JPS63118A - 位置合わせ方法 - Google Patents
位置合わせ方法Info
- Publication number
- JPS63118A JPS63118A JP61017881A JP1788186A JPS63118A JP S63118 A JPS63118 A JP S63118A JP 61017881 A JP61017881 A JP 61017881A JP 1788186 A JP1788186 A JP 1788186A JP S63118 A JPS63118 A JP S63118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deviation
- wafer
- amount
- shot
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する分野］
本発明は、半導体メモリ、演算装置等の高音度集積回路
チップの製造の際に用いて回路パターンを焼付けすなわ
ち露光する装置の、特にアライメント方法に関する。
チップの製造の際に用いて回路パターンを焼付けすなわ
ち露光する装置の、特にアライメント方法に関する。
［従来の技術の説明］
半導体露光装置は、半導体集積技術の発展に従って進歩
が著しく、またその機構も密着あるいは極近接焼付を行
なう袋（ｋＬ、レンズあるいはミラー系で等倍焼付を行
なう公萱、あるいは縮小没医像をウェハ上にステップ的
に焼付ける装置（いわ：＞るステッパ）と云うように各
種存在する。
が著しく、またその機構も密着あるいは極近接焼付を行
なう袋（ｋＬ、レンズあるいはミラー系で等倍焼付を行
なう公萱、あるいは縮小没医像をウェハ上にステップ的
に焼付ける装置（いわ：＞るステッパ）と云うように各
種存在する。
ステッパにおけるレチクルとウェハのアライメント方式
の一つとして、投影レンズを介して、各ショット毎にレ
チクルとウェハの位置合わせを行なう丁ＴＬダイ・パイ
・ダイ・アライメント方式がある。この位置合わせ方式
は各ショット毎にアライメントを行なうため、高精度の
位置合わせが行なえるという特徴がある。
の一つとして、投影レンズを介して、各ショット毎にレ
チクルとウェハの位置合わせを行なう丁ＴＬダイ・パイ
・ダイ・アライメント方式がある。この位置合わせ方式
は各ショット毎にアライメントを行なうため、高精度の
位置合わせが行なえるという特徴がある。
ところで、従来のダイ・パイ・ダイ・アライメント方式
では１シヨツト毎にレチクルとクエへの並進成分と回転
成分すなわちＸＹθのずれを補正することが一般的であ
る。しかし、ずれの回転成分を１シヨツト毎に補正する
場合、 （１）はとんど全てのショットにおいて、計測中心と回
転中心が一致していないことにより、高精度計測および
補正が要求される。
では１シヨツト毎にレチクルとクエへの並進成分と回転
成分すなわちＸＹθのずれを補正することが一般的であ
る。しかし、ずれの回転成分を１シヨツト毎に補正する
場合、 （１）はとんど全てのショットにおいて、計測中心と回
転中心が一致していないことにより、高精度計測および
補正が要求される。
（２）従って、位置合わせの所要時間が大きい。
という問題が存在する。
［発明の目的］
本発明は、上記従来形における問題点に鑑みてなされた
もので、回転成分のずれに関してはウェハ全体のずれを
計測し、補正は一括して行ない、並進成分のずれに関し
ては１シヨツト毎に逐次行なうという構想に基づき、上
記問題点を解消し、極めて高いアライメント精度と高生
産性（高速）を備えたアライメント方法を提供すること
を目的とする。
もので、回転成分のずれに関してはウェハ全体のずれを
計測し、補正は一括して行ない、並進成分のずれに関し
ては１シヨツト毎に逐次行なうという構想に基づき、上
記問題点を解消し、極めて高いアライメント精度と高生
産性（高速）を備えたアライメント方法を提供すること
を目的とする。
［実施例の説明］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明のアライメント方法を適用した半導体
焼付装置の概略構成図である。この装置は、従来のＴＴ
Ｌダイ・パイ・ダイ・アライメント方式の装置に対し、
八−ドウエア構成はそのままで、この装置全体の動作を
制御する中央処理装置（ＣＰＵ）のプログラムを後述の
ように変更したものである。
焼付装置の概略構成図である。この装置は、従来のＴＴ
Ｌダイ・パイ・ダイ・アライメント方式の装置に対し、
八−ドウエア構成はそのままで、この装置全体の動作を
制御する中央処理装置（ＣＰＵ）のプログラムを後述の
ように変更したものである。
同図において、ＸＹＳはウェハをＸ、Ｙ方向へ移動させ
るＸＹステージ、ＸＭ、ＹＭはＸＹステージＸＭＳをそ
れぞれＸ、Ｙ方向に駆動する駆動モータ、ＷＳはウェハ
をθ方向に回転させるθステージ、ＷＦはウェハ、ＯＡ
はプリアライメントマークを検出し大まかに位置合わせ
を行なうためのオフアクシス顕微鏡である。また、ＬＮ
は焼付投影レンズ、Ｒ５はレチクルをＸ、Ｙ、 θ方向
に移動させるレチクルステージ、ＲＴはレチクル、ＰＴ
はレチクルＲＴに描かれた回路パターン、Ｌｌは焼付用
照明装置、ＭＲ，ＭＬはミラー、ＤＲ，Ｉ）Ｌは光電デ
ィテクタ、ＣＢは、ＣＰｔ１（中央演算装置）やメモリ
等からなる制御回路を備えたコントロールボックスであ
る。
るＸＹステージ、ＸＭ、ＹＭはＸＹステージＸＭＳをそ
れぞれＸ、Ｙ方向に駆動する駆動モータ、ＷＳはウェハ
をθ方向に回転させるθステージ、ＷＦはウェハ、ＯＡ
はプリアライメントマークを検出し大まかに位置合わせ
を行なうためのオフアクシス顕微鏡である。また、ＬＮ
は焼付投影レンズ、Ｒ５はレチクルをＸ、Ｙ、 θ方向
に移動させるレチクルステージ、ＲＴはレチクル、ＰＴ
はレチクルＲＴに描かれた回路パターン、Ｌｌは焼付用
照明装置、ＭＲ，ＭＬはミラー、ＤＲ，Ｉ）Ｌは光電デ
ィテクタ、ＣＢは、ＣＰｔ１（中央演算装置）やメモリ
等からなる制御回路を備えたコントロールボックスであ
る。
第２図は、被露光体であるウェハＷＦのショットレイア
ウトの一例を示す。同図において、ＰＭＩ 、ＰＭ２は
後述するプリアライメントに用いるプリアライメントマ
ークである。１から４５は露光が行なわれる各ショット
領域を示す。また、ＬＮはショット領域１を露光すると
きの焼付投影レンズを示す。
ウトの一例を示す。同図において、ＰＭＩ 、ＰＭ２は
後述するプリアライメントに用いるプリアライメントマ
ークである。１から４５は露光が行なわれる各ショット
領域を示す。また、ＬＮはショット領域１を露光すると
きの焼付投影レンズを示す。
第３図は本発明のアライメント方法を用いてウェハ焼付
けを行なうときの概略を説明するためのフローチャート
、第４図は本発明のアライメント方法を説明するための
フローチャートであり′ｆＪ３図のステップＳ５におけ
るずれ量計測等についての詳細な内容である。
けを行なうときの概略を説明するためのフローチャート
、第４図は本発明のアライメント方法を説明するための
フローチャートであり′ｆＪ３図のステップＳ５におけ
るずれ量計測等についての詳細な内容である。
次に、第２および３図を参照して第１図の装置のウェハ
焼付けの手順を説明する。
焼付けの手順を説明する。
第３図において、まず、半導体焼付けの動作が開始され
ると、ステップＳｌでレチクルＲＴがレチクルステージ
Ｒ３の上にセットされる。次に、ステップＳ２でレチク
ルＲＴと焼付投影レンズＬＮ上に設けられたレチクルア
ライメントマークとを用い、レチクルＲＴと焼付投影レ
ンズＬＮとを正しく位置合わせする。次に、ステップＳ
３で実際に焼付けを行なうウェハＷＦをＸＹステージｘ
ＹＳの上にセットする。ステップＳ４では第２図に示す
ようなプリアライメントマークＰＭＩおよびＰＭ２を投
影レンズ外に設けたオフアクシス −顕微鏡ＯＡによ
り検出し、大まかにレチクルＲＴとウェハＷＦの位置合
わせを行なう。次に、ステップＳ５で後述するＴＴＬθ
グローバルアライメントによって、正確にレチクルＲＴ
とウェハＷＦの回転成分についての位置合わせを行なう
。ステツブＳ５で焼付投影レンズＬＮへ実際の焼付位置
であるウェハＷＦのショット領域を合せるためＸＹステ
ージＸＭＳを駆動し、後述するステップＳ７のＴＴＬｘ
、ｙダイ・パイ・ダイ・アライメントでは、レチクルＲ
ＴとウェハＷＦの並進成分についての位置合わせを１シ
ヨツト毎に行なう。
ると、ステップＳｌでレチクルＲＴがレチクルステージ
Ｒ３の上にセットされる。次に、ステップＳ２でレチク
ルＲＴと焼付投影レンズＬＮ上に設けられたレチクルア
ライメントマークとを用い、レチクルＲＴと焼付投影レ
ンズＬＮとを正しく位置合わせする。次に、ステップＳ
３で実際に焼付けを行なうウェハＷＦをＸＹステージｘ
ＹＳの上にセットする。ステップＳ４では第２図に示す
ようなプリアライメントマークＰＭＩおよびＰＭ２を投
影レンズ外に設けたオフアクシス −顕微鏡ＯＡによ
り検出し、大まかにレチクルＲＴとウェハＷＦの位置合
わせを行なう。次に、ステップＳ５で後述するＴＴＬθ
グローバルアライメントによって、正確にレチクルＲＴ
とウェハＷＦの回転成分についての位置合わせを行なう
。ステツブＳ５で焼付投影レンズＬＮへ実際の焼付位置
であるウェハＷＦのショット領域を合せるためＸＹステ
ージＸＭＳを駆動し、後述するステップＳ７のＴＴＬｘ
、ｙダイ・パイ・ダイ・アライメントでは、レチクルＲ
ＴとウェハＷＦの並進成分についての位置合わせを１シ
ヨツト毎に行なう。
次にステップＳ８で露光を行なう。次に、ステップＳ９
で１枚のウェハＷＦ上の全ショット領域について焼付け
が終了したかどうかを判別し、終了していない場合はス
テップＳ６へ戻る。１枚のウェハの焼付けが全ショット
領域について終了したならば、ステップＳＩＯで焼付終
了ウェハＷＦをＸＹステージＸＹＳから搬出する。ステ
ップＳｌｌでは予め指定された１０ット分の枚数のウェ
ハの焼付けがすべて終了したかどうかチエツクし、終了
していなければステップＳ３へ戻り、また終了していれ
ばステップＳ１に戻って再び上記に示した動作を行なう
。
で１枚のウェハＷＦ上の全ショット領域について焼付け
が終了したかどうかを判別し、終了していない場合はス
テップＳ６へ戻る。１枚のウェハの焼付けが全ショット
領域について終了したならば、ステップＳＩＯで焼付終
了ウェハＷＦをＸＹステージＸＹＳから搬出する。ステ
ップＳｌｌでは予め指定された１０ット分の枚数のウェ
ハの焼付けがすべて終了したかどうかチエツクし、終了
していなければステップＳ３へ戻り、また終了していれ
ばステップＳ１に戻って再び上記に示した動作を行なう
。
次に、第４および第５図を参照して第３図ステップＳ５
として示したＴＴＬθグローバルアライメント処理を説
明する。
として示したＴＴＬθグローバルアライメント処理を説
明する。
まず、第４図ステップ３４１において、予め指定された
ずれ量計測用の１つ目のショット領域例えば第５図のシ
ョット領域ＳＳ１を焼付投影レンズＬＮの真下に移動さ
せ、ステップＳ４２でディテクタＤＲおよびＤＬを用い
てレチクルＲＴ上に作成されているアライメントマーク
ＲＭＲ，ＲＭＬ各々に対するショット領域の左右両側に
あるアライメントマークＷＭＬ、ＷＭＲのずれ量を計測
し、そのずれ量をコントロールボックスＣＢ内のメモリ
（ＲＡＭ）に記憶する。このときのずれ量をショット右
側マークのＸ方向ずれ量：ＸＲ１ショット右側マークの
Ｙ方向ずれ量：ＹＲ１ショット左側マークのＸ方向ずれ
量：ＸＬ１ショット左側マークのＹ方向ずれｉ：ＹＬｌ
とする。
ずれ量計測用の１つ目のショット領域例えば第５図のシ
ョット領域ＳＳ１を焼付投影レンズＬＮの真下に移動さ
せ、ステップＳ４２でディテクタＤＲおよびＤＬを用い
てレチクルＲＴ上に作成されているアライメントマーク
ＲＭＲ，ＲＭＬ各々に対するショット領域の左右両側に
あるアライメントマークＷＭＬ、ＷＭＲのずれ量を計測
し、そのずれ量をコントロールボックスＣＢ内のメモリ
（ＲＡＭ）に記憶する。このときのずれ量をショット右
側マークのＸ方向ずれ量：ＸＲ１ショット右側マークの
Ｙ方向ずれ量：ＹＲ１ショット左側マークのＸ方向ずれ
量：ＸＬ１ショット左側マークのＹ方向ずれｉ：ＹＬｌ
とする。
続いてステップＳ４３において、予め指定されたずれ量
計測用の２番目のショット領域例えば第５図のショット
領域ＳＳ２を焼付投影レンズＬＮの真下に移動させ、ス
テップＳ４４でディテクタＤＲおよびＤＬを用いてずれ
量を計測し、館述したメモリに記憶する。このときのレ
チクルＲＴに対するショット中心のずれ量を１つ目の計
測ショットのときと同様にＸＲ２、ＹＲ２、ＸＬ２ 、
ＹＬ２とする。
計測用の２番目のショット領域例えば第５図のショット
領域ＳＳ２を焼付投影レンズＬＮの真下に移動させ、ス
テップＳ４４でディテクタＤＲおよびＤＬを用いてずれ
量を計測し、館述したメモリに記憶する。このときのレ
チクルＲＴに対するショット中心のずれ量を１つ目の計
測ショットのときと同様にＸＲ２、ＹＲ２、ＸＬ２ 、
ＹＬ２とする。
これらメモリに記憶されたずれ量を元にステップＳ４５
でウェハの傾きを求める。すなわち、だし、上式中のλ
は計測ショット中心間の距離である。
でウェハの傾きを求める。すなわち、だし、上式中のλ
は計測ショット中心間の距離である。
続くステップ３４６でこの傾きＷθの絶対値が予め設定
された値より大きいと判別されたら、ステップ３４７へ
進む。さらに、ステップＳ４７で１ウエハにつき何回再
計測を行なったかを判定し、これが所定の値以上であれ
ば傾きＷθの値を一定値以内に追い込めなかったとして
ステップＳ４８へ進み、処理を停止させてオペレータの
指示を待つ。
された値より大きいと判別されたら、ステップ３４７へ
進む。さらに、ステップＳ４７で１ウエハにつき何回再
計測を行なったかを判定し、これが所定の値以上であれ
ば傾きＷθの値を一定値以内に追い込めなかったとして
ステップＳ４８へ進み、処理を停止させてオペレータの
指示を待つ。
また、ステップＳ４７で再計測回数が所定の回数未満と
判別されたときはステップＳ４ｇへ進み、θステージＷ
Ｓを−Ｗθだけ回転させる。このようにウェハＷＦ上の
離れた２シヨツトのずれ蚤からウェハＷＦ全体の傾きを
求めるので、高精度の値が得られ、ダイローテーション
の小さい、正確なアライメントが行なえる。
判別されたときはステップＳ４ｇへ進み、θステージＷ
Ｓを−Ｗθだけ回転させる。このようにウェハＷＦ上の
離れた２シヨツトのずれ蚤からウェハＷＦ全体の傾きを
求めるので、高精度の値が得られ、ダイローテーション
の小さい、正確なアライメントが行なえる。
ステップＳ４９でθステージＷＳを回転した後は、再び
指定ショットのずれ量計測を行なうためステップＳ４１
へ戻る。
指定ショットのずれ量計測を行なうためステップＳ４１
へ戻る。
ステップＳ４５で求めた傾きＷθの絶対値が予め設定さ
れた値以下であったとステップＳ４６て判別された場合
は、木ＴＹＬθグローバルアライメ〉・ト処理は終了と
なる。
れた値以下であったとステップＳ４６て判別された場合
は、木ＴＹＬθグローバルアライメ〉・ト処理は終了と
なる。
次に第６図と第７図を参照して、第３図のステップＳ７
として示したＴＴＬｘ、ｙダイ・パイ・ダイ・アライメ
ントについて詳細に説明する。
として示したＴＴＬｘ、ｙダイ・パイ・ダイ・アライメ
ントについて詳細に説明する。
まず、ステップＳ６１では、今まさに露光しようとする
ショット領域において、ディテクタＤＲおよびＤＬを用
いて、レチクルＲＴ上に作成されているアライメントマ
ークＲＭＲ，ＲＭＬ各々に対するショット領域の左右両
側にあるアライメントマークＷＭＬ、ＷＭＲのずれ量を
計測し、そのずれ量をコントロールボックスＣＢ内のメ
モリ（ＲＡＭ）に記憶する。この時のずれ量を、ショッ
ト右側マークのＸ方向ずれ量：ＸＲ３ショット右側マー
クのＹ方向ずれｆｔ：ＹＲ３ショット左側マークのＸ方
向ずれ量：ＸＬ３’ショット左側マークのＹ方向ずれ量
：ＹＬ３とする。
ショット領域において、ディテクタＤＲおよびＤＬを用
いて、レチクルＲＴ上に作成されているアライメントマ
ークＲＭＲ，ＲＭＬ各々に対するショット領域の左右両
側にあるアライメントマークＷＭＬ、ＷＭＲのずれ量を
計測し、そのずれ量をコントロールボックスＣＢ内のメ
モリ（ＲＡＭ）に記憶する。この時のずれ量を、ショッ
ト右側マークのＸ方向ずれ量：ＸＲ３ショット右側マー
クのＹ方向ずれｆｔ：ＹＲ３ショット左側マークのＸ方
向ずれ量：ＸＬ３’ショット左側マークのＹ方向ずれ量
：ＹＬ３とする。
ところで、第７図にも示した通り、前記ＴＴＬθグロー
バルアライメントを実行したことによって、クエへの回
転成分のずれはほとんどない、無視し得る量である。
バルアライメントを実行したことによって、クエへの回
転成分のずれはほとんどない、無視し得る量である。
次にステップＳ６２において、上記計測したＸ。
Ｙ方向のずれＸＲ３、ＹＲ３、ＸＬ３ 、ＹＬ３１７）
絶対量が所定の値以下であるかの判断を行なう。
絶対量が所定の値以下であるかの判断を行なう。
この判断において、各ずれ量のどれかひとつでも所定の
値より大きいと判断された場合には、ステップＳ６３に
移行する。このステップでは、上記ずれ量を所定の値と
比較してレチクルステージＫＳで補正駆動を行なうかま
たはＸＹステージＸＹＳで補正駆動を行なうかの判断を
行なう。レチクルステージＲ３で補正を行なうと判断さ
れた場合には、ステップＳ６４に進み下記式に示すよう
に上記ずれ量をもとにレチクルステージＲＴのＸ、Ｙ各
々の方向についての補正駆動量ＲＸ、ＲＹを算出する。
値より大きいと判断された場合には、ステップＳ６３に
移行する。このステップでは、上記ずれ量を所定の値と
比較してレチクルステージＫＳで補正駆動を行なうかま
たはＸＹステージＸＹＳで補正駆動を行なうかの判断を
行なう。レチクルステージＲ３で補正を行なうと判断さ
れた場合には、ステップＳ６４に進み下記式に示すよう
に上記ずれ量をもとにレチクルステージＲＴのＸ、Ｙ各
々の方向についての補正駆動量ＲＸ、ＲＹを算出する。
ＲＸ＝ （ＸＲ３＋ＸＬ３）／ （２ＸＲＵ）ＲＹ＝
（ＹＲ３＋ＹＬ３）／ （２ＸＲＵ）但し、ＲＵはレチ
クルステージの駆動分解能である。
（ＹＲ３＋ＹＬ３）／ （２ＸＲＵ）但し、ＲＵはレチ
クルステージの駆動分解能である。
続いてステップ３６５に進み、前記算出したＸ。
Ｙ各々の駆動量分レチクルステージＲＳを駆動する。
またステップＳ６３においてＸＹステージＸＭＳで補正
駆動を行なうと判断した場合にはステップＳ６６に進み
下記の式によりＸＹステージＸＭＳの補正駆動量を算出
する。
駆動を行なうと判断した場合にはステップＳ６６に進み
下記の式によりＸＹステージＸＭＳの補正駆動量を算出
する。
ＸＹＸ＝ （ＸＲ３＋ＸＬ３）／ （２ＸＸＹｔｌ）Ｘ
ＹＹ＝ （ＹＲ３＋ＹＬ３）／ （２ＸＸＹＵ）但し、
ＸＹＵはＸＹステージＸＹＵの駆動分解能である。
ＹＹ＝ （ＹＲ３＋ＹＬ３）／ （２ＸＸＹＵ）但し、
ＸＹＵはＸＹステージＸＹＵの駆動分解能である。
続いて、ステップＳ６７に進み、上記算出されたＸ、Ｙ
各々の駆動量分だけＸＹステージＸＹＳを駆動する。
各々の駆動量分だけＸＹステージＸＹＳを駆動する。
以上説明したように、ステップＳ６５またはステップＳ
６７において補正駆動を行なった後は、再びステップＳ
６１に戻り、レチクルＲＴと露光ショットのアライメン
ト量を確認する。
６７において補正駆動を行なった後は、再びステップＳ
６１に戻り、レチクルＲＴと露光ショットのアライメン
ト量を確認する。
また、ステップＳ６２においてレチクルＲＴと露光ショ
ットのＸ、Ｙ各方向のずれ量が所定の値以下である場合
には、レチクルＲＴと露光ショットのアライメントは完
了と判断し、木ＴＴＬｘ、ｙダイ・パイ・ダイ・アライ
メントを終了する。
ットのＸ、Ｙ各方向のずれ量が所定の値以下である場合
には、レチクルＲＴと露光ショットのアライメントは完
了と判断し、木ＴＴＬｘ、ｙダイ・パイ・ダイ・アライ
メントを終了する。
該アライメントは第３図にも示したように１シヨツト毎
露光直前に実行される。
露光直前に実行される。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の改良されたＴＴＬダイ・
パイ・ダイ・アライメント方式においては、回転成分の
ずれに関してはウェハ全体でそのずれを計測、補正する
ことによって高精度、高速化を達成し、並進成分のずれ
に関しては１ショット毎逐次計測、補正することによっ
てウニへの周囲環境（特に温度）に起因する局所的なず
れおよびＸＹステージのステップ精度の不具合に対応す
ることが可能となった。
パイ・ダイ・アライメント方式においては、回転成分の
ずれに関してはウェハ全体でそのずれを計測、補正する
ことによって高精度、高速化を達成し、並進成分のずれ
に関しては１ショット毎逐次計測、補正することによっ
てウニへの周囲環境（特に温度）に起因する局所的なず
れおよびＸＹステージのステップ精度の不具合に対応す
ることが可能となった。
第１図は、本発明のアライメント方法を通用した半導体
焼付装置の概略構成図、 第２図は、ウェハ上のショット配列およびマークを示す
図、 第３図は、本発明のアライメント方法を用いたウェハ焼
付けの手順を説明するための動作フローチャート、 第４図は、本発明のＴＴＬθグローバルアライメント方
法を説明するためのフローチャート、第５図は、本発明
のＴＴＬθグローバルアライメント方法を説明するため
の回転成分ずれを持ったウェハの図、 第６図は、本発明のＴＴＬＸＹダイ・パイ・ダイ・アラ
イメント方法を説明するためのフローチヤード、 第７図は、本発明のＴＴＬＸＹダイ・パイ・ダイ・アラ
イメント方法を説明するための並進成分ずれを持ったシ
ョット領域およびウェハの図である。 ＸＹＳ ： ＸＹステージ、ＷＳ：θステージ、ＷＦ：
ウェハ、ＬＮ：焼付投影レンズ、Ｒ８，レチクルステー
ジ、ＲＴニレチクル、ＬＩ：焼付用照明装置、ＣＢ：コ
ントロールボックス、ＰＭＩ、ＰＭ２ ：ブリアライ
メントマーク、ＲＭＬ、ＲＭＲニレチクル上のアライメ
ント基準マーク、ＷＭＬ、ＷＭＲ：ウェハ上のアライメ
ントマーク。 特 許 出 願 人 キャノン株式会社代理人 弁理
士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第 １ 図 第 ２ 図 第 ４ 図
焼付装置の概略構成図、 第２図は、ウェハ上のショット配列およびマークを示す
図、 第３図は、本発明のアライメント方法を用いたウェハ焼
付けの手順を説明するための動作フローチャート、 第４図は、本発明のＴＴＬθグローバルアライメント方
法を説明するためのフローチャート、第５図は、本発明
のＴＴＬθグローバルアライメント方法を説明するため
の回転成分ずれを持ったウェハの図、 第６図は、本発明のＴＴＬＸＹダイ・パイ・ダイ・アラ
イメント方法を説明するためのフローチヤード、 第７図は、本発明のＴＴＬＸＹダイ・パイ・ダイ・アラ
イメント方法を説明するための並進成分ずれを持ったシ
ョット領域およびウェハの図である。 ＸＹＳ ： ＸＹステージ、ＷＳ：θステージ、ＷＦ：
ウェハ、ＬＮ：焼付投影レンズ、Ｒ８，レチクルステー
ジ、ＲＴニレチクル、ＬＩ：焼付用照明装置、ＣＢ：コ
ントロールボックス、ＰＭＩ、ＰＭ２ ：ブリアライ
メントマーク、ＲＭＬ、ＲＭＲニレチクル上のアライメ
ント基準マーク、ＷＭＬ、ＷＭＲ：ウェハ上のアライメ
ントマーク。 特 許 出 願 人 キャノン株式会社代理人 弁理
士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第 １ 図 第 ２ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、原版上のパターン像を、感光性基板をステップ送り
しながら該基板上の複数の各露光ショット領域に順次露
光するに際し、上記原版と基板とを位置合わせする方法
であって、 原版と基板との回転成分のずれに関しては原版に対する
基板全体の回転成分ずれを計測して補正し、並進成分の
ずれに関しては逐次露光直前に原版に対する上記各露光
ショット領域ごとにその並進成分ずれを計測して補正す
ることを特徴とする位置合わせ方法。 ２、前記原版と基板全体との回転成分ずれを計測した後
補正前に、当該ずれ量計測値と所定量との大小判定を行
ない、ずれ量計測値が所定量より大きい場合はずれ量の
計測から再実行する、クローズド・ループ処理ルーチン
を含む特許請求の範囲第１項記載の位置合わせ方法。 ３、前記原版と基板との並進成分ずれ計測した後補正前
に、当該ずれ量計測値と所定量との大小判定を行ない、
ずれ量が所定量より大きい場合はずれ量計測から再実行
する、クローズド・ループと処理ルーチンを含む特許請
求の範囲第１項記載の位置合わせ方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017881A JPS63118A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 位置合わせ方法 |
| US07/104,582 US4811059A (en) | 1986-01-31 | 1987-10-02 | Alignment method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017881A JPS63118A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 位置合わせ方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63118A true JPS63118A (ja) | 1988-01-05 |
Family
ID=11956039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61017881A Pending JPS63118A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 位置合わせ方法 |
Country Status (2)
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| JP (1) | JPS63118A (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0281419A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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- 1986-01-31 JP JP61017881A patent/JPS63118A/ja active Pending
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1987
- 1987-10-02 US US07/104,582 patent/US4811059A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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| US4811059A (en) | 1989-03-07 |
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