JPS63122247A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63122247A JPS63122247A JP27014686A JP27014686A JPS63122247A JP S63122247 A JPS63122247 A JP S63122247A JP 27014686 A JP27014686 A JP 27014686A JP 27014686 A JP27014686 A JP 27014686A JP S63122247 A JPS63122247 A JP S63122247A
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- Japan
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- oxide film
- polycrystalline silicon
- semiconductor substrate
- semiconductor device
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にＡｅ等の金属配線を用
いた半導体装置に関する。
いた半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置に用いられる配線材料として
は、加工性、経済性等の観点からＡｅが最も一般的であ
る。
は、加工性、経済性等の観点からＡｅが最も一般的であ
る。
この従来例は、半導体基板１表面にソース及びドレイン
の拡散層３．ゲート酸化膜４及びゲート５からなるトラ
ンジスタを設け、拡散層３の一方に接続用の窓を開孔し
た酸化膜２を半導体基板１上に設け、酸化膜２上にＡｆ
層６からなる配線層を設け、更にその上にポンディング
パッド部分を開孔したパッシベーション用の保護膜を設
けている。
の拡散層３．ゲート酸化膜４及びゲート５からなるトラ
ンジスタを設け、拡散層３の一方に接続用の窓を開孔し
た酸化膜２を半導体基板１上に設け、酸化膜２上にＡｆ
層６からなる配線層を設け、更にその上にポンディング
パッド部分を開孔したパッシベーション用の保護膜を設
けている。
上述した従来の半導体装置は、Ａ１層からなる配線の上
に直接パッシベーション用の保護膜を形成していたので
、高集積化が進むにつれて配線パターンが微細化され、
水分の侵入等による腐食や動作状態におけるマイグレー
ションあるいはステップカバレージの低下等によって断
線が起き易く、信頼性が低いという欠点がある。
に直接パッシベーション用の保護膜を形成していたので
、高集積化が進むにつれて配線パターンが微細化され、
水分の侵入等による腐食や動作状態におけるマイグレー
ションあるいはステップカバレージの低下等によって断
線が起き易く、信頼性が低いという欠点がある。
本発明の半導体装置は、半導体基板上に層間絶縁膜を介
して形成された導体層を少くとも備えた半導体装置にお
いて、前記導体層表面が半導体層で覆われた部分を有し
て成る。
して形成された導体層を少くとも備えた半導体装置にお
いて、前記導体層表面が半導体層で覆われた部分を有し
て成る。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
この実施例は、表面にソース及びドレインの拡散層３．
ゲート酸化膜４及びゲート５からなるトランジスタを備
えた半導体基板１の上に、拡散層３の一方に接続用の窓
を有する酸化膜２を設け、その上に所定のパターンのＡ
１層６とポンディングパッド部分を除く多結晶シリコン
層７との積層を設け、更にその上にパッシベーション用
の保護Ｍ８を設けている。
ゲート酸化膜４及びゲート５からなるトランジスタを備
えた半導体基板１の上に、拡散層３の一方に接続用の窓
を有する酸化膜２を設け、その上に所定のパターンのＡ
１層６とポンディングパッド部分を除く多結晶シリコン
層７との積層を設け、更にその上にパッシベーション用
の保護Ｍ８を設けている。
又、この実施例を製造するには、先ず、半導体基板１上
にフィールドの酸化膜２を形成し、続いて素子形成領域
にゲート酸化膜４を形成した後、ゲート５とゲート５に
自己整合的にソース及びドレインの拡散層３を形成する
。その後酸化膜２からなる絶縁膜を全面に形成してそれ
に接続用の窓を開孔した後、Ａｅを全面に蒸着する。そ
の後多結晶シリコンをＡｆｆ上にスパッタ法又は蒸着法
により約２０００形成度に形成して、写真食刻法等を用
いてパターニングし、ＡＩ！層６と多結晶シリコン層７
とからなる二層の配線を形成する。ここで、エツチング
方法としては、ＲＩ 、Ｅ （ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎ
Ｅｔｃｈｊｎｇ）法が望ましい。
にフィールドの酸化膜２を形成し、続いて素子形成領域
にゲート酸化膜４を形成した後、ゲート５とゲート５に
自己整合的にソース及びドレインの拡散層３を形成する
。その後酸化膜２からなる絶縁膜を全面に形成してそれ
に接続用の窓を開孔した後、Ａｅを全面に蒸着する。そ
の後多結晶シリコンをＡｆｆ上にスパッタ法又は蒸着法
により約２０００形成度に形成して、写真食刻法等を用
いてパターニングし、ＡＩ！層６と多結晶シリコン層７
とからなる二層の配線を形成する。ここで、エツチング
方法としては、ＲＩ 、Ｅ （ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎ
Ｅｔｃｈｊｎｇ）法が望ましい。
その後、パッシベーション用の保護膜８を形成し、ポン
ディングパッドの部分を開孔する。その際、ポンディン
グパッドの部分の保護膜８と多結晶シリコン層７を連続
してエツチングし、ポンディングパッドの部分のＡ１層
６の表面を露出する。
ディングパッドの部分を開孔する。その際、ポンディン
グパッドの部分の保護膜８と多結晶シリコン層７を連続
してエツチングし、ポンディングパッドの部分のＡ１層
６の表面を露出する。
ここで、多結晶シリコン層７は、アンドープででも良い
が、Ｐ型又はＮ型の不純物をイオン注入等により導入し
て４５０℃程度のアニールをして活性化させ、導電性を
もたせることによってステップカバレージを改善するこ
とが出来る。
が、Ｐ型又はＮ型の不純物をイオン注入等により導入し
て４５０℃程度のアニールをして活性化させ、導電性を
もたせることによってステップカバレージを改善するこ
とが出来る。
又、この実施例では、多結晶シリコン層７が、Ａｆｆ層
６の上に積層した形をしているが、Ａ２層６の側面を覆
うように形成して耐腐食を一層向上することも出来る。
６の上に積層した形をしているが、Ａ２層６の側面を覆
うように形成して耐腐食を一層向上することも出来る。
更に又、この実施例では、配線としてＡ１層を用いてい
るが、勿論、他の金属でも良い。
るが、勿論、他の金属でも良い。
以上説明したように本発明は、金属層からなる配線を覆
いかつポンディングパッドの部分等を開孔した多結晶シ
リコン層を設けることにより、ボンディングの部分の接
触性を損う事なく、ステップカバレージが良くしかも耐
湿性が改善されかつマイグレーションに対しても強い高
信頼度の半導体装置を提供できるという効果がある。
いかつポンディングパッドの部分等を開孔した多結晶シ
リコン層を設けることにより、ボンディングの部分の接
触性を損う事なく、ステップカバレージが良くしかも耐
湿性が改善されかつマイグレーションに対しても強い高
信頼度の半導体装置を提供できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の半
導体装置の一例の断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・酸化膜、３・・・拡散層
、４・・・ゲート酸化膜、５・・・ゲート、６・・・Ａ
Ｉ！層、７・・・多結晶シリコン層、８・・・保護膜。 第１図 第２図
導体装置の一例の断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・酸化膜、３・・・拡散層
、４・・・ゲート酸化膜、５・・・ゲート、６・・・Ａ
Ｉ！層、７・・・多結晶シリコン層、８・・・保護膜。 第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体基板上に層間絶縁膜を介して形成された導体層
を少くとも備えた半導体装置において、前記導体層表面
が半導体層で覆われた部分を有することを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27014686A JPS63122247A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27014686A JPS63122247A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122247A true JPS63122247A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17482183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27014686A Pending JPS63122247A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122247A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6387833U (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP27014686A patent/JPS63122247A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6387833U (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 |
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