JPS63112843A - 光磁気デイスクの製造方法 - Google Patents
光磁気デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS63112843A JPS63112843A JP25479986A JP25479986A JPS63112843A JP S63112843 A JPS63112843 A JP S63112843A JP 25479986 A JP25479986 A JP 25479986A JP 25479986 A JP25479986 A JP 25479986A JP S63112843 A JPS63112843 A JP S63112843A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- substrate
- plastic substrate
- optical disk
- recording medium
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ひび、われが生じず、長期間の使用に耐え得
る光磁気ディスクの製造方法に関するものである。
る光磁気ディスクの製造方法に関するものである。
レーザー光を使用して情報の記録、再生及び消去を行な
う光磁気ディスクは、高密度の情報の記録が可能であり
、かつ情報の消去や追加記録ができるので、各方面に広
く使用されている。
う光磁気ディスクは、高密度の情報の記録が可能であり
、かつ情報の消去や追加記録ができるので、各方面に広
く使用されている。
この種の光磁気ディスクの光磁気記録媒体としては、Ｔ
ｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ −Ｐｅ−Ｃｏ系、Ｇｄ −Ｔｂ −
Ｆｅ系のものなどが使用されているが、いずれのものも
酸化などの耐食性の面で充分ではない。
ｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ −Ｐｅ−Ｃｏ系、Ｇｄ −Ｔｂ −
Ｆｅ系のものなどが使用されているが、いずれのものも
酸化などの耐食性の面で充分ではない。
このために光磁気記録媒体層を保護する手段を講じた各
種の光磁気ディスクが提案されている。
種の光磁気ディスクが提案されている。
即ち、これらの光磁気ディスクは、光磁気記録媒体を酸
素や水分から保護するために、ポリカーボネート、アク
リル、エポキシ、ポリメチルペンテンなどのプラスチッ
ク基板上に、光磁気記録媒体の両面あるいは片面に酸素
や水分を透過させないＳｉＯ、ＳｉＯ□、Ａ／！ｚｏａ
などの透明誘電体層を形成したものを積層した構造のも
のである。
素や水分から保護するために、ポリカーボネート、アク
リル、エポキシ、ポリメチルペンテンなどのプラスチッ
ク基板上に、光磁気記録媒体の両面あるいは片面に酸素
や水分を透過させないＳｉＯ、ＳｉＯ□、Ａ／！ｚｏａ
などの透明誘電体層を形成したものを積層した構造のも
のである。
このような積層構造を有する光磁気ディスクは、従来、
スタンパ−を型として射出成形法により製作されたプラ
スチック基板上にそのまま所望の構造になるように順次
スパッタリング法もしくは真空蒸着法により積層してい
くことにより製造されている。
スタンパ−を型として射出成形法により製作されたプラ
スチック基板上にそのまま所望の構造になるように順次
スパッタリング法もしくは真空蒸着法により積層してい
くことにより製造されている。
しかしながら、このようにして製造された光磁気ディス
クは、プラスチック基板と誘電体層または光磁気記録媒
体層との密着性が非常に悪く、プラスチック基板と誘電
体または光磁気記録媒体との間の熱膨張係数の差からひ
び、われが生じ易く、ドロップアウトの主な原因となっ
ている。
クは、プラスチック基板と誘電体層または光磁気記録媒
体層との密着性が非常に悪く、プラスチック基板と誘電
体または光磁気記録媒体との間の熱膨張係数の差からひ
び、われが生じ易く、ドロップアウトの主な原因となっ
ている。
このような問題点に対し、密着性を向上させるために、
製膜条件、誘電体材質を検討することは行なわれている
が、まだ満足するものは得られていない。加えて、Ｃ／
Ｎ比を増大させるために、金属膜、誘電体膜および光磁
気記録媒体膜を多層化する提案がなされているが、この
多層化は前記ひび、われの問題点をかえって拡大する傾
向さえ有している。
製膜条件、誘電体材質を検討することは行なわれている
が、まだ満足するものは得られていない。加えて、Ｃ／
Ｎ比を増大させるために、金属膜、誘電体膜および光磁
気記録媒体膜を多層化する提案がなされているが、この
多層化は前記ひび、われの問題点をかえって拡大する傾
向さえ有している。
以上の事情に鑑み、本発明の目的は、ドロ・ノブアウト
の主な原因であるひび、われが生じず、長期間の使用に
耐え得る光磁気ディスクを提供することにある。
の主な原因であるひび、われが生じず、長期間の使用に
耐え得る光磁気ディスクを提供することにある。
本発明者は、上記目的を達成すべく種々検討した結果、
本発明方法を、プラスチック基板上にスパッタリング法
もしくは真空蒸着法により光磁気記録媒体層を形成し、
この光磁気記録媒体層に光ビームを照射して情報の書き
込みおよび読み出しを行なう光磁気ディスクを製造する
方法において、該プラスチック基板を１時間以上アンモ
ニアガスに暴露した後、使用するように構成したもので
ある。
本発明方法を、プラスチック基板上にスパッタリング法
もしくは真空蒸着法により光磁気記録媒体層を形成し、
この光磁気記録媒体層に光ビームを照射して情報の書き
込みおよび読み出しを行なう光磁気ディスクを製造する
方法において、該プラスチック基板を１時間以上アンモ
ニアガスに暴露した後、使用するように構成したもので
ある。
本発明方法において、プラスチック基板上に所望の構造
になるように順次スパッタリング法もしくは真空蒸着法
により積層していく周知の方法を採用する際、このプラ
スチック基板を１時間以上アンモニアガスに暴露した後
、使用する。この暴露は基板表面にアンモニアを付着さ
せてこの上に積層される光磁気記録媒体層、透明誘電体
層、金属膜などとの密着性を向上させるために行ない、
特に加温する必要はなく常温でよい。暴露時間は１時間
以上必要であり、１時間未満では上記暴露の効果が薄れ
る。
になるように順次スパッタリング法もしくは真空蒸着法
により積層していく周知の方法を採用する際、このプラ
スチック基板を１時間以上アンモニアガスに暴露した後
、使用する。この暴露は基板表面にアンモニアを付着さ
せてこの上に積層される光磁気記録媒体層、透明誘電体
層、金属膜などとの密着性を向上させるために行ない、
特に加温する必要はなく常温でよい。暴露時間は１時間
以上必要であり、１時間未満では上記暴露の効果が薄れ
る。
以下、本発明方法を実施例と従来例により更に説明する
。
。
実施例
製膜面が第１図のような直径１３０ｍｍ、厚さ１、２
＊＊の透明ポリカーボネート板を基板として使用した。
＊＊の透明ポリカーボネート板を基板として使用した。
第１図は、本発明の一実施例である、使用されるプラス
チック基板の構造を示す模式的な平面図である。ここで
、円１はこの基板の外形、円１′は製造された光磁気デ
ィスクを情報の記録、再生、消去装置に取付けるための
孔の外形を示す。
チック基板の構造を示す模式的な平面図である。ここで
、円１はこの基板の外形、円１′は製造された光磁気デ
ィスクを情報の記録、再生、消去装置に取付けるための
孔の外形を示す。
また、円２および２′で囲まれた部分が信号記録部分と
なるプリグループ部であり、円３および３′で囲まれた
部分が製膜部分であり、円１と３、円３と２、円２と２
′、円２′と３′および円３′と１′との間の間隔は、
夫々３１，３龍、４５ｍｍ。
なるプリグループ部であり、円３および３′で囲まれた
部分が製膜部分であり、円１と３、円３と２、円２と２
′、円２′と３′および円３′と１′との間の間隔は、
夫々３１，３龍、４５ｍｍ。
３ ｎ＋、 ３．５ ｍｍである。
この基板をデシケータ中に置き、デシケータ内を排気し
た後、ＮＨ３ガスを満たした。そして、常温のＮＨ３ガ
スに基板の製膜面を１時間暴露した。
た後、ＮＨ３ガスを満たした。そして、常温のＮＨ３ガ
スに基板の製膜面を１時間暴露した。
こうして準備した基板上に高周波スパッタリング法によ
り第１層の透明誘電体Ｔａ２０５層を膜厚８００人に形
成し、このＴａ２０５層上に第２層の光磁気記録媒体Ｔ
ｂｏ、 ２１）’ｅｏ、 ５ｓｃＯａ、 ２４層を膜厚
１０００人に形成し、更にこのＴｂｏ、 ２１Ｆｅｏ、
５ｓｃＯｏ、 ｚａ層上に第３層の保護膜５ｉＯｚを
膜厚１０００人に形成した。
り第１層の透明誘電体Ｔａ２０５層を膜厚８００人に形
成し、このＴａ２０５層上に第２層の光磁気記録媒体Ｔ
ｂｏ、 ２１）’ｅｏ、 ５ｓｃＯａ、 ２４層を膜厚
１０００人に形成し、更にこのＴｂｏ、 ２１Ｆｅｏ、
５ｓｃＯｏ、 ｚａ層上に第３層の保護膜５ｉＯｚを
膜厚１０００人に形成した。
このようにして製作された光磁気ディスクに対して、記
録周波数２ Ｈｚ （ＲＢ Ｗ ３０ ｋＨｚ）、レー
ザーパワー４ｍＷで記録を行ない、再生レーザーパワー
１）で再生を行なった。
録周波数２ Ｈｚ （ＲＢ Ｗ ３０ ｋＨｚ）、レー
ザーパワー４ｍＷで記録を行ない、再生レーザーパワー
１）で再生を行なった。
記録直後に再生した場合のＣ／Ｎ比（初期Ｃ／Ｎ）を第
１表に示す。また、上記の光磁気ディスクを相対湿度９
３％の雰囲気中に置き、このディスクに第２図に示すよ
うな温度変化パターンを１サイクルとするヒートサイク
ルを与えた後に再生した場合のＣ／Ｎ比（経時Ｃ／Ｎ）
も第１表に示す。この試験で製膜面の目視観察も初期お
よび各サイクルで行なったが、いずれのサイクルにおい
ても初期と全く同様で何らの変化も見られなかった。
１表に示す。また、上記の光磁気ディスクを相対湿度９
３％の雰囲気中に置き、このディスクに第２図に示すよ
うな温度変化パターンを１サイクルとするヒートサイク
ルを与えた後に再生した場合のＣ／Ｎ比（経時Ｃ／Ｎ）
も第１表に示す。この試験で製膜面の目視観察も初期お
よび各サイクルで行なったが、いずれのサイクルにおい
ても初期と全く同様で何らの変化も見られなかった。
比較例
暴露時間を３０分とした以外は、実施例と同様に行なっ
た。結果を第１表に示す。目視観察では、３０サイクル
後において既にひびが生じていた。
た。結果を第１表に示す。目視観察では、３０サイクル
後において既にひびが生じていた。
従来例
基板をデシケータ中でＮＯ３ガスに暴露しなかった以外
は、実施例と同様に行なった。結果を第１表に示す。目
視観察では、１０サイクル後において既にひびが生じて
いた。
は、実施例と同様に行なった。結果を第１表に示す。目
視観察では、１０サイクル後において既にひびが生じて
いた。
以上から明らかなように、本発明によると、プラスチッ
ク基板の表面をＮＨ３ガスに１時間以上暴露するという
簡潔な手段によって、ひび、われが生じない長期耐久性
のある光磁気ディスクを提供することができる。
ク基板の表面をＮＨ３ガスに１時間以上暴露するという
簡潔な手段によって、ひび、われが生じない長期耐久性
のある光磁気ディスクを提供することができる。
第１図は、本発明の一実施例である、使用されるプラス
チック基板の構造を示す模式的な平面図、第２図は製作
した光磁気ディスクの耐久性を試験するためのヒートサ
イクルのパターンである。 １・・・基板の外形、１′・・・基板中心部の孔の外形
、２・・・プリグループ部の外形、２′・・・プリグル
ープ部の内形、３・・・製膜部の外形、３′・・・製膜
部の内形。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第１図 第２図
チック基板の構造を示す模式的な平面図、第２図は製作
した光磁気ディスクの耐久性を試験するためのヒートサ
イクルのパターンである。 １・・・基板の外形、１′・・・基板中心部の孔の外形
、２・・・プリグループ部の外形、２′・・・プリグル
ープ部の内形、３・・・製膜部の外形、３′・・・製膜
部の内形。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）プラスチック基板上にスパッタリング法もしくは
真空蒸着法により光磁気記録媒体層を形成し、この光磁
気記録媒体層に光ビームを照射して情報の書き込みおよ
び読み出しを行なう光磁気ディスクを製造する方法にお
いて、該プラスチック基板を１時間以上アンモニアガス
に暴露した後、使用することを特徴とする光磁気ディス
クの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25479986A JPS63112843A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25479986A JPS63112843A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63112843A true JPS63112843A (ja) | 1988-05-17 |
Family
ID=17270053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25479986A Pending JPS63112843A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63112843A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991013435A1 (en) * | 1990-03-01 | 1991-09-05 | Hoechst Celanese Corporation | Low temperature, aqueous ammonia treatment for polycarbonate substrates and optical information media employing same |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP25479986A patent/JPS63112843A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991013435A1 (en) * | 1990-03-01 | 1991-09-05 | Hoechst Celanese Corporation | Low temperature, aqueous ammonia treatment for polycarbonate substrates and optical information media employing same |
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