JPS6310903B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6310903B2 JPS6310903B2 JP57033202A JP3320282A JPS6310903B2 JP S6310903 B2 JPS6310903 B2 JP S6310903B2 JP 57033202 A JP57033202 A JP 57033202A JP 3320282 A JP3320282 A JP 3320282A JP S6310903 B2 JPS6310903 B2 JP S6310903B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor stack
- cooling fin
- semiconductor
- double
- shield electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、高電圧用半導体スタツク、特に半
導体素子と冷却フインの締付けに用いられる絶縁
用ネジボルトに関するものである。
導体素子と冷却フインの締付けに用いられる絶縁
用ネジボルトに関するものである。
第１図は従来の絶縁両ネジボルトを用いた高電
圧用半導体スタツクを示している。図において、
１は半導体素子、２は冷却フイン、３は半導体素
子１および冷却フイン２を締付ける絶縁両ネジボ
ルトであり、金属製両ネジボルト４と、この金属
製両ネジボルト４を覆う注型絶縁物５によつて形
成されている。６は金属製の圧接クランパ、７は
絶縁スペーサで、直列接続された半導体素子６個
分の電気絶縁をする機能を有する。８は金属製の
皿バネである。
圧用半導体スタツクを示している。図において、
１は半導体素子、２は冷却フイン、３は半導体素
子１および冷却フイン２を締付ける絶縁両ネジボ
ルトであり、金属製両ネジボルト４と、この金属
製両ネジボルト４を覆う注型絶縁物５によつて形
成されている。６は金属製の圧接クランパ、７は
絶縁スペーサで、直列接続された半導体素子６個
分の電気絶縁をする機能を有する。８は金属製の
皿バネである。
このような高電圧用半導体スタツクが使用され
る高電圧半導体装置において、より経済性を追求
する為には半導体素子の使用個数は同一であつて
も半導体スタツクの個数を減じる必要があつた。
その結果必然的に１個の半導体スタツクに締付け
られる半導体素子の個数が増加し、半導体スタツ
クの耐電圧値が上昇し、半導体スタツクの全長が
長くなるという要求に答える必要が生じた。
る高電圧半導体装置において、より経済性を追求
する為には半導体素子の使用個数は同一であつて
も半導体スタツクの個数を減じる必要があつた。
その結果必然的に１個の半導体スタツクに締付け
られる半導体素子の個数が増加し、半導体スタツ
クの耐電圧値が上昇し、半導体スタツクの全長が
長くなるという要求に答える必要が生じた。
しかし、従来の絶縁両ネジボルトを使用した半
導体スタツクにおいては、高電圧使用において冷
却フイン２端部に電界集中が起りやすく、冷却フ
イン２と絶縁両ネジボルト３の間でコロナ放電が
発生していた。このコロナ放電を防止する方法と
して冷却フイン２端部をシールドする方法も考え
られたが、形状が複数であり、スペース的にも不
可能であつた。また絶縁両ネジボルトを長くする
と、絶縁物注型時に残された残留応力によつて絶
縁物にクラツクが生じるという欠点があつた。
導体スタツクにおいては、高電圧使用において冷
却フイン２端部に電界集中が起りやすく、冷却フ
イン２と絶縁両ネジボルト３の間でコロナ放電が
発生していた。このコロナ放電を防止する方法と
して冷却フイン２端部をシールドする方法も考え
られたが、形状が複数であり、スペース的にも不
可能であつた。また絶縁両ネジボルトを長くする
と、絶縁物注型時に残された残留応力によつて絶
縁物にクラツクが生じるという欠点があつた。
この発明は、以上のような従来のものの欠点を
除去するためになされたもので、絶縁物の冷却フ
インに隣接した部分を電界を緩和する曲面形状に
成型し、かつその表面に半導電性材料を塗布して
シールド電極とし、又、金属製両ネジボルトに半
導電性の収縮チユーブを加熱装着した後、絶縁物
を注型することによつて、上記の欠点のない絶縁
両ネジボルトを提供することを目的としている。
除去するためになされたもので、絶縁物の冷却フ
インに隣接した部分を電界を緩和する曲面形状に
成型し、かつその表面に半導電性材料を塗布して
シールド電極とし、又、金属製両ネジボルトに半
導電性の収縮チユーブを加熱装着した後、絶縁物
を注型することによつて、上記の欠点のない絶縁
両ネジボルトを提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第２図は本発明の一実施例の絶縁両ネジボル
トを用いた高電圧半導体スタツクを示し、第３
図、第４図は絶縁両ネジボルトの断面の一部を示
している。第３図、第４図において、９は絶縁物
５の表面に塗布された半導電性樹脂からなるシー
ルド電極であり、その両端はシールド効果を増す
ため曲面形状になつている。そして組立時におい
てシールド電極９と冷却フイン２を導電性材料で
接続することによつて同電位となり、このシール
ド電極９によつて冷却フイン２端部の電界が緩和
され、絶縁両ネジボルト３と冷却フイン２の間の
コロナ放電の発生を防止することが可能となる。
上記のシールド電極９と冷却フイン２との接続は
例えば次のようにして行う。即ち、シールド電極
９のほぼ中央に軟銅線を巻回しその端部をハンダ
付にて固定すると共に、上記軟銅線の他端には圧
着端子を接続して冷却フイン２にナベネジにて固
定する。次いで１０は金属製両ネジボルト４上に
加熱装着された半導電性収縮チユーブで、例え
ば、日東電工製NSチユーブ612J等が適当である。
そして、この収縮チユーブ１０は絶縁物５の注型
後、収縮して金属製両ネジボルト４と絶縁物５と
の間でクツシヨン材になり、注型後の残留応力を
緩和し両者の密着性を高める効果があり、絶縁両
ネジボルト３の全長が長くなつてもクラツクが生
じ難く、その品質も安定する。
る。第２図は本発明の一実施例の絶縁両ネジボル
トを用いた高電圧半導体スタツクを示し、第３
図、第４図は絶縁両ネジボルトの断面の一部を示
している。第３図、第４図において、９は絶縁物
５の表面に塗布された半導電性樹脂からなるシー
ルド電極であり、その両端はシールド効果を増す
ため曲面形状になつている。そして組立時におい
てシールド電極９と冷却フイン２を導電性材料で
接続することによつて同電位となり、このシール
ド電極９によつて冷却フイン２端部の電界が緩和
され、絶縁両ネジボルト３と冷却フイン２の間の
コロナ放電の発生を防止することが可能となる。
上記のシールド電極９と冷却フイン２との接続は
例えば次のようにして行う。即ち、シールド電極
９のほぼ中央に軟銅線を巻回しその端部をハンダ
付にて固定すると共に、上記軟銅線の他端には圧
着端子を接続して冷却フイン２にナベネジにて固
定する。次いで１０は金属製両ネジボルト４上に
加熱装着された半導電性収縮チユーブで、例え
ば、日東電工製NSチユーブ612J等が適当である。
そして、この収縮チユーブ１０は絶縁物５の注型
後、収縮して金属製両ネジボルト４と絶縁物５と
の間でクツシヨン材になり、注型後の残留応力を
緩和し両者の密着性を高める効果があり、絶縁両
ネジボルト３の全長が長くなつてもクラツクが生
じ難く、その品質も安定する。
この発明による絶縁両ネジボルトを用いて半導
体スタツクを構成すれば、スタツクの高耐電圧化
を図つて、直列素子数が多く全長が長いスタツク
であつても、シールド電極９によつて、コロナ放
電の発生が防止され、又収縮チユーブ１０によつ
て、絶縁物５にクラツクが発生しないので、従来
より高耐電圧の半導体スタツクが容易に実現可能
となる。
体スタツクを構成すれば、スタツクの高耐電圧化
を図つて、直列素子数が多く全長が長いスタツク
であつても、シールド電極９によつて、コロナ放
電の発生が防止され、又収縮チユーブ１０によつ
て、絶縁物５にクラツクが発生しないので、従来
より高耐電圧の半導体スタツクが容易に実現可能
となる。
尚、上記実施例では、半導電性樹脂および半導
電性収縮チユーブを使用しているが、これは半導
電性ゴムを使用してもよく、上記実施例と同様の
効果を奏する。
電性収縮チユーブを使用しているが、これは半導
電性ゴムを使用してもよく、上記実施例と同様の
効果を奏する。
以上のようにこの発明によれば、半導体スタツ
クの絶縁両ネジボルトにシールド電極および収縮
チユーブを設けることにより、コロナ放電および
クラツクの発生を有効に防止するように構成した
ので、より高耐電圧の半導体スタツクが容易に得
られ、従つて安価で品質のよい高電圧半導体変換
装置が実現できる効果がある。
クの絶縁両ネジボルトにシールド電極および収縮
チユーブを設けることにより、コロナ放電および
クラツクの発生を有効に防止するように構成した
ので、より高耐電圧の半導体スタツクが容易に得
られ、従つて安価で品質のよい高電圧半導体変換
装置が実現できる効果がある。
第１図は従来の絶縁両ネジボルトを用いた高電
圧用半導体スタツクを示す構成図、第２図はこの
発明の一実施例を示す構成図、第３図はこの発明
による絶縁両ネジボルトの一部の断面図、第４図
は第３図の―線の断面図である。 図中、１は半導体素子、２は冷却フイン、３は
絶縁両ネジボルト、４は金属製ボルト、５は絶縁
物、９はシールド電極、１０は半導電性収縮チユ
ーブである。尚、図中同一符号は同一、又は相当
部分を示す。
圧用半導体スタツクを示す構成図、第２図はこの
発明の一実施例を示す構成図、第３図はこの発明
による絶縁両ネジボルトの一部の断面図、第４図
は第３図の―線の断面図である。 図中、１は半導体素子、２は冷却フイン、３は
絶縁両ネジボルト、４は金属製ボルト、５は絶縁
物、９はシールド電極、１０は半導電性収縮チユ
ーブである。尚、図中同一符号は同一、又は相当
部分を示す。
Claims (1)
- １ 金属製両ネジボルトの両端のネジ部以外の中
央部を絶縁物で被覆した絶縁両ネジボルトにより
半導体素子と冷却フインを締付けて成る高電圧用
半導体スタツクにおいて、上記絶縁物の冷却フイ
ンと隣接する部分を電界を緩和する曲面形状に成
型するとともにその表面に半導電性材料で成るシ
ールド電極を形成し、該シールド電極と冷却フイ
ンを導電性材料で接続したことを特徴とする半導
体スタツク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57033202A JPS58148439A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 半導体スタツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57033202A JPS58148439A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 半導体スタツク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58148439A JPS58148439A (ja) | 1983-09-03 |
| JPS6310903B2 true JPS6310903B2 (ja) | 1988-03-10 |
Family
ID=12379880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57033202A Granted JPS58148439A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 半導体スタツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58148439A (ja) |
-
1982
- 1982-03-01 JP JP57033202A patent/JPS58148439A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58148439A (ja) | 1983-09-03 |
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