JPS63118073A - 反応ガスパ−ジシステム - Google Patents
反応ガスパ−ジシステムInfo
- Publication number
- JPS63118073A JPS63118073A JP26302586A JP26302586A JPS63118073A JP S63118073 A JPS63118073 A JP S63118073A JP 26302586 A JP26302586 A JP 26302586A JP 26302586 A JP26302586 A JP 26302586A JP S63118073 A JPS63118073 A JP S63118073A
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- JP
- Japan
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- pipe
- gas
- valve
- reaction
- supply pipe
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は反応ガスパージシステムに関する。史に詳細に
は、本発明は構成が部用で、スルーブツトを向−１−さ
せることのできる反応ガスパージシステムに関する。
は、本発明は構成が部用で、スルーブツトを向−１−さ
せることのできる反応ガスパージシステムに関する。
［従来の技術］
薄膜の形成方法として半導体工業において一般に広（用
いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
１ｏｎ）がある。ＣＶ Ｉ）とは、ガス状物質を化学
反応で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
１ｏｎ）がある。ＣＶ Ｉ）とは、ガス状物質を化学
反応で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ｓｉや５ｉＬ−の熱酸化膜
ｌ；に成長した場合も電気的特性が安定であることで、
広＜ ｆｆｉ、導体表面のパッ／ベーション膜として利
用されている。
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ｓｉや５ｉＬ−の熱酸化膜
ｌ；に成長した場合も電気的特性が安定であることで、
広＜ ｆｆｉ、導体表面のパッ／ベーション膜として利
用されている。
ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば５００ ’Ｃ程度に加
熱したウェハに反応ガス（例えば、ＳｉＨ４＋０２．ま
たはＳ ｉ Ｈ４＋Ｎ２０）を供給して行われる。ｌ・
、記の反応ガスは反応炉内のウェハに吹きつけられ、該
ウェハの表面に５ｉ０２の薄膜を形成する。
熱したウェハに反応ガス（例えば、ＳｉＨ４＋０２．ま
たはＳ ｉ Ｈ４＋Ｎ２０）を供給して行われる。ｌ・
、記の反応ガスは反応炉内のウェハに吹きつけられ、該
ウェハの表面に５ｉ０２の薄膜を形成する。
史に、所望のパターンを得るために不必髪な部分の酸化
膜をエツチングしたり、反応炉の内装面に付着した異物
を除去するためにＣＦｑ等のガスを使用する。
膜をエツチングしたり、反応炉の内装面に付着した異物
を除去するためにＣＦｑ等のガスを使用する。
［発明が解決しようとする問題点コ
ＣＶ Ｉ）やドライエツチングなどの処理を行う従来の
気相反応装置のガス供給系のフローシートを第２図に示
す。
気相反応装置のガス供給系のフローシートを第２図に示
す。
第２図に示されるように、従来の装置では反応終了後、
Ｓ ｉ Ｈ４１Ｎ ２０およびＣＦｑ等の有’ｉｊ７ガ
スはＮ２ガスで希釈し、安全な状態にしてから排出され
ていた。
Ｓ ｉ Ｈ４１Ｎ ２０およびＣＦｑ等の有’ｉｊ７ガ
スはＮ２ガスで希釈し、安全な状態にしてから排出され
ていた。
例えば、Ｎ２ガス供給パイプ１００から分岐パイプ１１
２が延び、この分岐パイプから更に希釈Ｎ２ガス混合パ
イプ１１４がＳｉＨ４供給パイプ１２０に接続されてい
る。希釈Ｎ２ガス混合バイブ１１４は逆市弁ＣＶ １０
２およびエアベローズバルブＫ Ｖ １０５を有する。
２が延び、この分岐パイプから更に希釈Ｎ２ガス混合パ
イプ１１４がＳｉＨ４供給パイプ１２０に接続されてい
る。希釈Ｎ２ガス混合バイブ１１４は逆市弁ＣＶ １０
２およびエアベローズバルブＫ Ｖ １０５を有する。
また、Ｓ ｒ Ｈ４供給パイプ１２０は希釈Ｎ２ガス混
合バイブ１１４との接続点の手１１カにエアベローズバ
ルブＡ Ｖ １０６を有し、接続点の先にフィルタＦ２
、マスフローコントローラＭＦＣ２およびエアベローズ
バルブＡ Ｖ ＋０４を有する。ＳｉＨ４供給パイプ１
２０はこのエアベローズバルブＡ Ｖ １０４の先で第
１反応ガス送入パイプ１５０に接続されている。そして
、マスフローコントローラＭＦＣ２とエアベローズバル
ブＡ Ｖ ＋０４との間のパイプ部分から排出パイプ１
１６を分岐させている。排出パイプ１１６はエアベロー
ズバルブＡＶ１０３および逆ｊ１・弁ＣＶＩＯＩを仔す
る。
合バイブ１１４との接続点の手１１カにエアベローズバ
ルブＡ Ｖ １０６を有し、接続点の先にフィルタＦ２
、マスフローコントローラＭＦＣ２およびエアベローズ
バルブＡ Ｖ ＋０４を有する。ＳｉＨ４供給パイプ１
２０はこのエアベローズバルブＡ Ｖ １０４の先で第
１反応ガス送入パイプ１５０に接続されている。そして
、マスフローコントローラＭＦＣ２とエアベローズバル
ブＡ Ｖ ＋０４との間のパイプ部分から排出パイプ１
１６を分岐させている。排出パイプ１１６はエアベロー
ズバルブＡＶ１０３および逆ｊ１・弁ＣＶＩＯＩを仔す
る。
カ＜シて、反応終了後はエアベローズバルブＡＶ＋０６
を閉じてＳｉＨ４の供給を１１・める。パイプ１２０内
に残留しているＳｉＨ４は希釈Ｎ２ガス混合バイブ１１
４から送られてくるＮ２ガスで希釈され、排出パイプ１
１６を経て排出するが、または第１反応ガス送入パイプ
１５０から反応炉２００を経てυＥ出する。
を閉じてＳｉＨ４の供給を１１・める。パイプ１２０内
に残留しているＳｉＨ４は希釈Ｎ２ガス混合バイブ１１
４から送られてくるＮ２ガスで希釈され、排出パイプ１
１６を経て排出するが、または第１反応ガス送入パイプ
１５０から反応炉２００を経てυＥ出する。
しかし、この場合、Ｓ ｉ Ｈ４供給パイプ１２０内に
は常にＮ２ガスが残留することとなる。そのため、次の
反応処理に入ろうとする際、この残留Ｎ２ガスとＳｉＨ
４とか混ざった状態で反応炉２００に送入されることと
なり、Ｓ ｉ Ｈ４のｄ−味ガス流量が安定するまでに
多大な時間を費やしていた。
は常にＮ２ガスが残留することとなる。そのため、次の
反応処理に入ろうとする際、この残留Ｎ２ガスとＳｉＨ
４とか混ざった状態で反応炉２００に送入されることと
なり、Ｓ ｉ Ｈ４のｄ−味ガス流量が安定するまでに
多大な時間を費やしていた。
また、反応炉を経由してυ［出させると、排出操作に過
大な時間を必謁とする。その結果 ｉＦ導体素子の製造
上程全体のスループットが低下する。
大な時間を必謁とする。その結果 ｉＦ導体素子の製造
上程全体のスループットが低下する。
これらの問題点はＮ２０を供給するためのパイプ１３０
およびＣＦｑを供給するためのパイプ１４０についても
全く同様に現れる。
およびＣＦｑを供給するためのパイプ１４０についても
全く同様に現れる。
［発明の目的］
従って、本発明の［１的は５ｉ８４等の反応ガス供給パ
イプ内にＮ２ガスを混入することな（、かつ、反応炉を
経１１１することなく供給パイプ内の反応ガスをパージ
する／ステｌ、を提供することである。
イプ内にＮ２ガスを混入することな（、かつ、反応炉を
経１１１することなく供給パイプ内の反応ガスをパージ
する／ステｌ、を提供することである。
［問題点を解決するための手段コ
前記の問題点を解決し、あわせて本発明の目的を辻成す
るための手段として、この発明は、気相反応装置の反応
炉へ反応ガスを送入するパイプに各反応ガス供給パイプ
がバルブを介して接続されており、この反応ガスのうち
供給パイプ内に残留することが好ましくないガスの供給
パイプについて、前記バルブの手前において残留ガス排
出パイプを結合し、このパイプを排気ポンプに接続した
ことを特徴とする反応ガスパージシステムを提供する。
るための手段として、この発明は、気相反応装置の反応
炉へ反応ガスを送入するパイプに各反応ガス供給パイプ
がバルブを介して接続されており、この反応ガスのうち
供給パイプ内に残留することが好ましくないガスの供給
パイプについて、前記バルブの手前において残留ガス排
出パイプを結合し、このパイプを排気ポンプに接続した
ことを特徴とする反応ガスパージシステムを提供する。
［作用コ
前記のように、本発明の反応ガスパーンシステムでは、
バルブを介して反応ガス送入パイプに接続される反応ガ
ス供給パイプに、このバルブの手前からバイパスとして
残留ガスυ［出パイプを結合し、このυ１出パイプの末
端を排気ポンプに接続する。
バルブを介して反応ガス送入パイプに接続される反応ガ
ス供給パイプに、このバルブの手前からバイパスとして
残留ガスυ［出パイプを結合し、このυ１出パイプの末
端を排気ポンプに接続する。
かくして、反応処理が終ｊ′シた時点で反応ガス送入パ
イプと反応ガス供給パイプとの接続点に介在するバルブ
を閉じ、排気ポンプを駆動させれば反応ガス供給パイプ
内に残留しているガスは、反応炉を経ることなく、ＦＪ
ｒ出バイブを経てパイプ外へ極めて迅速に排出される。
イプと反応ガス供給パイプとの接続点に介在するバルブ
を閉じ、排気ポンプを駆動させれば反応ガス供給パイプ
内に残留しているガスは、反応炉を経ることなく、ＦＪ
ｒ出バイブを経てパイプ外へ極めて迅速に排出される。
この排出パイプにもバルブを配設し、排出完了後はこの
バルブを閉じることにより反応ガス供給パイプ内を真空
状態に維持することができる。従って、次の反応処理に
入る際は接続点のバルブを開くことにより所定のガス流
量の反応ガスを直ちに反応炉へ送ることができる。
バルブを閉じることにより反応ガス供給パイプ内を真空
状態に維持することができる。従って、次の反応処理に
入る際は接続点のバルブを開くことにより所定のガス流
量の反応ガスを直ちに反応炉へ送ることができる。
その結果、スループットを向上させることができ、また
、Ｎ２ガスで希釈する必要がないのでパージシステム全
体の構成がシンプルとなりコスト低ドにつながる。
、Ｎ２ガスで希釈する必要がないのでパージシステム全
体の構成がシンプルとなりコスト低ドにつながる。
［実施例コ
以下、図面を参！！（（Ｌながら本発明の反応ガスパー
ジシステムの一実施例について史に詳細に説明する。
ジシステムの一実施例について史に詳細に説明する。
第１図は本発明の反応ガスパージシステムの一例を示す
フローシートである。
フローシートである。
第１図に示されるように、反応ガス送入バイブ１０には
Ｎ２ガス供給パイプ２０とＳｉＨ４ガス供給パイプ３０
とが接続され、反応ガス送入バイブ４０にはＮ２０ガス
供給パイプ５０． ｃｒ；’、、ガス供給バイブロ０お
よび０２ガス供給パイプ７０が接続されている。
Ｎ２ガス供給パイプ２０とＳｉＨ４ガス供給パイプ３０
とが接続され、反応ガス送入バイブ４０にはＮ２０ガス
供給パイプ５０． ｃｒ；’、、ガス供給バイブロ０お
よび０２ガス供給パイプ７０が接続されている。
反応ガス過大パイプ１０は開閉弁１２およびフィルタ１
４を介して反応炉１に接続されている。
４を介して反応炉１に接続されている。
同様に、反応ガス過大パイプ４０は開閉弁４２およびフ
ィルタ４４を介して反応炉１に接続されている。
ィルタ４４を介して反応炉１に接続されている。
Ｎ２ガス供給パイプ２０はＮ２ガス供給諒２１に接続さ
れており、エアベローズバルブ２２を介して反応ガス過
大パイプ１０に接続されている。
れており、エアベローズバルブ２２を介して反応ガス過
大パイプ１０に接続されている。
ＳｉＨ４ガス供給パイプ３０も同様に供給源３１を有し
、エアベローズバルブ３２を介して反応ガス過大パイプ
１０に接続されている。
、エアベローズバルブ３２を介して反応ガス過大パイプ
１０に接続されている。
Ｎ２０ガス供給パイプ５０ ＋ ＣＦ ４ガス供給バイ
ブロ０および０２ガス供給パイプ７０もそれぞれ供給源
５１．６１および７１を何し、エアベローズバルブ５２
．Ｅ３２および７２をそれぞれ介して反応ガス過大パイ
プ４０に接続されている。
ブロ０および０２ガス供給パイプ７０もそれぞれ供給源
５１．６１および７１を何し、エアベローズバルブ５２
．Ｅ３２および７２をそれぞれ介して反応ガス過大パイ
プ４０に接続されている。
ガス供給パイプ２０，３０，５０．６０および７０はそ
れぞれ途中にマスフローコントローラ２３．３３．５３
．６３および７３をイアする。
れぞれ途中にマスフローコントローラ２３．３３．５３
．６３および７３をイアする。
ＳｉＨ４ガス供給パイプ３０はエアベローズバルブ３２
とマスフローコントローラ３３との間に残留ガス排出パ
イプ３４が結合されている。同様に、Ｎ２０ガス供給パ
イプ５０には排出パイプ５４が、またＣＦｑＦス供給バ
イブロ０には排出バイブロ４が接続されている。これら
のυト出パイプは排出管８０に合流され、この排出管８
０は排気ポンプ２に接続されている。この排気ポンプ２
は反応炉のυ［気相としても兼用することができるので
、ポンプ２と反応炉１とを結ぶ排気パイプ３の途中にエ
アベローズバルブ４を配設し、υＦ出前管８０このエア
ベローズバルブ４とポンプ２との間でυト気バイブ３に
接続される。
とマスフローコントローラ３３との間に残留ガス排出パ
イプ３４が結合されている。同様に、Ｎ２０ガス供給パ
イプ５０には排出パイプ５４が、またＣＦｑＦス供給バ
イブロ０には排出バイブロ４が接続されている。これら
のυト出パイプは排出管８０に合流され、この排出管８
０は排気ポンプ２に接続されている。この排気ポンプ２
は反応炉のυ［気相としても兼用することができるので
、ポンプ２と反応炉１とを結ぶ排気パイプ３の途中にエ
アベローズバルブ４を配設し、υＦ出前管８０このエア
ベローズバルブ４とポンプ２との間でυト気バイブ３に
接続される。
排出パイプ３４はエアベローズバルブ３５およ ２び逆
１１−弁３６を有する。排出パイプ５４および６４も同
様にエアベローズバルブ５５および６５と逆１１−弁５
６および６Ｇを有する。
１１−弁３６を有する。排出パイプ５４および６４も同
様にエアベローズバルブ５５および６５と逆１１−弁５
６および６Ｇを有する。
次に本発明の反応ガスパージシステムの具体的動作につ
いて説明する。
いて説明する。
反応炉内における反応処理が終ｒしたら、まず、供給源
側のバルブを閉じてガスの供給を市める。
側のバルブを閉じてガスの供給を市める。
ＳｉＨ４，Ｎ２０またはＣＦｑＦスを使用している場合
には、接続点側のバルブも同時に閉じる。
には、接続点側のバルブも同時に閉じる。
その後、バイパスのυト出パイプのバルブを開き、排気
ポンプを駆動させる。供給源側と接続点側の両方のバル
ブが閉じられているので、その間のパイプ内の残留ガス
はこのバイパスの排出パイプを経て排気ポンプにより排
出される。残留ガスの排出を促進するために反応炉排気
パイプ３のバルブ４を閉じておくこともできる。
ポンプを駆動させる。供給源側と接続点側の両方のバル
ブが閉じられているので、その間のパイプ内の残留ガス
はこのバイパスの排出パイプを経て排気ポンプにより排
出される。残留ガスの排出を促進するために反応炉排気
パイプ３のバルブ４を閉じておくこともできる。
各反応ガス供給パイプのバルブの開閉操作で反応炉と供
給パイプとの間を遮断したり連通させたりすることがで
きるので、特別なことがなければ反応ガス過大パイプの
開閉弁１２および４２は常時間状態にしておくことが好
ましい。反応炉内の残留ガスをＮ２ガスで希釈または置
換する必要がある場合には、Ｎ２ガス供給パイプのバル
ブ２２を開くこともできる。
給パイプとの間を遮断したり連通させたりすることがで
きるので、特別なことがなければ反応ガス過大パイプの
開閉弁１２および４２は常時間状態にしておくことが好
ましい。反応炉内の残留ガスをＮ２ガスで希釈または置
換する必要がある場合には、Ｎ２ガス供給パイプのバル
ブ２２を開くこともできる。
反応炉内へ異物が混入することを防市するためニ、各反
応ガス供給パイプのマスフローコントローラと供給源と
の間にフィルタ（Ｆｌ〜Ｆ５）を設けることが好ましい
。
応ガス供給パイプのマスフローコントローラと供給源と
の間にフィルタ（Ｆｌ〜Ｆ５）を設けることが好ましい
。
前記以外の有毒反応ガスを使用する場合には、そのガス
の供給パイプを図示された通りに増設するだけでよい。
の供給パイプを図示された通りに増設するだけでよい。
Ｎ２ガスおよび０２ガスの供給パイプについては、供給
源側に圧力スイッチＰｓｉ、ＰＳ２と逆＋Ｌ弁ＣＶ１．
ＣＶ２をそれぞれ配設することもできる。更に、ガスコ
ントロール部には空気供給源に接続されたマニホールド
電磁弁を配設することもできる。これにも圧力スイッチ
ＰＳ３を設けることができる。
源側に圧力スイッチＰｓｉ、ＰＳ２と逆＋Ｌ弁ＣＶ１．
ＣＶ２をそれぞれ配設することもできる。更に、ガスコ
ントロール部には空気供給源に接続されたマニホールド
電磁弁を配設することもできる。これにも圧力スイッチ
ＰＳ３を設けることができる。
本ｆｆｉ 明の反応ガスパージシステムはマニュアルで
も、シーケンシャルでも制御できる。シーケン・シャル
制御する場合に必要な付随的装置群（例えば、マスフロ
ーコントローラ電源、リレー、圧力スイソチ表示部、ノ
イズフィルタ等）は当業者に周知である。
も、シーケンシャルでも制御できる。シーケン・シャル
制御する場合に必要な付随的装置群（例えば、マスフロ
ーコントローラ電源、リレー、圧力スイソチ表示部、ノ
イズフィルタ等）は当業者に周知である。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明の反応ガスパージシステム
では、バルブを介して反応ガス送入パイプに接続される
反応ガス供給パイプに、このバルブの手１ｎからバイパ
スとして残留ガス排出パイプを結合し、この排出パイプ
の末端を排気ポンプに接続する。
では、バルブを介して反応ガス送入パイプに接続される
反応ガス供給パイプに、このバルブの手１ｎからバイパ
スとして残留ガス排出パイプを結合し、この排出パイプ
の末端を排気ポンプに接続する。
かくして、反応処理が終了した時点で反応ガス送入パイ
プと反応ガス供給パイプとの接続点に介在するバルブを
閉じ、排気ポンプを駆動させれば反応ガス供給パイプ内
に残留しているガスは、反応炉を経ることなく、排出パ
イプを経てパイプ外へ極めて迅速にυト出される。
プと反応ガス供給パイプとの接続点に介在するバルブを
閉じ、排気ポンプを駆動させれば反応ガス供給パイプ内
に残留しているガスは、反応炉を経ることなく、排出パ
イプを経てパイプ外へ極めて迅速にυト出される。
この排出パイプにもバルブを配設し、排出完ｒ後はこの
バルブを閉じることにより反応ガス供給パイプ内を真空
状態に維持することができる。従って、次の反応処理に
入る際は接続点のバルブを開くことにより所定のガス流
眼の反応ガスを直ちに反応炉へ送入し、所望の反応処理
を迅速に開始することができる。
バルブを閉じることにより反応ガス供給パイプ内を真空
状態に維持することができる。従って、次の反応処理に
入る際は接続点のバルブを開くことにより所定のガス流
眼の反応ガスを直ちに反応炉へ送入し、所望の反応処理
を迅速に開始することができる。
その結果、スループットを大幅に向１−させることがで
き、またＮＮ２ガスで希釈する必要がないのでパージシ
ステム全体の構成がノンプルとなりコスト低下につなが
る。特に、従来のシステムに比べて、各排出パイプ毎に
バルブを１個省略でき、そのための配管も併せて省略で
きるし、バルブの開閉動作も簡略化させることができる
。
き、またＮＮ２ガスで希釈する必要がないのでパージシ
ステム全体の構成がノンプルとなりコスト低下につなが
る。特に、従来のシステムに比べて、各排出パイプ毎に
バルブを１個省略でき、そのための配管も併せて省略で
きるし、バルブの開閉動作も簡略化させることができる
。
本発明の反応ガスパージシステムは、反応炉自体が強力
な排気ポンプを備えたプラズマまたは減圧ＣＶＤ薄膜形
成装置について使用することが特に好ましい。その他、
常圧ＣＶ Ｉ）およびドライエンチング等の気相反応装
置においても当然使用できる。
な排気ポンプを備えたプラズマまたは減圧ＣＶＤ薄膜形
成装置について使用することが特に好ましい。その他、
常圧ＣＶ Ｉ）およびドライエンチング等の気相反応装
置においても当然使用できる。
第１図は本発明の反応ガスパージ／ステｌ、の−例を示
すフローシートであり、第２図は従来の反応ガスパージ
システムの一例を示すフローシートである。 １・・・反応炉、２・・・排気ポンプ、３・・・反応炉
排気パイプ、４・・・バルブ、１０および４０・・・反
応ガス送入パイプ、２０・・・Ｎ２ガス供給パイプ。 ３０・・・ＳｉＨ４ガス供給パイプ、３４．５４および
６４・・・残留ガスυ１出パイプ、５０・・・Ｎ２０ガ
ス供給パイプ、６０・・・ＣＦＱガス供給パイプ。
すフローシートであり、第２図は従来の反応ガスパージ
システムの一例を示すフローシートである。 １・・・反応炉、２・・・排気ポンプ、３・・・反応炉
排気パイプ、４・・・バルブ、１０および４０・・・反
応ガス送入パイプ、２０・・・Ｎ２ガス供給パイプ。 ３０・・・ＳｉＨ４ガス供給パイプ、３４．５４および
６４・・・残留ガスυ１出パイプ、５０・・・Ｎ２０ガ
ス供給パイプ、６０・・・ＣＦＱガス供給パイプ。
Claims (3)
- （１）気相反応装置の反応炉へ反応ガスを送入するパイ
プに各反応ガス供給パイプがバルブを介して接続されて
おり、この反応ガスのうち供給パイプ内に残留すること
が好ましくないガスの供給パイプについて、前記バルブ
の手前において残留ガス排出パイプを結合し、このパイ
プを排気ポンプに接続したことを特徴とする反応ガスパ
ージシステム。 - （２）残留ガス排出パイプは逆止弁およびエアベローズ
バルブを有する特許請求の範囲第１項に記載の反応ガス
パージシステム。 - （３）排気ポンプはバルブを介して反応炉にも結合され
ており、残留ガス排出パイプはこのポンプとバルブとの
間でポンプに接続されている特許請求の範囲第１項また
は第２項に記載の反応ガスパージシステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26302586A JPS63118073A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 反応ガスパ−ジシステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26302586A JPS63118073A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 反応ガスパ−ジシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63118073A true JPS63118073A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17383836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26302586A Pending JPS63118073A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 反応ガスパ−ジシステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63118073A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250421A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Nec Corp | ガス供給装置 |
| JPH04180567A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置の材料ガス供給システム |
| WO2025158590A1 (ja) * | 2024-01-24 | 2025-07-31 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、基板処理装置及びガス供給システム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827637A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Toshiba Corp | 気相成長炉におけるガス供給回路 |
| JPS61268020A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-27 | Seiko Epson Corp | 化合物半導体薄膜の製造装置 |
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1986
- 1986-11-05 JP JP26302586A patent/JPS63118073A/ja active Pending
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