JPS6311642B2 - - Google Patents
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- JPS6311642B2 JPS6311642B2 JP8408484A JP8408484A JPS6311642B2 JP S6311642 B2 JPS6311642 B2 JP S6311642B2 JP 8408484 A JP8408484 A JP 8408484A JP 8408484 A JP8408484 A JP 8408484A JP S6311642 B2 JPS6311642 B2 JP S6311642B2
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- Japan
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- exposure
- stripes
- substrate
- diffraction grating
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
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- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、同一基板上に周期の異なる回折格子
を複数個集積した集積化回折格子の製造方法に関
する。
を複数個集積した集積化回折格子の製造方法に関
する。
集積化回折格子は合波器、分光器等の応用、光
学的分野や波長多重用集積化波長制御レーザへの
応用が可能である。特に、波長多重用集積化波長
制御レーザでは集積化回折格子が重要な要素機構
となつている。
学的分野や波長多重用集積化波長制御レーザへの
応用が可能である。特に、波長多重用集積化波長
制御レーザでは集積化回折格子が重要な要素機構
となつている。
集積化回折格子の製造方法には、電子ビーム描
画等による直接書き込みと選択露光マスクによつ
て干渉露光を繰り返す方法とがある。前者は主と
して小面積或いは長周期の回折格子に使われてお
り、上記波長制御レーザの集積化回折格子の製造
には後者が適していると考えられている。
画等による直接書き込みと選択露光マスクによつ
て干渉露光を繰り返す方法とがある。前者は主と
して小面積或いは長周期の回折格子に使われてお
り、上記波長制御レーザの集積化回折格子の製造
には後者が適していると考えられている。
従来、選択露光マスクによる集積化回折格子の
製造方法では、基板全面にフオトレジストを塗布
した後、特定位置に選択干渉露光を行つている。
しかし、この方法では干渉露光を行つた正確な位
置の確認が難しいという欠点を有している。この
ため、従来方法では、後工程におけるパターンの
位置合わせが正確に行えず、回折格子からの方向
（又は角度）、位置のずれが生じ易かつた。
製造方法では、基板全面にフオトレジストを塗布
した後、特定位置に選択干渉露光を行つている。
しかし、この方法では干渉露光を行つた正確な位
置の確認が難しいという欠点を有している。この
ため、従来方法では、後工程におけるパターンの
位置合わせが正確に行えず、回折格子からの方向
（又は角度）、位置のずれが生じ易かつた。
本発明の目的は、形成すべき回折格子位置を正
確に決めることができ、波長多重用集積化波長制
御レーザ等に用いるに好適する集積化回折格子の
製造方法を提供することにある。
確に決めることができ、波長多重用集積化波長制
御レーザ等に用いるに好適する集積化回折格子の
製造方法を提供することにある。
本発明の概念は、選択干渉露光された位置を知
ろうとするものではなく、予め定めた位置に選択
干渉露光を行うということである。そのための手
段としてストライプ状フオトレジストを用意し、
その用意したストライプ状フオトレジストに所望
の周期を有する回折格子を形成するものである。
また、周期の異なる回折格子を集積するために１
つのストライプを干渉露光している間は他のスト
ライプを選択露光マスクによつて覆い、次のスト
ライプを露光する際に選択露光マスクを移動して
用いるというものである。
ろうとするものではなく、予め定めた位置に選択
干渉露光を行うということである。そのための手
段としてストライプ状フオトレジストを用意し、
その用意したストライプ状フオトレジストに所望
の周期を有する回折格子を形成するものである。
また、周期の異なる回折格子を集積するために１
つのストライプを干渉露光している間は他のスト
ライプを選択露光マスクによつて覆い、次のスト
ライプを露光する際に選択露光マスクを移動して
用いるというものである。
即ち本発明は、周期的凹凸からなる回折格子を
凹凸周期を変えて同一基板上に複数個集積した集
積化回折格子を製造する方法において、前記基板
上の全面にポジ型フオトレジストを塗布したの
ち、上記レジストを所定の幅と間隔とを有する繰
り返しのストライプに露光及び現像処理し、次い
で上記ストライプの幅より広く且つ隣接する両側
のストライプまでの幅より狭い幅を有する露光窓
を設けた露光マスクによつて前記基板を覆い、上
記露光マスクの露光窓を特定のストライプに合せ
選択的に干渉露光を行い、次いで上記露光マスク
の露光窓を干渉露光を行つていないストライプに
合せる移動と干渉周期の異なる干渉露光とを所定
回数繰り返し、次いで前記基板上の全てのストラ
イプを同時に現像処理し、しかるのち残存したレ
ジストをマスクとして前記基板をエツチング処理
するようにした方法である。
凹凸周期を変えて同一基板上に複数個集積した集
積化回折格子を製造する方法において、前記基板
上の全面にポジ型フオトレジストを塗布したの
ち、上記レジストを所定の幅と間隔とを有する繰
り返しのストライプに露光及び現像処理し、次い
で上記ストライプの幅より広く且つ隣接する両側
のストライプまでの幅より狭い幅を有する露光窓
を設けた露光マスクによつて前記基板を覆い、上
記露光マスクの露光窓を特定のストライプに合せ
選択的に干渉露光を行い、次いで上記露光マスク
の露光窓を干渉露光を行つていないストライプに
合せる移動と干渉周期の異なる干渉露光とを所定
回数繰り返し、次いで前記基板上の全てのストラ
イプを同時に現像処理し、しかるのち残存したレ
ジストをマスクとして前記基板をエツチング処理
するようにした方法である。
本発明によれば、予め定められたストライプ上
に回折格子が形成されることになり、後工程にお
いては上記のストライプにパターンを合わせれば
良いことになる。このため、回折格子に対する後
工程パターンの方向（又は角度）位置が正しく合
わせられるという効果を奏する。従つて、パター
ン精度の高い集積化回折格子を要素構成とする波
長多重用集積化波長制御レーザの製作等に極めて
有効である。
に回折格子が形成されることになり、後工程にお
いては上記のストライプにパターンを合わせれば
良いことになる。このため、回折格子に対する後
工程パターンの方向（又は角度）位置が正しく合
わせられるという効果を奏する。従つて、パター
ン精度の高い集積化回折格子を要素構成とする波
長多重用集積化波長制御レーザの製作等に極めて
有効である。
第１図ａ〜ｃは本発明の一実施例に係わる集積
化回折格子の製造工程を示す平面図である。ま
ず、第１図ａに示す如く回折格子作製用基板１上
にポジ型フオトレジストを塗布し、通常の露光及
び現像処理を行つてフオトレジストによるストラ
イプ２を形成する。ここで、図中斜線部で示す部
分がレジストの残つている領域である。ポジ型フ
オトレジストは非露光領域が残るため再露光が可
能である。ポジ型フオトレジストの例としては、
キノンジアザイド系フオトレジストが適してい
る。
化回折格子の製造工程を示す平面図である。ま
ず、第１図ａに示す如く回折格子作製用基板１上
にポジ型フオトレジストを塗布し、通常の露光及
び現像処理を行つてフオトレジストによるストラ
イプ２を形成する。ここで、図中斜線部で示す部
分がレジストの残つている領域である。ポジ型フ
オトレジストは非露光領域が残るため再露光が可
能である。ポジ型フオトレジストの例としては、
キノンジアザイド系フオトレジストが適してい
る。
次に、第１図ｂに示す如く特定のストライプ２
のみが露出するような露光窓３を有する選択露光
マスク４によつて前記基板１を覆う。そして、特
定のストライプ２を露光窓３から露出させ、干渉
露光によつて露出したストライプ２に回折格子パ
ターンを露光する。次いで、干渉露光系の設定周
期の変更を行い、また選択露光マスク４を別のス
トライプ２に移動させ干渉露光を行う。このよう
な干渉露光系の設定周期変更と選択露光マスク４
の移動、そして干渉露光を繰り返すことにより全
てのストライプ２に回折格子パターンを露光す
る。
のみが露出するような露光窓３を有する選択露光
マスク４によつて前記基板１を覆う。そして、特
定のストライプ２を露光窓３から露出させ、干渉
露光によつて露出したストライプ２に回折格子パ
ターンを露光する。次いで、干渉露光系の設定周
期の変更を行い、また選択露光マスク４を別のス
トライプ２に移動させ干渉露光を行う。このよう
な干渉露光系の設定周期変更と選択露光マスク４
の移動、そして干渉露光を繰り返すことにより全
てのストライプ２に回折格子パターンを露光す
る。
次に、上記のようにして全てのストライプ２に
干渉露光が施された基板１を所定の現像液に浸漬
し、全てのストライプ２に現像処理を施す。この
現像処理後の状態を第１図ｃに示す。図中５（５
ａ，〜，５ｄ）は現像された回折格子パターンで
あり、この後に回折格子パターン５の基板１への
転写を行う。即ち、上記残存したパターン５をマ
スクとして反応性イオンエツチング等により基板
１を選択エツチングすることによつて、所望の回
折格子が形成されることになる。
干渉露光が施された基板１を所定の現像液に浸漬
し、全てのストライプ２に現像処理を施す。この
現像処理後の状態を第１図ｃに示す。図中５（５
ａ，〜，５ｄ）は現像された回折格子パターンで
あり、この後に回折格子パターン５の基板１への
転写を行う。即ち、上記残存したパターン５をマ
スクとして反応性イオンエツチング等により基板
１を選択エツチングすることによつて、所望の回
折格子が形成されることになる。
かくして本実施例方法によれば、周期の異なる
複数個の回折格子を同一基板１上に集積形成する
ことができる。そしてこの場合、露光マスク４を
用いた干渉露光の際に、予め形成されたストライ
プ２に合わせてパターンの位置合わせを行うこと
ができるので、回折格子に対する後工程パターン
の方向（又は角度）位置を正しく合わせることが
可能である。
複数個の回折格子を同一基板１上に集積形成する
ことができる。そしてこの場合、露光マスク４を
用いた干渉露光の際に、予め形成されたストライ
プ２に合わせてパターンの位置合わせを行うこと
ができるので、回折格子に対する後工程パターン
の方向（又は角度）位置を正しく合わせることが
可能である。
第２図は他の実施例方法を説明するための平面
図である。この実施例が先に説明した実施例と異
なる点は、前記選択露光マスク４の合わせパター
ンを設けたことにある。前記第１図ａ，ｂに示さ
れたＳ、ｄ、Ｗの値をそれぞれストライプ幅、ス
トライプ間隔、露光窓幅とすると、Ｗの値は Ｓ＜Ｗ＜Ｓ＋2d の値に設定されていなければならない。しかし、
Ｗ≒Ｓの値に設定すると選択露光マスク４の端部
からの反射光が干渉露光の干渉状態に影響するこ
と、またＷ≒Ｓ＋2dの値に設定すると隣接した
ストライプに干渉露光の影響を与えることからＷ
はＷ≒Ｓ＋ｄの値に設定することが望ましい。と
ころが、Ｗ≒Ｓ＋ｄの設定では、露光マスクとス
トライプとの角度ずれが起き易く、干渉露光の方
向とストライプの方向とが正確に合わせ難い。そ
こで、この例ではストライプ間に選択露光マスク
４を合わせるためのマークライン６を設けてい
る。マークライン６は前記フオトレジストをスト
ライプ状に露光及び現像処理する際同時に形成す
ることができる。即ち、フオトレジストをストラ
イプパターンに露光する際の露光マスク４にマー
クライン６のパターンも設けておけば良い。この
マークライン６の間隔W′はＳ＋ｄとしておくこ
とにより、全てのストライプ２に対して同じ相対
位置に形成される。また、マークライン６の幅は
ストライプ幅の1/10程度が適当である。
図である。この実施例が先に説明した実施例と異
なる点は、前記選択露光マスク４の合わせパター
ンを設けたことにある。前記第１図ａ，ｂに示さ
れたＳ、ｄ、Ｗの値をそれぞれストライプ幅、ス
トライプ間隔、露光窓幅とすると、Ｗの値は Ｓ＜Ｗ＜Ｓ＋2d の値に設定されていなければならない。しかし、
Ｗ≒Ｓの値に設定すると選択露光マスク４の端部
からの反射光が干渉露光の干渉状態に影響するこ
と、またＷ≒Ｓ＋2dの値に設定すると隣接した
ストライプに干渉露光の影響を与えることからＷ
はＷ≒Ｓ＋ｄの値に設定することが望ましい。と
ころが、Ｗ≒Ｓ＋ｄの設定では、露光マスクとス
トライプとの角度ずれが起き易く、干渉露光の方
向とストライプの方向とが正確に合わせ難い。そ
こで、この例ではストライプ間に選択露光マスク
４を合わせるためのマークライン６を設けてい
る。マークライン６は前記フオトレジストをスト
ライプ状に露光及び現像処理する際同時に形成す
ることができる。即ち、フオトレジストをストラ
イプパターンに露光する際の露光マスク４にマー
クライン６のパターンも設けておけば良い。この
マークライン６の間隔W′はＳ＋ｄとしておくこ
とにより、全てのストライプ２に対して同じ相対
位置に形成される。また、マークライン６の幅は
ストライプ幅の1/10程度が適当である。
これにより選択露光マスク４の露光窓幅をＷ≒
W′として設けても、露光マスク４の方向とスト
ライプ２の方向とのずれが極めて少ない選択露光
マスク４の位置あわせが可能となる。
W′として設けても、露光マスク４の方向とスト
ライプ２の方向とのずれが極めて少ない選択露光
マスク４の位置あわせが可能となる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定される
ものではない。例えば、前記露光マスク４に設け
る露光窓３は１つに限るものではなく、複数個あ
つてもよい。この場合、露光窓３を前記ストライ
プ間隔の整数倍の間隔をおいて設けることによ
り、第３図に示す如く同一周期を有する回折格子
を同時に干渉露光することができ、露光スループ
ツトの向上をはかり得る。また、同一基板上に集
積すべき回折格子の種類（周期）や回折格子の個
数等は仕様に応じて適宜定めればよい。さらに、
回折格子作製用基板及び選択露光マスクの材質等
は、それぞれの用途に応じて適宜定めればよい。
また、波長多重用集積化波長制御レーザに限ら
ず、各種の集積化回折格子の製造に適用すること
が可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。
ものではない。例えば、前記露光マスク４に設け
る露光窓３は１つに限るものではなく、複数個あ
つてもよい。この場合、露光窓３を前記ストライ
プ間隔の整数倍の間隔をおいて設けることによ
り、第３図に示す如く同一周期を有する回折格子
を同時に干渉露光することができ、露光スループ
ツトの向上をはかり得る。また、同一基板上に集
積すべき回折格子の種類（周期）や回折格子の個
数等は仕様に応じて適宜定めればよい。さらに、
回折格子作製用基板及び選択露光マスクの材質等
は、それぞれの用途に応じて適宜定めればよい。
また、波長多重用集積化波長制御レーザに限ら
ず、各種の集積化回折格子の製造に適用すること
が可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。
第１図ａ〜ｃは本発明の一実施例に係わる集積
化回折格子の製造工程を示す平面図、第２図は他
の実施例を説明するための平面図、第３図は変形
例を説明するための平面図である。 １……回折格子作製用基板、２……スプライト
パターン、３……露光窓、４……選択露光マス
ク、５，５ａ，〜，５ｄ……回折格子パターン、
６……マークライン。
化回折格子の製造工程を示す平面図、第２図は他
の実施例を説明するための平面図、第３図は変形
例を説明するための平面図である。 １……回折格子作製用基板、２……スプライト
パターン、３……露光窓、４……選択露光マス
ク、５，５ａ，〜，５ｄ……回折格子パターン、
６……マークライン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 周期的凹凸からなる回折格子を凹凸周期を変
えて同一基板上に複数個集積した集積化回折格子
を製造する方法において、前記基板上の全面にポ
ジ型フオトレジストを塗布する工程と、上記レジ
ストを所定の幅と間隔とを有する繰り返しのスト
ライプに露光及び現像処理する工程と、次いで上
記ストライプの幅より広く且つ隣接する両側のス
トライプまでの幅より狭い幅を有する露光窓を設
けた露光マスクによつて前記基板を覆う工程と、
上記露光マスクの露光窓を特定のストライプに合
わせ選択的に干渉露光を行う工程と、次いで上記
露光マスクの露光窓を干渉露光を行つていないス
トライプに合せる移動と干渉周期の異なる干渉露
光とを所定回数繰り返し行う工程と、次いで前記
基板上の全てのストライプを同時に現像処理する
工程と、しかるのち残存したレジストをマスクと
して前記基板をエツチング処理する工程とを含む
ことを特徴とする集積化回折格子の製造方法。 ２ 前記ポジ型フオトレジストを繰り返しのスト
ライプに露光及び現像処理する工程で、上記スト
ライプ間に前記露光マスクを位置合わせするため
のマークラインを設けることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の集積化回折格子の製造方
法。 ３ 前記露光マスクとして、前記露光窓が前記ス
トライプ間隔の整数倍の間隔をおいて設けられた
ものを用いることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の集積化回折格子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8408484A JPS60229001A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 集積化回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8408484A JPS60229001A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 集積化回折格子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229001A JPS60229001A (ja) | 1985-11-14 |
| JPS6311642B2 true JPS6311642B2 (ja) | 1988-03-15 |
Family
ID=13820624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8408484A Granted JPS60229001A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 集積化回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229001A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2725913B2 (ja) * | 1991-08-29 | 1998-03-11 | 富士通株式会社 | ホログラム描画装置 |
| JP2774398B2 (ja) * | 1991-09-17 | 1998-07-09 | 富士通株式会社 | ホログラム作成装置 |
| FR2725527B1 (fr) * | 1994-10-10 | 1996-12-20 | Talneau Anne | Filtre optique pour plusieurs longueurs d'ondes guidees |
| US7228034B2 (en) * | 2003-11-03 | 2007-06-05 | Intel Corporation | Interference patterning |
| JP5326806B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2013-10-30 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子を作製する方法 |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP8408484A patent/JPS60229001A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60229001A (ja) | 1985-11-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |