JPS6310519A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6310519A JPS6310519A JP15652186A JP15652186A JPS6310519A JP S6310519 A JPS6310519 A JP S6310519A JP 15652186 A JP15652186 A JP 15652186A JP 15652186 A JP15652186 A JP 15652186A JP S6310519 A JPS6310519 A JP S6310519A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafers
- outside air
- gas
- furnace
- tube
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体製造装置に関するものであり、特に
高温用電気炉を用いて行なう半導体拡散装置に関するも
のである。
高温用電気炉を用いて行なう半導体拡散装置に関するも
のである。
［従来の技術］
第４因は、たとえば特開昭６０−１４０７１９号公報に
示された従来の高温拡散装置の概略断面図である。
示された従来の高温拡散装置の概略断面図である。
従来の装置は、拡散処理用の半導体ウェハ３を載置する
ための熱処理ボート２と、前記熱処理ボート２を搬送す
るためのボートローダ４と、前記ボートローダ４上に設
置されたボートローダ可動部５とを含む。
ための熱処理ボート２と、前記熱処理ボート２を搬送す
るためのボートローダ４と、前記ボートローダ４上に設
置されたボートローダ可動部５とを含む。
従来の拡散装置は上記のように構成されており、熱処理
ボート２上に載置された拡散処理前の半導体ウェハ３は
、ボートローダ可動部５により、ボートローダ４上を熱
処理ボート２とともに移動し、電気炉にて高温状態の炉
心管１の所定の位置まで搬入される。炉心管１内で拡散
迅理が完了した半導体ウェハ３は、炉心管外へ熱処理ボ
ートとともに搬出され拡散処理工程が終了する。
ボート２上に載置された拡散処理前の半導体ウェハ３は
、ボートローダ可動部５により、ボートローダ４上を熱
処理ボート２とともに移動し、電気炉にて高温状態の炉
心管１の所定の位置まで搬入される。炉心管１内で拡散
迅理が完了した半導体ウェハ３は、炉心管外へ熱処理ボ
ートとともに搬出され拡散処理工程が終了する。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来の拡散装置では、半導体ウェハ３の炉
心管１への搬入時に間色がある。すなわち、半導体ウェ
ハ３が熱処理ボートとともに炉心管１に移動するとき、
炉心管内の反応ガスの流れ方向と熱処理ボート２の搬入
方向が逆であるため、半導体ウェハ３間の間隙に残存し
ている外気は完全に反応ガスと置換されずに、半導体ウ
ェハが、高温状態の炉心管１に搬入されて（、まう。し
たがって、炉心管１内でこの残存空気によって半導体ウ
ェハ３上に拡散処理上不具合な酸化シリコン膜が形成さ
れるのである。
心管１への搬入時に間色がある。すなわち、半導体ウェ
ハ３が熱処理ボートとともに炉心管１に移動するとき、
炉心管内の反応ガスの流れ方向と熱処理ボート２の搬入
方向が逆であるため、半導体ウェハ３間の間隙に残存し
ている外気は完全に反応ガスと置換されずに、半導体ウ
ェハが、高温状態の炉心管１に搬入されて（、まう。し
たがって、炉心管１内でこの残存空気によって半導体ウ
ェハ３上に拡散処理上不具合な酸化シリコン膜が形成さ
れるのである。
また、かかる残存空気の炉心管１への持込み壷を軽減し
ようとする目的で、炉心管１を長くし炉心１１１人口近
くの反応ガス雰囲気温度を常温近くとして、半導体ウェ
ハを炉心管１内の所定の位置（反応ガス高温雰囲気）ま
で移動する間に、常ツ雰囲気である炉心管１人口近くの
反応ガスで、この残存空気を置換することが考えられる
が、炉心管１の長さのみならず、熱処理ボート２および
ボートローダ８ｉ置の長さも長くする必要が生じ、また
これらの設置スペースの拡大も必要となってくるなどの
問題もあった。
ようとする目的で、炉心管１を長くし炉心１１１人口近
くの反応ガス雰囲気温度を常温近くとして、半導体ウェ
ハを炉心管１内の所定の位置（反応ガス高温雰囲気）ま
で移動する間に、常ツ雰囲気である炉心管１人口近くの
反応ガスで、この残存空気を置換することが考えられる
が、炉心管１の長さのみならず、熱処理ボート２および
ボートローダ８ｉ置の長さも長くする必要が生じ、また
これらの設置スペースの拡大も必要となってくるなどの
問題もあった。
この発明は、上記のような、１！Ａ題点を解決するため
になされたもので、従来の装冒長ざを拡大することなく
、炉心管１内・＼の外気の持込みを防ぐことができる拡
散処理装置を（Ｊることを目的とする。
になされたもので、従来の装冒長ざを拡大することなく
、炉心管１内・＼の外気の持込みを防ぐことができる拡
散処理装置を（Ｊることを目的とする。
Ｌ問題点を解決するための手段〕
この発明にかかる拡散装置は熱処理ボート上の半導体ウ
ェハが配置される位置近（労に、可動な外気遮断装置を
設けたものである。
ェハが配置される位置近（労に、可動な外気遮断装置を
設けたものである。
［作用］
この発明における可動な外気遮断装置は、炉心管外で配
置されている半導体ウェハのまわりの外気と、所定の常
温での反応ガスとの入替を可能とするので炉内への半導
体ウェハの搬入時に問題とされる不具合な酸化シリコン
膜の形成を防止することができる。
置されている半導体ウェハのまわりの外気と、所定の常
温での反応ガスとの入替を可能とするので炉内への半導
体ウェハの搬入時に問題とされる不具合な酸化シリコン
膜の形成を防止することができる。
また、この外気遮断装置は可動であるため、半導体ウェ
ハ取替時には移動させておき、半導体ウェハの取替作業
を妨げず、さらに、ボートローダ等の駆動方向艮ざを長
くすることも不要となる。
ハ取替時には移動させておき、半導体ウェハの取替作業
を妨げず、さらに、ボートローダ等の駆動方向艮ざを長
くすることも不要となる。
し発明の実施例］
第１図および第２図は、この発明の一実施例の外気遮断
装置を含む拡散装置を示す断面図であり、第３図は、第
１図におけるｍ−ｍ’断面を示す。
装置を含む拡散装置を示す断面図であり、第３図は、第
１図におけるｍ−ｍ’断面を示す。
図中、１ないし５は上記従来装置と全く同一のものであ
る。この発明の実施例によれば、炉心管１近傍に炉心管
１と同心円形状断面を持ち、炉心管１の径より大である
外気遮断管６が設けられ、この外気遮断管にはダクト１
０が備えられ、このダクト１０にガス導入口８が接続し
ている。また、ガス導入口８より導入された買換ガスを
外気遮断管６内部に放出するため、ダクト１０に接続し
たガス放出ロアが外気遮断管６に数箇所開口されている
。さらに、第２図にて示されているように、外気遮断管
６は駆動装置９によって、熱処理ボート２と平行に移動
できるものとなっている。
る。この発明の実施例によれば、炉心管１近傍に炉心管
１と同心円形状断面を持ち、炉心管１の径より大である
外気遮断管６が設けられ、この外気遮断管にはダクト１
０が備えられ、このダクト１０にガス導入口８が接続し
ている。また、ガス導入口８より導入された買換ガスを
外気遮断管６内部に放出するため、ダクト１０に接続し
たガス放出ロアが外気遮断管６に数箇所開口されている
。さらに、第２図にて示されているように、外気遮断管
６は駆動装置９によって、熱処理ボート２と平行に移動
できるものとなっている。
以下、この実施例の動作について説明する。
第１図において、熱処理ボート２上に載置されている半
導体ウェハ３は、炉心管１に搬入される前に、駆動装置
９にて移動された外気遮断管６によって覆われる。次に
、ガス導入口８に常温での所要なガス（たとえば不活性
ガスまたは反応ガス）が吹き込まれ、ガス放出ロアを通
じて、外気遮断管６内部に導入されることによって、半
導体ウェハまわりの雰囲気の外気が所要なガスで置換さ
れる。この置換は、常温状態で行なわれるので半導体ウ
ェハ３が高温状態である炉心管１に搬入されるときには
、既に半導体ウェハ３まわりに残存空気がなく、拡散処
理上不具合な酸化シリコン膜の半導体ウェハ上の形成が
防止される。
導体ウェハ３は、炉心管１に搬入される前に、駆動装置
９にて移動された外気遮断管６によって覆われる。次に
、ガス導入口８に常温での所要なガス（たとえば不活性
ガスまたは反応ガス）が吹き込まれ、ガス放出ロアを通
じて、外気遮断管６内部に導入されることによって、半
導体ウェハまわりの雰囲気の外気が所要なガスで置換さ
れる。この置換は、常温状態で行なわれるので半導体ウ
ェハ３が高温状態である炉心管１に搬入されるときには
、既に半導体ウェハ３まわりに残存空気がなく、拡散処
理上不具合な酸化シリコン膜の半導体ウェハ上の形成が
防止される。
また、炉心管１内での半導体ウェハ３の拡散処理完了後
の炉心管１外での半導体ウェハ３の取替時には、第２図
に示すように外気遮断管６を駆動装置９にて移動できる
ので、外気遮断装置はこの取替作業を邪魔しない。
の炉心管１外での半導体ウェハ３の取替時には、第２図
に示すように外気遮断管６を駆動装置９にて移動できる
ので、外気遮断装置はこの取替作業を邪魔しない。
なお、上記実施例では外気ｍｌ管６を熱処理ボート２と
平行に移動できるものとしたが、平行に移動せずその位
置において開閉できるものであってもよい。また、上記
実施例ではガス導入口８．１５よびガス放出ロアを外気
遮断装置に設けたが、これらを設けずに炉心管１からの
放出ガスを利用して外気遮断装コ内部の外気な常温状１
で置換する方法でもよい。
平行に移動できるものとしたが、平行に移動せずその位
置において開閉できるものであってもよい。また、上記
実施例ではガス導入口８．１５よびガス放出ロアを外気
遮断装置に設けたが、これらを設けずに炉心管１からの
放出ガスを利用して外気遮断装コ内部の外気な常温状１
で置換する方法でもよい。
さらに、上記実施例では外気遮断管６を円筒状のものと
したが、他の形状のものでも〆い。
したが、他の形状のものでも〆い。
［発明の効果コ
この発明は、以上説明したとおり、外気遮断装置を炉心
管外の半導体ウェハｎｉｌ！Ｉｆｆ位置に設けたので、
半導体ウェハを炉心管内へ搬入するときに外気を持込む
ことはなく、拡散処理上不具合な酸化シリコン膜の半導
体ウェハへの形成を防止することができる。
管外の半導体ウェハｎｉｌ！Ｉｆｆ位置に設けたので、
半導体ウェハを炉心管内へ搬入するときに外気を持込む
ことはなく、拡散処理上不具合な酸化シリコン膜の半導
体ウェハへの形成を防止することができる。
さらに、この外気遮断装置は可動であるため、ボートロ
ーダ等の長さの無用な拡大を必要としない。
ーダ等の長さの無用な拡大を必要としない。
第１図は、この発明の一文施例の外気遮断装！を含む高
温熱処理装置を示す断面図である。第２図はこの一実施
例におりる外気遮断装置の移動状態を示す断面図であり
、第３図は第１図の■〜■′断面図を示している。また
、第４図は従来の高温熱処理装置を示′ｒ所面図である
。 図中、同一符号は同一または相当部分を示し、１は炉心
管、２は熱処理ボート、３は半導体ウニハ、４はボート
ローダ、５はボートローダ可動部、６は外気遮断管、７
はガス放出口、８はガス導入口、９は駆動装置、１０は
ダクトである。
温熱処理装置を示す断面図である。第２図はこの一実施
例におりる外気遮断装置の移動状態を示す断面図であり
、第３図は第１図の■〜■′断面図を示している。また
、第４図は従来の高温熱処理装置を示′ｒ所面図である
。 図中、同一符号は同一または相当部分を示し、１は炉心
管、２は熱処理ボート、３は半導体ウニハ、４はボート
ローダ、５はボートローダ可動部、６は外気遮断管、７
はガス放出口、８はガス導入口、９は駆動装置、１０は
ダクトである。
Claims (4)
- （１）拡散処理すべき半導体ウェハを載置する熱処理ボ
ートと、 前記半導体ウェハを拡散処理する炉心管と、前記熱処理
ボートを前記炉心管に搬入する手段と、 前記炉心管外における前記半導体ウェハまわりの雰囲気
ガスを置換する外気遮断装置とを備えたことを特徴とす
る、半導体製造装置。 - （２）前記外気遮断装置は、その内部にガス放出口を有
し、所望のガスと外気とを置換できることを特徴とする
、特許請求の範囲第１項記載の半導体製造装置。 - （３）前記外気遮断装置は、炉心管軸と平行に移動でき
ることを特徴とする、特許請求の範囲第１項または第２
項記載の半導体製造装置。 - （４）前記外気遮断装置は、設置位置において開閉でき
ることを特徴とする、特許請求の範囲第１項または第２
項記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15652186A JPS6310519A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15652186A JPS6310519A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310519A true JPS6310519A (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=15629603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15652186A Pending JPS6310519A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6310519A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178685A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-09 | Toshiba Corp | 半導体記憶回路 |
| JPH02150022A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 | Fujitsu Ltd | 横型炉の空気巻き込み防止装置 |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP15652186A patent/JPS6310519A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178685A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-09 | Toshiba Corp | 半導体記憶回路 |
| JPH02150022A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 | Fujitsu Ltd | 横型炉の空気巻き込み防止装置 |
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