JPS63117902A - 廃硫酸中のフツ素,塩素の除去方法及びその装置 - Google Patents
廃硫酸中のフツ素,塩素の除去方法及びその装置Info
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Landscapes
- Heat Treatment Of Water, Waste Water Or Sewage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、廃硫酸からフッ素、塩素を除去する方法及び
その装置に関するものである。
その装置に関するものである。
非鉄金属精練、硫#製造プラントに於ける廃硫酸中には
、各種金属類の外にフッ素、塩素が含まれている。
、各種金属類の外にフッ素、塩素が含まれている。
従来、廃硫酸に含まれる金属類については、透析膜、イ
オン交換等により除去できるが、フッ素。
オン交換等により除去できるが、フッ素。
塩素は回収しようとする硫酸そのものと同様に陰イオン
で且つ拡散速度も硫酸よりも大きいため、除去が困難で
あった。
で且つ拡散速度も硫酸よりも大きいため、除去が困難で
あった。
そこで、従来は、廃硫酸を水酸化カルシウム又は炭酸カ
ルシウムによる中和生成物、即ち石膏として回収してい
た。
ルシウムによる中和生成物、即ち石膏として回収してい
た。
然し、回収石膏中に、フッ素、塩素が含まれると、腐食
性が高くなり、この石膏の用途は殆ど限られ、好ましく
ない。
性が高くなり、この石膏の用途は殆ど限られ、好ましく
ない。
そこで、石膏中に如何にしてフッ素、塩素の含まれない
石膏を回収するかが問題となり、この解決策として各種
の提案が為されている(例えば、特公昭59−3464
4号公報、特開昭60−228627号公報等)。
石膏を回収するかが問題となり、この解決策として各種
の提案が為されている(例えば、特公昭59−3464
4号公報、特開昭60−228627号公報等)。
然し、これらは何れも、廃硫酸を石膏として回収するも
のであるから、大量の中和剤を必要とすると共に、回収
した石膏の処理場所を確保する必要があり、不経済なも
のである。
のであるから、大量の中和剤を必要とすると共に、回収
した石膏の処理場所を確保する必要があり、不経済なも
のである。
又、廃硫酸を濃縮して再利用することも色々検討された
が、回収硫酸中にフッ素、塩素が含まれると、非常に腐
食性が高くなり、事実上再利用が不可能となる。
が、回収硫酸中にフッ素、塩素が含まれると、非常に腐
食性が高くなり、事実上再利用が不可能となる。
本発明は斯る従来の問題点を解決するために為されたも
ので、その目的は、廃硫酸を中和して石膏として回収す
るのではなく、廃硫酸を硫酸として回収すると共に、こ
れに含まれているフッ素。
ので、その目的は、廃硫酸を中和して石膏として回収す
るのではなく、廃硫酸を硫酸として回収すると共に、こ
れに含まれているフッ素。
塩素を除去することができる廃硫酸中のフッ素。
塩素の除去方法及びその装置を提供することにある。
本発明に係る廃硫酸中のフッ素、塩素の除去方法は、廃
硫酸中よりフッ素、塩素を除去するに当り、廃硫酸中の
硫酸濃度を400g/ρ以上に高め、フッ素又は塩素を
揮発除去するように構成したものである。
硫酸中よりフッ素、塩素を除去するに当り、廃硫酸中の
硫酸濃度を400g/ρ以上に高め、フッ素又は塩素を
揮発除去するように構成したものである。
又、本発明に係る廃硫酸中のフッ素、塩素の除去装置は
、筒内に充填材を配設し、この充填材の上方に濃硫酸を
散布するスプレーと廃硫酸を散布するスプレーとを設け
、これらスプレーの上方にデミスタを設け、このデミス
タの上方に排ガスを排出する排気口を設け、上記充填材
の下方に空気を導入する空気導入口と充填材を通過して
流下する硫酸を排出する硫酸排出口を設けた処理塔と、
経路に加熱器を備え、処理筒の廃硫酸を散布するスプレ
ーに連結する廃硫酸供給管と、処理塔の空気導入口に空
気を供給する空気供給器とから構成されたものである。
、筒内に充填材を配設し、この充填材の上方に濃硫酸を
散布するスプレーと廃硫酸を散布するスプレーとを設け
、これらスプレーの上方にデミスタを設け、このデミス
タの上方に排ガスを排出する排気口を設け、上記充填材
の下方に空気を導入する空気導入口と充填材を通過して
流下する硫酸を排出する硫酸排出口を設けた処理塔と、
経路に加熱器を備え、処理筒の廃硫酸を散布するスプレ
ーに連結する廃硫酸供給管と、処理塔の空気導入口に空
気を供給する空気供給器とから構成されたものである。
本発明に於ては、廃硫酸中よりフッ素、塩素を除去する
に当り、廃硫酸中の硫酸濃度を400g/l以上に高め
るから、沸点の低いフッ素(フッ化水素又はケイフッ酸
の状態と考えられる)、塩素が揮発し始める。即ち、フ
ッ素、塩素は、水との親和性が非常に高く、水溶液から
揮発除去することは困難であるが、硫酸濃度が高くなる
に連れて、硫酸に水分子が配位されて、自由な水分子が
少なくなり、このため、硫酸濃度が400 g/β以上
になると、沸点の低いフッ素、塩素が揮発し始める。
に当り、廃硫酸中の硫酸濃度を400g/l以上に高め
るから、沸点の低いフッ素(フッ化水素又はケイフッ酸
の状態と考えられる)、塩素が揮発し始める。即ち、フ
ッ素、塩素は、水との親和性が非常に高く、水溶液から
揮発除去することは困難であるが、硫酸濃度が高くなる
に連れて、硫酸に水分子が配位されて、自由な水分子が
少なくなり、このため、硫酸濃度が400 g/β以上
になると、沸点の低いフッ素、塩素が揮発し始める。
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第1図は本発明に係る廃硫酸中のフッ素、塩素の除去装
置を示す。
置を示す。
図に於て、■は処理塔で、筒2内に充填材3を配設し、
この充填祠3の上方に98%濃硫酸を散布するスプレー
4と廃硫酸を散布するスプレー5とを設け、これらスプ
レー4,5の上方にデミスタ6を設け、このデミスタ6
の上方に排ガスを排出する排気ロアを設け、」配量充填
材3の下方に空気を導入する空気導入口8と充填材3を
通過して流下する硫酸を排出する硫酸排出口9を設けた
ものである。
この充填祠3の上方に98%濃硫酸を散布するスプレー
4と廃硫酸を散布するスプレー5とを設け、これらスプ
レー4,5の上方にデミスタ6を設け、このデミスタ6
の上方に排ガスを排出する排気ロアを設け、」配量充填
材3の下方に空気を導入する空気導入口8と充填材3を
通過して流下する硫酸を排出する硫酸排出口9を設けた
ものである。
充@+A3は、硫酸によって侵されない合成樹脂+Aが
望ましく、例えばPP、テフロン(商品名)等がある。
望ましく、例えばPP、テフロン(商品名)等がある。
10ば廃硫酸供給管で、経路に加熱器11を備え、処理
筒1の廃硫酸を散布するスプレー5に連結する。
筒1の廃硫酸を散布するスプレー5に連結する。
20は空気供給器で、処理筒1の空気導入口8に空気を
供給する。
供給する。
30は回収槽で、処理塔lの硫酸排出口9の下部にもう
けられている。この回収槽30には廃硫酸供給管10に
連結する管路31が設けられ、これにはポンプ32が取
り付けである。
けられている。この回収槽30には廃硫酸供給管10に
連結する管路31が設けられ、これにはポンプ32が取
り付けである。
以上のように構成された本実施例によれば、フッ素及び
塩素を含む廃硫酸が廃硫酸供給管10を介して処理塔1
に送られる際に、加熱器11によって60〜100℃程
度に加温される。従って、処理塔1では、加温された廃
硫酸がスプレー5を介して処理塔lに散布される。又、
98%濃硫酸が、廃硫酸の濃度を400g/j!以上に
なるように、スプレー4を介して処理塔1に常時散布さ
れる。
塩素を含む廃硫酸が廃硫酸供給管10を介して処理塔1
に送られる際に、加熱器11によって60〜100℃程
度に加温される。従って、処理塔1では、加温された廃
硫酸がスプレー5を介して処理塔lに散布される。又、
98%濃硫酸が、廃硫酸の濃度を400g/j!以上に
なるように、スプレー4を介して処理塔1に常時散布さ
れる。
而して、処理塔1では、廃硫酸の濃度が400g/βに
なるように98%濃硫酸によって調整されると共に、そ
の液温が60〜100℃に保たれているから、スクラビ
ングが効率良く行なわれ、廃硫酸に含まれているフッ素
、塩素が除去される。
なるように98%濃硫酸によって調整されると共に、そ
の液温が60〜100℃に保たれているから、スクラビ
ングが効率良く行なわれ、廃硫酸に含まれているフッ素
、塩素が除去される。
その結果、回収槽30に流下した硫酸に含まれるフッ素
、塩素の濃度は、極めて微量となる。
、塩素の濃度は、極めて微量となる。
例えば、上記装置を用いて、硫酸濃度140g/ρ、フ
ッ素3 g / (1、塩素6 g / lの廃硫酸を
、加熱器11にて80℃にして処理塔l内にスプレー5
にて散布し、これに98%濃硫酸をスプレー4にて加え
て、硫酸濃度500 g/βに保ってスクラビングした
処、フッ素100■/Il、塩素200■/lまで除去
できた。
ッ素3 g / (1、塩素6 g / lの廃硫酸を
、加熱器11にて80℃にして処理塔l内にスプレー5
にて散布し、これに98%濃硫酸をスプレー4にて加え
て、硫酸濃度500 g/βに保ってスクラビングした
処、フッ素100■/Il、塩素200■/lまで除去
できた。
又、上記操作を繰り返す間に、回収槽30の硫酸をポン
プ31を介して廃硫酸に添加して、硫酸の濃度を高める
ことができるため、廃硫酸濃度を500g/j!以」二
とすることができる。
プ31を介して廃硫酸に添加して、硫酸の濃度を高める
ことができるため、廃硫酸濃度を500g/j!以」二
とすることができる。
而も、スクラビングによって水の蒸発も同時に生じるた
め、回収硫酸の硫酸濃度を500 g/lよりも高くす
ることができる。この場合には、廃硫酸の供給量を少な
くすることによって、濃硫酸を添加しなくても、系内を
400 g/l以上に保ことも可能である。
め、回収硫酸の硫酸濃度を500 g/lよりも高くす
ることができる。この場合には、廃硫酸の供給量を少な
くすることによって、濃硫酸を添加しなくても、系内を
400 g/l以上に保ことも可能である。
第2図は本発明に係る廃硫酸中のフッ素、塩素の除去装
置の別の例を示す。
置の別の例を示す。
図に於て、40は処理塔で、複数の孔空き棚41が設け
てあり、上部には98%濃硫酸と廃硫酸を散布するスプ
レー42が設けられ、更にその上部にはデミスタ43が
設けである。そして、デミスタ43の上方には、蒸気を
排出する排気口44が設けである。この排気口44には
、冷却器45を設けた排出管46が設けられている。又
、処理塔40の下部には加熱蒸気を取り込むスプレー4
7が設けられると共に、この部位に硫酸が回収される。
てあり、上部には98%濃硫酸と廃硫酸を散布するスプ
レー42が設けられ、更にその上部にはデミスタ43が
設けである。そして、デミスタ43の上方には、蒸気を
排出する排気口44が設けである。この排気口44には
、冷却器45を設けた排出管46が設けられている。又
、処理塔40の下部には加熱蒸気を取り込むスプレー4
7が設けられると共に、この部位に硫酸が回収される。
この装置では、処理塔40の底部から加熱蒸気が吹き込
まれる中を、上部からフッ素、塩素を含む廃硫酸と98
%濃硫酸とをスプレー42によって散布するから、各欄
41の孔から蒸気が上昇する時に霧状になっている硫酸
中のフッ素、塩素を伴って上昇して、排気口44から吐
出する。そして、冷却器45によって冷却されて、フッ
素、塩素及び水が排出管46から排出される。
まれる中を、上部からフッ素、塩素を含む廃硫酸と98
%濃硫酸とをスプレー42によって散布するから、各欄
41の孔から蒸気が上昇する時に霧状になっている硫酸
中のフッ素、塩素を伴って上昇して、排気口44から吐
出する。そして、冷却器45によって冷却されて、フッ
素、塩素及び水が排出管46から排出される。
一方、硫酸は、順次棚41を流下し乍ら、蒸気によって
加熱され、硫酸濃度を高めて行く。そして、処理塔40
の底部に溜まった時には、硫酸濃度を400 g/l!
以上とすることができる。
加熱され、硫酸濃度を高めて行く。そして、処理塔40
の底部に溜まった時には、硫酸濃度を400 g/l!
以上とすることができる。
又、第2図に於ける蒸気吹き込みに代えて、熱交換によ
る加熱とすれば、回収硫酸濃度が500g/j!以」二
となり、この回収硫酸を98%濃硫酸の代わりに循環さ
−14,濃硫酸の添加を減少又は不要とすることも可能
となる。
る加熱とすれば、回収硫酸濃度が500g/j!以」二
となり、この回収硫酸を98%濃硫酸の代わりに循環さ
−14,濃硫酸の添加を減少又は不要とすることも可能
となる。
尚、本発明は、上記実施例に限定するものではなく、例
えば、硫酸濃度140g/ρ、フッ素3g/p、塩素6
g / 7!の廃硫酸に98%濃硫酸を加えたものを
、加熱蒸発させた処、フッ素60■/l、塩素120n
w/#まで除去することができた。
えば、硫酸濃度140g/ρ、フッ素3g/p、塩素6
g / 7!の廃硫酸に98%濃硫酸を加えたものを
、加熱蒸発させた処、フッ素60■/l、塩素120n
w/#まで除去することができた。
又、真空蒸発させることによっても同様の処理を為すこ
とが可能である。
とが可能である。
更に、本発明では、如何なる廃硫酸でも処理することは
可能であるが、経済的な処理を考慮すると、廃硫酸の硫
酸濃度は100 g/l以上することが望ましい。従っ
て、若し硫酸濃度が100g/β以下の場合には、予備
濃縮してその値以上とすることが好ましい。
可能であるが、経済的な処理を考慮すると、廃硫酸の硫
酸濃度は100 g/l以上することが望ましい。従っ
て、若し硫酸濃度が100g/β以下の場合には、予備
濃縮してその値以上とすることが好ましい。
以上のように本発明によれば、廃硫酸が硫酸として回収
して利用できるようになる。そのため、処理工程中で回
収した硫酸を濃硫酸に代えて使用することができるよう
になり、経済的な処理が可能となる。又、中和処理を行
なわないため、廃硫酸の中和処理、及び中和処理残渣の
処分問題が減少する。更に、フッ素、塩素が分離される
ため、これらを利用することもできる。特に、分離した
フッ素は、フッ化カルシウム、ケイフッ化ナトリウム等
として回収することができる。
して利用できるようになる。そのため、処理工程中で回
収した硫酸を濃硫酸に代えて使用することができるよう
になり、経済的な処理が可能となる。又、中和処理を行
なわないため、廃硫酸の中和処理、及び中和処理残渣の
処分問題が減少する。更に、フッ素、塩素が分離される
ため、これらを利用することもできる。特に、分離した
フッ素は、フッ化カルシウム、ケイフッ化ナトリウム等
として回収することができる。
第1図は本発明の装置の一例を示す説明図、第2図は本
発明を実施するための装置の一例を示す説明図である。 ■・・・処理塔、2・・・筒、3・・・充填材、4.5
・・・スプレー、6・・・デミスタ、7・・・排ガスを
排出する排気口、8・・・空気導入口、9・・・硫酸排
出口、10・・・廃硫酸供給管、11・・・加熱器、2
0・・・空気供給器、30・・・回収槽、31・・・管
路、32・・・ポンプ。 第 1 A 挿ガス 7 スクラバへ 98り膚E地 4 ′ 2 11 −一1 卑石紀絞 °° 第・・・・44 983班渣 45 廊緒帥 〆40
力1pべ φ 一; 口奴箭駁 770閃1y銭
発明を実施するための装置の一例を示す説明図である。 ■・・・処理塔、2・・・筒、3・・・充填材、4.5
・・・スプレー、6・・・デミスタ、7・・・排ガスを
排出する排気口、8・・・空気導入口、9・・・硫酸排
出口、10・・・廃硫酸供給管、11・・・加熱器、2
0・・・空気供給器、30・・・回収槽、31・・・管
路、32・・・ポンプ。 第 1 A 挿ガス 7 スクラバへ 98り膚E地 4 ′ 2 11 −一1 卑石紀絞 °° 第・・・・44 983班渣 45 廊緒帥 〆40
力1pべ φ 一; 口奴箭駁 770閃1y銭
Claims (10)
- (1)廃硫酸中よりフッ素、塩素を除去するに当り、廃
硫酸中の硫酸濃度を400g/l以上に高め、フッ素又
は塩素を揮発除去することを特徴とする廃硫酸中のフッ
素、塩素の除去方法。 - (2)廃硫酸に濃硫酸を加えて、廃硫酸中の硫酸濃度を
400g/l以上に高めることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の廃硫酸中のフッ素、塩素の除去方法。 - (3)廃硫酸を蒸発濃縮することによって、廃硫酸中の
硫酸濃度を400g/l以上に高めることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の廃硫酸中のフッ素、塩素の
除去方法。 - (4)廃硫酸を60〜100℃でスクラビングすること
を特徴とする特許請求の範囲第3項記載の廃硫酸中のフ
ッ素、塩素の除去方法。 - (5)廃硫酸をその沸点で蒸発させることを特徴とする
特許請求の範囲第3項記載の廃硫酸中のフッ素、塩素の
除去方法。 - (6)廃硫酸を真空蒸発させることを特徴とする特許請
求の範囲第3項記載の廃硫酸中のフッ素、塩素の除去方
法。 - (7)廃硫酸原液中の硫酸濃度は、100g/l以上で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第6項
の何れかに記載の廃硫酸中のフッ素、塩素の除去方法。 - (8)廃硫酸は、非鉄金属精練廃酸又は硫酸製造プラン
ト廃酸であることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃
至第7項の何れかに記載の廃硫酸中のフッ素、塩素の除
去方法。 - (9)筒内に充填材を配設し、この充填材の上方に濃硫
酸を散布するスプレーと廃硫酸を散布するスプレーとを
設け、これらスプレーの上方にデミスタを設け、このデ
ミスタの上方に排ガスを排出する排気口を設け、上記充
填材の下方に空気を導入する空気導入口と充填材を通過
して流下する硫酸を排出する硫酸排出口を設けた処理塔
と、経路に加熱器を備え、処理塔の廃硫酸を散布するス
プレーに連結する廃硫酸供給管と、処理塔の空気導入口
に空気を供給する空気供給器とから構成されたことを特
徴とする廃硫酸中のフッ素、塩素の除去装置。 - (10)処理塔の硫酸排出口の下方には、槽が設けられ
、この槽に滴下した硫酸をポンプによって、廃硫酸供給
管と連結していることを特徴とする特許請求の範囲第9
項記載の廃硫酸中のフッ素、塩素の除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26476886A JPS63117902A (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | 廃硫酸中のフツ素,塩素の除去方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26476886A JPS63117902A (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | 廃硫酸中のフツ素,塩素の除去方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63117902A true JPS63117902A (ja) | 1988-05-21 |
Family
ID=17407918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26476886A Pending JPS63117902A (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | 廃硫酸中のフツ素,塩素の除去方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63117902A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006169106A (ja) * | 2006-02-20 | 2006-06-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 高純度硫酸の製造方法 |
| JP2006169109A (ja) * | 2006-03-07 | 2006-06-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 塩素の除去方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518649A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Fujitsu Ltd | Focus adjusting system of infrared ray video apparatus |
| JPS5519883A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-12 | Nitto Electric Ind Co | Method of coating cover of printed circuit board |
-
1986
- 1986-11-06 JP JP26476886A patent/JPS63117902A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5518649A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Fujitsu Ltd | Focus adjusting system of infrared ray video apparatus |
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