JPS6311792B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6311792B2 JPS6311792B2 JP54067144A JP6714479A JPS6311792B2 JP S6311792 B2 JPS6311792 B2 JP S6311792B2 JP 54067144 A JP54067144 A JP 54067144A JP 6714479 A JP6714479 A JP 6714479A JP S6311792 B2 JPS6311792 B2 JP S6311792B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- photoconductive
- electrodes
- cds
- conductive paint
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電セルおよびその製造方法に係
り、特に接着強度の大きい電極を有し、特性劣化
の少ない、安価な光導電セルと、これの製造に適
した方法を提供するものである。
り、特に接着強度の大きい電極を有し、特性劣化
の少ない、安価な光導電セルと、これの製造に適
した方法を提供するものである。
近年、安価で性能の高い光導電セルが大量に製
造販売されている。その多くは硫化カドミウム
（CdS）からなる光導電素体に、電極としてイン
ジウム（ln）―錫（Sn）を蒸着させたものであ
る。しかし、それらの光導電セルにおいて、CdS
は印刷法もしくはスプレー法等で連続的に形成さ
れているのに対し、電極はそれらの方法で形成す
ることができず、真空蒸着法で形成されているの
が現状である。この蒸着法はバツチ式であるた
め、量産に向かず、時間がかかり、設備費が高い
など、製造コストが高くつくという問題がある。
また、In―SnはCdSに対するオーム性接触の点で
優れているが、接着強度が大きくないという欠点
がある。CdSに対してオーム性接触をし、機械的
強度が大きく、形成が容易で、安価な電極材料は
見い出し難い。
造販売されている。その多くは硫化カドミウム
（CdS）からなる光導電素体に、電極としてイン
ジウム（ln）―錫（Sn）を蒸着させたものであ
る。しかし、それらの光導電セルにおいて、CdS
は印刷法もしくはスプレー法等で連続的に形成さ
れているのに対し、電極はそれらの方法で形成す
ることができず、真空蒸着法で形成されているの
が現状である。この蒸着法はバツチ式であるた
め、量産に向かず、時間がかかり、設備費が高い
など、製造コストが高くつくという問題がある。
また、In―SnはCdSに対するオーム性接触の点で
優れているが、接着強度が大きくないという欠点
がある。CdSに対してオーム性接触をし、機械的
強度が大きく、形成が容易で、安価な電極材料は
見い出し難い。
本発明は、これまで−族化合物半導体の電
極材料として不適当であるとされていた銀導電性
ペイントを、Inを添加含有させて用いることによ
り、−族化合物半導体にオーム性接触する電
極を容易に、安価に形成できることをみいだし、
かかるIn含有の銀導電性ペイントを電極材料とし
て用いたものである。
極材料として不適当であるとされていた銀導電性
ペイントを、Inを添加含有させて用いることによ
り、−族化合物半導体にオーム性接触する電
極を容易に、安価に形成できることをみいだし、
かかるIn含有の銀導電性ペイントを電極材料とし
て用いたものである。
これは、電気的な接触状態が良いだけでなく、
接着状態も堅固で、機械的強度が高く、リード線
づけも容易であるという特徴をもつている。そし
て、使用による特性劣下が少なく、材料費そのも
のも、高価なInが無駄が少なく利用されるため安
価である。
接着状態も堅固で、機械的強度が高く、リード線
づけも容易であるという特徴をもつている。そし
て、使用による特性劣下が少なく、材料費そのも
のも、高価なInが無駄が少なく利用されるため安
価である。
さらに、このような電極を設けるために、各種
の塗付法、特にスクリーン印刷法による塗布とい
う方法をとることにより、１回の操作で所定の厚
さの電極を簡単に形成することができ、蒸着法に
よる形成に比べて量産性が非常に高いだけでな
く、それに必要な設備、装置が安価であつて、そ
の保安のための費用も安くてすむという利点があ
る。
の塗付法、特にスクリーン印刷法による塗布とい
う方法をとることにより、１回の操作で所定の厚
さの電極を簡単に形成することができ、蒸着法に
よる形成に比べて量産性が非常に高いだけでな
く、それに必要な設備、装置が安価であつて、そ
の保安のための費用も安くてすむという利点があ
る。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。第１図、第２図において、１はセラミツク基
板、２はCdS焼結膜すなわち−族化合物から
なる光導電素体である。焼結膜２は、不純物と融
剤の塩化カドミウム（CdCl2）を加えてCdS粉に
適量のプロピレングリコールを加えてなるペース
トをスクリーン印刷して乾燥させてから、630℃
の高温で焼成し形成したものである。３はCdS焼
結膜２上に形成した一対の電極で、銀導電性ペイ
ント（デユポン社製銀ペイントNo.4929）を78重量
％と、粒度325メツシユのIn粉末22重量％とをよ
く混合したものをスクリーン印刷法で塗付し、室
温で30分間放置したのち、150℃で１時間加熱し
て形成したものである。４はリード線で、電極３
を形成する際、ペイントを硬化させる前に、それ
に接着して電極３に接続させたものである。５は
透明樹脂である。
る。第１図、第２図において、１はセラミツク基
板、２はCdS焼結膜すなわち−族化合物から
なる光導電素体である。焼結膜２は、不純物と融
剤の塩化カドミウム（CdCl2）を加えてCdS粉に
適量のプロピレングリコールを加えてなるペース
トをスクリーン印刷して乾燥させてから、630℃
の高温で焼成し形成したものである。３はCdS焼
結膜２上に形成した一対の電極で、銀導電性ペイ
ント（デユポン社製銀ペイントNo.4929）を78重量
％と、粒度325メツシユのIn粉末22重量％とをよ
く混合したものをスクリーン印刷法で塗付し、室
温で30分間放置したのち、150℃で１時間加熱し
て形成したものである。４はリード線で、電極３
を形成する際、ペイントを硬化させる前に、それ
に接着して電極３に接続させたものである。５は
透明樹脂である。
このように構成したものは、従来品すなわち電
極を蒸着In―Snで形成した光導電セルと同等の
光導電特性を示した。そして、電極３の接着強度
は、従来品の35gに対し45gと優れていた。また、
特性劣下は従来品と同等もしくはそれ以下で高い
信頼性を示した。さらに、従来品は電極３とリー
ド線４の結合に、導電性ペイントを使用していた
のに対し、本発明では電極３の形成とリード線４
の結合が容易に行われれ、安価に光導電セルを製
造することができた。
極を蒸着In―Snで形成した光導電セルと同等の
光導電特性を示した。そして、電極３の接着強度
は、従来品の35gに対し45gと優れていた。また、
特性劣下は従来品と同等もしくはそれ以下で高い
信頼性を示した。さらに、従来品は電極３とリー
ド線４の結合に、導電性ペイントを使用していた
のに対し、本発明では電極３の形成とリード線４
の結合が容易に行われれ、安価に光導電セルを製
造することができた。
第３図、第４図は本発明の他の実施例を示す。
同図の構成において、電極３を除く他の部分の構
成は前記実施例と同様である。電極３のうち、一
方の電極３ａは円環状に形成され、他方の電極３
は前記電極３ａの内側にCdS焼結膜２を介して離
れて設けられている。これら電極３ａ，３ｂに
は、銀導電性ペイントとして住友金属鉱山株式会
社製の「Ｓ―8710」を使用し、この銀導電性ペイ
ントを74重量％と、粒度325メツシユのIn粉末26
重量％とを良く混合したものを、CdS焼結膜２上
にスクリーン印刷法で塗布し、室温に30分間放置
した後200℃で30分間加熱して形成した。
同図の構成において、電極３を除く他の部分の構
成は前記実施例と同様である。電極３のうち、一
方の電極３ａは円環状に形成され、他方の電極３
は前記電極３ａの内側にCdS焼結膜２を介して離
れて設けられている。これら電極３ａ，３ｂに
は、銀導電性ペイントとして住友金属鉱山株式会
社製の「Ｓ―8710」を使用し、この銀導電性ペイ
ントを74重量％と、粒度325メツシユのIn粉末26
重量％とを良く混合したものを、CdS焼結膜２上
にスクリーン印刷法で塗布し、室温に30分間放置
した後200℃で30分間加熱して形成した。
この実施例による光導電セルは、前記実施例と
同様に優れた光導電特性を示した。
同様に優れた光導電特性を示した。
ところで、第３図のように電極３ｂが離れ島状
となる光導電セルを製造する上で、本発明の方法
は非常に容易に実施することができるという利点
を有する。すなわち、電極３ｂのように離れ島状
の構成要素を形成する場合、本発明の方法では１
回の印刷工程で電極材料を塗付することができ、
その後熱処理をすればよい。これに対し、従来の
蒸着法では、二つの工程に分けて電極を形成しな
ければならない。すなわち、帯状のCdS焼結膜２
にIn−Snが付着しないようにマスクで覆わねば
ならないが、この時そのマスクを周縁部分の他の
マスクと、いずれかの箇所で連結する必要があ
る。さもなければ、そのマスクが宙に浮いてしま
い、固定することができない。ところが、In―
Snの蒸着の際、連結部がマスクとなるため、そ
の部分にも別の工程でIn―Snを蒸着しなければ
ならない。つまり二つの蒸着工程ではじめて一つ
の電極が形成されることになる。このように、電
極３の形成一つをとつても、本発明の方法は実施
が容易であり、コストの低減を可能にするだけで
なく、二つの工程から生じるような、仕上げ電極
パターン精度の低下も起こらなかつた。
となる光導電セルを製造する上で、本発明の方法
は非常に容易に実施することができるという利点
を有する。すなわち、電極３ｂのように離れ島状
の構成要素を形成する場合、本発明の方法では１
回の印刷工程で電極材料を塗付することができ、
その後熱処理をすればよい。これに対し、従来の
蒸着法では、二つの工程に分けて電極を形成しな
ければならない。すなわち、帯状のCdS焼結膜２
にIn−Snが付着しないようにマスクで覆わねば
ならないが、この時そのマスクを周縁部分の他の
マスクと、いずれかの箇所で連結する必要があ
る。さもなければ、そのマスクが宙に浮いてしま
い、固定することができない。ところが、In―
Snの蒸着の際、連結部がマスクとなるため、そ
の部分にも別の工程でIn―Snを蒸着しなければ
ならない。つまり二つの蒸着工程ではじめて一つ
の電極が形成されることになる。このように、電
極３の形成一つをとつても、本発明の方法は実施
が容易であり、コストの低減を可能にするだけで
なく、二つの工程から生じるような、仕上げ電極
パターン精度の低下も起こらなかつた。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、―族化合物半導体を利用した光導電セル
を製造するうえで一つの障害となつていた電極製
造工程が改善され、セルの低コスト化、電極の機
械的強度の向上、セルの高性能化、高信頼性化を
達成することができる。特に、セルの電極パター
ンが複雑になるほど、本発明の方法による効果は
大きい。
ば、―族化合物半導体を利用した光導電セル
を製造するうえで一つの障害となつていた電極製
造工程が改善され、セルの低コスト化、電極の機
械的強度の向上、セルの高性能化、高信頼性化を
達成することができる。特に、セルの電極パター
ンが複雑になるほど、本発明の方法による効果は
大きい。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は
第１図の―線断面図、第３図は他の実施例の
平面図、第４図は第３図の―線断面図であ
る。 １…セラミツク基板、２…CdS焼結膜、３，３
ａ，３ｂ…電極、４…リード線、５…透明樹脂。
第１図の―線断面図、第３図は他の実施例の
平面図、第４図は第３図の―線断面図であ
る。 １…セラミツク基板、２…CdS焼結膜、３，３
ａ，３ｂ…電極、４…リード線、５…透明樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ −族化合物半導体からなる光導電素体
に、インジウム粉を分散して含む銀導電性ペイン
トを用いて構成した電極を有することを特徴とす
る光導電セル。 ２ −族化合物半導体からなる光導電素体
に、インジウム粉を分散して含む銀導電ペイント
を印刷法で塗付する工程と、上記塗付したペイン
トを乾燥させる工程と、上記乾燥後熱処理する工
程とにより電極を形成することを特徴とする光導
電セルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6714479A JPS55158682A (en) | 1979-05-29 | 1979-05-29 | Photoconductive cell and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6714479A JPS55158682A (en) | 1979-05-29 | 1979-05-29 | Photoconductive cell and manufacture thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55158682A JPS55158682A (en) | 1980-12-10 |
| JPS6311792B2 true JPS6311792B2 (ja) | 1988-03-16 |
Family
ID=13336412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6714479A Granted JPS55158682A (en) | 1979-05-29 | 1979-05-29 | Photoconductive cell and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55158682A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2502846B1 (fr) * | 1981-03-30 | 1986-08-01 | Secr Defence Brit | Detecteur photoconducteur |
| GB2430797A (en) * | 2005-09-28 | 2007-04-04 | Macron Internat Group Ltd | A method of making a photoresistor |
-
1979
- 1979-05-29 JP JP6714479A patent/JPS55158682A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55158682A (en) | 1980-12-10 |
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