JPH05274917A - 酸化錫透明導電膜 - Google Patents
酸化錫透明導電膜Info
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- JPH05274917A JPH05274917A JP9881792A JP9881792A JPH05274917A JP H05274917 A JPH05274917 A JP H05274917A JP 9881792 A JP9881792 A JP 9881792A JP 9881792 A JP9881792 A JP 9881792A JP H05274917 A JPH05274917 A JP H05274917A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シート抵抗が低く、高い接着強度を有する酸
化錫透明導電膜の提供。 【構成】 まず、ソーダライムガラス１にＳｉＯ2 被膜
２をコーティングした基板を50mm角にスクライブし、溶
剤および純水によって洗浄する。次いで、純水 150mlに
ＳｎＣｌ4 ・６Ｈ2 Ｏを25ｇ溶解した溶液を、 500℃に
加熱されたホットプレート上に設置した上記基板の上方
からスプレーし、弗素をドーピングしていない酸化錫透
明導電膜３を膜厚 100nmで成膜する。次に、純水 150ml
にＳｎＣｌ4 ・６Ｈ2 ＯおよびＮＨ4 Ｆをそれぞれ25ｇ
および 10.58ｇ溶解した溶液を上記同様にしてスプレー
し、弗素をドーピングした酸化錫透明導電膜膜厚４を膜
厚 200nmで成膜する。次いで、エッチングによって所定
のＳｎＯ2 パターンを形成した後、膜厚１μｍのＮｉメ
ッキ層５および膜厚 100nmのＡｕメッキ層６を形成す
る。
化錫透明導電膜の提供。 【構成】 まず、ソーダライムガラス１にＳｉＯ2 被膜
２をコーティングした基板を50mm角にスクライブし、溶
剤および純水によって洗浄する。次いで、純水 150mlに
ＳｎＣｌ4 ・６Ｈ2 Ｏを25ｇ溶解した溶液を、 500℃に
加熱されたホットプレート上に設置した上記基板の上方
からスプレーし、弗素をドーピングしていない酸化錫透
明導電膜３を膜厚 100nmで成膜する。次に、純水 150ml
にＳｎＣｌ4 ・６Ｈ2 ＯおよびＮＨ4 Ｆをそれぞれ25ｇ
および 10.58ｇ溶解した溶液を上記同様にしてスプレー
し、弗素をドーピングした酸化錫透明導電膜膜厚４を膜
厚 200nmで成膜する。次いで、エッチングによって所定
のＳｎＯ2 パターンを形成した後、膜厚１μｍのＮｉメ
ッキ層５および膜厚 100nmのＡｕメッキ層６を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に構成される酸
化錫透明導電膜に関する。
化錫透明導電膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、酸化錫透明導電膜を有するガ
ラス基板は、太陽電池や表示素子など様々な用途に用い
られており、この酸化錫透明導電膜は、例えばシリカコ
ートガラス（Ｓ．Ｃ．Ｇ．）基板の上に、スプレー法ま
たはＣＭＤ法（Chemical MistDeposition Method ）な
どによって酸化錫を成膜することにより得られる単層膜
であった。
ラス基板は、太陽電池や表示素子など様々な用途に用い
られており、この酸化錫透明導電膜は、例えばシリカコ
ートガラス（Ｓ．Ｃ．Ｇ．）基板の上に、スプレー法ま
たはＣＭＤ法（Chemical MistDeposition Method ）な
どによって酸化錫を成膜することにより得られる単層膜
であった。
【０００３】また、従来の技術においては、上記酸化錫
透明導電膜に弗素をドーピングすることにより、シート
抵抗の低減化を図っていた。
透明導電膜に弗素をドーピングすることにより、シート
抵抗の低減化を図っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、弗素を
ドーピングした酸化錫透明導電膜を有する基板は、低い
シート抵抗値を得ることはできるが、１kg／２mm□以上
の高い接着強度（酸化錫透明導電膜の上にＮｉおよびＡ
ｕのメッキを施し、さらにその表面にリード線を半田付
けし、該リード線を引っ張ることにより測定される）を
得ることができず、一方、弗素をドーピングしていない
酸化錫透明導電膜を有する基板は、１kg／２mm□以上の
高い接着強度を得ることはできるが、シート抵抗値が上
記より１桁ほど高くなってしまうという問題点があっ
た。
ドーピングした酸化錫透明導電膜を有する基板は、低い
シート抵抗値を得ることはできるが、１kg／２mm□以上
の高い接着強度（酸化錫透明導電膜の上にＮｉおよびＡ
ｕのメッキを施し、さらにその表面にリード線を半田付
けし、該リード線を引っ張ることにより測定される）を
得ることができず、一方、弗素をドーピングしていない
酸化錫透明導電膜を有する基板は、１kg／２mm□以上の
高い接着強度を得ることはできるが、シート抵抗値が上
記より１桁ほど高くなってしまうという問題点があっ
た。
【０００５】そこで本発明は、上述従来の技術の問題点
を解決し、シート抵抗が低く、高い接着強度を有する酸
化錫透明導電膜を提供することを目的とする。
を解決し、シート抵抗が低く、高い接着強度を有する酸
化錫透明導電膜を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意研究の結果、基板上に弗素をドー
ピングしていない酸化錫透明導電膜を成膜し、その上に
弗素をドーピングした酸化錫透明導電膜を成膜して二層
膜とすることにより、上記課題が解決されることを見い
出し、本発明に到達した。
を達成するために鋭意研究の結果、基板上に弗素をドー
ピングしていない酸化錫透明導電膜を成膜し、その上に
弗素をドーピングした酸化錫透明導電膜を成膜して二層
膜とすることにより、上記課題が解決されることを見い
出し、本発明に到達した。
【０００７】すなわち、本発明は、基板上に成膜され、
弗素がドーピングされていない酸化錫透明導電膜と弗素
がドーピングされた酸化錫透明導電膜からなる二層膜で
あり、基板側に弗素がドーピングされていない酸化錫透
明導電膜が構成されることを特徴とする酸化錫透明導電
膜を提供するものである。
弗素がドーピングされていない酸化錫透明導電膜と弗素
がドーピングされた酸化錫透明導電膜からなる二層膜で
あり、基板側に弗素がドーピングされていない酸化錫透
明導電膜が構成されることを特徴とする酸化錫透明導電
膜を提供するものである。
【０００８】
【作用】本発明の酸化錫透明導電膜は、まず、基板上に
弗素をドーピングしていない酸化錫透明導電膜を成膜
し、次いでこの膜の上に弗素をドーピングした酸化錫透
明導電膜を成膜することにより得ることができる。
弗素をドーピングしていない酸化錫透明導電膜を成膜
し、次いでこの膜の上に弗素をドーピングした酸化錫透
明導電膜を成膜することにより得ることができる。
【０００９】例えば、シリカコートガラス基板（ソーダ
ライムガラス１の上にＳｉＯ2 被膜２を形成した基板）
上に弗素をドーピングしていない酸化錫透明導電膜３お
よび弗素をドーピングした酸化錫透明導電膜４を成膜
し、その上にＮｉメッキ層５およびＡｕメッキ層６を形
成した場合、Ｎｉメッキ層５と弗素をドーピングした酸
化錫透明導電膜４との界面には、弗素をドーピングした
酸化錫透明導電膜４の表面の結晶粒成長によるテクスチ
ャ構造が形成されるため（図１）、その表面積が増大し
てＮｉとＳｎＯ2 ：Ｆとの結合が強固になり、高い接着
強度を有するようになる。なお、上記テクスチャ構造
は、酸化錫透明導電膜の膜厚が厚くなるほど増大する。
ライムガラス１の上にＳｉＯ2 被膜２を形成した基板）
上に弗素をドーピングしていない酸化錫透明導電膜３お
よび弗素をドーピングした酸化錫透明導電膜４を成膜
し、その上にＮｉメッキ層５およびＡｕメッキ層６を形
成した場合、Ｎｉメッキ層５と弗素をドーピングした酸
化錫透明導電膜４との界面には、弗素をドーピングした
酸化錫透明導電膜４の表面の結晶粒成長によるテクスチ
ャ構造が形成されるため（図１）、その表面積が増大し
てＮｉとＳｎＯ2 ：Ｆとの結合が強固になり、高い接着
強度を有するようになる。なお、上記テクスチャ構造
は、酸化錫透明導電膜の膜厚が厚くなるほど増大する。
【００１０】また、ＳｉＯ2 被膜と弗素がドーピングさ
れていない酸化錫透明導電膜との界面には、弗素の存在
がないため高い接着強度を有するが、この膜の上に形成
される弗素がドーピングされた酸化錫透明導電膜の膜厚
を厚くしすぎると、この膜に含まれている弗素が上記界
面に存在するようになり、接着強度が低下してしまう。
れていない酸化錫透明導電膜との界面には、弗素の存在
がないため高い接着強度を有するが、この膜の上に形成
される弗素がドーピングされた酸化錫透明導電膜の膜厚
を厚くしすぎると、この膜に含まれている弗素が上記界
面に存在するようになり、接着強度が低下してしまう。
【００１１】一方、シート抵抗は、弗素をドーピングし
た酸化錫透明導電膜の膜厚が薄い場合、従来の弗素をド
ーピングした酸化錫透明導電膜のみからなる単層膜より
も若干高くなるが、弗素をドーピングした酸化錫透明導
電膜の膜厚を厚くすることにより、その弗素が弗素をド
ーピングしていない酸化錫透明導電膜にもひろがるた
め、上記従来の単層膜と同等のシート抵抗が得られるよ
うになる。
た酸化錫透明導電膜の膜厚が薄い場合、従来の弗素をド
ーピングした酸化錫透明導電膜のみからなる単層膜より
も若干高くなるが、弗素をドーピングした酸化錫透明導
電膜の膜厚を厚くすることにより、その弗素が弗素をド
ーピングしていない酸化錫透明導電膜にもひろがるた
め、上記従来の単層膜と同等のシート抵抗が得られるよ
うになる。
【００１２】したがって、本発明の酸化錫透明導電膜に
おける弗素をドーピングした酸化錫透明導電膜、および
弗素をドーピングしていない酸化錫透明導電膜の膜厚
は、弗素をドーピングした酸化錫透明導電膜における弗
素が、弗素をドーピングしていない酸化錫透明導電膜中
にひろがり、かつ該弗素が、弗素をドーピングしていな
い酸化錫透明導電膜とＳｉＯ2 被膜との界面まで達する
ことのない厚さにすれば良く、このような膜厚で上記二
層膜を成膜することにより、高い接着強度と低いシート
抵抗を合わせ持つようになるのである。
おける弗素をドーピングした酸化錫透明導電膜、および
弗素をドーピングしていない酸化錫透明導電膜の膜厚
は、弗素をドーピングした酸化錫透明導電膜における弗
素が、弗素をドーピングしていない酸化錫透明導電膜中
にひろがり、かつ該弗素が、弗素をドーピングしていな
い酸化錫透明導電膜とＳｉＯ2 被膜との界面まで達する
ことのない厚さにすれば良く、このような膜厚で上記二
層膜を成膜することにより、高い接着強度と低いシート
抵抗を合わせ持つようになるのである。
【００１３】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
【００１４】
【実施例１】まず、シリカコートガラス基板（ソーダラ
イムガラスの表面が 100nmの厚さのＳｉＯ2 被膜でコー
ティングされた既製のガラス基板）を50mm角にスクライ
ブし、溶剤および純水によって洗浄した。一方、純水 1
50mlにＳｎＣｌ4 ・６Ｈ2 Ｏを25ｇ溶解して酸化錫透明
導電膜作製用原料液Ｉを作製し、この原料液Ｉを、 500
℃に加熱されたホットプレート上に設置した上記基板の
上方からスプレーし、膜厚 100nmの弗素のドーピングさ
れていないＳｎＯ2 膜を成膜した。
イムガラスの表面が 100nmの厚さのＳｉＯ2 被膜でコー
ティングされた既製のガラス基板）を50mm角にスクライ
ブし、溶剤および純水によって洗浄した。一方、純水 1
50mlにＳｎＣｌ4 ・６Ｈ2 Ｏを25ｇ溶解して酸化錫透明
導電膜作製用原料液Ｉを作製し、この原料液Ｉを、 500
℃に加熱されたホットプレート上に設置した上記基板の
上方からスプレーし、膜厚 100nmの弗素のドーピングさ
れていないＳｎＯ2 膜を成膜した。
【００１５】次に、純水 150mlにＳｎＣｌ4 ・６Ｈ2 Ｏ
およびＮＨ4 Ｆをそれぞれ25ｇおよび 10.58ｇ溶解して
酸化錫透明導電膜作製用原料液IIを作製し、上記同様に
して原料液IIをスプレーし、膜厚50nmの弗素のドーピン
グされたＳｎＯ2 膜を成膜した。次いで、該基板にフォ
トレジストを均一に塗布し、 120℃で30分プレベークし
た後、所定のマスク（２mm□パターン）に合わせて紫外
線を照射し、未照射のレジストを溶解除去してＳｎＯ2
膜を部分的に露出させた。
およびＮＨ4 Ｆをそれぞれ25ｇおよび 10.58ｇ溶解して
酸化錫透明導電膜作製用原料液IIを作製し、上記同様に
して原料液IIをスプレーし、膜厚50nmの弗素のドーピン
グされたＳｎＯ2 膜を成膜した。次いで、該基板にフォ
トレジストを均一に塗布し、 120℃で30分プレベークし
た後、所定のマスク（２mm□パターン）に合わせて紫外
線を照射し、未照射のレジストを溶解除去してＳｎＯ2
膜を部分的に露出させた。
【００１６】次に、この基板を 150℃で30分プレベーク
し、基板上に亜鉛粉末を均一に散布した後、エッチング
液（ＨＣｌ＋ＦｅＣｌ3 ）中に置き、露出したＳｎＯ2
膜を除去した。その後、溶剤でレジストを剥離し、所定
のマスク形状のＳｎＯ2 パターンを形成した。
し、基板上に亜鉛粉末を均一に散布した後、エッチング
液（ＨＣｌ＋ＦｅＣｌ3 ）中に置き、露出したＳｎＯ2
膜を除去した。その後、溶剤でレジストを剥離し、所定
のマスク形状のＳｎＯ2 パターンを形成した。
【００１７】ここで、得られた基板についてシート抵抗
の測定を行い、その結果を表１に示した。
の測定を行い、その結果を表１に示した。
【００１８】
【表１】
【００１９】次に、上記基板に選択性無電解Ｎｉメッキ
を施し、膜厚１μｍのＮｉメッキ層を形成し、さらに置
換型無電解Ａｕメッキを施して膜厚 100nmのＡｕメッキ
層を形成した。次いで、Ａｕメッキ層の上にＬ型リード
線を半田付けし、該リード線を引っ張ることによる接着
強度試験を行い、その結果を表１に併記した。
を施し、膜厚１μｍのＮｉメッキ層を形成し、さらに置
換型無電解Ａｕメッキを施して膜厚 100nmのＡｕメッキ
層を形成した。次いで、Ａｕメッキ層の上にＬ型リード
線を半田付けし、該リード線を引っ張ることによる接着
強度試験を行い、その結果を表１に併記した。
【００２０】
【実施例２】酸化錫透明導電膜作製用原料液IIをスプレ
ーし、膜厚 100nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以外は実
施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電膜を有
するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同様の測
定および試験を行い、その結果を表１に併記した。
ーし、膜厚 100nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以外は実
施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電膜を有
するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同様の測
定および試験を行い、その結果を表１に併記した。
【００２１】
【実施例３】酸化錫透明導電膜作製用原料液IIをスプレ
ーし、膜厚 400nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以外は実
施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電膜を有
するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同様の測
定および試験を行い、その結果を表１に併記した。
ーし、膜厚 400nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以外は実
施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電膜を有
するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同様の測
定および試験を行い、その結果を表１に併記した。
【００２２】
【実施例４】酸化錫透明導電膜作製用原料液IIをスプレ
ーし、膜厚 700nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以外は実
施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電膜を有
するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同様の測
定および試験を行い、その結果を表１に併記した。
ーし、膜厚 700nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以外は実
施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電膜を有
するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同様の測
定および試験を行い、その結果を表１に併記した。
【００２３】
【比較例１】酸化錫透明導電膜作製用原料液ＩによるＳ
ｎＯ2 膜の成膜を行わず、酸化錫透明導電膜作製用原料
液IIによって膜厚 150nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以
外は実施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電
膜を有するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同
様の測定および試験を行い、その結果を表１に併記し
た。
ｎＯ2 膜の成膜を行わず、酸化錫透明導電膜作製用原料
液IIによって膜厚 150nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以
外は実施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電
膜を有するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同
様の測定および試験を行い、その結果を表１に併記し
た。
【００２４】
【比較例２】酸化錫透明導電膜作製用原料液ＩによるＳ
ｎＯ2 膜の成膜を行わず、酸化錫透明導電膜作製用原料
液IIによって膜厚 200nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以
外は実施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電
膜を有するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同
様の測定および試験を行い、その結果を表１に併記し
た。
ｎＯ2 膜の成膜を行わず、酸化錫透明導電膜作製用原料
液IIによって膜厚 200nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以
外は実施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電
膜を有するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同
様の測定および試験を行い、その結果を表１に併記し
た。
【００２５】
【比較例３】酸化錫透明導電膜作製用原料液ＩによるＳ
ｎＯ2 膜の成膜を行わず、酸化錫透明導電膜作製用原料
液IIによって膜厚 500nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以
外は実施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電
膜を有するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同
様の測定および試験を行い、その結果を表１に併記し
た。
ｎＯ2 膜の成膜を行わず、酸化錫透明導電膜作製用原料
液IIによって膜厚 500nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以
外は実施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電
膜を有するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同
様の測定および試験を行い、その結果を表１に併記し
た。
【００２６】
【比較例４】酸化錫透明導電膜作製用原料液ＩによるＳ
ｎＯ2 膜の成膜を行わず、酸化錫透明導電膜作製用原料
液IIによって膜厚 800nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以
外は実施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電
膜を有するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同
様の測定および試験を行い、その結果を表１に併記し
た。
ｎＯ2 膜の成膜を行わず、酸化錫透明導電膜作製用原料
液IIによって膜厚 800nmのＳｎＯ2 膜を成膜したこと以
外は実施例１と同様にしてメッキ層付き酸化錫透明導電
膜を有するガラス基板を作製し、その間に実施例１と同
様の測定および試験を行い、その結果を表１に併記し
た。
【００２７】表１からもわかるように、ＳｎＯ2 膜の膜
厚が 150〜 200nm（実施例１、実施例２、比較例１、比
較例２）の場合、その接着強度は二層膜（実施例１およ
び２）のほうが、単層膜（比較例１および２）よりも高
い値を示しており、接着強度が改善されていることがわ
かる。一方、膜厚 500〜 800nm（実施例３、実施例４、
比較例３、比較例４）の場合、二層膜（実施例３および
４）と単層膜（比較例３および４）との間に大きな差は
見られなかった。また、シート抵抗に関しては、二層膜
（実施例１ないし４）と単層膜（比較例１ないし４）と
はほぼ同等の値を示していた。
厚が 150〜 200nm（実施例１、実施例２、比較例１、比
較例２）の場合、その接着強度は二層膜（実施例１およ
び２）のほうが、単層膜（比較例１および２）よりも高
い値を示しており、接着強度が改善されていることがわ
かる。一方、膜厚 500〜 800nm（実施例３、実施例４、
比較例３、比較例４）の場合、二層膜（実施例３および
４）と単層膜（比較例３および４）との間に大きな差は
見られなかった。また、シート抵抗に関しては、二層膜
（実施例１ないし４）と単層膜（比較例１ないし４）と
はほぼ同等の値を示していた。
【００２８】
【実施例５】弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜および弗
素をドーピングしていないＳｎＯ2膜の膜厚と、接着強
度試験における剥離箇所との関係について調べるため以
下の試験を行った。
素をドーピングしていないＳｎＯ2膜の膜厚と、接着強
度試験における剥離箇所との関係について調べるため以
下の試験を行った。
【００２９】まず、シリカコートガラス基板上に弗素を
ドーピングしていないＳｎＯ2 膜および弗素をドーピン
グしたＳｎＯ2 膜を成膜した。なお、これらＳｎＯ2 膜
の膜厚は表２に示す通りである。次に、弗素をドーピン
グしたＳｎＯ2 膜の上に厚さ1.0μｍのＮｉメッキ層を
形成し、さらにその上に厚さ 0.1μｍのＡｕメッキ層を
形成した。
ドーピングしていないＳｎＯ2 膜および弗素をドーピン
グしたＳｎＯ2 膜を成膜した。なお、これらＳｎＯ2 膜
の膜厚は表２に示す通りである。次に、弗素をドーピン
グしたＳｎＯ2 膜の上に厚さ1.0μｍのＮｉメッキ層を
形成し、さらにその上に厚さ 0.1μｍのＡｕメッキ層を
形成した。
【００３０】
【表２】
【００３１】次に、上記それぞれの基板におけるＡｕメ
ッキ層の表面にリード線を半田付けし、このリード線を
引っ張ることにより剥離を生じさせ、その剥離箇所と引
っ張り力との関係を図３ないし８のグラフに示した。な
お、図３ないし８のグラフにおいては、白抜き部はガラ
ス基板が抉れて剥離した場合、斜線部はＮｉメッキ層と
弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜との境界で剥離
した場合、点部はＳｉＯ2 被膜と弗素をドーピングして
いないＳｎＯ2 膜との境界で剥離した場合である。
ッキ層の表面にリード線を半田付けし、このリード線を
引っ張ることにより剥離を生じさせ、その剥離箇所と引
っ張り力との関係を図３ないし８のグラフに示した。な
お、図３ないし８のグラフにおいては、白抜き部はガラ
ス基板が抉れて剥離した場合、斜線部はＮｉメッキ層と
弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜との境界で剥離
した場合、点部はＳｉＯ2 被膜と弗素をドーピングして
いないＳｎＯ2 膜との境界で剥離した場合である。
【００３２】図３および４からもわかるように、弗素を
ドーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚が薄い場合（弗素をド
ーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚が 0または 400オングス
トローム）には、Ｎｉメッキ層５と弗素をドーピングし
たＳｎＯ2 膜４との接着強度は、該界面にテクスチャ構
造が形成されないため低く（図２）、一方、弗素をドー
ピングしていないＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 被膜との接着強
度は、該界面に弗素の存在が無いため、弗素をドーピン
グしていないＳｎＯ2 単層膜の場合と同様に高い。その
ため、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚が薄かっ
たり、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜を形成しなかっ
た場合には、その大部分がＮｉメッキ層と弗素をドーピ
ングしたＳｎＯ2 膜との界面において剥離が生じてい
た。
ドーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚が薄い場合（弗素をド
ーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚が 0または 400オングス
トローム）には、Ｎｉメッキ層５と弗素をドーピングし
たＳｎＯ2 膜４との接着強度は、該界面にテクスチャ構
造が形成されないため低く（図２）、一方、弗素をドー
ピングしていないＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 被膜との接着強
度は、該界面に弗素の存在が無いため、弗素をドーピン
グしていないＳｎＯ2 単層膜の場合と同様に高い。その
ため、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚が薄かっ
たり、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜を形成しなかっ
た場合には、その大部分がＮｉメッキ層と弗素をドーピ
ングしたＳｎＯ2 膜との界面において剥離が生じてい
た。
【００３３】図５および６からもわかるように、弗素を
ドーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚が1000または2000オン
グストロームの場合には、ＳｎＯ2 膜全体の膜厚が1800
〜2800オングストローム程度となり、Ｎｉメッキ層５と
弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜４との界面に、ある程
度のテクスチャ構造が形成されるようになる（図１）。
そのため、該界面における接着強度が高くなる。一方、
弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 被膜
との界面の接着強度は、該界面に弗素の存在が無いた
め、弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 単層膜の場合
と同様に高い。そのため、Ｎｉメッキ層と弗素をドーピ
ングしたＳｎＯ2 膜との界面、および弗素をドーピング
していないＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 被膜との界面のどちら
からも剥離が生じていた。
ドーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚が1000または2000オン
グストロームの場合には、ＳｎＯ2 膜全体の膜厚が1800
〜2800オングストローム程度となり、Ｎｉメッキ層５と
弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜４との界面に、ある程
度のテクスチャ構造が形成されるようになる（図１）。
そのため、該界面における接着強度が高くなる。一方、
弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 被膜
との界面の接着強度は、該界面に弗素の存在が無いた
め、弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 単層膜の場合
と同様に高い。そのため、Ｎｉメッキ層と弗素をドーピ
ングしたＳｎＯ2 膜との界面、および弗素をドーピング
していないＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 被膜との界面のどちら
からも剥離が生じていた。
【００３４】図７および８からもわかるように、弗素を
ドーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚が厚い場合（弗素をド
ーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚が4000または7000オング
ストローム）には、Ｎｉメッキ層と弗素をドーピングし
たＳｎＯ2 膜との界面にテクスチャ構造が形成されるた
め、該界面における接着強度は高いが、上記弗素をドー
ピングしたＳｎＯ2 膜の弗素が、弗素をドーピングして
いないＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 被膜との界面にまでも存在
してしまうため、この界面における接着強度が低くなっ
てしまう。そのため、その大部分が弗素をドーピングし
ていないＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 被膜との界面において剥
離が生じていた。
ドーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚が厚い場合（弗素をド
ーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚が4000または7000オング
ストローム）には、Ｎｉメッキ層と弗素をドーピングし
たＳｎＯ2 膜との界面にテクスチャ構造が形成されるた
め、該界面における接着強度は高いが、上記弗素をドー
ピングしたＳｎＯ2 膜の弗素が、弗素をドーピングして
いないＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 被膜との界面にまでも存在
してしまうため、この界面における接着強度が低くなっ
てしまう。そのため、その大部分が弗素をドーピングし
ていないＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 被膜との界面において剥
離が生じていた。
【００３５】また、弗素をドーピングしていないＳｎＯ
2 単層膜、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 単層膜、およ
び弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜と弗素をドー
ピングしたＳｎＯ2 膜からなる二層膜のそれぞれについ
て、上記の試験における接着強度とＳｎＯ2 膜全体の膜
厚との関係を図９のグラフに示した。
2 単層膜、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 単層膜、およ
び弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜と弗素をドー
ピングしたＳｎＯ2 膜からなる二層膜のそれぞれについ
て、上記の試験における接着強度とＳｎＯ2 膜全体の膜
厚との関係を図９のグラフに示した。
【００３６】図９からもわかるように、弗素をドーピン
グしていないＳｎＯ2 単層膜の場合、弗素をドーピング
していないＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 被膜との界面に弗素が
存在しないため、膜厚が厚くなるほど接着強度は高くな
った（膜厚が厚くなるほどテクスチャ構造が形成される
ため）。また、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 単層膜の
場合、上記界面に弗素が存在するため接着強度は小さい
が、上記同様膜厚が厚くなるほど接着強度は高くなっ
た。
グしていないＳｎＯ2 単層膜の場合、弗素をドーピング
していないＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 被膜との界面に弗素が
存在しないため、膜厚が厚くなるほど接着強度は高くな
った（膜厚が厚くなるほどテクスチャ構造が形成される
ため）。また、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 単層膜の
場合、上記界面に弗素が存在するため接着強度は小さい
が、上記同様膜厚が厚くなるほど接着強度は高くなっ
た。
【００３７】一方、弗素をドーピングしていないＳｎＯ
2 膜と弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜からなる二層膜
の場合、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚がある
程度の厚さまでは、弗素をドーピングしていないＳｎＯ
2 膜とＳｉＯ2 被膜との界面に弗素が存在しないため、
弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 単層膜の場合と同
様に高い接着強度を有していた。しかしながら、ある程
度の厚さを越えると該界面に弗素が存在するようになる
ため、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 単層膜と同様の接
着強度にまで低下した。
2 膜と弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜からなる二層膜
の場合、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜の膜厚がある
程度の厚さまでは、弗素をドーピングしていないＳｎＯ
2 膜とＳｉＯ2 被膜との界面に弗素が存在しないため、
弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 単層膜の場合と同
様に高い接着強度を有していた。しかしながら、ある程
度の厚さを越えると該界面に弗素が存在するようになる
ため、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 単層膜と同様の接
着強度にまで低下した。
【００３８】
【実施例６】実施例５と同様の酸化錫透明導電膜を有す
る基板を用い、弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 単
層膜、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 単層膜、および弗
素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜と弗素をドーピン
グしたＳｎＯ2 膜からなる二層膜のそれぞれについて、
シート抵抗とＳｎＯ2 膜全体の膜厚との関係を調べ、そ
の結果を図１０のグラフに示した。
る基板を用い、弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 単
層膜、弗素をドーピングしたＳｎＯ2 単層膜、および弗
素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜と弗素をドーピン
グしたＳｎＯ2 膜からなる二層膜のそれぞれについて、
シート抵抗とＳｎＯ2 膜全体の膜厚との関係を調べ、そ
の結果を図１０のグラフに示した。
【００３９】図１０からもわかるように、すべての場合
において膜厚が厚くなるほどシート抵抗は低下してお
り、また、弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜と弗
素をドーピングしたＳｎＯ2 膜との二層膜は、弗素をド
ーピングしていないＳｎＯ2 単層膜よりも低く、弗素を
ドーピングしたＳｎＯ2 単層膜と同様のシート抵抗を有
していた。
において膜厚が厚くなるほどシート抵抗は低下してお
り、また、弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜と弗
素をドーピングしたＳｎＯ2 膜との二層膜は、弗素をド
ーピングしていないＳｎＯ2 単層膜よりも低く、弗素を
ドーピングしたＳｎＯ2 単層膜と同様のシート抵抗を有
していた。
【００４０】
【発明の効果】弗素をドーピングした酸化錫透明導電膜
と弗素をドーピングしていない酸化錫透明導電膜との二
層膜からなる本発明の酸化錫透明導電膜は、１kg／２mm
□以上の高い接着強度を有する上、弗素をドーピングし
た酸化錫透明導電膜の単層膜と同等のシート抵抗を有す
るようになった。
と弗素をドーピングしていない酸化錫透明導電膜との二
層膜からなる本発明の酸化錫透明導電膜は、１kg／２mm
□以上の高い接着強度を有する上、弗素をドーピングし
た酸化錫透明導電膜の単層膜と同等のシート抵抗を有す
るようになった。
【図１】テクスチャ構造が形成された酸化錫透明導電膜
（二層膜）の一例を示す側断面図である。
（二層膜）の一例を示す側断面図である。
【図２】テクスチャ構造が形成されていない酸化錫透明
導電膜（二層膜）の一例を示す側断面図である。
導電膜（二層膜）の一例を示す側断面図である。
【図３】弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 単層膜を
有する基板の接着強度試験における剥離箇所を示すグラ
フである。
有する基板の接着強度試験における剥離箇所を示すグラ
フである。
【図４】弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜（1000
オングストローム）と弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜
（ 400オングストローム）からなる二層膜を有する基板
の接着強度試験における剥離箇所を示すグラフである。
オングストローム）と弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜
（ 400オングストローム）からなる二層膜を有する基板
の接着強度試験における剥離箇所を示すグラフである。
【図５】弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜（1000
オングストローム）と弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜
（1000オングストローム）からなる二層膜を有する基板
の接着強度試験における剥離箇所を示すグラフである。
オングストローム）と弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜
（1000オングストローム）からなる二層膜を有する基板
の接着強度試験における剥離箇所を示すグラフである。
【図６】弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜（1000
オングストローム）と弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜
（2000オングストローム）からなる二層膜を有する基板
の接着強度試験における剥離箇所を示すグラフである。
オングストローム）と弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜
（2000オングストローム）からなる二層膜を有する基板
の接着強度試験における剥離箇所を示すグラフである。
【図７】弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜（1000
オングストローム）と弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜
（4000オングストローム）からなる二層膜を有する基板
の接着強度試験における剥離箇所を示すグラフである。
オングストローム）と弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜
（4000オングストローム）からなる二層膜を有する基板
の接着強度試験における剥離箇所を示すグラフである。
【図８】弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 膜（1000
オングストローム）と弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜
（7000オングストローム）からなる二層膜を有する基板
の接着強度試験における剥離箇所を示すグラフである。
オングストローム）と弗素をドーピングしたＳｎＯ2 膜
（7000オングストローム）からなる二層膜を有する基板
の接着強度試験における剥離箇所を示すグラフである。
【図９】弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 単層膜、
弗素をドーピングしたＳｎＯ2単層膜、および弗素をド
ーピングしていないＳｎＯ2 膜と弗素をドーピングした
ＳｎＯ2 膜からなる二層膜についての接着強度と膜厚と
の関係を示したグラフである。
弗素をドーピングしたＳｎＯ2単層膜、および弗素をド
ーピングしていないＳｎＯ2 膜と弗素をドーピングした
ＳｎＯ2 膜からなる二層膜についての接着強度と膜厚と
の関係を示したグラフである。
【図１０】弗素をドーピングしていないＳｎＯ2 単層
膜、弗素をドーピングしたＳｎＯ2単層膜、および弗素
をドーピングしていないＳｎＯ2 膜と弗素をドーピング
したＳｎＯ2 膜からなる二層膜についてのシート抵抗と
膜厚との関係を示したグラフである。
膜、弗素をドーピングしたＳｎＯ2単層膜、および弗素
をドーピングしていないＳｎＯ2 膜と弗素をドーピング
したＳｎＯ2 膜からなる二層膜についてのシート抵抗と
膜厚との関係を示したグラフである。
１‥‥‥ソーダライムガラス ２‥‥‥ＳｉＯ2 被膜 ３‥‥‥弗素をドーピングしていない酸化錫透明導電膜 ４‥‥‥弗素をドーピングした酸化錫透明導電膜 ５‥‥‥Ｎｉメッキ層 ６‥‥‥Ａｕメッキ層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に成膜され、弗素がドーピングさ
れていない酸化錫透明導電膜と弗素がドーピングされた
酸化錫透明導電膜からなる二層膜であり、基板側に弗素
がドーピングされていない酸化錫透明導電膜が構成され
ることを特徴とする酸化錫透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9881792A JPH05274917A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 酸化錫透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9881792A JPH05274917A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 酸化錫透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05274917A true JPH05274917A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=14229876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9881792A Withdrawn JPH05274917A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 酸化錫透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05274917A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100302116B1 (ko) * | 1999-05-19 | 2001-09-26 | 양승남 | 평면발광체 및 그 제조방법 |
| JP2009087912A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Hyundai Motor Co Ltd | ポリマー後処理工程を利用した無色透明ｆｔｏ伝導膜の製造方法 |
| US7820295B2 (en) | 2007-08-22 | 2010-10-26 | Hyundai Motor Company | Fluorine-doped tin oxide transparent conductive film glass and method of fabricating the same |
| JP2011094218A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | Asahi Glass Co Ltd | 酸化錫膜付き基体の製造方法 |
| EP1462541B1 (en) * | 2001-12-03 | 2015-03-04 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Method for forming thin film. |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP9881792A patent/JPH05274917A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100302116B1 (ko) * | 1999-05-19 | 2001-09-26 | 양승남 | 평면발광체 및 그 제조방법 |
| EP1462541B1 (en) * | 2001-12-03 | 2015-03-04 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Method for forming thin film. |
| US7820295B2 (en) | 2007-08-22 | 2010-10-26 | Hyundai Motor Company | Fluorine-doped tin oxide transparent conductive film glass and method of fabricating the same |
| JP2009087912A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Hyundai Motor Co Ltd | ポリマー後処理工程を利用した無色透明ｆｔｏ伝導膜の製造方法 |
| JP2011094218A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | Asahi Glass Co Ltd | 酸化錫膜付き基体の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |