JPS63109351A - 表面状態測定装置 - Google Patents
表面状態測定装置Info
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- JPS63109351A JPS63109351A JP25550586A JP25550586A JPS63109351A JP S63109351 A JPS63109351 A JP S63109351A JP 25550586 A JP25550586 A JP 25550586A JP 25550586 A JP25550586 A JP 25550586A JP S63109351 A JPS63109351 A JP S63109351A
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表面状態測定装置に係り、特に、自動車等の
高鏡面光沢を有する塗装面などのいわゆるぶつや傷など
の欠陥の有無とその大きさの判別並びにその表面の光沢
度の測定を同時に行うのに好適な光学装置に関するもの
である。
高鏡面光沢を有する塗装面などのいわゆるぶつや傷など
の欠陥の有無とその大きさの判別並びにその表面の光沢
度の測定を同時に行うのに好適な光学装置に関するもの
である。
高鏡面光沢を有する塗装面などの光沢度の測定装置は、
特公昭57−59490号、特開昭50−153979
号等に開示されている。それらは、例えば、明暗が少な
くとも1回有るパターンをレンズ系により試料を介して
投影結像し、結像面にピンホールを備え投影像強度を光
度変換する光電変換素子を配設し、パターンをその明暗
が光軸を横切るように移動させて、試料による投影像の
鮮明度の変化を明暗移動に伴う投影像強度を光電検出し
て、試料の光沢度を得ていた。
特公昭57−59490号、特開昭50−153979
号等に開示されている。それらは、例えば、明暗が少な
くとも1回有るパターンをレンズ系により試料を介して
投影結像し、結像面にピンホールを備え投影像強度を光
度変換する光電変換素子を配設し、パターンをその明暗
が光軸を横切るように移動させて、試料による投影像の
鮮明度の変化を明暗移動に伴う投影像強度を光電検出し
て、試料の光沢度を得ていた。
一方、傷の検査方法には1例えば、特開昭51−327
8号、特開昭57−6307号等が知られており、被測
定面に一定の光線を投封し、その反射光線の乱れ等から
傷の有無を測定していた。
8号、特開昭57−6307号等が知られており、被測
定面に一定の光線を投封し、その反射光線の乱れ等から
傷の有無を測定していた。
被測定試料面の光沢度と傷とを測定しようとするとき、
従来は、それぞれ単独の光沢度測定装置と傷測定装置と
を揃える必要があり、測定時間が長くかかっていた。
従来は、それぞれ単独の光沢度測定装置と傷測定装置と
を揃える必要があり、測定時間が長くかかっていた。
また、被測定試料面の同じ位置での光沢度と傷とを定量
評価することは、試料をそれぞれの測定装置に装着する
条件が変わるため、困薙であり、特に、傷があるとその
周りの光沢度の測定値に影響が及び、低目に測定される
欠点があった。
評価することは、試料をそれぞれの測定装置に装着する
条件が変わるため、困薙であり、特に、傷があるとその
周りの光沢度の測定値に影響が及び、低目に測定される
欠点があった。
本発明の目的は、1回の試料装着で光沢度と傷の有無と
その大きさとを同時に測定可能で、しかも傷がある場合
その影響を除いた周りの光沢度を表示できる表面状S測
定装置を提供することである。
その大きさとを同時に測定可能で、しかも傷がある場合
その影響を除いた周りの光沢度を表示できる表面状S測
定装置を提供することである。
本発明は、上記目的を達成するために、光源と、光源に
近接して設置され光を透過するブロックと光を透過しな
いブロックとを少なくとも各1個有するパターンと、パ
ターンを透過した光を被測定試料面に反射させた後にパ
ターンの実像を結像させるレンズと、レンズによるパタ
ーン像の結像面に設置されパターン像の光強度分布を光
電変換する光電変換ユニットと、パターンまたは光電変
換ユニットの少なくとも一方をパターン像の境界線と直
角方向に少なくとも透過ブロックと非透過ブロックの一
組の幅に亙り微小ステップで移動させる摺動機構と、光
電変換ユニットからの変換信号に基づきパターン像の透
過ブロック部と非透過ブロック部との境界を検出し、パ
ターン像の移動に伴う境界の光強度の変化率の各位置に
おける最大値を求め、光強度の変化率の各最大値および
その標準偏差に基づき欠陥の有無およびその大きさ並び
に欠陥部分を除いた表面の光沢度を演算する信号処理部
と、光沢度と欠陥の有無と欠陥がある場合はその大きさ
とを表示する表示ユニットとからなる表面状態測定装置
を提供するものである。
近接して設置され光を透過するブロックと光を透過しな
いブロックとを少なくとも各1個有するパターンと、パ
ターンを透過した光を被測定試料面に反射させた後にパ
ターンの実像を結像させるレンズと、レンズによるパタ
ーン像の結像面に設置されパターン像の光強度分布を光
電変換する光電変換ユニットと、パターンまたは光電変
換ユニットの少なくとも一方をパターン像の境界線と直
角方向に少なくとも透過ブロックと非透過ブロックの一
組の幅に亙り微小ステップで移動させる摺動機構と、光
電変換ユニットからの変換信号に基づきパターン像の透
過ブロック部と非透過ブロック部との境界を検出し、パ
ターン像の移動に伴う境界の光強度の変化率の各位置に
おける最大値を求め、光強度の変化率の各最大値および
その標準偏差に基づき欠陥の有無およびその大きさ並び
に欠陥部分を除いた表面の光沢度を演算する信号処理部
と、光沢度と欠陥の有無と欠陥がある場合はその大きさ
とを表示する表示ユニットとからなる表面状態測定装置
を提供するものである。
本発明は、パターンの移動に伴う境界の光強度の変化率
の各位置における最大値を求め、光強度の各最大値およ
びその標準偏差に基づき欠陥の有無およびその大きさ並
びに欠陥部分を除いた表面の光沢度を演算するので、−
回の試料装着で、光沢度を測定しながら傷の有無を判別
可能で、さらに傷の大きさを定量的に知ることができる
。
の各位置における最大値を求め、光強度の各最大値およ
びその標準偏差に基づき欠陥の有無およびその大きさ並
びに欠陥部分を除いた表面の光沢度を演算するので、−
回の試料装着で、光沢度を測定しながら傷の有無を判別
可能で、さらに傷の大きさを定量的に知ることができる
。
また、有効面内の光沢度の平均値を出力し、しかも傷が
ある場合はその傷を除いた部分の平均光沢度を出力する
から、微小部分の光沢度を出力する場合と異なり、測定
値の信ぴょう性が高い。
ある場合はその傷を除いた部分の平均光沢度を出力する
から、微小部分の光沢度を出力する場合と異なり、測定
値の信ぴょう性が高い。
なお、上記摺動機構は、微小ステップではなく、連続ス
キャンしてもよい。
キャンしてもよい。
第1図は、本発明による表面状態測定装置の一実施例の
構成を示すブロック図である。図において、1はタング
ステンランプまたはハロゲンランプ等の光源、2はすり
ガラスまたはオパールガラス等の拡散板、3は光を透過
するブロックと透過しないブロックとを少なくとも各1
個有するパターンである。パターン3は、第2図に示す
ように、ガラス基板にクロム蒸着またはアルミ蒸着した
幅0.2amの光非透過部31と幅0.2閣の光透過部
32とが、同一ピッチで所定長さに互って交互に繰り返
されているパターンである。このパターン3は、投影レ
ンズ5の光軸に直角方向に前記パターンを所定の微小ス
テップで少なくとも透過ブロックと非透過ブロックの一
組の幅に亙り移動させる摺動機構4上にマウントされて
いる。投影レンズ5は試料面9を介して、イメージセン
サ6上に前記パターン3の像を結像させるレンズである
。
構成を示すブロック図である。図において、1はタング
ステンランプまたはハロゲンランプ等の光源、2はすり
ガラスまたはオパールガラス等の拡散板、3は光を透過
するブロックと透過しないブロックとを少なくとも各1
個有するパターンである。パターン3は、第2図に示す
ように、ガラス基板にクロム蒸着またはアルミ蒸着した
幅0.2amの光非透過部31と幅0.2閣の光透過部
32とが、同一ピッチで所定長さに互って交互に繰り返
されているパターンである。このパターン3は、投影レ
ンズ5の光軸に直角方向に前記パターンを所定の微小ス
テップで少なくとも透過ブロックと非透過ブロックの一
組の幅に亙り移動させる摺動機構4上にマウントされて
いる。投影レンズ5は試料面9を介して、イメージセン
サ6上に前記パターン3の像を結像させるレンズである
。
イメージセンサ6は、エリアイメージセンサまたは摺動
式リニアイメージセンサ(リニアイメージセンサを摺動
させエリアイメージセンシング可)またはマルチリニア
イメージセンサ(リニアイメージセンサを複数個配列使
用し疑似エリアイメージセンシング可)を用いる。この
エリアイメージセンサはパターン像の結像面に位置し、
パターン像を光電変換する。7は前記部材1〜6を納め
るケースである。8は被測定試料面9と測定ケース7と
の間隔を一定に保つとともに、相互が動がないように磁
力で固定し、しがも被測定試料面を傷つけにくいプラス
チック磁石層のスペーサである。
式リニアイメージセンサ(リニアイメージセンサを摺動
させエリアイメージセンシング可)またはマルチリニア
イメージセンサ(リニアイメージセンサを複数個配列使
用し疑似エリアイメージセンシング可)を用いる。この
エリアイメージセンサはパターン像の結像面に位置し、
パターン像を光電変換する。7は前記部材1〜6を納め
るケースである。8は被測定試料面9と測定ケース7と
の間隔を一定に保つとともに、相互が動がないように磁
力で固定し、しがも被測定試料面を傷つけにくいプラス
チック磁石層のスペーサである。
被測定試料面9は、自動車用塗膜などである。
イメージセンサ6に生じたアナログ信号は、ローパスフ
ィルタlOとアンプ11とを介して、A/Dコンバータ
12に入力さ九る。’A/Dコンバータ12、は、アン
プ11の出力信号を、逐次アナログ・ディジタル変換し
、メモリ回路13にパターン像の光電変換波形を記憶さ
せる。14は、A/Dコシバータ12.メモリ回路13
.ディスプレイ15.モータコントローラ17等を制御
し、光電変換ユニットからの変換信号に基づき、欠陥の
有無およびその大きさ並びに欠陥部分を除いた表面の光
沢度を演算し、ディスプレイ15に出力する制御ユニッ
ト、15はその出力を受けて光沢度、uIIの有無、傷
の大きさ等を表示するディスプレイ、16は測定スイッ
チ、17は図示しないモータを制御して、パターン3を
数μm程度のステップで間欠的に往復運動させるモータ
コントローラである。
ィルタlOとアンプ11とを介して、A/Dコンバータ
12に入力さ九る。’A/Dコンバータ12、は、アン
プ11の出力信号を、逐次アナログ・ディジタル変換し
、メモリ回路13にパターン像の光電変換波形を記憶さ
せる。14は、A/Dコシバータ12.メモリ回路13
.ディスプレイ15.モータコントローラ17等を制御
し、光電変換ユニットからの変換信号に基づき、欠陥の
有無およびその大きさ並びに欠陥部分を除いた表面の光
沢度を演算し、ディスプレイ15に出力する制御ユニッ
ト、15はその出力を受けて光沢度、uIIの有無、傷
の大きさ等を表示するディスプレイ、16は測定スイッ
チ、17は図示しないモータを制御して、パターン3を
数μm程度のステップで間欠的に往復運動させるモータ
コントローラである。
以上のように構成した本発明表面状態測定装置の動作を
、第5図のフローチャートの流れに沿って次に説明する
。ここでは、投影レンズ5の焦点距離を40m++CF
16程度に絞る)、パターン3から投影レンズ5までの
距離を48■、投影レンズ5から被測定試料表面9の中
心までの距離を190+a、試料表面からエリアイメー
ジセンサ6 ′までの距離を50mmとし、投影倍率
を5倍と仮定する。
、第5図のフローチャートの流れに沿って次に説明する
。ここでは、投影レンズ5の焦点距離を40m++CF
16程度に絞る)、パターン3から投影レンズ5までの
距離を48■、投影レンズ5から被測定試料表面9の中
心までの距離を190+a、試料表面からエリアイメー
ジセンサ6 ′までの距離を50mmとし、投影倍率
を5倍と仮定する。
処理Aニスタンバイ
測定スイッチ16が投入されると、処理Bに移る。
処理B:イニシャライズ
制御ユニット14が、モータコントローラ17に指令し
て、摺動機構4を駆動し、パターン3を図示しないホー
ムポジションhにセットする。光電変換ユニット6のセ
ンサ素子の位置P (r、c)に対応した制御ユニット
14内のメモリM(r。
て、摺動機構4を駆動し、パターン3を図示しないホー
ムポジションhにセットする。光電変換ユニット6のセ
ンサ素子の位置P (r、c)に対応した制御ユニット
14内のメモリM(r。
c、1)、M (r、Q、2)に、それぞれセンサ素子
の出力のディジタル値Id (r、c)とOを記憶する
。
の出力のディジタル値Id (r、c)とOを記憶する
。
処理C:終了判断
パターン3が、前記駆動を繰り返し受けた結果、h+2
010μmに到達したか否かを判定する。
010μmに到達したか否かを判定する。
ここでは、測定スイッチ16が押された直後であるから
、まだその位置に到達せず、次の処理りに移る。
、まだその位置に到達せず、次の処理りに移る。
処理D:撮像
(1)ランプ1から出て拡散波2で均一化された光によ
り照明されたパターン3の透過光が、被測定試料面9で
反射されて、光電変換ユニットのイメージセンサ6のセ
ンサ面に結像する。
り照明されたパターン3の透過光が、被測定試料面9で
反射されて、光電変換ユニットのイメージセンサ6のセ
ンサ面に結像する。
(2)光電変換ユニット6は、パターン像を光電変換し
、その各出力素子から電気出力信号I (r。
、その各出力素子から電気出力信号I (r。
C)を出力する。
(3)光電変換ユニット6からの信号I (r、c)
をローパスフィルタ10に通して、ノイズを低減させる
。
をローパスフィルタ10に通して、ノイズを低減させる
。
(4)ノイズを低減してS/N比(信号/雑音比)を上
げた信号I (r、c)をアンプ11で増幅する。
げた信号I (r、c)をアンプ11で増幅する。
(5)増幅された信号r (r、c)をA/I)+ンバ
ータ12でディジタル値Id (r、c)に変換する
。
ータ12でディジタル値Id (r、c)に変換する
。
(6)ディジタル値Id (r、c)を−旦メモリ回路
13に記憶する。そこで、次の処理Eに移る。
13に記憶する。そこで、次の処理Eに移る。
処理E:サーチ
制御ユニット14は、メモリ回路13から読み出したデ
ィジタル値Id (r、c)と制御ユニット14内のメ
モリM (r、 cT 1)に記憶されている値との差
(絶対値)D (r、c)を演算し、メモリM (r、
c、2)の値と比較して、D (r、c)> (r、c
、2) ならば、 M(r、c、2)=D(r、c) とし、そうでなければ、そのままとする。
ィジタル値Id (r、c)と制御ユニット14内のメ
モリM (r、 cT 1)に記憶されている値との差
(絶対値)D (r、c)を演算し、メモリM (r、
c、2)の値と比較して、D (r、c)> (r、c
、2) ならば、 M(r、c、2)=D(r、c) とし、そうでなければ、そのままとする。
処理F:パターン移動
前記処理Eが終わると、制御ユニット14はモータコン
トローラ17に摺動機構4を駆動させ、パターン3を現
在位置より+10μm移動させる。
トローラ17に摺動機構4を駆動させ、パターン3を現
在位置より+10μm移動させる。
前記処理Cからこの処理Fまでの各処理は、処理Cにお
いて、パターン3がh+2010μmに到達したと判断
されるまで繰り返される。処理Cにおいて、パターン3
がその位置まで到達したことを判定すると、処理Gに移
る。
いて、パターン3がh+2010μmに到達したと判断
されるまで繰り返される。処理Cにおいて、パターン3
がその位置まで到達したことを判定すると、処理Gに移
る。
処理G:計算
D (r、c)の平均値りおよびその標準偏差SD=
Σ ΣD (r、c)/ (mXn)r=1 c=
1 を求め、さらに、a準測度U(r、c)U (rt c
)= (D (r、c) −D)−/Sを計算する。
Σ ΣD (r、c)/ (mXn)r=1 c=
1 を求め、さらに、a準測度U(r、c)U (rt c
)= (D (r、c) −D)−/Sを計算する。
ここで、D (r、c)が正規分布していると仮定する
と、 U(r、c)≧1.645 を満たすU(r、、c)は存在確率が10%以下である
。すなわち、このようなり (r、c)はいわば異常値
であり、イメージセンサの素子位置P(r、c)に相当
する被測定試料面にぶつや傷などの欠陥が存在すること
を示している。
と、 U(r、c)≧1.645 を満たすU(r、、c)は存在確率が10%以下である
。すなわち、このようなり (r、c)はいわば異常値
であり、イメージセンサの素子位置P(r、c)に相当
する被測定試料面にぶつや傷などの欠陥が存在すること
を示している。
第3図のように、傷があると、例えば、ライン12rに
沿った光電変換波形は、第4図に示すようになる。すな
わち、明部に対応するトップ部43は、傷があると、正
常な部分のトップ部45の明るさから下がって、波形が
乱れる。しかも暗部に対応するボトム部41や44も影
響を受け、正常なボトム部46のように滑らかにならず
、ナイフェツジ部42もきれいに立ち上がらない。
沿った光電変換波形は、第4図に示すようになる。すな
わち、明部に対応するトップ部43は、傷があると、正
常な部分のトップ部45の明るさから下がって、波形が
乱れる。しかも暗部に対応するボトム部41や44も影
響を受け、正常なボトム部46のように滑らかにならず
、ナイフェツジ部42もきれいに立ち上がらない。
この場合は、
U (r、c)≧1.645
を満たすP (r、c)の行12rの数が5本で、列Ω
Cの数が4本であるから、 傷の縦長さLy== (ffirの数)×縦分解能=5
X (10μm) 250μm 傷の縦長Lh= (Qcの数)X横分解能=4X(10
μm) =40μm の大きさの傷があることになる。
Cの数が4本であるから、 傷の縦長さLy== (ffirの数)×縦分解能=5
X (10μm) 250μm 傷の縦長Lh= (Qcの数)X横分解能=4X(10
μm) =40μm の大きさの傷があることになる。
次に、傷がなければ、全体の平均値りを用いて。
光沢度Gを
G=D (傷がない場合)
とする。一方、傷があれば、その部分のD (r。
C)を除いて、新たに平均値Daを計算し。
G=Da (傷がある場合)
とする。
処理H8表示
前段の処理Gで得られた結果をディスプレイ15に表示
する。
する。
イ、傷がない場合、
a、GLO8S=G=D
b−d、無表示
口、傷がある場合
a、GLO5S=G=Da
b、DEFECT
c、HE IGHT=50μm
d、WIDTH=40μm
本発明は、自動車等の高鏡面光沢を有する塗装表面のぶ
つや傷の有無とその大きさの判別および光沢度の測定の
みならず、鏡面状の金属表面、蒸着膜、磁器・漆器表面
等の傷の有無とその大きさの判別および光沢度の測定に
も利用でき、その応用範囲は広い。
つや傷の有無とその大きさの判別および光沢度の測定の
みならず、鏡面状の金属表面、蒸着膜、磁器・漆器表面
等の傷の有無とその大きさの判別および光沢度の測定に
も利用でき、その応用範囲は広い。
本発明によれば、以下の効果が得られる。
(1)光沢度を測定しながら、傷の有無も判別できる。
(2)傷の大きさを定量的に測定可能である。
(3)有効面内の1点でなく、全体の光沢度の平均値を
出力するから、測定値の信ぴょう性が高い。
出力するから、測定値の信ぴょう性が高い。
特に、傷がある場合は、傷の部分を除いた光沢度が出力
され、意味のある結果が表示される。
され、意味のある結果が表示される。
第1図は本発明による表面状態測定装置の一実施例の構
成を示すブロック図、第2図はパターンの一例を示す図
、第3図は光電変換ユニットの出力の一例を示す図、第
4図は第3図Qr線に沿った出力信号の波形を示す図、
第5図は本発明装置の処理の流れを示すフローチャート
である。 1・・・光源、 2・・・拡散板、3・・・
パターン、 4・・・摺動機構、5・・・投影レ
ンズ、 6・・・光電変換ユニット。 9・・・試料表面。 10・・・ローパスフィルタ、 11・・・アンプ、
12・・・A/Dコンバータ、 13・・・メモリ回
路、14・・・制御ユニット、 15・・・ディスプ
レイ、16・・・測定スイッチ、 17・・・モータコントローラ、 31・・・光非透過部、 32・・・光透過部、41
.44.46・・・ボトム部、 42・・・ナイフェツジ部、 43.45・・・トップ部 A・・・スタンバイ。 B・・・イニシャライズ、 C・・・終了判断。 D・・・撮像、 E・・・サーチ。 F・・・パターン移動、 G・・・計算、 H・・・表示。
成を示すブロック図、第2図はパターンの一例を示す図
、第3図は光電変換ユニットの出力の一例を示す図、第
4図は第3図Qr線に沿った出力信号の波形を示す図、
第5図は本発明装置の処理の流れを示すフローチャート
である。 1・・・光源、 2・・・拡散板、3・・・
パターン、 4・・・摺動機構、5・・・投影レ
ンズ、 6・・・光電変換ユニット。 9・・・試料表面。 10・・・ローパスフィルタ、 11・・・アンプ、
12・・・A/Dコンバータ、 13・・・メモリ回
路、14・・・制御ユニット、 15・・・ディスプ
レイ、16・・・測定スイッチ、 17・・・モータコントローラ、 31・・・光非透過部、 32・・・光透過部、41
.44.46・・・ボトム部、 42・・・ナイフェツジ部、 43.45・・・トップ部 A・・・スタンバイ。 B・・・イニシャライズ、 C・・・終了判断。 D・・・撮像、 E・・・サーチ。 F・・・パターン移動、 G・・・計算、 H・・・表示。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光源と、 前記光源に近接して設置され光を透過するブロックと光
を透過しないブロックとを少なくも各1個有するパター
ンと、 前記パターンを透過した光を被測定試料面に反射させた
後に前記パターンの実像を結像させるレンズと、 前記レンズによる前記パターン像の結像面に設置されパ
ターン像の光強度分布を光電変換する光電変換ユニット
と、 前記パターンまたは光電変換ユニットの少なくとも一方
を前記パターン像の境界線と直角方向に少なくとも透過
ブロックと非透過ブロックの一組の幅に亙り微小ステッ
プで移動させる摺動機構と前記光電変換ユニットからの
変換信号に基づき前記パターン像の透過ブロック部と非
透過ブロック部との境界を検出し、前記パターン像の移
動に伴う前記境界の光強度の変化率の各位置における最
大値を求め、前記光強度の変化率の各最大値およびその
標準偏差に基づき欠陥の有無およびその大きさ並びに欠
陥部分を除いた表面の光沢度を演算する信号処理部と、 前記光沢度と前記欠陥の有無と欠陥がある場合はその大
きさとを表示する表示ユニットと からなる表面状態測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25550586A JPH0739998B2 (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 表面状態測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25550586A JPH0739998B2 (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 表面状態測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63109351A true JPS63109351A (ja) | 1988-05-14 |
| JPH0739998B2 JPH0739998B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=17279679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25550586A Expired - Lifetime JPH0739998B2 (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 表面状態測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0739998B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109164069A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-01-08 | 山西省农业科学院果树研究所 | 一种果树叶面病害级别的鉴定方法 |
-
1986
- 1986-10-27 JP JP25550586A patent/JPH0739998B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109164069A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-01-08 | 山西省农业科学院果树研究所 | 一种果树叶面病害级别的鉴定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0739998B2 (ja) | 1995-05-01 |
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