JPS6310577B2 - - Google Patents
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- JPS6310577B2 JPS6310577B2 JP53158911A JP15891178A JPS6310577B2 JP S6310577 B2 JPS6310577 B2 JP S6310577B2 JP 53158911 A JP53158911 A JP 53158911A JP 15891178 A JP15891178 A JP 15891178A JP S6310577 B2 JPS6310577 B2 JP S6310577B2
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- Japan
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- processed
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- synthetic resin
- resin film
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は露光処理方法に関し、特にＸ線露光処
理に適用して極めて有効な露光処理方法を提供し
ようとするものである。
理に適用して極めて有効な露光処理方法を提供し
ようとするものである。
集積回路（IC）、大規模集積回路（LSI）等の
半導体素子は、近時ますますその高集積化が要求
されつつあり、シリコン等の半導体基板へ所望の
パターンを焼付け形成する手段としても従来から
の紫外線を用いた露光法に代えて電子ビーム露光
法あるいはＸ線露光法が実用化されつつある。
半導体素子は、近時ますますその高集積化が要求
されつつあり、シリコン等の半導体基板へ所望の
パターンを焼付け形成する手段としても従来から
の紫外線を用いた露光法に代えて電子ビーム露光
法あるいはＸ線露光法が実用化されつつある。
本発明はかかるＸ線露光法において実施される
被処理基板と露光用マスクとの位置合せ処理及び
露光処理の方法に一つの提案をするものである。
被処理基板と露光用マスクとの位置合せ処理及び
露光処理の方法に一つの提案をするものである。
該Ｘ線露光用に適用されるところのＸ線露光用
マスクは、基本的に、薄板あるいは薄膜状基板、
該基板の一方の主面に選択的に形成されたＸ線吸
収体からなるマスクパターン及び該基板のいずれ
か一方の主面の周縁近傍に配設される基板支持枠
から構成される。基板材料としては、従来シリコ
ン（Si）、窒化シリコン（Si3N4）等の剛体ある
いはマイラー、ポリエチレン・テレフタレートあ
るいはポリイミド等の合成樹脂が提案されてお
り、またＸ線吸収体としては金（Au）が一般的
である。更に基板支持枠としては、該基板がシリ
コン等から形成される場合には該基板のＸ線吸収
体パターン形成部がエツチング除去され薄化され
る結果残される比較的厚い部分が適用され、該基
板が合成樹脂から形成される場合にはシリコン、
ステンレス等が接着されて適用される。
マスクは、基本的に、薄板あるいは薄膜状基板、
該基板の一方の主面に選択的に形成されたＸ線吸
収体からなるマスクパターン及び該基板のいずれ
か一方の主面の周縁近傍に配設される基板支持枠
から構成される。基板材料としては、従来シリコ
ン（Si）、窒化シリコン（Si3N4）等の剛体ある
いはマイラー、ポリエチレン・テレフタレートあ
るいはポリイミド等の合成樹脂が提案されてお
り、またＸ線吸収体としては金（Au）が一般的
である。更に基板支持枠としては、該基板がシリ
コン等から形成される場合には該基板のＸ線吸収
体パターン形成部がエツチング除去され薄化され
る結果残される比較的厚い部分が適用され、該基
板が合成樹脂から形成される場合にはシリコン、
ステンレス等が接着されて適用される。
ところで前述の如き半導体素子を製造する際に
は、シリコン等の半導体基板に対し、酸化膜の形
成、不純拡散処理等数度の熱処理工程が伴う。こ
のため該半導体基板にはその製造工程の進行に従
つて反りが生じ、例えば該半導体基板表面に電極
配線を形成する工程に至つては露光用マスクと該
半導体基板との間隔が該半導体基板表面の全域に
おいて均一にならないという問題等が生じ易い。
特に高集積化、製造歩留りの向上等を図るために
半導体基板の直径が大形化されつつある現在この
ような問題は大きい。
は、シリコン等の半導体基板に対し、酸化膜の形
成、不純拡散処理等数度の熱処理工程が伴う。こ
のため該半導体基板にはその製造工程の進行に従
つて反りが生じ、例えば該半導体基板表面に電極
配線を形成する工程に至つては露光用マスクと該
半導体基板との間隔が該半導体基板表面の全域に
おいて均一にならないという問題等が生じ易い。
特に高集積化、製造歩留りの向上等を図るために
半導体基板の直径が大形化されつつある現在この
ような問題は大きい。
このためＸ線露光処理にあつては、前記Ｘ線吸
収体パターンの支持を行なう基板をシリコン等の
剛体に代えてポリイミド等の合成樹脂膜としたＸ
線露光用マスクを適用し、更に該Ｘ線露光用マス
クと半導体基板との間の位置合せを行なつた後、
両者の間の空間の排気を行なつて両者の密着を図
ることが提案されている。かかる手段は、半導体
基板における反りの存在にかかわらずＸ線露光マ
スクと該半導体基板との密着が行ない得るという
点で特徴的である。
収体パターンの支持を行なう基板をシリコン等の
剛体に代えてポリイミド等の合成樹脂膜としたＸ
線露光用マスクを適用し、更に該Ｘ線露光用マス
クと半導体基板との間の位置合せを行なつた後、
両者の間の空間の排気を行なつて両者の密着を図
ることが提案されている。かかる手段は、半導体
基板における反りの存在にかかわらずＸ線露光マ
スクと該半導体基板との密着が行ない得るという
点で特徴的である。
かかるＸ線吸収体パターンの支持を行なう基板
を合成樹脂膜から構成してなるＸ線露光用マスク
を用いて、これを半導体基板等被処理基板に位置
合せて、更に密着させる手段としては、従来次の
ような方法がとられている。
を合成樹脂膜から構成してなるＸ線露光用マスク
を用いて、これを半導体基板等被処理基板に位置
合せて、更に密着させる手段としては、従来次の
ような方法がとられている。
すなわち、例えば第１図に示されるような位置
合せ手段がとられる。
合せ手段がとられる。
同図ａに示される時は、半導体基板等被処理基
板の少なくとも２箇所に配設される位置合せマー
クの一例であつて、正方形をなし各辺から該辺に
直角な方向に延在する線状パターン１１が例えば
線幅数〔μｍ〕の二酸化シリコン（SiO2）によ
つて形成されている。
板の少なくとも２箇所に配設される位置合せマー
クの一例であつて、正方形をなし各辺から該辺に
直角な方向に延在する線状パターン１１が例えば
線幅数〔μｍ〕の二酸化シリコン（SiO2）によ
つて形成されている。
一方同図ｂに示されるは、Ｘ線露光用マスク側
に設けられる位置合せマークであつて、前記被処
理基板の位置合せマークに対応する箇所に、該被
処理基板の位置合せマークの４辺に対応する開口
１２を有して配設されている。
に設けられる位置合せマークであつて、前記被処
理基板の位置合せマークに対応する箇所に、該被
処理基板の位置合せマークの４辺に対応する開口
１２を有して配設されている。
そして、該Ｘ線露光用マスクを微かな距離を有
して被処理基板上に配設し、該Ｘ線露光用マスク
上方から照射される光と、前記位置合せマークを
用いて両者の位置合せを行なう。この時、Ｘ線露
光用マスクの開口１２を透過した光のうち被処理
基板の位置合せマークの線状パターン１１に至つ
たものは乱反射してしまい反射光が検出されない
が、被処理基板の位置合せマーク外に至つたもの
は反射して検出器で検され得る。従つて同図ｃに
示されるように正確に位置合せされるよう２箇所
の位置合せマークをＸ方向、Ｙ方向及びΘ方向に
移動して位置合せを行なう。２箇所の位置合せマ
ークにおいて検出される反射光量が等しくなれ
ば、被処理基板とＸ線露光用マスクとの位置合せ
が完全になされたことになる。
して被処理基板上に配設し、該Ｘ線露光用マスク
上方から照射される光と、前記位置合せマークを
用いて両者の位置合せを行なう。この時、Ｘ線露
光用マスクの開口１２を透過した光のうち被処理
基板の位置合せマークの線状パターン１１に至つ
たものは乱反射してしまい反射光が検出されない
が、被処理基板の位置合せマーク外に至つたもの
は反射して検出器で検され得る。従つて同図ｃに
示されるように正確に位置合せされるよう２箇所
の位置合せマークをＸ方向、Ｙ方向及びΘ方向に
移動して位置合せを行なう。２箇所の位置合せマ
ークにおいて検出される反射光量が等しくなれ
ば、被処理基板とＸ線露光用マスクとの位置合せ
が完全になされたことになる。
そして、当該位置合せ処理が終了したならば、
被処理基板を上昇させ、且つ該被処理基板とＸ線
露光用マスクとの間を排気して両者を密着させ
る。
被処理基板を上昇させ、且つ該被処理基板とＸ線
露光用マスクとの間を排気して両者を密着させ
る。
このような手段により、当該Ｘ線露光用マスク
と被処理基板との位置合せ並びに密着処理がなさ
れる。
と被処理基板との位置合せ並びに密着処理がなさ
れる。
しかしながら、このような方法においても、前
記被処理基板の上昇時に位置ずれを生じる場合が
あるため、密着後に正しく位置合せがなされてい
るか検査を行ない、もし位置ずれが生じていた場
合には被処理基板を下降させ、再度の位置合せ処
理を行なう。
記被処理基板の上昇時に位置ずれを生じる場合が
あるため、密着後に正しく位置合せがなされてい
るか検査を行ない、もし位置ずれが生じていた場
合には被処理基板を下降させ、再度の位置合せ処
理を行なう。
ところがこの被処理基板とＸ線露光用マスクと
の分離の際、該Ｘ線露光用マスクを構成している
前記合成樹脂製基板が局部的に被処理基板に密着
した状態を生じる。このため再度の位置合せの際
に被処理基板の移動に伴つて該合成樹脂製基板は
引張され塑性変形してしまい使用不可能となつて
しまうという事態を生ずる。特に被処理基板の上
昇時の位置ずれを小さくするために該被処理基板
とＸ線露光用マスクとの間の間隔が小さな時に
は、かかる事態を生じ易い。
の分離の際、該Ｘ線露光用マスクを構成している
前記合成樹脂製基板が局部的に被処理基板に密着
した状態を生じる。このため再度の位置合せの際
に被処理基板の移動に伴つて該合成樹脂製基板は
引張され塑性変形してしまい使用不可能となつて
しまうという事態を生ずる。特に被処理基板の上
昇時の位置ずれを小さくするために該被処理基板
とＸ線露光用マスクとの間の間隔が小さな時に
は、かかる事態を生じ易い。
本発明はこのような従来の方法の有する欠点を
除去し、被処理基板とＸ線露光用マスクとの正確
な位置合せ、密着を容易に行なうことができる露
光処理方法を提供しようとするものである。
除去し、被処理基板とＸ線露光用マスクとの正確
な位置合せ、密着を容易に行なうことができる露
光処理方法を提供しようとするものである。
このため、本発明によれば、被処理基板上に、
合成樹脂膜製基板上にＸ線吸収体からなるマスク
パターンが形成されたＸ線露光用マスクを配設
し、Ｘ線露光処理を行なう露光処理方法において
被処理基板とＸ線露光用マスクとの位置合せ後、
該Ｘ線露光用マスクの合成樹脂膜製基板の位置合
せマーク部を前記被処理基板に密着する工程と、
該合成樹脂膜製基板と被処理基板との対向面の残
部を密着する工程とを有する露光処理方法が提供
される。
合成樹脂膜製基板上にＸ線吸収体からなるマスク
パターンが形成されたＸ線露光用マスクを配設
し、Ｘ線露光処理を行なう露光処理方法において
被処理基板とＸ線露光用マスクとの位置合せ後、
該Ｘ線露光用マスクの合成樹脂膜製基板の位置合
せマーク部を前記被処理基板に密着する工程と、
該合成樹脂膜製基板と被処理基板との対向面の残
部を密着する工程とを有する露光処理方法が提供
される。
すなわち本発明は、再度の位置合せ処理を必要
とすることなく、１個の位置合せ処理により正確
な位置合せを行なう手段として、まず被処理基板
の位置合せマーク部と露光用マスクの位置合せマ
ーク部とを位置合せし更に密着させた後、該被処
理基板と、露光用マスクとの対向面残部を密着さ
せるものである。このような手段によれば位置合
せマーク部は正しく位置合せされるため再度の位
置合せを必要としない。
とすることなく、１個の位置合せ処理により正確
な位置合せを行なう手段として、まず被処理基板
の位置合せマーク部と露光用マスクの位置合せマ
ーク部とを位置合せし更に密着させた後、該被処
理基板と、露光用マスクとの対向面残部を密着さ
せるものである。このような手段によれば位置合
せマーク部は正しく位置合せされるため再度の位
置合せを必要としない。
次に本発明を実施例並びに図面をもつて詳細に
説明しよう。
説明しよう。
本発明の一実施例においては、Ｘ線露光用マス
クの位置合せマーク部の、被処理基板の位置合せ
マーク部への近接密着方法として静電気の反撥力
を利用する。
クの位置合せマーク部の、被処理基板の位置合せ
マーク部への近接密着方法として静電気の反撥力
を利用する。
すなわち第２図ａに示されるように、被処理基
板２１とＸ線露光用マスク２２とは、該被処理基
板２１の一方の主面に形成されたレジスト層２３
上に、該レジスト層に対向して、Ｘ線露光用マス
ク２２の合成樹脂膜製基板２４上に形成された例
えば金（Au）よりなるＸ線吸収体パターン２５
が位置するより配置され、位置合せされた後更に
密着処理が行なわれるものである。なお２６はＸ
線露光用マスクの枠体である。
板２１とＸ線露光用マスク２２とは、該被処理基
板２１の一方の主面に形成されたレジスト層２３
上に、該レジスト層に対向して、Ｘ線露光用マス
ク２２の合成樹脂膜製基板２４上に形成された例
えば金（Au）よりなるＸ線吸収体パターン２５
が位置するより配置され、位置合せされた後更に
密着処理が行なわれるものである。なお２６はＸ
線露光用マスクの枠体である。
このような位置合せ、更に密着処理において、
本発明によれば、位置合せ処理の後にＸ線露光用
マスクの少なくとも合成樹脂膜製基板２４に電子
ビームあるいはイオンを照射して該合成樹脂膜製
基板２４を帯電させる。
本発明によれば、位置合せ処理の後にＸ線露光用
マスクの少なくとも合成樹脂膜製基板２４に電子
ビームあるいはイオンを照射して該合成樹脂膜製
基板２４を帯電させる。
そして位置合せ用対物レンズ２７に該合成樹脂
膜製基板２４に帯電された電荷と同種（正又は
負）の電位を与え、該対物レンズ２７と合成樹脂
膜製基板２４との反撥力を利用して同図ｂに示さ
れるように該合成樹脂膜製基板２４の位置合せマ
ーク部を被処理基板２１のレジスト層２３表面に
密着させる。位置合せ用対物レンズ２７はそれ自
体が位置合せマークを検出して位置合せ作業を行
なうものであるから、このような操作は何らの支
障もない。
膜製基板２４に帯電された電荷と同種（正又は
負）の電位を与え、該対物レンズ２７と合成樹脂
膜製基板２４との反撥力を利用して同図ｂに示さ
れるように該合成樹脂膜製基板２４の位置合せマ
ーク部を被処理基板２１のレジスト層２３表面に
密着させる。位置合せ用対物レンズ２７はそれ自
体が位置合せマークを検出して位置合せ作業を行
なうものであるから、このような操作は何らの支
障もない。
そして本発明によれば、被処理基板とＸ線露光
用マスクとの対向面の残部を真空吸引して同図ｃ
に示されるように両者を密着させる。
用マスクとの対向面の残部を真空吸引して同図ｃ
に示されるように両者を密着させる。
しかる後、所望のＸ線露光処理を行なう。この
時、Ｘ線は前記合成樹脂膜製基板２４の帯電によ
つて影響を受けるものではないが、必要に応じて
該合成樹脂膜製基板２４へ電離気体を噴射し中和
を行なつてもよい。
時、Ｘ線は前記合成樹脂膜製基板２４の帯電によ
つて影響を受けるものではないが、必要に応じて
該合成樹脂膜製基板２４へ電離気体を噴射し中和
を行なつてもよい。
なお前記位置合せ用対物レンズに代えて、金属
あるいは絶縁物を用い、これに合成樹脂膜製基板
２４との間に反撥力を生ずるよう電位を与えても
よい。
あるいは絶縁物を用い、これに合成樹脂膜製基板
２４との間に反撥力を生ずるよう電位を与えても
よい。
更に、本発明によれば、被処理基板の表面（レ
ジスト層表面）へＸ線露光用マスクの合成樹脂膜
製基板の位置合せマーク部を選択的に密着させる
手段として、前述の如き静電気の反撥力を利用す
るものに代えて、窒素（N2）等の気体を該合成
樹脂膜製基板の位置合せマーク部へ噴射して該位
置合せマーク部を被処理基板へ密着させてもよ
い。
ジスト層表面）へＸ線露光用マスクの合成樹脂膜
製基板の位置合せマーク部を選択的に密着させる
手段として、前述の如き静電気の反撥力を利用す
るものに代えて、窒素（N2）等の気体を該合成
樹脂膜製基板の位置合せマーク部へ噴射して該位
置合せマーク部を被処理基板へ密着させてもよ
い。
以上のような本発明によれば、Ｘ線露光処理に
おいて被処理基板の反りを考慮して適用されると
ころの、Ｘ線吸収体からなるマスクパターンを支
持する基板として合成樹脂膜製基板を有するＸ線
露光用マスクと該被処理基板との位置合せ、密着
露光処理が正確且つ容易に行え、当該Ｘ線露光処
理が容易に行ない得るものである。
おいて被処理基板の反りを考慮して適用されると
ころの、Ｘ線吸収体からなるマスクパターンを支
持する基板として合成樹脂膜製基板を有するＸ線
露光用マスクと該被処理基板との位置合せ、密着
露光処理が正確且つ容易に行え、当該Ｘ線露光処
理が容易に行ない得るものである。
第１図は被処理基板及びＸ線露光用マスクに設
けられた位置合せマークの例並びに両位置合せマ
ークを重ね合わせた状態を示す平面図、第２図は
本発明による露光処理方法の一例を示す断面図で
ある。 第１図及び第２図において、１１……線状パタ
ーン、１２……開口、２１……被処理基板、２２
……Ｘ線露光用マスク、２３……レジスト層、２
４……合成樹脂膜製基板、２５……Ｘ線吸収体パ
ターン、２６……枠体、２７……対物レンズ。
けられた位置合せマークの例並びに両位置合せマ
ークを重ね合わせた状態を示す平面図、第２図は
本発明による露光処理方法の一例を示す断面図で
ある。 第１図及び第２図において、１１……線状パタ
ーン、１２……開口、２１……被処理基板、２２
……Ｘ線露光用マスク、２３……レジスト層、２
４……合成樹脂膜製基板、２５……Ｘ線吸収体パ
ターン、２６……枠体、２７……対物レンズ。
Claims (1)
- １ 被処理基板上に、合成樹脂膜製基板上にＸ線
吸収体からなるマスクパターンが形成されたＸ線
露光用マスクを配設し、Ｘ線露光処理を行なう露
光処理方法において、被処理基板とＸ線露光用マ
スクとの位置合せ後、該Ｘ線露光用マスクの合成
樹脂膜製基板の位置合せマーク部を前記被処理基
板に密着する工程と、該合成樹脂膜製基板と被処
理基板との対向面の残部を密着する工程とを有す
る露光処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15891178A JPS5584940A (en) | 1978-12-20 | 1978-12-20 | Exposure processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15891178A JPS5584940A (en) | 1978-12-20 | 1978-12-20 | Exposure processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5584940A JPS5584940A (en) | 1980-06-26 |
| JPS6310577B2 true JPS6310577B2 (ja) | 1988-03-08 |
Family
ID=15682033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15891178A Granted JPS5584940A (en) | 1978-12-20 | 1978-12-20 | Exposure processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5584940A (ja) |
-
1978
- 1978-12-20 JP JP15891178A patent/JPS5584940A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5584940A (en) | 1980-06-26 |
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