率でもっ
てウラン原子蒸気流を発生することが出来る。
又、パルスレーザ−光は極めて正確に集束されるため集
光加熱領域の周辺は融点以下の比較的低温に保持される
ことになり、その結果、溶融ウランと炉壁との反応は無
視できる程度となる。
光加熱領域の周辺は融点以下の比較的低温に保持される
ことになり、その結果、溶融ウランと炉壁との反応は無
視できる程度となる。
前記レーザー光加熱によって発生した金属ウラン原子蒸
気流は、レーザー集光点を掃引又は固定して金属ウラン
体の外表面を矩形状に加熱することにより、厚みが薄く
て横幅の長い断面が矩形の壁体状の形態となる。
気流は、レーザー集光点を掃引又は固定して金属ウラン
体の外表面を矩形状に加熱することにより、厚みが薄く
て横幅の長い断面が矩形の壁体状の形態となる。
前記発生したウラン原子蒸気流には、選択励起用のレー
ザー光が蒸気流の長手方向に向けて照射され u 23
B原子を選択励起する。更に、レーザー光照射により選
択励起電離されたU”’原子は電界や電界によって偏向
を受け、U23s原子から分離する所謂ウラン同位体の
濃縮分離が行なわれる。
ザー光が蒸気流の長手方向に向けて照射され u 23
B原子を選択励起する。更に、レーザー光照射により選
択励起電離されたU”’原子は電界や電界によって偏向
を受け、U23s原子から分離する所謂ウラン同位体の
濃縮分離が行なわれる。
尚、金属ウラン体は一定時間毎にこれを回転若しくは平
行移動させることによりそのレーザー照射面が新しくさ
れており、その結果、クレータ−等によりレーザー光の
集束性が悪化したり、或いはウラン原子蒸気流の発生が
不安定になることは殆んどない。
行移動させることによりそのレーザー照射面が新しくさ
れており、その結果、クレータ−等によりレーザー光の
集束性が悪化したり、或いはウラン原子蒸気流の発生が
不安定になることは殆んどない。
金属ウランターゲット体をレーザー光の吸収の少ない薄
膜上に金属ウラン層を積層固着した構成としてレーザー
光を薄膜側より照射した場合には、レーザー光のエネル
ギーは金属ウラン層の表面のみにて吸収されるため、薄
膜の存在によって界面の圧力上昇のみが引き起され、ウ
ラン金属層は溶解されつつその圧力によって薄膜の反対
側へ原子流となって噴出する。その結果、ウラン原子流
の蒸気圧が著しくと昇する。
膜上に金属ウラン層を積層固着した構成としてレーザー
光を薄膜側より照射した場合には、レーザー光のエネル
ギーは金属ウラン層の表面のみにて吸収されるため、薄
膜の存在によって界面の圧力上昇のみが引き起され、ウ
ラン金属層は溶解されつつその圧力によって薄膜の反対
側へ原子流となって噴出する。その結果、ウラン原子流
の蒸気圧が著しくと昇する。
又、高エネルギーのレーザー光照射により、一時的にウ
ラン蒸気がプラズマ化するが、発生したウラン原子イオ
ンは前記原子流となって噴出する間に電子再結合を受け
て中性化し、特に問題を生じない。
ラン蒸気がプラズマ化するが、発生したウラン原子イオ
ンは前記原子流となって噴出する間に電子再結合を受け
て中性化し、特に問題を生じない。
尚、ウラン蒸気流は薄膜の反対側方向へのみ噴出し、そ
の結果発生したウラン原子流と加熱用レーザー光とが直
接的に接触することは無く、これによるウラン原子流の
プラズマ化やレーザー集光照射装置の損傷は皆無となる
。
の結果発生したウラン原子流と加熱用レーザー光とが直
接的に接触することは無く、これによるウラン原子流の
プラズマ化やレーザー集光照射装置の損傷は皆無となる
。
(実施例)
以下、第1図乃至第10図に示す本発明の一実施例に基
づいてその詳細を説明する。
づいてその詳細を説明する。
第1図は、本発明の第1実施例に係るウラン原子蒸気発
生装置の要部の慨要を示す斜面図であり、第2図はその
横断面図、第3図はその縦断面図である。
生装置の要部の慨要を示す斜面図であり、第2図はその
横断面図、第3図はその縦断面図である。
第1図乃至第3図に於いて1は金属製の減圧チャンバー
であり、加熱用パルスレーザ−光LLの照射口2と励起
用レーザー光L2の照射口3,3が夫々穿設されている
0 減圧チャンバー1の内部は1〜10−“torr以下の
真空度に排気装置4によって減圧されており、且つその
内部には金属ウランターゲット体5が配設されている。
であり、加熱用パルスレーザ−光LLの照射口2と励起
用レーザー光L2の照射口3,3が夫々穿設されている
0 減圧チャンバー1の内部は1〜10−“torr以下の
真空度に排気装置4によって減圧されており、且つその
内部には金属ウランターゲット体5が配設されている。
前記金属ウランターゲット体5は長さ1〜10 m 。
直径10〜50σ程度の棒状若しくは円筒状に成形加工
されており、支軸6,6を介して回転自在に支持されて
いる。
されており、支軸6,6を介して回転自在に支持されて
いる。
また、当該金属ウランターゲット体5は駆動装置(図示
省略)により間欠的に矢印方向へ回動され、一定時間毎
に新しい金属ウラン照射面が繰り出される。即ち、後述
する如く、金属ウランターゲット体5には幅10μm〜
10−2長さ1〜10 mの笥囲に亘って、レーザーパ
ルス光L+がその集光点を平均に分布せしめて入射され
る。その結果、標的面にはスポット加熱による金属ウラ
ンの蒸発により所謂クレータ−が発生する。このクレー
タ−の深さが1〜5喘になったとき、即ち金属ウランタ
ーゲット体の照射面がほぼ一様に深さ1〜5椙にわたっ
て蒸発されたときに、新しい照射面の繰り出しが行なわ
れる。
省略)により間欠的に矢印方向へ回動され、一定時間毎
に新しい金属ウラン照射面が繰り出される。即ち、後述
する如く、金属ウランターゲット体5には幅10μm〜
10−2長さ1〜10 mの笥囲に亘って、レーザーパ
ルス光L+がその集光点を平均に分布せしめて入射され
る。その結果、標的面にはスポット加熱による金属ウラ
ンの蒸発により所謂クレータ−が発生する。このクレー
タ−の深さが1〜5喘になったとき、即ち金属ウランタ
ーゲット体の照射面がほぼ一様に深さ1〜5椙にわたっ
て蒸発されたときに、新しい照射面の繰り出しが行なわ
れる。
前記加M 用のパルスレーザ−光L+はパルスレーザ−
光源7に於いて発生され、本実施例では、パルス幅10
JJsec以下、パルス繰り返し周波数10 H2〜1
0 M HZ程度の高繰り返し高出力のパルスレ−デー
光L1が放射される。
光源7に於いて発生され、本実施例では、パルス幅10
JJsec以下、パルス繰り返し周波数10 H2〜1
0 M HZ程度の高繰り返し高出力のパルスレ−デー
光L1が放射される。
前記レーザー集光照射装置8は反射fi9,10゜シリ
ンドリカルレンズ11及び反射鏡駆動側iII装置12
等から構成されており、パルスレーザ−光源7から入射
されたパルスレーザ−光L1を集束すると共にこれを縦
・横方向へ振らせ、金属ウランターゲット体5の照射面
上を集光点0によって掃引する。尚、集光点Oを掃引す
る代りに、シリンドリカルレンズ11と直交するもう一
つのシリンドリカルレンズ11を配置し、幅10μm〜
10 am 、長さ1〜10 mの矩形の集光を金属ウ
ランターゲット体5の上に与え、これを加熱するように
してもよい。この場合反射鏡9,10は光軸調整のため
に調整され、且つレーザーパルス繰り返し周波数は比較
的遅くてもよい。
ンドリカルレンズ11及び反射鏡駆動側iII装置12
等から構成されており、パルスレーザ−光源7から入射
されたパルスレーザ−光L1を集束すると共にこれを縦
・横方向へ振らせ、金属ウランターゲット体5の照射面
上を集光点0によって掃引する。尚、集光点Oを掃引す
る代りに、シリンドリカルレンズ11と直交するもう一
つのシリンドリカルレンズ11を配置し、幅10μm〜
10 am 、長さ1〜10 mの矩形の集光を金属ウ
ランターゲット体5の上に与え、これを加熱するように
してもよい。この場合反射鏡9,10は光軸調整のため
に調整され、且つレーザーパルス繰り返し周波数は比較
的遅くてもよい。
光源7より入射されたパルスレーザ−光LIは、集光照
射装置8により106〜10”w/crA程度の強度に
集光されて金属ウランターゲット体の外表面へ入射され
る。又、前記レーザー集光装置8の反射鏡駆動制御装置
12は、パルスレーザ−光LIの集光点0が金属ウラン
ターゲット体の外表面の幅10 fim〜10G、長さ
1〜10 mの第四に亘って一様に分布するように各反
射m9,10を夫々制御する。
射装置8により106〜10”w/crA程度の強度に
集光されて金属ウランターゲット体の外表面へ入射され
る。又、前記レーザー集光装置8の反射鏡駆動制御装置
12は、パルスレーザ−光LIの集光点0が金属ウラン
ターゲット体の外表面の幅10 fim〜10G、長さ
1〜10 mの第四に亘って一様に分布するように各反
射m9,10を夫々制御する。
強度が106〜110I4/dのパルスレーザ−光Ll
が照射されると、照射された部分の金属ウランターゲッ
ト体は瞬間的に溶解蒸究され、所謂金属ウランの蒸気流
が発生する。
が照射されると、照射された部分の金属ウランターゲッ
ト体は瞬間的に溶解蒸究され、所謂金属ウランの蒸気流
が発生する。
尚、本実施例に於いては、レーザー集光照射装置8を前
述の如く制御することによす、標的面より5〜3ocI
nl!!!れた所で幅10〜20 cm 、長さ1〜1
0mの断面寸法を有し、且つ照射面に対して垂直方向へ
上昇するウラン原子蒸気流Aが発生するようにしている
。
述の如く制御することによす、標的面より5〜3ocI
nl!!!れた所で幅10〜20 cm 、長さ1〜1
0mの断面寸法を有し、且つ照射面に対して垂直方向へ
上昇するウラン原子蒸気流Aが発生するようにしている
。
ウラン蒸気遮蔽装置13は前記レーザー集光照射8と金
属ウランターデッド体5との間に配設されており、細幅
のスリット14を設けた仕切板から成るスリット機構1
5の内部空間へ希ガス等の不活性元素16を充填して、
その内圧を1 torr程度に呆持することにより構成
されている。
属ウランターデッド体5との間に配設されており、細幅
のスリット14を設けた仕切板から成るスリット機構1
5の内部空間へ希ガス等の不活性元素16を充填して、
その内圧を1 torr程度に呆持することにより構成
されている。
当該ウラン蒸気遮蔽装置13を設けることにより、発生
した金属ウラン蒸気流がレーザー集光照射装=8側へ到
達するのが有効に防止゛される。
した金属ウラン蒸気流がレーザー集光照射装=8側へ到
達するのが有効に防止゛される。
前記励起用レーザー光L2は、第2図に示す如く照射口
3から金属ウランターゲット体5の軸線と同方向にウラ
ン原子蒸気流A内へ照射され、蒸気流A内のU23’原
子を励起する。尚、透過したレーザー光L2は対向側に
配設した反射、境17により再びウラン原子蒸気流A内
へ入射され、レーザーエネルギーの吸収効率をより高め
るようにしている。
3から金属ウランターゲット体5の軸線と同方向にウラ
ン原子蒸気流A内へ照射され、蒸気流A内のU23’原
子を励起する。尚、透過したレーザー光L2は対向側に
配設した反射、境17により再びウラン原子蒸気流A内
へ入射され、レーザーエネルギーの吸収効率をより高め
るようにしている。
第4図は金属ウランターゲット体5の他の実施例を示す
ものであり、板状に加工した金属ウランターゲット体5
を一定時間毎に矢印方向へ所定の距離だけ平行移動させ
ることにより、平滑な金属ウラン照射面をレーザー光L
+の集光点Oへ繰り出すものである。
ものであり、板状に加工した金属ウランターゲット体5
を一定時間毎に矢印方向へ所定の距離だけ平行移動させ
ることにより、平滑な金属ウラン照射面をレーザー光L
+の集光点Oへ繰り出すものである。
第5図はウラン蒸気遮蔽装置13の他の実施例を示すも
のであり、スリット機構15の空間内;こ、細幅のスリ
ット溝18を有する筒体19が回転自在に軸支されてお
り、該筒体19の回転数を制御卸し、パルスレーザ−光
L1と同期してスリット溝18を光が透過可能な状態に
位置せしめることにより、スリット機構15の内部空間
と外部空間との連通時間を短縮するものである。
のであり、スリット機構15の空間内;こ、細幅のスリ
ット溝18を有する筒体19が回転自在に軸支されてお
り、該筒体19の回転数を制御卸し、パルスレーザ−光
L1と同期してスリット溝18を光が透過可能な状態に
位置せしめることにより、スリット機構15の内部空間
と外部空間との連通時間を短縮するものである。
第6図はウラン蒸気遮蔽装置13の第3実施例を示すも
のであり、スリット溝18cm、18bを宵する二つの
円筒体20.21を夫々矢印方向へ一定の回転周波数f
+、hで回転させ、パルスレーザ−光と同期して各スリ
ット溝18cm、18bとスリット14.14とを一直
線上に位置せしめることにより、スリット機構15の内
部空間と外部空間との連通時間を短縮するものである。
のであり、スリット溝18cm、18bを宵する二つの
円筒体20.21を夫々矢印方向へ一定の回転周波数f
+、hで回転させ、パルスレーザ−光と同期して各スリ
ット溝18cm、18bとスリット14.14とを一直
線上に位置せしめることにより、スリット機構15の内
部空間と外部空間との連通時間を短縮するものである。
尚、第6図に於いて回転周波数fs、 hとスリット溝
18 a 、 18 bのスリット幅を調整することに
より、パルスレーザ−光の入射可能時間をパルスレーザ
−光L1のパルス幅時間に略等しくした場合には、前記
内・外空間の連通時間がより短縮され、ウラン原子蒸気
流への外部への飛散がより少なくなって好都合である。
18 a 、 18 bのスリット幅を調整することに
より、パルスレーザ−光の入射可能時間をパルスレーザ
−光L1のパルス幅時間に略等しくした場合には、前記
内・外空間の連通時間がより短縮され、ウラン原子蒸気
流への外部への飛散がより少なくなって好都合である。
尚、パルスレーザ−光と同期して開・閉制御を行なえる
ものであれば、第5図及び第6図以外のシャッター機構
であってもよいことは勿論である。
ものであれば、第5図及び第6図以外のシャッター機構
であってもよいことは勿論である。
第7図乃至第10図は、ラミネート状の金属ウランター
ゲット体5を使用した場合のウラン原子蒸気発生装置を
示すものである。
ゲット体5を使用した場合のウラン原子蒸気発生装置を
示すものである。
前記金属ウランターゲット体5は、レーザー光に対して
吸収の少ない厚さ0.05〜3.0mm程度のポリエチ
レン等の薄膜5aの上に厚さ0.05〜2.0mm程度
の金属ウラン層5bを積層固着してラミネート状に形成
したものであり、回動自在に軸支したドラム体6に巻取
り支持されている。
吸収の少ない厚さ0.05〜3.0mm程度のポリエチ
レン等の薄膜5aの上に厚さ0.05〜2.0mm程度
の金属ウラン層5bを積層固着してラミネート状に形成
したものであり、回動自在に軸支したドラム体6に巻取
り支持されている。
当該金属ウランターゲット体5は、例えば硝酸ウラン溶
液中にて適当な化学処理により、薄膜5a上に金属ウラ
ンを析出させることにより形成されている。
液中にて適当な化学処理により、薄膜5a上に金属ウラ
ンを析出させることにより形成されている。
尚、金属ウラン層5bを薄膜5a上に積層固着する方法
は、前記の如き化学的処理によるほか、機械的な固着例
えば蒸着や接着等であってもよいことは勿論である。
は、前記の如き化学的処理によるほか、機械的な固着例
えば蒸着や接着等であってもよいことは勿論である。
当該金属ウランターゲット体5は、駆動装置(図示省略
)により間欠的に矢印方向へ回動され、一定時間毎に新
しい金、寓ウラン照射面が繰り出される。即ち、前述の
如く金属ウランターゲット体5の薄膜5a側から、レー
ザーパルス光Llが幅10μm〜10G、長さ1〜10
mの範囲に亘ってその集光点を平均に分布せしめて入
射されることにより、金属ウラン層5bが加熱部から順
次蒸発して行くからである。
)により間欠的に矢印方向へ回動され、一定時間毎に新
しい金、寓ウラン照射面が繰り出される。即ち、前述の
如く金属ウランターゲット体5の薄膜5a側から、レー
ザーパルス光Llが幅10μm〜10G、長さ1〜10
mの範囲に亘ってその集光点を平均に分布せしめて入
射されることにより、金属ウラン層5bが加熱部から順
次蒸発して行くからである。
強度が106〜10”w、に−のパルスレーザ−光L1
が照射されると、照射された部分の金属ウラン層5bは
瞬間的に溶解蒸発され、薄膜5aと金属ウラン層5bと
の界面の圧力が上昇して、その圧力により第10図に示
す如く薄膜5bと反対方向へ金属ウランの蒸気流Aが噴
出する。
が照射されると、照射された部分の金属ウラン層5bは
瞬間的に溶解蒸発され、薄膜5aと金属ウラン層5bと
の界面の圧力が上昇して、その圧力により第10図に示
す如く薄膜5bと反対方向へ金属ウランの蒸気流Aが噴
出する。
尚、本実施例に於いてはレーザー集光照射装置8を前述
の如く制御することにより、標的面より5〜30c+n
l!lIれた所で幅10〜20 cIn、長さ1〜10
mの断面寸法を有し、且つ薄膜5bの反対方向へ略水平
に噴出するウラン原子蒸気流Aを発生させている。
の如く制御することにより、標的面より5〜30c+n
l!lIれた所で幅10〜20 cIn、長さ1〜10
mの断面寸法を有し、且つ薄膜5bの反対方向へ略水平
に噴出するウラン原子蒸気流Aを発生させている。
又、前記第2図及び第3図の場合と同様に、シリンドリ
カルレンズ11と直交するもう一つのシリンドリカルレ
ンズ11を設置し、集光点が幅10μm〜10’ am
、長さ1〜10 mの矩形となるようにして金属ウラ
ンターゲット体5を加熱するようにしてもよい。この場
合、反射鏡9,10は固定する。
カルレンズ11と直交するもう一つのシリンドリカルレ
ンズ11を設置し、集光点が幅10μm〜10’ am
、長さ1〜10 mの矩形となるようにして金属ウラ
ンターゲット体5を加熱するようにしてもよい。この場
合、反射鏡9,10は固定する。
更に、ラミネート形の金属ウランターゲット体5を使用
する本実施例に於いては、ウラン蒸気遮蔽装置は不要で
ある。何故なら、ウラン蒸気流人が全く光源側へ放散さ
れないからである。
する本実施例に於いては、ウラン蒸気遮蔽装置は不要で
ある。何故なら、ウラン蒸気流人が全く光源側へ放散さ
れないからである。
(発明の効果)
本発明に於いては、パルス幅の極めて短かい高出力高繰
り返しパルスレーザ−光を金属ウランターゲット体へ集
光照射することにより、金属ウランを加熱蒸発せしめる
構成としている0従って、パルスレーザ−光を照射され
た金属ウランは極めて短い時間内に融点をはるかに超え
る温度にまで加熱され、熱伝導によるエネルギー損失が
起らないうちに、金属ウランは十分な蒸気圧を持つ位い
の温度に加熱される。その結果、照射されたレーザー光
エネルギーの金属ウランターゲット体内への熱伝導によ
る損失が著しく少なくなり、効率の良い金属ウラン蒸気
流の発生が可能となる。
り返しパルスレーザ−光を金属ウランターゲット体へ集
光照射することにより、金属ウランを加熱蒸発せしめる
構成としている0従って、パルスレーザ−光を照射され
た金属ウランは極めて短い時間内に融点をはるかに超え
る温度にまで加熱され、熱伝導によるエネルギー損失が
起らないうちに、金属ウランは十分な蒸気圧を持つ位い
の温度に加熱される。その結果、照射されたレーザー光
エネルギーの金属ウランターゲット体内への熱伝導によ
る損失が著しく少なくなり、効率の良い金属ウラン蒸気
流の発生が可能となる。
また、レーザー光を使用するためレーザー集光照射装置
により高精度な集光ができ、これによって金属ウランタ
ーゲット体の外表面を所望の範囲に亘って正確に加熱す
ることができる。
により高精度な集光ができ、これによって金属ウランタ
ーゲット体の外表面を所望の範囲に亘って正確に加熱す
ることができる。
その結果、金属ウランは短時間内にレーザー光の集光点
のみが高温に加熱され、集光加熱領域の周辺部は融点以
下の比較的低温に保持されることになってウラン溶融物
と炉壁材料との反応も殆んど起らず、ウラン原子蒸気発
生炉の耐用年数が大幅に延伸されるうえ、ウラン原子蒸
気流を、細幅で且つ横長の矩形断面を有する壁体状の形
態で発生することができ、励起用のレーザー光の吸収率
が著しく向上する。
のみが高温に加熱され、集光加熱領域の周辺部は融点以
下の比較的低温に保持されることになってウラン溶融物
と炉壁材料との反応も殆んど起らず、ウラン原子蒸気発
生炉の耐用年数が大幅に延伸されるうえ、ウラン原子蒸
気流を、細幅で且つ横長の矩形断面を有する壁体状の形
態で発生することができ、励起用のレーザー光の吸収率
が著しく向上する。
更に、ウラン蒸気遮蔽装置を設けた場合にはウラン原子
蒸気流の外部への飛散がほぼ完全に防止され、レーザー
集光照射装置等の損傷が皆無になる〇 一芳、金属ウランターゲット体を金属ウラン層とレーザ
ー光透過率の高い薄膜とを組合せたラミネート形の金属
ウランターゲットとした場合には、ウラン原子蒸気流が
薄膜の外側方向へのみ噴出されるため、レーザー集光照
射装置側へウラン原子蒸気流が到達することは殆んどな
く、レーザー光源側の汚損等の問題が皆無となる。
蒸気流の外部への飛散がほぼ完全に防止され、レーザー
集光照射装置等の損傷が皆無になる〇 一芳、金属ウランターゲット体を金属ウラン層とレーザ
ー光透過率の高い薄膜とを組合せたラミネート形の金属
ウランターゲットとした場合には、ウラン原子蒸気流が
薄膜の外側方向へのみ噴出されるため、レーザー集光照
射装置側へウラン原子蒸気流が到達することは殆んどな
く、レーザー光源側の汚損等の問題が皆無となる。
又、薄膜が存在することにより、薄膜と金属ウラン層と
の界面の圧力がレーザー光の照射による金属ウラン層の
加熱溶解の過程に於いて上昇し、その結果ウラン原子蒸
気流は薄膜の反対方向へのみ噴出して励起用レーザー光
の吸収効率が向上する0 本件発明は上述の通り、優れた実用的効用を具備するも
のである。
の界面の圧力がレーザー光の照射による金属ウラン層の
加熱溶解の過程に於いて上昇し、その結果ウラン原子蒸
気流は薄膜の反対方向へのみ噴出して励起用レーザー光
の吸収効率が向上する0 本件発明は上述の通り、優れた実用的効用を具備するも
のである。
第1図は、本件発明の第1実施例に係るウラン原子蒸気
発生装置の要部の概要を示す斜視図である0 第2図は、第1実施例に係るウラン原子蒸気発生装置の
横断面概要図であり、第3図は縦断面概要図である。 第4図は金属ウランターゲット体の他の実施例を示す斜
視図である。 第5図及び第6図は、ウラン蒸気遮蔽装置の他の実施例
を示す縦断面図である。 第7図は、本件発明の第2実施例に係るウラン原子蒸気
発生装置の概要を示す斜視図である。 第8図は、第2実施例に係るウラン原子蒸気発生装置の
横断面図であり、第9図は縦断面概要図である。 第10図はラミネート形金属ウランターゲット体の縦断
面図である。 4 排気装置 7 パルスレーザ−光源 13 ウラン蒸気遮蔽装置 15 スリット機構 0 集光点 特許出願人 山 中 千代衛望 月
孝 嬰
発生装置の要部の概要を示す斜視図である0 第2図は、第1実施例に係るウラン原子蒸気発生装置の
横断面概要図であり、第3図は縦断面概要図である。 第4図は金属ウランターゲット体の他の実施例を示す斜
視図である。 第5図及び第6図は、ウラン蒸気遮蔽装置の他の実施例
を示す縦断面図である。 第7図は、本件発明の第2実施例に係るウラン原子蒸気
発生装置の概要を示す斜視図である。 第8図は、第2実施例に係るウラン原子蒸気発生装置の
横断面図であり、第9図は縦断面概要図である。 第10図はラミネート形金属ウランターゲット体の縦断
面図である。 4 排気装置 7 パルスレーザ−光源 13 ウラン蒸気遮蔽装置 15 スリット機構 0 集光点 特許出願人 山 中 千代衛望 月
孝 嬰
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 金属ウランターゲット体(5)へパルスレーザー光
(L_1)を集光照射し、該パルスレーザー光(L_1
)の集光点(O)を掃引又は固定して前記金属ウランタ
ーゲット体(5)の一定面積範囲内を均一に加熱するこ
とを特徴とするレーザーウラン濃縮用のウラン原子蒸気
発生方法。 2 金属ウランターゲット体(5)へレーザー光の透過
率の高い薄膜(5a)を通してパルスレーザー光(L_
1)を照射するようにした特許請求の範囲第1項に記載
のレーザーウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生方法。 3 金属ウランターゲット体(5)の外表面を、横幅が
10μm〜10cm、縦幅が1〜10mの面積範囲に亘
つて均一に加熱し、断面が矩形状のウラン原子蒸気流(
A)を発生するようにした特許請求の範囲第1項に記載
のレーザーウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生方法。 4 パルスレーザー光(L_1)のパルス幅を10μs
ec以下とし且つ集光したレーザー光の強度を10^6
〜10^1^4w/cm^2とした特許請求の範囲第1
項に記載のレーザーウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生
方法。 5 加熱用パルスレーザー光(L_1)の照射口(2)
と選択励起用レーザー光(L_2)の照射口(3)を備
えた減圧チャンバー(1)と、前記減圧チャンバー(1
)内に配設した金属ウランターゲット体(5)と、該金
属ウランターゲット体(5)の外表面へパルスレーザー
光(L_1)を集光照射して前記外表面の一定範囲を加
熱するレーザー集光照射装置(8)とより構成したレー
ザーウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生装置。 6 金属ウランターゲット体(5)を、棒状又は筒状の
回転自在に軸支した金属ウランターゲット体とした特許
請求の範囲第5項に記載のレーザーウラン濃縮用のウラ
ン原子蒸気発生装置。 7 金属ウランターゲット体(5)を、板状の平行移動
自在に支持した金属ウランターゲット体とした特許請求
の範囲第5項に記載のレーザーウラン濃縮用のウラン原
子蒸気発生装置。 8 金属ウランターゲット体(5)を、金属ウラン層(
5b)とレーザー光の透過率の高い薄膜(5a)とを積
層固着した金属ウランターゲット体(5)とすると共に
、パルスレーザー光(L_1)を前記薄膜(5a)側よ
り集光照射する特許請求の範囲第5項に記載のレーザー
ウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生装置。 9 レーザー集光照射装置(8)を、レーザー光(L_
1)の集光点(O)が細幅の長方形の範囲内を均一に掃
引自在なレーザー集光照射装置とした特許請求の範囲第
5項に記載のレーザーウラン濃縮用のウラン原子蒸気発
生装置。 10 レーザー集光照射装置(8)を、レーザー光(L
_1)の集光点(O)が細幅の長方形の固定焦点を有す
るレーザー集光照射装置とした特許請求の範囲第5項に
記載のレーザーウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生装置
。 11 減圧チャンバー(1)を、ウラン蒸気遮蔽装置時
を備えた減圧チャンバー(1)とした特許請求の範囲第
5項に記載のレーザーウラン濃縮用のウラン原子蒸気発
生装置。 12 ウラン蒸気遮蔽装置(13)を、加熱用パルスレ
ーザー光(L_1)と同期して開・閉する構成とした特
許請求の範囲第11項に記載のレーザーウラン濃縮用の
ウラン原子蒸気発生装置。 13 ウラン蒸気遮蔽装置時を、スリット機構(15)
の内部空間内に希ガス又は化学的に安定なガスを充填し
た構成とした特許請求の範囲第11項に記載のレーザー
ウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生装置。 14 レーザー光に対する吸収の少ない薄膜(5a)に
金属ウラン層(5b)を積層固着して成る金属ウランタ
ーゲット体。 15 薄膜(5a)をポリエチレン等の合成樹脂製薄膜
とした特許請求の範囲第14項に記載の金属ウランター
ゲット体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24824086A JPS63103031A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | レ−ザ−ウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生方法とウラン原子蒸気発生装置及び金属ウランタ−ゲツト体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24824086A JPS63103031A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | レ−ザ−ウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生方法とウラン原子蒸気発生装置及び金属ウランタ−ゲツト体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63103031A true JPS63103031A (ja) | 1988-05-07 |
| JPH0478694B2 JPH0478694B2 (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=17175243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24824086A Granted JPS63103031A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | レ−ザ−ウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生方法とウラン原子蒸気発生装置及び金属ウランタ−ゲツト体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63103031A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0361366A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザースパッタリング装置 |
| JPH04232258A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-08-20 | Deutsche Forsch & Vers Luft Raumfahrt Ev | パルスレーザビームを用いる基板上の層の形成方法 |
| JP2010525172A (ja) * | 2007-04-23 | 2010-07-22 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァー フェーデルング デア アンゲバンテン フォルシュング エー ファー | 真空内で基板上にコーティングを形成するためのアセンブリ |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP24824086A patent/JPS63103031A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0361366A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザースパッタリング装置 |
| JPH04232258A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-08-20 | Deutsche Forsch & Vers Luft Raumfahrt Ev | パルスレーザビームを用いる基板上の層の形成方法 |
| JP2010525172A (ja) * | 2007-04-23 | 2010-07-22 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァー フェーデルング デア アンゲバンテン フォルシュング エー ファー | 真空内で基板上にコーティングを形成するためのアセンブリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0478694B2 (ja) | 1992-12-11 |
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