JPS63110053U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63110053U JPS63110053U JP108687U JP108687U JPS63110053U JP S63110053 U JPS63110053 U JP S63110053U JP 108687 U JP108687 U JP 108687U JP 108687 U JP108687 U JP 108687U JP S63110053 U JPS63110053 U JP S63110053U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoresistive element
- conductivity type
- type
- semiconductor
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の要部構成説明図、
第２図、第３図は第１図の工程説明図、第４図、
第５図は従来より一般に使用されている従来例の
構成説明図で、第４図は正面図、第５図は平面図
、第６図、第７図は第４図の要部構成説明図、第
８図は第４図の動作説明図でＡは高温時、Ｂは低
温時の動作説明図である。 １……支持台、２……ダイアフラム、２１……
基準室、３……剪断形ゲージ、３１１……酸化膜
、４１……入力リード、４２……配線アルミ、４
３……出力リード。
第２図、第３図は第１図の工程説明図、第４図、
第５図は従来より一般に使用されている従来例の
構成説明図で、第４図は正面図、第５図は平面図
、第６図、第７図は第４図の要部構成説明図、第
８図は第４図の動作説明図でＡは高温時、Ｂは低
温時の動作説明図である。 １……支持台、２……ダイアフラム、２１……
基準室、３……剪断形ゲージ、３１１……酸化膜
、４１……入力リード、４２……配線アルミ、４
３……出力リード。
Claims (1)
- ｎ形又はｐ形の一方の伝導形のシリコン半導体
基板と、該基板の表面に形成され他方の伝導形の
半導体よりなるピエゾ抵抗素子と、該ピエゾ抵抗
素子に駆動電流を流す入力リードと、前記ピエゾ
抵抗素子より出力を取り出す出力リードとを具備
する半導体圧力センサにおいて、前記入力リード
と前記出力リードとが前記ピエゾ抵抗素子と同じ
伝導形のポリシリコンよりなるリードで構成され
た事を特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP108687U JPS63110053U (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP108687U JPS63110053U (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63110053U true JPS63110053U (ja) | 1988-07-15 |
Family
ID=30778662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP108687U Pending JPS63110053U (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63110053U (ja) |
-
1987
- 1987-01-08 JP JP108687U patent/JPS63110053U/ja active Pending
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