JPS63122935A - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置Info
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- JPS63122935A JPS63122935A JP26870686A JP26870686A JPS63122935A JP S63122935 A JPS63122935 A JP S63122935A JP 26870686 A JP26870686 A JP 26870686A JP 26870686 A JP26870686 A JP 26870686A JP S63122935 A JPS63122935 A JP S63122935A
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- signal
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、例えばＬＳＩなどの半導体装置の製造プロセ
スにおいて各４パターンの欠陥を光学的に検査する欠陥
検査装置に関する。
スにおいて各４パターンの欠陥を光学的に検査する欠陥
検査装置に関する。
（従来の技術）
近時、Ｌ８Ｉなどの半導体装置の表面欠陥検査の自動化
が進んでいる。この場合の欠陥検査は、光学的に非接触
で行うものがほとんどである。とりわけ、被検査体から
の欠陥情報を示す反射光を積分球にて集光する方式が普
及している。たとえば、第６図は、その−例を示すもの
であるが、半導体レーザ装ｆ （Ａ）から、レーザ光（
ｋ３）を光路体（Ｃ）を経由して入射角θでウェーハ（
Ｄ）に投射し、このときの散乱反射光を積分球（Ｅ）に
て集光したのち、この積分球（Ｅ）に連設された光電子
増倍管（Ｆ）にて受光し、光電変換する上うに１．τい
ス−仁の場合、ウエーノ〜（Ｄ）からの正反射光は、積
分球（Ｅ）に穿設された通孔（Ｇ）を経由して外部に逃
すようにしている。
が進んでいる。この場合の欠陥検査は、光学的に非接触
で行うものがほとんどである。とりわけ、被検査体から
の欠陥情報を示す反射光を積分球にて集光する方式が普
及している。たとえば、第６図は、その−例を示すもの
であるが、半導体レーザ装ｆ （Ａ）から、レーザ光（
ｋ３）を光路体（Ｃ）を経由して入射角θでウェーハ（
Ｄ）に投射し、このときの散乱反射光を積分球（Ｅ）に
て集光したのち、この積分球（Ｅ）に連設された光電子
増倍管（Ｆ）にて受光し、光電変換する上うに１．τい
ス−仁の場合、ウエーノ〜（Ｄ）からの正反射光は、積
分球（Ｅ）に穿設された通孔（Ｇ）を経由して外部に逃
すようにしている。
ところで、ウェーノ・（Ｄ）上には、通常、検出対象で
あるキズ、クボミなどの欠陥の他に、直接の検出対象で
はないダストなどが付着している。しかるに、上記積分
球を用いる欠陥検出方法では、ダストに基因する散乱光
も、欠陥に基因する散乱光と同時に集光してしまうため
両者を混同してしまう不具合をもっている。つまり、従
来の欠陥検出方法では、後プロセスで洗浄により除去さ
れるダストを欠陥と誤認する欠点をもっているため、製
品歩留にも少なからず悪影響を及ぼしていた。
あるキズ、クボミなどの欠陥の他に、直接の検出対象で
はないダストなどが付着している。しかるに、上記積分
球を用いる欠陥検出方法では、ダストに基因する散乱光
も、欠陥に基因する散乱光と同時に集光してしまうため
両者を混同してしまう不具合をもっている。つまり、従
来の欠陥検出方法では、後プロセスで洗浄により除去さ
れるダストを欠陥と誤認する欠点をもっているため、製
品歩留にも少なからず悪影響を及ぼしていた。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、従来の積分球を用い、る欠陥検出に内在する
問題点を顧慮してなされたもので、ダストと欠陥を峻別
して高精度欠陥検出が可能な欠陥検査装置を提供するこ
とを目的とする。
問題点を顧慮してなされたもので、ダストと欠陥を峻別
して高精度欠陥検出が可能な欠陥検査装置を提供するこ
とを目的とする。
（問題点を解決するための手段と作用）被検査物にレー
ザ光を投射する投光部と、ダスト及び欠陥による散乱光
を受光する第１受光部とダストによる散乱光のみを受光
する第２受光部と、第１及び第２受光部から出力された
光電変換信号に基づいて欠陥検出を行う欠陥検出部とか
らなり、ダストと欠陥とを峻別して、欠陥のみを抽出で
きるようにしたものである。
ザ光を投射する投光部と、ダスト及び欠陥による散乱光
を受光する第１受光部とダストによる散乱光のみを受光
する第２受光部と、第１及び第２受光部から出力された
光電変換信号に基づいて欠陥検出を行う欠陥検出部とか
らなり、ダストと欠陥とを峻別して、欠陥のみを抽出で
きるようにしたものである。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
第１図は、この実施例の欠陥検査装置を示している。こ
の装置は、被検査物である半導体装置用のシリコン（Ｓ
ｉ）製りエーハ（１）を着脱自在且つ同軸的に保持して
位置決めする保持部（２）と、この保持部（２；に保持
されているウェーハ（１）にレーザ光（３）を入射角θ
１にて投射する投光部（４）と、上記ウェーハ（１）か
らのレーザ光（３）を反射角θ１位置にて受光し充電変
換する第１受光部（５）と、ウェーハ（１）からのレー
ザ光（３）を反射角θ２位置にて受光し光電変換する第
２受光部（６）と、これら第１及び第２受光部（５）、
（６）からの電気信号ＳＬ１．８Ｌ２に基づいてウエー
ノ＼（１）上の欠陥の存在を示す欠陥信号ＳＤを出力す
る欠陥検出部（７）と、欠陥信号ＳＤが入力された時点
における保持部（２）の位置を記憶するとともに保持部
（２）によるウェーハ（１）の位置決め制御を行う制御
部（８）と、この制御部（８）に記憶されているウェー
ハ（１）の欠陥情報を表示するプリンタ、ブラウン管等
の表示部（９）とから構成されている。しかして、保持
部（２）は、ウェーハ（１）を着脱自在に真空吸着する
円盤状のテーブル（ＩＧと、このテーブルＨの下端部に
同軸に連結された回転軸ａυ及びこの回転軸を矢印ａり
方向に回転駆動するステッピングモータα謙を有しウェ
ーハ（１）の周方向の位置決めを行う第１位置決め部Ｉ
と、この第１位置決め部α尋及びテーブルαＱを一体的
に支持する支持体（図示せず）及びこの支持体に係合す
る送りねじ（図示せず）及びこの送りねじを回転駆動す
るステッピングモータ霞を有しウェーハ（１）の径方向
の位置決めを行う第２位置決め部叫とからなりている。
の装置は、被検査物である半導体装置用のシリコン（Ｓ
ｉ）製りエーハ（１）を着脱自在且つ同軸的に保持して
位置決めする保持部（２）と、この保持部（２；に保持
されているウェーハ（１）にレーザ光（３）を入射角θ
１にて投射する投光部（４）と、上記ウェーハ（１）か
らのレーザ光（３）を反射角θ１位置にて受光し充電変
換する第１受光部（５）と、ウェーハ（１）からのレー
ザ光（３）を反射角θ２位置にて受光し光電変換する第
２受光部（６）と、これら第１及び第２受光部（５）、
（６）からの電気信号ＳＬ１．８Ｌ２に基づいてウエー
ノ＼（１）上の欠陥の存在を示す欠陥信号ＳＤを出力す
る欠陥検出部（７）と、欠陥信号ＳＤが入力された時点
における保持部（２）の位置を記憶するとともに保持部
（２）によるウェーハ（１）の位置決め制御を行う制御
部（８）と、この制御部（８）に記憶されているウェー
ハ（１）の欠陥情報を表示するプリンタ、ブラウン管等
の表示部（９）とから構成されている。しかして、保持
部（２）は、ウェーハ（１）を着脱自在に真空吸着する
円盤状のテーブル（ＩＧと、このテーブルＨの下端部に
同軸に連結された回転軸ａυ及びこの回転軸を矢印ａり
方向に回転駆動するステッピングモータα謙を有しウェ
ーハ（１）の周方向の位置決めを行う第１位置決め部Ｉ
と、この第１位置決め部α尋及びテーブルαＱを一体的
に支持する支持体（図示せず）及びこの支持体に係合す
る送りねじ（図示せず）及びこの送りねじを回転駆動す
るステッピングモータ霞を有しウェーハ（１）の径方向
の位置決めを行う第２位置決め部叫とからなりている。
そうして、ステッピングモータ（１３１、、ｕｓは、そ
れぞれ制御部（８）から出力された制御信号ＳＣＩ、
８Ｃ２により駆動され、クエーノ・・（１）が所定位置
に位置決めされるようになっている。
れぞれ制御部（８）から出力された制御信号ＳＣＩ、
８Ｃ２により駆動され、クエーノ・・（１）が所定位置
に位置決めされるようになっている。
一方、投光部（４）は、保持部（２）直上に配設された
例えばヘリクムーネオン（Ｈｅ−Ｎｅ）レーザ装置又は
半導体レーザ装置からなるもので、出射されたレーザ光
（３）のウェーハ（１）上における入射角θ１は、３０
度〜８０度の範囲に設けられている。この投射部（４）
は、制御部（８）からの制御信号ＳＯにより発振制御が
行われる。他方、第１受光部（５）は、レーザ光（３）
のウェ゛−ハ（１）からの正反射光路ση（反射角θ１
となる。）上に設けられレーザ光（３）の正反射部分の
みを遮断する円盤状の遮光板ＣＩａと、レーザ光（３）
の正反射光路伍η近傍を通過する散乱光四を集光する集
光レンズ（至）と、この集光レンズ■による散乱光α■
の集光位置に設けられ集光された散乱光ＩＩを受光量に
応じて光電変換し電気信号ＳＰＩを出力する例えばフォ
トダイオード、フォトトランジスタ等の受光素子Ｑυと
、電気信号ＳＰ１を入力して増幅し電気信号ＳＬＩを出
力する増幅器四とからなっている。また、第２受光部（
６）は、レーザ光（３）のウェーハ（１）からの反射角
θ！位置にて散乱光Ωを入射して集光する位置に設けら
れた集光レンズ１２４）と、この集光レンズ（至）によ
る散乱光−の集光位置に設けられ集光された散乱光＠を
受光量に応じて光電変換し電気信号ＳＰ２を出力する例
えばフォトダイオード、フォトトランジスタ等の受光素
子（ハ）と、電気信号ＳＰ２を入力して増幅し電気信号
８Ｌ２を出力する増幅器（ハ）とからなっている。とこ
ろで、第２図は、ウェーハ（１）上にダスト（５）があ
るときこのダスト（３）にレーザ光（３）が投射された
ときの散乱光強度分布を示しているが、このときの散乱
光（ハ）の強度は、ダスト（５）を中心として全域にわ
たってほぼ均等となっている。これに対して、第３図は
、ウェーハ（１）上にキズ、クボミなどの欠陥■が存在
するとき、この欠陥（ト）にレーザ光（３）が投射され
たときの散乱光強度分布を示しているが、このときの散
乱光（ＩＩの強度は、レーザ光（３）の正反射光路σの
近傍に偏在している。つまり、正反射光路αηからはず
れた場所にては、散乱光（１１を検出することはできな
いが、散乱光Ｉを検出することができる。逆に、正反射
光路αＤ近傍にては、両方の散乱光１１１．１２３１を
検出することができる。よって、このことを利用するこ
とによりダスト翰と欠陥（至）とを峻別して、欠陥（至
）のみを抽出することができる。そこで、前記反射角θ
ｌ、θ、の差Δθは、２０度〜５０度に設定されている
。しかして、前記欠陥検出部（７）は、電気信号ＳＬＩ
を入力して論理レベルｒＯＪ又は「１」に２値化する閾
値ｖＴ１が設定された２値化回路翰と、電気信号ＳＬ２
を入力して論理レベルｒＯＪ又は「１」に２値化する閾
値ＶＴ２が設定された２値化回路（７）と、この２値化
回路（７）から出力された２値化信号ＳＢ２を入力して
論理レベルを反転するインバータ０１）と、このインバ
ータ０υからの反転信号ＳＩ及び２値化回路（至）から
出力された２値化信号８Ｂ１を入力してそれらの論理積
動作を行い欠陥信号８Ｄを制御部（８）に出力するＡＮ
Ｄゲート０４とからなっている。
例えばヘリクムーネオン（Ｈｅ−Ｎｅ）レーザ装置又は
半導体レーザ装置からなるもので、出射されたレーザ光
（３）のウェーハ（１）上における入射角θ１は、３０
度〜８０度の範囲に設けられている。この投射部（４）
は、制御部（８）からの制御信号ＳＯにより発振制御が
行われる。他方、第１受光部（５）は、レーザ光（３）
のウェ゛−ハ（１）からの正反射光路ση（反射角θ１
となる。）上に設けられレーザ光（３）の正反射部分の
みを遮断する円盤状の遮光板ＣＩａと、レーザ光（３）
の正反射光路伍η近傍を通過する散乱光四を集光する集
光レンズ（至）と、この集光レンズ■による散乱光α■
の集光位置に設けられ集光された散乱光ＩＩを受光量に
応じて光電変換し電気信号ＳＰＩを出力する例えばフォ
トダイオード、フォトトランジスタ等の受光素子Ｑυと
、電気信号ＳＰ１を入力して増幅し電気信号ＳＬＩを出
力する増幅器四とからなっている。また、第２受光部（
６）は、レーザ光（３）のウェーハ（１）からの反射角
θ！位置にて散乱光Ωを入射して集光する位置に設けら
れた集光レンズ１２４）と、この集光レンズ（至）によ
る散乱光−の集光位置に設けられ集光された散乱光＠を
受光量に応じて光電変換し電気信号ＳＰ２を出力する例
えばフォトダイオード、フォトトランジスタ等の受光素
子（ハ）と、電気信号ＳＰ２を入力して増幅し電気信号
８Ｌ２を出力する増幅器（ハ）とからなっている。とこ
ろで、第２図は、ウェーハ（１）上にダスト（５）があ
るときこのダスト（３）にレーザ光（３）が投射された
ときの散乱光強度分布を示しているが、このときの散乱
光（ハ）の強度は、ダスト（５）を中心として全域にわ
たってほぼ均等となっている。これに対して、第３図は
、ウェーハ（１）上にキズ、クボミなどの欠陥■が存在
するとき、この欠陥（ト）にレーザ光（３）が投射され
たときの散乱光強度分布を示しているが、このときの散
乱光（ＩＩの強度は、レーザ光（３）の正反射光路σの
近傍に偏在している。つまり、正反射光路αηからはず
れた場所にては、散乱光（１１を検出することはできな
いが、散乱光Ｉを検出することができる。逆に、正反射
光路αＤ近傍にては、両方の散乱光１１１．１２３１を
検出することができる。よって、このことを利用するこ
とによりダスト翰と欠陥（至）とを峻別して、欠陥（至
）のみを抽出することができる。そこで、前記反射角θ
ｌ、θ、の差Δθは、２０度〜５０度に設定されている
。しかして、前記欠陥検出部（７）は、電気信号ＳＬＩ
を入力して論理レベルｒＯＪ又は「１」に２値化する閾
値ｖＴ１が設定された２値化回路翰と、電気信号ＳＬ２
を入力して論理レベルｒＯＪ又は「１」に２値化する閾
値ＶＴ２が設定された２値化回路（７）と、この２値化
回路（７）から出力された２値化信号ＳＢ２を入力して
論理レベルを反転するインバータ０１）と、このインバ
ータ０υからの反転信号ＳＩ及び２値化回路（至）から
出力された２値化信号８Ｂ１を入力してそれらの論理積
動作を行い欠陥信号８Ｄを制御部（８）に出力するＡＮ
Ｄゲート０４とからなっている。
つぎに、上記構成の欠陥検査装置の作動について述べる
。
。
まず、欠陥検査対象であるウェーハ（１）をテーブルＯ
Ｑの所定位置に真空吸着させる。ついで、制御部（８）
から制御信号８Ｃ１、８Ｃ２ｆ、ステッピングモータ（
１３，ＣＩ！１９に印加し、ウエーノ５（１）の径方向
及び周方向の位置決めを行う。つまり、制御信号ＳＣＩ
、８Ｃ２によりウェーノ（１）上における欠陥検査座標
がわかる。つづいて、制御信号ＳＯにより投光部（４）
からレーザ光（３）をクエーノ・（１）に入射角θ、に
て投射する。
Ｑの所定位置に真空吸着させる。ついで、制御部（８）
から制御信号８Ｃ１、８Ｃ２ｆ、ステッピングモータ（
１３，ＣＩ！１９に印加し、ウエーノ５（１）の径方向
及び周方向の位置決めを行う。つまり、制御信号ＳＣＩ
、８Ｃ２によりウェーノ（１）上における欠陥検査座標
がわかる。つづいて、制御信号ＳＯにより投光部（４）
からレーザ光（３）をクエーノ・（１）に入射角θ、に
て投射する。
このときクエーノ）（１）からのレーザ光（３）の正反
射光は遮光板（１υにより遮断される。しかし、ウエー
ノ・（１）上にダスト額又は欠陥（至）があるときは、
散乱光α９１２３が受光素子１２υ、ｅ５にて受光され
、受光量に比例した電圧を有する電気信号ＳＰＩ、 Ｓ
Ｆ３に変換される。これら電気信号ＳＰＩ、 ＳＦ３は
、増幅器（２）。
射光は遮光板（１υにより遮断される。しかし、ウエー
ノ・（１）上にダスト額又は欠陥（至）があるときは、
散乱光α９１２３が受光素子１２υ、ｅ５にて受光され
、受光量に比例した電圧を有する電気信号ＳＰＩ、 Ｓ
Ｆ３に変換される。これら電気信号ＳＰＩ、 ＳＦ３は
、増幅器（２）。
（ホ）にてアナログ電気信号８Ｌ１． ＳＬ２に増幅さ
れる。
れる。
ついで、これら電気信号８Ｂ１．８Ｂ２は、２値化回路
翰、（至）にて２値化信号ＳＤＩ、 ＳＢ２に２値化さ
れる。しかして、２値化信号ＳＢ２は、インノ（−タ１
３１）にて反転され、反転信号ＳＩが、２（Ｉｉ化傷信
号８Ｂ１ともにＡＮＤゲート（２）に出力される。かく
て、このＡＮＤゲート６４からは、第４図に従った論理
レベルを示す欠陥信号８Ｄが制御部（８）に出力される
。ここで、ウェーハ（１）上にダスト（５）が存在する
ときは、第２図に示すように散乱反射光□□□は、両方
の受黄素子Ｑ１）、（ハ）にて受光される。よって、電
気信号８Ｌ １ 、 ＳＬ ２ ハ、イｆ ｔＬ モ閾
値ＶＴＩ 、 ＶＴ２ Ｊ： リモ犬＠くなり、２値化
信号ＳＤＩ、 ＳＢ２の論理レベルは、いずれも「１」
となる。よって、ＡＮＤゲート０２には、論理レベルｒ
ｌＪ、ｒＯＪのイざ号ＳＢ１．８Ｌが入力し、欠陥信号
８Ｄの論理レベルは、無欠陥を示すｒＯＪとなる。これ
に対して、ウェーハ（１１上に欠陥（ハ）が存在すると
きは、第３図に示すように、そのとき生じる散乱反射光
０は、受光素子Ｃ２υのみにて受光される。よって、電
気信号８Ｌ工は、閾値ＶＴＩより大きく、他方の電気信
号８Ｌ２は、閾値ＶＴ２よりも小さくなる。したがって
、２値化信号ＳＢＩ、 ＳＢ２の論理レベルは、それぞ
れｒｌＪ、 ｒＯＪとなる。その結果、論理レベルｒＯ
Ｊの２値化信号ＳＢ２は、インバータ０〃にて反転され
、論理レベル「１」となる。
翰、（至）にて２値化信号ＳＤＩ、 ＳＢ２に２値化さ
れる。しかして、２値化信号ＳＢ２は、インノ（−タ１
３１）にて反転され、反転信号ＳＩが、２（Ｉｉ化傷信
号８Ｂ１ともにＡＮＤゲート（２）に出力される。かく
て、このＡＮＤゲート６４からは、第４図に従った論理
レベルを示す欠陥信号８Ｄが制御部（８）に出力される
。ここで、ウェーハ（１）上にダスト（５）が存在する
ときは、第２図に示すように散乱反射光□□□は、両方
の受黄素子Ｑ１）、（ハ）にて受光される。よって、電
気信号８Ｌ １ 、 ＳＬ ２ ハ、イｆ ｔＬ モ閾
値ＶＴＩ 、 ＶＴ２ Ｊ： リモ犬＠くなり、２値化
信号ＳＤＩ、 ＳＢ２の論理レベルは、いずれも「１」
となる。よって、ＡＮＤゲート０２には、論理レベルｒ
ｌＪ、ｒＯＪのイざ号ＳＢ１．８Ｌが入力し、欠陥信号
８Ｄの論理レベルは、無欠陥を示すｒＯＪとなる。これ
に対して、ウェーハ（１１上に欠陥（ハ）が存在すると
きは、第３図に示すように、そのとき生じる散乱反射光
０は、受光素子Ｃ２υのみにて受光される。よって、電
気信号８Ｌ工は、閾値ＶＴＩより大きく、他方の電気信
号８Ｌ２は、閾値ＶＴ２よりも小さくなる。したがって
、２値化信号ＳＢＩ、 ＳＢ２の論理レベルは、それぞ
れｒｌＪ、 ｒＯＪとなる。その結果、論理レベルｒＯ
Ｊの２値化信号ＳＢ２は、インバータ０〃にて反転され
、論理レベル「１」となる。
□だから、ＡＮＤゲー） Ｃ３ａには、いずれも論理レ
ベル「１」の信号ＳＢＩ、 ＳＬが入力し、欠陥信号Ｓ
Ｄの論理レベルは、欠陥を示す「１」となる。さらに、
ウェ−八（１）上にダストｎも欠陥（至）も存在しない
ときは、２値化信号８Ｂ１． ＳＢ２の論理レベルは、
いずれも「０」となり、欠陥信号８Ｄも、無欠陥を示す
論理レベル「０」となる。かくして、以上の演算処理は
、ウェーハ（１）の全面にわたりて行われ、検査結果は
、その検査位置を示す座標とともに制御部（８）にて記
憶される。しかして、検査完了後、検査結果が第５図の
ように表示部（９）にて表示される。
ベル「１」の信号ＳＢＩ、 ＳＬが入力し、欠陥信号Ｓ
Ｄの論理レベルは、欠陥を示す「１」となる。さらに、
ウェ−八（１）上にダストｎも欠陥（至）も存在しない
ときは、２値化信号８Ｂ１． ＳＢ２の論理レベルは、
いずれも「０」となり、欠陥信号８Ｄも、無欠陥を示す
論理レベル「０」となる。かくして、以上の演算処理は
、ウェーハ（１）の全面にわたりて行われ、検査結果は
、その検査位置を示す座標とともに制御部（８）にて記
憶される。しかして、検査完了後、検査結果が第５図の
ように表示部（９）にて表示される。
以上のように、この実施例の欠陥検査装置によれば、ウ
ェーハ（１）上の欠陥（至）とダスト＠を峻別し、欠陥
（ハ）のみを高精度かつ高能率で検出することができる
。つまり、この装置によれば洗浄により容易に除去でき
るダスト＠を欠陥（ハ）と誤認する虞がなくなる。した
がって、製品歩留の無用な低下を防止できるとともに、
生産性向上にも役立つ。
ェーハ（１）上の欠陥（至）とダスト＠を峻別し、欠陥
（ハ）のみを高精度かつ高能率で検出することができる
。つまり、この装置によれば洗浄により容易に除去でき
るダスト＠を欠陥（ハ）と誤認する虞がなくなる。した
がって、製品歩留の無用な低下を防止できるとともに、
生産性向上にも役立つ。
なお、上記実施例においては、欠陥判定は、欠陥検出部
（７）にてハード的に行っているが、メモリに信号ＳＢ
Ｉ、 ＳＢ２をいったん格納し、ソフト的に欠陥検出を
行うようにしてもよい。さらに、ウェーハ（１）の位置
決めは、投光部側及び受光部側を一体的に動かすことに
より相対的に行ってもよい。
（７）にてハード的に行っているが、メモリに信号ＳＢ
Ｉ、 ＳＢ２をいったん格納し、ソフト的に欠陥検出を
行うようにしてもよい。さらに、ウェーハ（１）の位置
決めは、投光部側及び受光部側を一体的に動かすことに
より相対的に行ってもよい。
さらに、検査対象についてもＳｉウェーハに限定される
ことなく、何にでも適用できる。
ことなく、何にでも適用できる。
本発明の欠陥検査装置は、被検査物上の検査対象外のダ
ストと検査対象である欠陥とを峻別して、欠陥のみを高
精度かつ高能率に検査することができる。よって、洗浄
により容易に除去できるダストを欠陥と誤認する虞がほ
とんどなくなり、製品歩留の無用な低下を防止できると
ともに、生産性向上にも寄与することができる。
ストと検査対象である欠陥とを峻別して、欠陥のみを高
精度かつ高能率に検査することができる。よって、洗浄
により容易に除去できるダストを欠陥と誤認する虞がほ
とんどなくなり、製品歩留の無用な低下を防止できると
ともに、生産性向上にも寄与することができる。
第１図は本発明の一実施例の欠陥検査装置の構成図、第
２図乃至第４図は同じく欠陥検査の説明図、第５図は欠
陥検査結果を示す図、第６図は従来の欠陥検査装置の説
明図である。 （１）：ウェーハ（被検査物）。 （３）：レーザ光、 （５） ：第１受光部。 （６）：第２受光部、 （７） ：欠陥検出部
。 α７）：正反射光路、 α８：遮光板。 （１１：散乱光。 ｔＡ：集光レンズ（第１光学系）。 シ１）：受光素子（第１□）。 （ハ）：散乱光。 （至）二集光レンズ（第２光学系）。 ＠：受光素子（第２□）。 代理人 弁理士 則 近 憲 重 囲 竹 花 喜久男 第１１！１１ １８４図 第２図 第３図 第６に！１ 第５図゛
２図乃至第４図は同じく欠陥検査の説明図、第５図は欠
陥検査結果を示す図、第６図は従来の欠陥検査装置の説
明図である。 （１）：ウェーハ（被検査物）。 （３）：レーザ光、 （５） ：第１受光部。 （６）：第２受光部、 （７） ：欠陥検出部
。 α７）：正反射光路、 α８：遮光板。 （１１：散乱光。 ｔＡ：集光レンズ（第１光学系）。 シ１）：受光素子（第１□）。 （ハ）：散乱光。 （至）二集光レンズ（第２光学系）。 ＠：受光素子（第２□）。 代理人 弁理士 則 近 憲 重 囲 竹 花 喜久男 第１１！１１ １８４図 第２図 第３図 第６に！１ 第５図゛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記構成を具備することを特徴とする欠陥検査装置。 （イ）被検査物にレーザ光を投射する投光部。 （ロ）上記レーザ光の上記被検査物からの正反射光を遮
断する位置に設けられた遮光板と、上記被検査物に対し
て上記遮光板の後方に設けられ上記正反射光の光路に沿
った上記被検査物からの散乱反射光を集光する第１光学
系、この第１光学系により集光された散乱反射光を受光
して光電変換する第１受光素子とを有する第１受光部。 （ハ）上記被検査物に対して上記正反射光の光路からは
ずれた位置に設けられ上記被検査物からの散乱反射光を
集光する第２光学系、この第２光学系により集光された
散乱反射光を受光して光電変換する第２受光素子とを有
する第２受光部。 （ニ）上記第１及び第２受光部から出力された電気信号
に基づいて上記被検査物の欠陥を検出する欠陥検出部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26870686A JPH0795039B2 (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26870686A JPH0795039B2 (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 欠陥検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122935A true JPS63122935A (ja) | 1988-05-26 |
| JPH0795039B2 JPH0795039B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=17462238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26870686A Expired - Fee Related JPH0795039B2 (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795039B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435246A (en) * | 1987-05-08 | 1989-02-06 | Kiyuushii Oputeikusu Inc | Apparatus and method for measuring nature of surface |
| JPS6453139A (en) * | 1987-05-08 | 1989-03-01 | Kiyuushii Oputeikusu Inc | Surface nature measuring apparatus and method |
| EP0624787A1 (de) * | 1993-03-29 | 1994-11-17 | Tencor Instruments | Verfahren und Einrichtung zur zerstörungsfreien Oberflächen-Inspektion |
| US5508800A (en) * | 1990-06-25 | 1996-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor substrate and semiconductor device, and method of inspecting and evaluating semiconductor substrate |
| JPH11190702A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Hitachi Ltd | ウエハ検査装置 |
| JP2008020454A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Byk-Gardner Gmbh | 表面特性を決定する装置および方法 |
| JP2010236985A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Hitachi High-Technologies Corp | ディスク表面欠陥検査方法及び装置 |
| EP2495526A4 (en) * | 2009-10-28 | 2015-09-30 | Nireco Corp | INTRUSION DETECTION DEVICE AND INTRUSION DETECTION METHOD |
| CN113161253A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-07-23 | 上海磬采电力科技开发有限公司 | 一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统 |
-
1986
- 1986-11-13 JP JP26870686A patent/JPH0795039B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435246A (en) * | 1987-05-08 | 1989-02-06 | Kiyuushii Oputeikusu Inc | Apparatus and method for measuring nature of surface |
| JPS6453139A (en) * | 1987-05-08 | 1989-03-01 | Kiyuushii Oputeikusu Inc | Surface nature measuring apparatus and method |
| US5508800A (en) * | 1990-06-25 | 1996-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor substrate and semiconductor device, and method of inspecting and evaluating semiconductor substrate |
| EP0624787A1 (de) * | 1993-03-29 | 1994-11-17 | Tencor Instruments | Verfahren und Einrichtung zur zerstörungsfreien Oberflächen-Inspektion |
| JPH11190702A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Hitachi Ltd | ウエハ検査装置 |
| JP2008020454A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Byk-Gardner Gmbh | 表面特性を決定する装置および方法 |
| JP2010072005A (ja) * | 2006-07-13 | 2010-04-02 | Byk-Gardner Gmbh | 表面特性を決定する装置および方法 |
| JP2010236985A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Hitachi High-Technologies Corp | ディスク表面欠陥検査方法及び装置 |
| EP2495526A4 (en) * | 2009-10-28 | 2015-09-30 | Nireco Corp | INTRUSION DETECTION DEVICE AND INTRUSION DETECTION METHOD |
| CN113161253A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-07-23 | 上海磬采电力科技开发有限公司 | 一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0795039B2 (ja) | 1995-10-11 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |