JPS63122143A - 一定容量法による結晶欠陥評価装置及び評価方法 - Google Patents
一定容量法による結晶欠陥評価装置及び評価方法Info
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- JPS63122143A JPS63122143A JP26844786A JP26844786A JPS63122143A JP S63122143 A JPS63122143 A JP S63122143A JP 26844786 A JP26844786 A JP 26844786A JP 26844786 A JP26844786 A JP 26844786A JP S63122143 A JPS63122143 A JP S63122143A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体結晶中の欠陥が形成する深い単位を試
料温度を掃引して測定する装置で、特に温度掃引速度が
試料に印加される逆バイアス電圧の時間変化率により制
御され、被測定領域である空乏層幅を一定に保持して測
定する一定容量法による結晶欠陥評価装置に関する。
料温度を掃引して測定する装置で、特に温度掃引速度が
試料に印加される逆バイアス電圧の時間変化率により制
御され、被測定領域である空乏層幅を一定に保持して測
定する一定容量法による結晶欠陥評価装置に関する。
（従来の技術）
従来、結晶中の欠陥が形成する深い単位を結晶の温度を
変化させてｐ−ｎ接合あるいはショットキ接合の接合容
量変化によって検出する方法として、Ｃａｒｂａｌｌｅ
ｓらのＴＳＣＡＰ（Ｔｈｅｒ温度ｌｌｙ Ｓｔｉｍｕ
ｌａｔｅｄ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ＞法があった。
変化させてｐ−ｎ接合あるいはショットキ接合の接合容
量変化によって検出する方法として、Ｃａｒｂａｌｌｅ
ｓらのＴＳＣＡＰ（Ｔｈｅｒ温度ｌｌｙ Ｓｔｉｍｕ
ｌａｔｅｄ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ＞法があった。
ＴＳＣＡＰ法は試料温度を連続的に一定の昇温速度で変
化していき、その温度変化による空乏層幅の欠陥の荷電
状態変化に伴う接合容量変化を検出するものである。一
般に結晶中に導入された欠陥が形成するエネルギー準位
《以下深い単位という》の荷電状態は、極めて長い緩和
時間をもって変化していくために、一回の温度掃引によ
っては欠陥の性質、即ち欠陥が形成する深い単位のエネ
ルギー準位や密度等を決定する事はできず、昇温速度を
種々変化させる事により、複数の深い準位がある場合に
は、浅い単位密度Ｎｄよりも深い単位密度Ｎｔが非常に
小さいときには、ＴＳＣＡＰのレスポンスがそれぞれの
和で得られるという条件のもとで欠陥の性質が決められ
ていた。
化していき、その温度変化による空乏層幅の欠陥の荷電
状態変化に伴う接合容量変化を検出するものである。一
般に結晶中に導入された欠陥が形成するエネルギー準位
《以下深い単位という》の荷電状態は、極めて長い緩和
時間をもって変化していくために、一回の温度掃引によ
っては欠陥の性質、即ち欠陥が形成する深い単位のエネ
ルギー準位や密度等を決定する事はできず、昇温速度を
種々変化させる事により、複数の深い準位がある場合に
は、浅い単位密度Ｎｄよりも深い単位密度Ｎｔが非常に
小さいときには、ＴＳＣＡＰのレスポンスがそれぞれの
和で得られるという条件のもとで欠陥の性質が決められ
ていた。
（発明が解決しようとする問題点）
ＴＳＣＡＰ法は、一定の温度掃引速度で試料温度を変化
させていき、その過渡的な接合容量変化を記録すること
から、前記仮定が成り立たない場合は、掃引速度によっ
て欠陥のエネルギー単位に換算されるべき試料温度が変
化してしまって、正確なエネルギー単位の決定ができな
くなる事及び一定バイアス電圧の゛条件のもとで接合容
量の変化をみているから欠陥の荷電状態が変化して接合
容量が変化すると、空乏層幅即ち測定領域も変化してい
き、欠陥密度が、接合面からの距離とともに変化してい
るような場合には、正確な密度の決定ができなくなると
いう欠点が存在した。
させていき、その過渡的な接合容量変化を記録すること
から、前記仮定が成り立たない場合は、掃引速度によっ
て欠陥のエネルギー単位に換算されるべき試料温度が変
化してしまって、正確なエネルギー単位の決定ができな
くなる事及び一定バイアス電圧の゛条件のもとで接合容
量の変化をみているから欠陥の荷電状態が変化して接合
容量が変化すると、空乏層幅即ち測定領域も変化してい
き、欠陥密度が、接合面からの距離とともに変化してい
るような場合には、正確な密度の決定ができなくなると
いう欠点が存在した。
第１図は、本発明を構成するブロックダイヤグラムであ
り、図中■は光源であり■は光源■から所定の重色光を
得るための分光装置であり、■は単色光を試料■上に収
束して照射するための光学系であり、試料中の深い単位
の荷電状態を光学遷移によって変化させる事及び熱的遷
移によって変化した深い単位の荷電状態を検出するため
に用いる。容量計■によって測定された試料■の接合容
量と、比較演算回路■に設定された容量値の差をＯにす
るようにバイアス電圧印加回路■の動作で逆バイアスを
印加するために、常に一定の容量値、即ち空乏層幅が保
持され、被測定領域が常に一定となる。加えて第２図に
簡単に測定の順序が示されるようにある試料温度Ｔ、に
おいて試料に印加される逆バイアス電圧Ｖ、（Ｔ、）が
、比較演算回路に設定された時間の間、一定の値に保持
されれば、比較演算回路■によってＶＢ（Ｔ、）が最終
安定値ｖＢ（Ｔ、）３に到達したと判断され、試料温度
制御装置■によって試料■の温度を次なる測定温度Ｔ２
に推移される。
り、図中■は光源であり■は光源■から所定の重色光を
得るための分光装置であり、■は単色光を試料■上に収
束して照射するための光学系であり、試料中の深い単位
の荷電状態を光学遷移によって変化させる事及び熱的遷
移によって変化した深い単位の荷電状態を検出するため
に用いる。容量計■によって測定された試料■の接合容
量と、比較演算回路■に設定された容量値の差をＯにす
るようにバイアス電圧印加回路■の動作で逆バイアスを
印加するために、常に一定の容量値、即ち空乏層幅が保
持され、被測定領域が常に一定となる。加えて第２図に
簡単に測定の順序が示されるようにある試料温度Ｔ、に
おいて試料に印加される逆バイアス電圧Ｖ、（Ｔ、）が
、比較演算回路に設定された時間の間、一定の値に保持
されれば、比較演算回路■によってＶＢ（Ｔ、）が最終
安定値ｖＢ（Ｔ、）３に到達したと判断され、試料温度
制御装置■によって試料■の温度を次なる測定温度Ｔ２
に推移される。
従来技術の第１の欠点を克服するために、本発明では温
度掃引速度を一定とせず、ある試料温度Ｔ、における深
い準位の荷電状態が定常状態になるまで一定温度を保持
し、しかる後に次の試料温度Ｔ２へ変化させる。従って
従来技術と異なり温Ｉ！！棉引速度ｄＴは一定ではなく
、深ｔ い準位の性質即ち電子と正孔の放出確率ｅ。、ｅ、によ
って決まる時定数で変化する。
度掃引速度を一定とせず、ある試料温度Ｔ、における深
い準位の荷電状態が定常状態になるまで一定温度を保持
し、しかる後に次の試料温度Ｔ２へ変化させる。従って
従来技術と異なり温Ｉ！！棉引速度ｄＴは一定ではなく
、深ｔ い準位の性質即ち電子と正孔の放出確率ｅ。、ｅ、によ
って決まる時定数で変化する。
次に従来技術の第２の欠点を克服するために本発明では
従来技術が一定の逆バイアスを印加した接合容量の温度
による変化を検出するのと異なり、一定の接合容量を保
持するために接合に印加する逆バイアス電圧の変化を検
出する。
従来技術が一定の逆バイアスを印加した接合容量の温度
による変化を検出するのと異なり、一定の接合容量を保
持するために接合に印加する逆バイアス電圧の変化を検
出する。
即ち深いドナー単位を含むｎ型半導体で構成された接合
を、低温からＦＪ２ｆｉしていく場合を例にとれば、深
いドナー単位ではｅｎ＞ｅｐであるから、ｅ、％二〇で
ある十分低温の条件では深いドナー単位には電子が満た
された状態であり、電荷状態は中性である。試料温度を
上昇して８１〜Ｏとなる湿度になると、深い単位から伝
導帯へ電子の励起がはじまり、時定数１／τ−ｅ。＋ｅ
、をもって荷電状態が中性から正電荷へと推移する。従
来技術では一定バイアスであるから深い単位が中性から
正電荷へ推移すると空乏層幅が狭くなり、被測定領域が
変化してしまうが、本発明ではあらかじめ比較演算回路
に設定された設定容量値となるように試料ダイオードに
印加する逆バイアス電圧を印加していくので、常に空乏
層幅は一定であり、被測定領域は変化しない。
を、低温からＦＪ２ｆｉしていく場合を例にとれば、深
いドナー単位ではｅｎ＞ｅｐであるから、ｅ、％二〇で
ある十分低温の条件では深いドナー単位には電子が満た
された状態であり、電荷状態は中性である。試料温度を
上昇して８１〜Ｏとなる湿度になると、深い単位から伝
導帯へ電子の励起がはじまり、時定数１／τ−ｅ。＋ｅ
、をもって荷電状態が中性から正電荷へと推移する。従
来技術では一定バイアスであるから深い単位が中性から
正電荷へ推移すると空乏層幅が狭くなり、被測定領域が
変化してしまうが、本発明ではあらかじめ比較演算回路
に設定された設定容量値となるように試料ダイオードに
印加する逆バイアス電圧を印加していくので、常に空乏
層幅は一定であり、被測定領域は変化しない。
（実施例）
具体例として、ＧａＡＳ結晶中のフォトクエンチング単
位の回復温度の測定例を、従来法のＴＳＣＡＰと本発明
による方法とで、比較して述べる。
位の回復温度の測定例を、従来法のＴＳＣＡＰと本発明
による方法とで、比較して述べる。
近年Ｑａ ＡＳ結晶は、その高電子移動度、及び光学的
な特徴を生かして、超高速論理素子及び光通信素子用材
料として広く用いられてきつつあるが、従来多用されて
いる単元素よりなる結晶であるシリコン結晶と異なり、
ＱａとＡｓという二種類の元素からなる化合物半導体結
晶であり、特にＡＳの蒸気圧が高いためにＱａとＡｓの
比が１＝１よりずれやすく、いわゆる化学量論的組成か
らのずれに起因する欠陥が生じ易い事が知られている。
な特徴を生かして、超高速論理素子及び光通信素子用材
料として広く用いられてきつつあるが、従来多用されて
いる単元素よりなる結晶であるシリコン結晶と異なり、
ＱａとＡｓという二種類の元素からなる化合物半導体結
晶であり、特にＡＳの蒸気圧が高いためにＱａとＡｓの
比が１＝１よりずれやすく、いわゆる化学量論的組成か
らのずれに起因する欠陥が生じ易い事が知られている。
近年、これら化学」論的組成からのずれに起因する欠陥
のうちＥＬ−２と呼ばれる深い単位が、結晶の抵抗率や
、イオン打ち込みした不純物の活性化率に著しい影響を
与えるとして、注目されている。従って、このＥＬ−２
と呼ばれる深い準位の性質を明らかにし、その欠陥の制
御をするこ゛とがＧａ Ａｓ基板結晶を提供する側及び
、Ｑａ ＡＳ集積回路等の素子を製作する側にとっても
重要な課題となっている。
のうちＥＬ−２と呼ばれる深い単位が、結晶の抵抗率や
、イオン打ち込みした不純物の活性化率に著しい影響を
与えるとして、注目されている。従って、このＥＬ−２
と呼ばれる深い準位の性質を明らかにし、その欠陥の制
御をするこ゛とがＧａ Ａｓ基板結晶を提供する側及び
、Ｑａ ＡＳ集積回路等の素子を製作する側にとっても
重要な課題となっている。
ＥＬ−２と呼ばれる深い単位の特有の性質として、約１
ｅＶ付近の光照射により、その基底状態Ｅ：ｒから励起
状態Ｅ千への移行が起り、励起状態Ｅ；は約１１０に以
上の温度で基底状態Ｅ÷へ戻ることが報告されている。
ｅＶ付近の光照射により、その基底状態Ｅ：ｒから励起
状態Ｅ千への移行が起り、励起状態Ｅ；は約１１０に以
上の温度で基底状態Ｅ÷へ戻ることが報告されている。
本実施例では、ＥＬ−２と呼ばれる深い単位の、上記の
励起状態から基底状態への遷移温度の決定を、従来技術
のＴＳＣＡＰ法と本発明による方法で測定した結果を述
べる。
励起状態から基底状態への遷移温度の決定を、従来技術
のＴＳＣＡＰ法と本発明による方法で測定した結果を述
べる。
試料はｎ型０）ｎｏｎｅ ｄｏｐｅｄ ＨＢ Ｑ
ａ ＡＳ結晶で、試料裏面に５００μｍφのＡｌｌ Ｇ
ｅ Ｎｉ ／Ａ（Ｊの蒸着及びＨ２中４５０℃、３０秒
のシンターによりオーム性接触を得、表面には電子ビー
ム蒸着によるＡＪＬによってショットキー接合を得たも
のを用いた。もちろん試料の構造は上記に限られるもの
ではなく、ｐ−ｎ接合をもつ構造にも適用され、もちろ
ん試料の材料及び構造は上記ショットキー接合を有する
ＧａＡＳ結晶に限られるものではなく、広く半導体結晶
で形成されたダイオード、あるいはトランジスタ等の一
部に形成される接合部分及び空乏層幅が印加電圧によっ
て制御される接合が存在すれば、広（適用され得る。
ａ ＡＳ結晶で、試料裏面に５００μｍφのＡｌｌ Ｇ
ｅ Ｎｉ ／Ａ（Ｊの蒸着及びＨ２中４５０℃、３０秒
のシンターによりオーム性接触を得、表面には電子ビー
ム蒸着によるＡＪＬによってショットキー接合を得たも
のを用いた。もちろん試料の構造は上記に限られるもの
ではなく、ｐ−ｎ接合をもつ構造にも適用され、もちろ
ん試料の材料及び構造は上記ショットキー接合を有する
ＧａＡＳ結晶に限られるものではなく、広く半導体結晶
で形成されたダイオード、あるいはトランジスタ等の一
部に形成される接合部分及び空乏層幅が印加電圧によっ
て制御される接合が存在すれば、広（適用され得る。
測定はまず試料を励起状態Ｅ；から基底状態Ｅ；への回
復が生じる温度よりも低い温度（例えば４５Ｋ）まで試
料を暗所で冷却し、低温で逆バイアス電圧を印加して、
かつ約１ｅＶの光を照射し、ＥＬ−２単位を基底状態Ｅ
；から励起状態Ｅ千へ移行させる。その後、０．７５ｅ
Ｖの光を照射しながら、従来技術では一定の昇温速度で
、本発明ではバイアス電圧の時間変化率を検出しながら
、試料温度を上げていく。ある回復温度Ｔになると、Ｅ
Ｌ−２の励起状態Ｅ７は基底状態Ｅ÷へ回復する。基底
状態Ｅ：ｒは伝導帯から０．７５ｅＶ付近に単位が存在
する事が知られているから、０．７５ｅＶの光を照射し
ていれば、回復した時に従来技術では接合容量の増大が
、本発明では逆バイアス電圧の増大が検出される。
復が生じる温度よりも低い温度（例えば４５Ｋ）まで試
料を暗所で冷却し、低温で逆バイアス電圧を印加して、
かつ約１ｅＶの光を照射し、ＥＬ−２単位を基底状態Ｅ
；から励起状態Ｅ千へ移行させる。その後、０．７５ｅ
Ｖの光を照射しながら、従来技術では一定の昇温速度で
、本発明ではバイアス電圧の時間変化率を検出しながら
、試料温度を上げていく。ある回復温度Ｔになると、Ｅ
Ｌ−２の励起状態Ｅ７は基底状態Ｅ÷へ回復する。基底
状態Ｅ：ｒは伝導帯から０．７５ｅＶ付近に単位が存在
する事が知られているから、０．７５ｅＶの光を照射し
ていれば、回復した時に従来技術では接合容量の増大が
、本発明では逆バイアス電圧の増大が検出される。
第２図中（ａ）は従来技術であるＴＳＣＡＰ法で温度掃
引速度を１．４に／ｓｉｎとして上述の方法でＥｌ−２
の励起状態といわれる単位の回１１１度を測定した例で
ある。第２図中（ｂ）は同じく温度掃引速度を０．４８
に／ｌｌｌ１ｎとした測定例であり、（ａ）では約１３
０に付近、（ｂ）では約１２０Ｋにおいてフォトクエン
チング単位の回復現象によって接合容量の顕著な増大が
検出されていて、温度掃引速度によって荷電状Ｓ変化が
生じる温度の検出が大幅に変化してしまうという従来技
術の問題点が如実に現われている。接合容量が変化して
いるから、被測定領域である空乏層幅は温度とともに変
化してしまっている事は言うまでもない。
引速度を１．４に／ｓｉｎとして上述の方法でＥｌ−２
の励起状態といわれる単位の回１１１度を測定した例で
ある。第２図中（ｂ）は同じく温度掃引速度を０．４８
に／ｌｌｌ１ｎとした測定例であり、（ａ）では約１３
０に付近、（ｂ）では約１２０Ｋにおいてフォトクエン
チング単位の回復現象によって接合容量の顕著な増大が
検出されていて、温度掃引速度によって荷電状Ｓ変化が
生じる温度の検出が大幅に変化してしまうという従来技
術の問題点が如実に現われている。接合容量が変化して
いるから、被測定領域である空乏層幅は温度とともに変
化してしまっている事は言うまでもない。
−力筒３図は、本発明により前述条件で得られた結果で
ある。第３図（ａ）は前述の条件で１．１ｅＶの光照射
を行なわず、０．７５ｅＶの光照射のみで測定を行なっ
た結果であり、第３図（ｂ）は１．１ｅＶの光照射を行
なってフォトクエンチングさせた後に０．７５ｅＶの光
照射をして測定した結果である。第３図の本発明による
測定結果では１１０．２にと１１１に、及び１１２Ｋに
、一定容量に保持するのにする逆バイアス電圧の顕著な
増大が見られ、なくとも３種類の回復温度を持つ準位が
存在る事を明確に示している。しかも第３図の胴中は空
乏層幅、即ち被測定領域が一定に保持れている事は言う
までもない。
ある。第３図（ａ）は前述の条件で１．１ｅＶの光照射
を行なわず、０．７５ｅＶの光照射のみで測定を行なっ
た結果であり、第３図（ｂ）は１．１ｅＶの光照射を行
なってフォトクエンチングさせた後に０．７５ｅＶの光
照射をして測定した結果である。第３図の本発明による
測定結果では１１０．２にと１１１に、及び１１２Ｋに
、一定容量に保持するのにする逆バイアス電圧の顕著な
増大が見られ、なくとも３種類の回復温度を持つ準位が
存在る事を明確に示している。しかも第３図の胴中は空
乏層幅、即ち被測定領域が一定に保持れている事は言う
までもない。
本発明は、以上説明したように、被測定額を常に一定に
保持しつつ、深い単位の荷電状の変化が起る温度を極め
て正確に検出し得る果を持つ。
保持しつつ、深い単位の荷電状の変化が起る温度を極め
て正確に検出し得る果を持つ。
Claims (2)
- （１）光源と該光源から単色光を得る少なくとも１つの
分光器と、該単色光を試料上に収束して照射する光学系
と、該試料の温度を制御する温度制御装置と、該試料の
容量を測定する容量計と、該容量計の値と設定容量値を
比較する比較演算回路と、該比較演算回路の結果によっ
て該試料に逆バイアスを印加するバイアス電圧印加回路
を具えたことを特徴とする一定容量法による結晶欠陥評
価装置。 - （２）試料の接合容量を、試料にバイアス電圧を印加す
る事によつて設定容量値と等しくし、該バイアス電圧値
の時間変化率によつて試料温度掃引の時間間隔が制御さ
れる過程を有することを特徴とする前記特許請求の範囲
第１項記載の結晶欠陥評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268447A JPH0693476B2 (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 一定容量法による結晶欠陥評価装置及び評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268447A JPH0693476B2 (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 一定容量法による結晶欠陥評価装置及び評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122143A true JPS63122143A (ja) | 1988-05-26 |
| JPH0693476B2 JPH0693476B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=17458633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61268447A Expired - Fee Related JPH0693476B2 (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 一定容量法による結晶欠陥評価装置及び評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693476B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034028A (ja) * | 1983-08-06 | 1985-02-21 | Tokyo Daigaku | 適応式半導体捕獲中心測定方法 |
| JPS60123038A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Semiconductor Res Found | 一定容量によるフォトキャパシタンス測定方法 |
-
1986
- 1986-11-11 JP JP61268447A patent/JPH0693476B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034028A (ja) * | 1983-08-06 | 1985-02-21 | Tokyo Daigaku | 適応式半導体捕獲中心測定方法 |
| JPS60123038A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Semiconductor Res Found | 一定容量によるフォトキャパシタンス測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0693476B2 (ja) | 1994-11-16 |
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|---|---|---|
| Losee | Admittance spectroscopy of impurity levels in Schottky barriers | |
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| Stievenard et al. | Profiling of defects using deep level transient spectroscopy | |
| Voitsekhovskii et al. | Electrical characterizations of MIS structures based on variable-gap n (p)-HgCdTe grown by MBE on Si (0 1 3) substrates | |
| Goetzberger et al. | Temperature dependence of inversion–layer frequency response in silicon | |
| Nadazdy et al. | Evidence for the improved defect-pool model for gap states in amorphous silicon from charge DLTS experiments on undoped a-Si: H | |
| Benamara et al. | Ni/SiC–6H Schottky Barrier Diode interfacial states characterization related to temperature | |
| Barnes et al. | Forward bias induced annealing of the E center in silicon | |
| Thomas et al. | Low-temperature epitaxial growth of doped silicon films and junctions | |
| Sitter et al. | Characterization and annealing behavior of deep levels in CdTe epitaxial layers | |
| JPS63122143A (ja) | 一定容量法による結晶欠陥評価装置及び評価方法 | |
| Fastow et al. | Shockley–Read recombination and trapping in p‐type HgCdTe | |
| Voitsekhovskii et al. | Special features of admittance in MIS structures based on graded-gap MBE n-Hg1–x Cd x Te (x= 0.31–0.32) in a temperature range of 8–300 K | |
| Wagner et al. | Analysis of recombination centers in epitaxial silicon thin-film solar cells by temperature-dependent quantum efficiency measurements | |
| US6914442B2 (en) | Method for measuring resistivity of semiconductor wafer | |
| Kim | InSb MIS technology and CID devices | |
| JP7501392B2 (ja) | シリコン単結晶のｄｌｔｓ評価方法 | |
| Divigalpitiya et al. | Hydrogen passivation of dislocations in silicon | |
| JPS60123038A (ja) | 一定容量によるフォトキャパシタンス測定方法 | |
| Dashevsky et al. | High-temperature PbTe diodes | |
| Morris | Some device applications of spreading resistance measurements on epitaxial silicon | |
| Lu et al. | Detection of defects at homoepitaxial interface by deep‐level transient spectroscopy | |
| Voitsekhovskii et al. | Total Conductance of MIS Structures Based on Graded-Gap p-Hg1–х Cd х Te (x= 0.22–0.23) Grown by Molecular Beam Epitaxy | |
| Tōyama | Effective Richardson constant of sputtered Pt‐Si Schottky contacts |
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