JPS6034028A - 適応式半導体捕獲中心測定方法 - Google Patents
適応式半導体捕獲中心測定方法Info
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- JPS6034028A JPS6034028A JP58143116A JP14311683A JPS6034028A JP S6034028 A JPS6034028 A JP S6034028A JP 58143116 A JP58143116 A JP 58143116A JP 14311683 A JP14311683 A JP 14311683A JP S6034028 A JPS6034028 A JP S6034028A
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- Japan
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- semiconductor
- measurement
- control part
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- sample
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、半導体ダイオードの電流過渡応答特性および
静電容量過渡応答特性の観測に基づいて半導体ダイオー
ドを構成する半導体材料のキャリヤ捕獲中心を測定する
半導体捕獲中心測定方法に特に、観測データを実時間処
理した結果に適応させて観測条件を変化させることによ
り効率よく測定を行ない得るようにした適応式半導体捕
獲中心１・・測定方法に関するものである。
静電容量過渡応答特性の観測に基づいて半導体ダイオー
ドを構成する半導体材料のキャリヤ捕獲中心を測定する
半導体捕獲中心測定方法に特に、観測データを実時間処
理した結果に適応させて観測条件を変化させることによ
り効率よく測定を行ない得るようにした適応式半導体捕
獲中心１・・測定方法に関するものである。
従来技術
従来のこの種半導体捕獲中心測定方法としては、半導体
ダイオードに対して定常的に光照射や高層１波電圧印加
を施した際に半導体ダイオードに生起する発光現象や電
気伝導現象を観測することによってキャリヤ捕獲中心を
測定する方法とともに、半導体ダイオードに対して元ノ
（ルスの照射や電圧パルスの印加を行なった際に半導体
ダイオードに生起する電流過渡現象および静電容量過渡
現象を観測することによってキャリヤ捕獲中心を測定す
る方法が採られていた。
ダイオードに対して定常的に光照射や高層１波電圧印加
を施した際に半導体ダイオードに生起する発光現象や電
気伝導現象を観測することによってキャリヤ捕獲中心を
測定する方法とともに、半導体ダイオードに対して元ノ
（ルスの照射や電圧パルスの印加を行なった際に半導体
ダイオードに生起する電流過渡現象および静電容量過渡
現象を観測することによってキャリヤ捕獲中心を測定す
る方法が採られていた。
しかしながら、かかる従来の測だ方法においては、前者
の方法については勿論のこと、後者の方法についても、
キャリヤ捕獲中心のパラメータとしての捕獲断面積、捕
獲中心密度分布、捕獲エネルギー準位を高感度にて測定
し得る反面、観測条件としての照射パルス元強度や印加
パルス電圧値、過渡応答信号のサンプリング時点および
測定環境温度の掃引速度に対して、上述した捕獲中心パ
ラメータの副定可能範凹および６１１１足感度が強く依
存しているために、観測条件を有効適切に設定するには
高度の熟練を必要とした。
の方法については勿論のこと、後者の方法についても、
キャリヤ捕獲中心のパラメータとしての捕獲断面積、捕
獲中心密度分布、捕獲エネルギー準位を高感度にて測定
し得る反面、観測条件としての照射パルス元強度や印加
パルス電圧値、過渡応答信号のサンプリング時点および
測定環境温度の掃引速度に対して、上述した捕獲中心パ
ラメータの副定可能範凹および６１１１足感度が強く依
存しているために、観測条件を有効適切に設定するには
高度の熟練を必要とした。
一万、かかる高度の熟練を要せずに後者の方法によｐ半
導体捕獲中心の測定を行ない得るようにするために、い
わゆるｉ１′算機処理のもとに、照射パルス元強度や印
加パルス電圧値を広い範囲に亘って多段に変化させると
ともに、過渡応答信号のサンプリング時点を繰上げて多
点ザングリングな行なうことにより、所要の観測条件を
洩れなく設定して半導体捕獲中心の完壁な測定を期する
ようにした測定方法も、従来、知られているが、かかる
従来方法においては、捕獲中心パラメータの決定には不
要の大量のデータを測定して一旦記憶した後に膨大な量
の演算処理を行なう必要があるので、測定および演算処
理に多くの時間を要するとともに、測定データを一旦記
憶するために膨大な記憶容量の記憶装置を必要とする、
という大きい無駄が生ずる欠点があった。
導体捕獲中心の測定を行ない得るようにするために、い
わゆるｉ１′算機処理のもとに、照射パルス元強度や印
加パルス電圧値を広い範囲に亘って多段に変化させると
ともに、過渡応答信号のサンプリング時点を繰上げて多
点ザングリングな行なうことにより、所要の観測条件を
洩れなく設定して半導体捕獲中心の完壁な測定を期する
ようにした測定方法も、従来、知られているが、かかる
従来方法においては、捕獲中心パラメータの決定には不
要の大量のデータを測定して一旦記憶した後に膨大な量
の演算処理を行なう必要があるので、測定および演算処
理に多くの時間を要するとともに、測定データを一旦記
憶するために膨大な記憶容量の記憶装置を必要とする、
という大きい無駄が生ずる欠点があった。
発明の要点
本発明の目的は、上述した従来の欠点を除去し１高度の
熟練を要することなく、データの測定および処理に多大
の時間を要することなく、さらに、大容量の記憶装置を
用いる要なく、迅速かつ的確に捕獲中心パラメータを決
定して効率よく半導体材料のキャリヤ捕獲中心を測定し
得るようにした半導体捕獲中心測定方法、特に、自動適
応式の半導体捕獲中心測定方法を提供することにある。
熟練を要することなく、データの測定および処理に多大
の時間を要することなく、さらに、大容量の記憶装置を
用いる要なく、迅速かつ的確に捕獲中心パラメータを決
定して効率よく半導体材料のキャリヤ捕獲中心を測定し
得るようにした半導体捕獲中心測定方法、特に、自動適
応式の半導体捕獲中心測定方法を提供することにある。
すなわち、本発明適応式半導体捕獲中心測定方法は、進
行中の測定データの実時間処理の結果に対し、好ましく
は自動的に、随時適応させて測定条件を設定し、不要な
データの測定および処理を排除して必要なデータの測定
を強化することによフ、測定および測定データの処理に
要する時間を短縮するとともに、測定感度を向上させた
ものであり、半導体ダイオードの電流過渡応答特性およ
び静電容量過渡応答特性の少なくとも一万の観測に基づ
いて前記半導体ダイオードを構成する半導体材料のキャ
リヤ捕獲中心を測定するにあたり゛、前記観測によるデ
ータを実時間処理した結果に適応させて、前記観測を行
なう温度の掃引速度、前″記半導体ダイオードに対する
印加電圧値および照射光パルスの強度並びに過渡応答信
号のサンプリング時点のうち少なくとも一つの観測条件
を変化させるようにしたことを特徴とするものである。
行中の測定データの実時間処理の結果に対し、好ましく
は自動的に、随時適応させて測定条件を設定し、不要な
データの測定および処理を排除して必要なデータの測定
を強化することによフ、測定および測定データの処理に
要する時間を短縮するとともに、測定感度を向上させた
ものであり、半導体ダイオードの電流過渡応答特性およ
び静電容量過渡応答特性の少なくとも一万の観測に基づ
いて前記半導体ダイオードを構成する半導体材料のキャ
リヤ捕獲中心を測定するにあたり゛、前記観測によるデ
ータを実時間処理した結果に適応させて、前記観測を行
なう温度の掃引速度、前″記半導体ダイオードに対する
印加電圧値および照射光パルスの強度並びに過渡応答信
号のサンプリング時点のうち少なくとも一つの観測条件
を変化させるようにしたことを特徴とするものである。
実施例
以下に図面を参照して実施例につき本発明の詳細な説明
する。
する。
まず、本発明方法により電圧印加・静電容量過渡応答測
定型に構成した半導体捕獲中心測定装置の構成例を第１
図に示す。図示の構成による半導体捕獲中心測定装置は
、クライオスタット１１内に設置した半導体ダイオード
試料１２に関する測定データを、主制御部１１前置制御
部４およびアナログ信号計測制御部６により制御すると
ともに演算処理するようにしたものである。すなわち、
図示の構成におけるアナログ信号計測制御部６は前置制
御部４からの制御信号に従い、内部のアナログ・ディジ
タル変換器７を動作させて、クライオスタット１１内に
固定して設置した半導体ダイオード試料１２に印加すべ
き電圧パルス信号を発生させるとともに、クライオスタ
ットｌｌ内の測定環境温度を制御するためのヒータ１８
に供給する温度制御信号を発生させる。また、同じく前
置制御部会からの制御信号に従い、アナログ・ディジタ
ル変換器８を動作させて、半導体ダイオード試料１２か
らの静電容量過渡応答信号を、周知の静電容量遡り定器
１０を介してサンプリングするとともに、クライオスタ
ット１１内の測定環境温度を、感温部をタライオスタツ
ト１１内に導入した周知の熱電対温度泪９を介Ｌ７て測
定する。さらに１印加パルス電圧値、温度制御用信号強
度および過渡応答サンプリング終了時点も前置制御部４
からの制御信号によって決定され、静電容量測定データ
および温度測定データを前置制御部４に供給する〇 一万、図示の構成における前置制御部４は、主制御部ｌ
からの制御信号に従い、アナログ信号４測制御部６に対
して、指示された電圧値に対応した印加パルス電圧発生
用制御信号および指示された温度制御ヒータ電流に対応
した温度制御信号を順次に送出する。また、アナログ信
号計測制御部６から供給されて来る静電容量測定データ
および温度測定データを、各指定電圧値および各サンプ
リング時点毎に加算平均したうえで、内部の記憶装置５
に一時記憶する。なお、印加電圧の繰返し発生回数およ
びサンプリングデータの加算平均回数は主制御部１から
の制御信号によって与えられ、指定された繰返し測定の
終了時点において、静電容量測定データおよび温度測定
データの各加算平均結果を主制御部１に対して送出する
。
定型に構成した半導体捕獲中心測定装置の構成例を第１
図に示す。図示の構成による半導体捕獲中心測定装置は
、クライオスタット１１内に設置した半導体ダイオード
試料１２に関する測定データを、主制御部１１前置制御
部４およびアナログ信号計測制御部６により制御すると
ともに演算処理するようにしたものである。すなわち、
図示の構成におけるアナログ信号計測制御部６は前置制
御部４からの制御信号に従い、内部のアナログ・ディジ
タル変換器７を動作させて、クライオスタット１１内に
固定して設置した半導体ダイオード試料１２に印加すべ
き電圧パルス信号を発生させるとともに、クライオスタ
ットｌｌ内の測定環境温度を制御するためのヒータ１８
に供給する温度制御信号を発生させる。また、同じく前
置制御部会からの制御信号に従い、アナログ・ディジタ
ル変換器８を動作させて、半導体ダイオード試料１２か
らの静電容量過渡応答信号を、周知の静電容量遡り定器
１０を介してサンプリングするとともに、クライオスタ
ット１１内の測定環境温度を、感温部をタライオスタツ
ト１１内に導入した周知の熱電対温度泪９を介Ｌ７て測
定する。さらに１印加パルス電圧値、温度制御用信号強
度および過渡応答サンプリング終了時点も前置制御部４
からの制御信号によって決定され、静電容量測定データ
および温度測定データを前置制御部４に供給する〇 一万、図示の構成における前置制御部４は、主制御部ｌ
からの制御信号に従い、アナログ信号４測制御部６に対
して、指示された電圧値に対応した印加パルス電圧発生
用制御信号および指示された温度制御ヒータ電流に対応
した温度制御信号を順次に送出する。また、アナログ信
号計測制御部６から供給されて来る静電容量測定データ
および温度測定データを、各指定電圧値および各サンプ
リング時点毎に加算平均したうえで、内部の記憶装置５
に一時記憶する。なお、印加電圧の繰返し発生回数およ
びサンプリングデータの加算平均回数は主制御部１から
の制御信号によって与えられ、指定された繰返し測定の
終了時点において、静電容量測定データおよび温度測定
データの各加算平均結果を主制御部１に対して送出する
。
これに対し、図示の構成における主制御部１は一半導体
ダイオード試料１２に対する印加電圧系列一温度制御ヒ
ータ電流、過渡応答信号ザングリング終了時点、並びに
、印加電圧の繰返し発生回数およびサンプリングデータ
の加算平均回数を指示する制御信号全前置制御部４に対
して送出し、各印加電圧パルスおよび各サンプリング時
点毎に加算平均した静電容量測定データおよび温度測定
データを前置制御部４から受取る。それら受取った各デ
ータは、主制御部１内の記憶装置３に格納し、次に前置
制御部４に対する測定制御信号を発生させるために、内
部の処理Φ判定機構２により、実時間処理する。その実
時間データ処理・判定機構２は、アナログ信号計測制御
部６および前置制御部４を順次に介して送られて来る測
定データに基づき、さらに多種類の測定条件を設定して
さらに精密な測定を行なう必要があるか否かを判定し、
！必要と判定した場合には、測定環境温度の掃引速度を
低下させ、印加パルス電圧の種類を増加させ、さらに、
過渡応答信号サンプリングの終了時点を繰下げて測定条
件を微細に変化させるように制御する。これとは反対に
、精密な測定を行なう必要がないと判定した場合には、
測定環境温度の掃引速度、を上昇させ、印加パルス電圧
の種類を１種類のみに削減し、さらに、過渡応答信号サ
ンプリングの終了時点を繰上げて測定条件を大まかに変
化させるように制御する。
ダイオード試料１２に対する印加電圧系列一温度制御ヒ
ータ電流、過渡応答信号ザングリング終了時点、並びに
、印加電圧の繰返し発生回数およびサンプリングデータ
の加算平均回数を指示する制御信号全前置制御部４に対
して送出し、各印加電圧パルスおよび各サンプリング時
点毎に加算平均した静電容量測定データおよび温度測定
データを前置制御部４から受取る。それら受取った各デ
ータは、主制御部１内の記憶装置３に格納し、次に前置
制御部４に対する測定制御信号を発生させるために、内
部の処理Φ判定機構２により、実時間処理する。その実
時間データ処理・判定機構２は、アナログ信号計測制御
部６および前置制御部４を順次に介して送られて来る測
定データに基づき、さらに多種類の測定条件を設定して
さらに精密な測定を行なう必要があるか否かを判定し、
！必要と判定した場合には、測定環境温度の掃引速度を
低下させ、印加パルス電圧の種類を増加させ、さらに、
過渡応答信号サンプリングの終了時点を繰下げて測定条
件を微細に変化させるように制御する。これとは反対に
、精密な測定を行なう必要がないと判定した場合には、
測定環境温度の掃引速度、を上昇させ、印加パルス電圧
の種類を１種類のみに削減し、さらに、過渡応答信号サ
ンプリングの終了時点を繰上げて測定条件を大まかに変
化させるように制御する。
しかして、実時間データ処理・判定機構２における上述
した精密測定要否の判定は、測定データに対してたたみ
込み積分を施し之結果が極値、すなわち、極大値もしく
は極小値を呈する領域内にあるか否かを判定基準として
行なうのが好適である。そのたたみ込み積分における重
み係数Ａｉは、典型的過渡応答信号振幅について、例え
ば、測定環境温度に対するデータ系列Ｓ工および測定環
境温度Ｔを用いたつぎの各式に従い、主制御部１内。
した精密測定要否の判定は、測定データに対してたたみ
込み積分を施し之結果が極値、すなわち、極大値もしく
は極小値を呈する領域内にあるか否かを判定基準として
行なうのが好適である。そのたたみ込み積分における重
み係数Ａｉは、典型的過渡応答信号振幅について、例え
ば、測定環境温度に対するデータ系列Ｓ工および測定環
境温度Ｔを用いたつぎの各式に従い、主制御部１内。
にて行なう演算処理の結果として自動的に発生する。
十Ｎ
Σ Ａｉ（ｂｉ＋す＝ｏ （ｂ、ｃ：任意の数ン１＝−
Ｎ 十Ｎ Σ Ａよ・Ｓ工＝１ ｉ＝−Ｎ 上述の各式により与えられる重み係数Ａｉを用いてたた
み込み積分を測定データに施した結果が極値となる温度
の近傍の環境温度にて、半導体材料のキャリヤ捕獲中心
に関する有用なデータを測定し得ることが、例えば本発
明者らの執餓に係る研究資料によって知られている。
Ｎ 十Ｎ Σ Ａよ・Ｓ工＝１ ｉ＝−Ｎ 上述の各式により与えられる重み係数Ａｉを用いてたた
み込み積分を測定データに施した結果が極値となる温度
の近傍の環境温度にて、半導体材料のキャリヤ捕獲中心
に関する有用なデータを測定し得ることが、例えば本発
明者らの執餓に係る研究資料によって知られている。
本発明方法により上述したように構成した半導体捕獲中
心測定装冒においては、半導体ダイオード試料を設置し
た測定環境温度を、ある温度設定置から他の温度設定値
まで掃引しながら、印加パルス電圧値に対する静電容量
の過渡応答を測定する際に、キャリヤ捕獲中心に関する
測定データとして、捕獲中心密度分布、捕獲断面積およ
び捕獲エネルギー準位についての有用なデータを測定し
得る可能性のある限られた範囲の測定環境温度において
のみ、温度掃引の速度を低下させ、印加パルス電圧の種
類を増加させ、さらに、過渡応答信号サンプリングの終
了時点を繰下げて測定条件を微細に変化させ、高感度の
精密測定を効率よく行なうことができる。
心測定装冒においては、半導体ダイオード試料を設置し
た測定環境温度を、ある温度設定置から他の温度設定値
まで掃引しながら、印加パルス電圧値に対する静電容量
の過渡応答を測定する際に、キャリヤ捕獲中心に関する
測定データとして、捕獲中心密度分布、捕獲断面積およ
び捕獲エネルギー準位についての有用なデータを測定し
得る可能性のある限られた範囲の測定環境温度において
のみ、温度掃引の速度を低下させ、印加パルス電圧の種
類を増加させ、さらに、過渡応答信号サンプリングの終
了時点を繰下げて測定条件を微細に変化させ、高感度の
精密測定を効率よく行なうことができる。
その結果として、本発明測定方法によれば、測定データ
の演算処理に要するメモリの容量を大幅に削減すること
ができる。すなわち、従来の測定方法においては、例え
ば、３０種類の印加パルス電圧値および２０点のデータ
サンプリング時点について、８０°Ｋから３８０°Ｋま
での温度範囲における１°にの温度間隔にて得た測定デ
ータを記憶するのに、 ３０ Ｘ ２ＵＸ （３８０−ｓｏ）／１＝ １８０に
語だけのメモリ容量を必要とした。これに対して１本発
明測定方法においては、通常は、１種類の印加パルス電
圧値および２点のデータサンプリング時点についてのみ
上述したと同様の温度掃引を行なって得た測定データに
たたみ込み積分を施した結果、有用な測定データが得ら
れると判定した温度の近傍の温度領域についてのみ、デ
ータサンプリング時点を２０点に増加させ、印加パルス
電圧値は１種類のままとして、温度掃引を行ない、さら
にその温度領域内の１種類の温度のみに絞って印加パル
ス電圧値１ｃ８０種類に増加させ、なお、データサンプ
リング時点は２点のみとする。その結果、測定によって
検出し得る半導体のキャリヤ捕獲中心の種類をＮ種類と
し、データサンプリング時点を２０点として温度掃引を
行なう温度範囲を±２０°Ｋ とすると、 ｌＸ２Ｘ（８８０−８０）＋ＮＸ（ＩＸ２０Ｘ４０＋８
０Ｘ２Ｘ１）語だけのメモリ容量にて測定データの演算
処理を行ない得ることになる。しかして、半導体捕獲中
心の種類の数Ｎは通常１〜５程度であり、したがつて、
本発明測定方法において測定データの演算処理に委する
メモリ容量は、わずかに１４６０〜４９００語とすり、
従来に比して大幅に減少する。
の演算処理に要するメモリの容量を大幅に削減すること
ができる。すなわち、従来の測定方法においては、例え
ば、３０種類の印加パルス電圧値および２０点のデータ
サンプリング時点について、８０°Ｋから３８０°Ｋま
での温度範囲における１°にの温度間隔にて得た測定デ
ータを記憶するのに、 ３０ Ｘ ２ＵＸ （３８０−ｓｏ）／１＝ １８０に
語だけのメモリ容量を必要とした。これに対して１本発
明測定方法においては、通常は、１種類の印加パルス電
圧値および２点のデータサンプリング時点についてのみ
上述したと同様の温度掃引を行なって得た測定データに
たたみ込み積分を施した結果、有用な測定データが得ら
れると判定した温度の近傍の温度領域についてのみ、デ
ータサンプリング時点を２０点に増加させ、印加パルス
電圧値は１種類のままとして、温度掃引を行ない、さら
にその温度領域内の１種類の温度のみに絞って印加パル
ス電圧値１ｃ８０種類に増加させ、なお、データサンプ
リング時点は２点のみとする。その結果、測定によって
検出し得る半導体のキャリヤ捕獲中心の種類をＮ種類と
し、データサンプリング時点を２０点として温度掃引を
行なう温度範囲を±２０°Ｋ とすると、 ｌＸ２Ｘ（８８０−８０）＋ＮＸ（ＩＸ２０Ｘ４０＋８
０Ｘ２Ｘ１）語だけのメモリ容量にて測定データの演算
処理を行ない得ることになる。しかして、半導体捕獲中
心の種類の数Ｎは通常１〜５程度であり、したがつて、
本発明測定方法において測定データの演算処理に委する
メモリ容量は、わずかに１４６０〜４９００語とすり、
従来に比して大幅に減少する。
一方、本発明方法による半導体捕獲中心の高感度測定に
おける信号対ノイズ比の改善効果については、上述のよ
うに迎１定データの演算処理に必要とするメモリ容量が
大幅に減少するということｑ１同一測定時間内にて、一
つの印加パルス電圧値・一つのサンプリング時点および
一つの温度に関して、それだけ多数回の測定データを収
集し得ることを意味している。すなわち、必ずしも各測
定点について一様に測定データ収集の回数を増加させる
だけには留まらないが、かかる測定データ収集／“”４
９００ すなわち１１〜６倍程度に測定値の信号対ノイ
ズ比が改善されることになる。
おける信号対ノイズ比の改善効果については、上述のよ
うに迎１定データの演算処理に必要とするメモリ容量が
大幅に減少するということｑ１同一測定時間内にて、一
つの印加パルス電圧値・一つのサンプリング時点および
一つの温度に関して、それだけ多数回の測定データを収
集し得ることを意味している。すなわち、必ずしも各測
定点について一様に測定データ収集の回数を増加させる
だけには留まらないが、かかる測定データ収集／“”４
９００ すなわち１１〜６倍程度に測定値の信号対ノイ
ズ比が改善されることになる。
なお、以上の説明においては、電圧印加・静電容量過渡
応答測定型にした構成例について述べたが、第１図示の
構成例における静電容量測定器１゜を周知慣用の電流計
に置換したうえで、電圧パルスにより駆動する光変調器
を介し、光ノ（ルスによって半導体ダイオード試料１２
を照射するように変更を施せば、第１図示の構成による
測定装置を光照射・電流過渡応答測定型に構成するとと
もできる。
応答測定型にした構成例について述べたが、第１図示の
構成例における静電容量測定器１゜を周知慣用の電流計
に置換したうえで、電圧パルスにより駆動する光変調器
を介し、光ノ（ルスによって半導体ダイオード試料１２
を照射するように変更を施せば、第１図示の構成による
測定装置を光照射・電流過渡応答測定型に構成するとと
もできる。
効果
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、半導
体ダイオードの電流過渡応答特性および静電容量過渡応
答特性を観測することによって半導体のキャリヤ捕獲中
心を止り定するに当り、進行中の辿］定データに対して
たたみ込み積分を施す実時間データ処理の過程を付加し
、そのデータ処理の結果に適□応させて照射光パルスあ
るいは印加電圧パルスの強度、過渡応答信号サンプリン
グの周期および測定環境温度の掃引速度を有効適切に変
化させることにより、測定時間の短縮および測定感度の
向上を達成し、極めて効率よく的確な測定を行ない得る
、という顕著な効果が得られる。
体ダイオードの電流過渡応答特性および静電容量過渡応
答特性を観測することによって半導体のキャリヤ捕獲中
心を止り定するに当り、進行中の辿］定データに対して
たたみ込み積分を施す実時間データ処理の過程を付加し
、そのデータ処理の結果に適□応させて照射光パルスあ
るいは印加電圧パルスの強度、過渡応答信号サンプリン
グの周期および測定環境温度の掃引速度を有効適切に変
化させることにより、測定時間の短縮および測定感度の
向上を達成し、極めて効率よく的確な測定を行ない得る
、という顕著な効果が得られる。
第１図は本発明方法を実施する自動適応式半導体捕獲中
心測定装置の構成例を示すフロック線図である。 ｌ・・主制御部 ２・・・実時間データ処理・判定機構 ８・・測定データ記憶装置、４・・・前置制御部５・・
加算平均用記憶装置 ６・・・アナログ信号計測制御部 ７・・・ディジタル舎アナログ変換器 ８・・・アナログ・ディジタル変換器 ９・・熱電対温度計 １０・・・静ｔ１！容−１ｋ測定
器１１・・・クライオスタット １２・・半導体ダイオード試料 １３ ・・ヒ、り。
心測定装置の構成例を示すフロック線図である。 ｌ・・主制御部 ２・・・実時間データ処理・判定機構 ８・・測定データ記憶装置、４・・・前置制御部５・・
加算平均用記憶装置 ６・・・アナログ信号計測制御部 ７・・・ディジタル舎アナログ変換器 ８・・・アナログ・ディジタル変換器 ９・・熱電対温度計 １０・・・静ｔ１！容−１ｋ測定
器１１・・・クライオスタット １２・・半導体ダイオード試料 １３ ・・ヒ、り。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ダイオードの電流過渡応答特性および静電容
量過渡応答特性の少なくとも一方の観測に基づいて前記
半導体ダイオードを構成する半導体材料のキャリヤ捕獲
中心を測定するにあたり、前記観測によるデータを実時
間処理した結果に適応させて、前記観測を行なう温度の
掃引速度、前記半導体ダイオードに対する印加電圧値お
よび照射光パルスの強度並びに過渡応答信号のサンプリ
ング時点のうち少なくとも一つの観測条件を変化させる
ようにしたことを特徴とする適応式半導体捕獲中心測定
方法。 ＆ 前゛記観測によるデータにたたみ込み積分を施した
結果が極値となるか否かに応じて前記少なくとも一つの
観測条件を変化させるようにしたこと全特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の適応式半導体捕獲中心測定方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143116A JPS6034028A (ja) | 1983-08-06 | 1983-08-06 | 適応式半導体捕獲中心測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143116A JPS6034028A (ja) | 1983-08-06 | 1983-08-06 | 適応式半導体捕獲中心測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6034028A true JPS6034028A (ja) | 1985-02-21 |
| JPH0248141B2 JPH0248141B2 (ja) | 1990-10-24 |
Family
ID=15331285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58143116A Granted JPS6034028A (ja) | 1983-08-06 | 1983-08-06 | 適応式半導体捕獲中心測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6034028A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122143A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Semiconductor Res Found | 一定容量法による結晶欠陥評価装置及び評価方法 |
| JPS63140544A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-13 | Semiconductor Res Found | 一定容量法によるフォトキャパシタンス測定装置及び測定方法 |
| JPS63313831A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-12-21 | Jiesu:Kk | フオトキヤパシタンス自動測定装置 |
| JPS6423545A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-26 | Semiconductor Res Found | Device for measuring light irradiation |
| JPH01166533A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-30 | Semiconductor Res Found | フォトキャパシタンス測定装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5756939A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | Toshiba Corp | Measuring device for boundary level of semiconductor |
| JPS5784145A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Measuring device of deep impurity level in semiconductor |
-
1983
- 1983-08-06 JP JP58143116A patent/JPS6034028A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5756939A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | Toshiba Corp | Measuring device for boundary level of semiconductor |
| JPS5784145A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Measuring device of deep impurity level in semiconductor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122143A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Semiconductor Res Found | 一定容量法による結晶欠陥評価装置及び評価方法 |
| JPS63140544A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-13 | Semiconductor Res Found | 一定容量法によるフォトキャパシタンス測定装置及び測定方法 |
| JPS63313831A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-12-21 | Jiesu:Kk | フオトキヤパシタンス自動測定装置 |
| JPS6423545A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-26 | Semiconductor Res Found | Device for measuring light irradiation |
| JPH01166533A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-30 | Semiconductor Res Found | フォトキャパシタンス測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0248141B2 (ja) | 1990-10-24 |
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