JPS63124521A - Ｘ線リソグラフイ−用マスク表面の処理方法 - Google Patents
Ｘ線リソグラフイ−用マスク表面の処理方法Info
- Publication number
- JPS63124521A JPS63124521A JP61271457A JP27145786A JPS63124521A JP S63124521 A JPS63124521 A JP S63124521A JP 61271457 A JP61271457 A JP 61271457A JP 27145786 A JP27145786 A JP 27145786A JP S63124521 A JPS63124521 A JP S63124521A
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- JP
- Japan
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- thin film
- silicon
- organic
- organic silane
- boron nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＸ線リソグラフィー用マスク表面の処理方法、
特には金、白金、タルタンなどをＸ線吸着体にパターニ
ングする際に必要とされる各種フォトレジストをＸ線透
過体上に接着させるのに有用とされる。接着性の改良さ
れたＸ線リソグラフィー用マスク表面の処理方法に関す
るものである。
特には金、白金、タルタンなどをＸ線吸着体にパターニ
ングする際に必要とされる各種フォトレジストをＸ線透
過体上に接着させるのに有用とされる。接着性の改良さ
れたＸ線リソグラフィー用マスク表面の処理方法に関す
るものである。
（従来の技術）
Ｘ線リソグラフィー用マスク基材についてはＸ線透過率
がすぐれていて、ある程度の可視光透過率を有しており
、しかも耐薬品性、耐熱性もすぐれていることから窒化
ほう素、窒化けい素などの無機質薄膜が汎用されている
が、これらの無機質薄膜にはこの上にパターニングを行
なう際に必要とされるレジストが有機物とされており、
この有機質のレジストを無機質薄膜上に直接接着させる
ことが非常に難しいという問題点がある。
がすぐれていて、ある程度の可視光透過率を有しており
、しかも耐薬品性、耐熱性もすぐれていることから窒化
ほう素、窒化けい素などの無機質薄膜が汎用されている
が、これらの無機質薄膜にはこの上にパターニングを行
なう際に必要とされるレジストが有機物とされており、
この有機質のレジストを無機質薄膜上に直接接着させる
ことが非常に難しいという問題点がある。
そのため、この無機質薄膜についてはその表面を予めカ
ーボンファンクショナルシランでシリル化してから、こ
のシリル化させた表面に有機質レジストを接着させると
いう方法も試みられているが、これにはこの無機質薄膜
をけい素を含有しない窒化ほう素などとすると充分な効
果を期待することができないという不利がある。
ーボンファンクショナルシランでシリル化してから、こ
のシリル化させた表面に有機質レジストを接着させると
いう方法も試みられているが、これにはこの無機質薄膜
をけい素を含有しない窒化ほう素などとすると充分な効
果を期待することができないという不利がある。
（発明の構成）
本発明はこのような不利を解決したＸ線リソグラフィー
用マスク材に関するものであり、これは窒化ほう素、窒
化けい素、酸化けい素などの無機物薄膜の表面に、有機
シランのプラズマ法による化学蒸着膜を被着させてなる
ことを特徴とするものである。
用マスク材に関するものであり、これは窒化ほう素、窒
化けい素、酸化けい素などの無機物薄膜の表面に、有機
シランのプラズマ法による化学蒸着膜を被着させてなる
ことを特徴とするものである。
すなわち、本発明者らはＸ線リソグラフィー用マスク材
としての無機質薄膜のレジストとの接着性向上策につい
て種々検討した結果、この無機質薄膜の表面で有機シラ
ンをプラズマ処理すると有機シランの分解で得られる
Ｓ ’ ｘ Ｃｙ Ｈｚで示される炭化けい素水素化物
が無機質表面に化学蒸着（以下これをＣＶＤと略記する
）され、このＣＶＤ層が有機質レジストと容易に接着す
るので、これによれば無機質薄膜がけい素を含有しない
窒化ほう素などの場合も容易にかつ確実に有機質レジス
トとの接着性のすぐれたものになるということを確認し
て本発明を完成させた。
としての無機質薄膜のレジストとの接着性向上策につい
て種々検討した結果、この無機質薄膜の表面で有機シラ
ンをプラズマ処理すると有機シランの分解で得られる
Ｓ ’ ｘ Ｃｙ Ｈｚで示される炭化けい素水素化物
が無機質表面に化学蒸着（以下これをＣＶＤと略記する
）され、このＣＶＤ層が有機質レジストと容易に接着す
るので、これによれば無機質薄膜がけい素を含有しない
窒化ほう素などの場合も容易にかつ確実に有機質レジス
トとの接着性のすぐれたものになるということを確認し
て本発明を完成させた。
本発明のＸ線リソグラフィー用マスク材を構成する基材
としての無機質薄膜は公知のものでよく、したがってこ
れは窒化ほう素、窒化けい素、酸化けい素などからなる
厚さが０．５〜１０１ｍのものとすればよい。
としての無機質薄膜は公知のものでよく、したがってこ
れは窒化ほう素、窒化けい素、酸化けい素などからなる
厚さが０．５〜１０１ｍのものとすればよい。
本発明のＸ線リソグラフィー用マスク表面の処理方法は
この無機質薄膜の表面に有機シランのプラズマ法による
ＣＶＤ膜を形成させるのであるが。
この無機質薄膜の表面に有機シランのプラズマ法による
ＣＶＤ膜を形成させるのであるが。
この有機シランはこれが反応器中にガス状で導入される
ものであるので揮発性のものとすればよく、これは減圧
下で蒸気圧を有するものであってもよい、このものは一
般式Ｒ、’ Ｓ 八Ｈ２，＋□−６で示され、Ｒ１はメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、ビニル基、アリル基などのアルケニル基、フェニ
ル基などのアリール基から選択される炭素数６以下の１
価炭化水素基、ｍは１または２、ｎはｍが１のとき１〜
４の整数１ｍが２のとき１〜６の整数であるオルガノハ
イドロジエンシランとすることがよい。
ものであるので揮発性のものとすればよく、これは減圧
下で蒸気圧を有するものであってもよい、このものは一
般式Ｒ、’ Ｓ 八Ｈ２，＋□−６で示され、Ｒ１はメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、ビニル基、アリル基などのアルケニル基、フェニ
ル基などのアリール基から選択される炭素数６以下の１
価炭化水素基、ｍは１または２、ｎはｍが１のとき１〜
４の整数１ｍが２のとき１〜６の整数であるオルガノハ
イドロジエンシランとすることがよい。
この有機シランのプラズマ法によるＣＶＤ膜の形成は、
従来に単に吸着しマスク材表面のＯＨと反応させた状態
と違い、マスク材表面に５ｉＣＨの膜の形成をし、一部
上記の反応がｘ ｙ ｚ 生起するものである。
従来に単に吸着しマスク材表面のＯＨと反応させた状態
と違い、マスク材表面に５ｉＣＨの膜の形成をし、一部
上記の反応がｘ ｙ ｚ 生起するものである。
本法は反応装置内に上記した無機質薄膜を載置し、二へ
に有機シランガスを導入してからこの反応器装置内にプ
ラズマを発生させればよく、このプラズマの発生は反応
装置内を１０トル以下、好ましくは０．０５〜１トルの
ガス圧下としたのち、―置内に設けられた電極に１０
ＫＨｚ〜１００ ＭＨｚ。
に有機シランガスを導入してからこの反応器装置内にプ
ラズマを発生させればよく、このプラズマの発生は反応
装置内を１０トル以下、好ましくは０．０５〜１トルの
ガス圧下としたのち、―置内に設けられた電極に１０
ＫＨｚ〜１００ ＭＨｚ。
１０Ｗ〜１００ＫＩＩの高周波電力を印加すればよいが
、この際無機質薄膜は有機シランのプラズマ処理で発生
したＳ ” ｘ Ｃｙ Ｈｚを被膜として被着させるた
めに５０〜５００℃、好ましくは１００〜４００℃に加
熱保持しておくことがよい。
、この際無機質薄膜は有機シランのプラズマ処理で発生
したＳ ” ｘ Ｃｙ Ｈｚを被膜として被着させるた
めに５０〜５００℃、好ましくは１００〜４００℃に加
熱保持しておくことがよい。
なお、このプラズマ処理に当ってこ＼に発生した５ｉＣ
Ｈにおけるｘ／ｙ／ｚの値を調節すｘ ｙ ｚ るためにこの有機シランにメタン、エタン、プロパン、
エチレン、アセチレン、トルエンなどの炭化水素化合物
を添加すること、またプラズマを安定化させる目的にお
いて有機シランにヘリウム、水素、アルゴン、窒素、二
酸化炭素などのキャリアーガスを伴流させることは任意
とされる。
Ｈにおけるｘ／ｙ／ｚの値を調節すｘ ｙ ｚ るためにこの有機シランにメタン、エタン、プロパン、
エチレン、アセチレン、トルエンなどの炭化水素化合物
を添加すること、またプラズマを安定化させる目的にお
いて有機シランにヘリウム、水素、アルゴン、窒素、二
酸化炭素などのキャリアーガスを伴流させることは任意
とされる。
このように処理して得られる無機質薄膜はその表面に有
機シランのプラズマ処理によって発生した５ｉＣＨで示
される炭化けい素がＣＶＤ膜スｙｚ として被着されたものとなるが、このＣＶＤ膜は無機質
薄膜に強く被着されるので簡単に剥離することはないし
、このものは各種有機質との濡れ性にすぐれているので
この面には有機質レジストを容易に接着させることがで
きるという有利性が与えられる。なお、このＣＶＤｖａ
の厚さは何ら限定する必要はなく、はんの１〜２層の単
分子膜に近いものまで接着性改良効果を有している。
機シランのプラズマ処理によって発生した５ｉＣＨで示
される炭化けい素がＣＶＤ膜スｙｚ として被着されたものとなるが、このＣＶＤ膜は無機質
薄膜に強く被着されるので簡単に剥離することはないし
、このものは各種有機質との濡れ性にすぐれているので
この面には有機質レジストを容易に接着させることがで
きるという有利性が与えられる。なお、このＣＶＤｖａ
の厚さは何ら限定する必要はなく、はんの１〜２層の単
分子膜に近いものまで接着性改良効果を有している。
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例１
プラズマ発生用の電極を備えた反応装置内に厚さ０．４
ｍのけい素基板を載置して２００℃に加熱し、系内を１
０ｍ）−ルに減圧してから、二へにアンモニアガスをＩ
ＳＣＣＭ Ｃ８ＣＣＭはスタンダードＣ，Ｃ，バー分を
表す）、Ｂ、Ｈ，を４ＳＣＣＭ流し、チャンバー圧力を
１０トルに設定してから電極に１３．５６ＭＨｚ、５０
Ｗの高周波電力を印加してプラズマを発生させてけい素
基板の両面に窒化ほう素のＣＶＤ膜を厚さ２ｔＩＭに被
着させた（これをサンプルＡと略記する）。
ｍのけい素基板を載置して２００℃に加熱し、系内を１
０ｍ）−ルに減圧してから、二へにアンモニアガスをＩ
ＳＣＣＭ Ｃ８ＣＣＭはスタンダードＣ，Ｃ，バー分を
表す）、Ｂ、Ｈ，を４ＳＣＣＭ流し、チャンバー圧力を
１０トルに設定してから電極に１３．５６ＭＨｚ、５０
Ｗの高周波電力を印加してプラズマを発生させてけい素
基板の両面に窒化ほう素のＣＶＤ膜を厚さ２ｔＩＭに被
着させた（これをサンプルＡと略記する）。
ついでこの窒化ほう素膜を被着させたけい素基板を反応
装置内に載置して室内を０．５トルに減圧してから、こ
−にジメチルシラン （（ＣＨａ）ｚ Ｓ Ｉ Ｈｚ ］を流量１１０５ＣＣ
で流し、電極に１３．５６ＭＨｚ、ＩＯＷの高周波電力
を印加して系内にプラズマを発生させて１５秒間反応さ
せ、この窒化ほう素膜面にジメチルシランのプラズマ処
理によるＣＶＤ膜を厚さ１００人に被着させてサンプル
Ｂを作った。なお、との膜厚はガートナ社製エリプソメ
ーター（商品名Ｌ１１５Ｂ）で求めた。
装置内に載置して室内を０．５トルに減圧してから、こ
−にジメチルシラン （（ＣＨａ）ｚ Ｓ Ｉ Ｈｚ ］を流量１１０５ＣＣ
で流し、電極に１３．５６ＭＨｚ、ＩＯＷの高周波電力
を印加して系内にプラズマを発生させて１５秒間反応さ
せ、この窒化ほう素膜面にジメチルシランのプラズマ処
理によるＣＶＤ膜を厚さ１００人に被着させてサンプル
Ｂを作った。なお、との膜厚はガートナ社製エリプソメ
ーター（商品名Ｌ１１５Ｂ）で求めた。
つぎにこのようにして得たサンプルＡ、Ｂに電子線レジ
ストとしての５ＥＬ−Ｎ（ソマール工業■製商品名〕を
厚さ０．５ｐで被着させたのち。
ストとしての５ＥＬ−Ｎ（ソマール工業■製商品名〕を
厚さ０．５ｐで被着させたのち。
これに加速電圧２０ＫｅＶ、 ドーズ量１．２μｃ／ａ
Ｊの条件で電子線描画を行い、現像液（商品名ＮＭＤ−
３）で現像したところ、サンプルＡのものでは現像の段
階でレジストが剥離したがサンプルＢではレジストの剥
離は全くなかった。
Ｊの条件で電子線描画を行い、現像液（商品名ＮＭＤ−
３）で現像したところ、サンプルＡのものでは現像の段
階でレジストが剥離したがサンプルＢではレジストの剥
離は全くなかった。
実施例２
実施例１と同じ反応装置内に厚さ０．４−のけい素基板
を載置して３００℃に加熱し、二へにアンモニアガスを
６０８ＣＣＭ、シラン（ＳｉＨ４）をＩＯ８ＣＣＭで流
し、チャンバー圧力を０．５トルに設定してから電極に
１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの高周波電力を印加してプ
ラズマを発生させてけい素基板の片面に窒化けい素のＣ
ＶＤ膜を厚さ３ｐに被着させた（以下これをサンプルＣ
と略記する）。
を載置して３００℃に加熱し、二へにアンモニアガスを
６０８ＣＣＭ、シラン（ＳｉＨ４）をＩＯ８ＣＣＭで流
し、チャンバー圧力を０．５トルに設定してから電極に
１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの高周波電力を印加してプ
ラズマを発生させてけい素基板の片面に窒化けい素のＣ
ＶＤ膜を厚さ３ｐに被着させた（以下これをサンプルＣ
と略記する）。
ついでこの窒化けい素膜を被着させたけい素基板を同一
の反応装置内に載置して１５０℃に加熱し、系内を０．
８トルに減圧してから、こ＼にヘキサメチルジシラン（
（ＣＨｓ ） ｓ Ｓ ｉ Ｓ ｉ （ＣＨｓ ） ３
）にアルゴンガスをバブリングして得たヘキサメチル
ジシランガスを８．７ＳＣＣＭで流し、電極に１３．５
６Ｍ）Ｉｚ、５０Ｗの高周波電力を印加してプラズマを
発生させて、５秒間処理したところ、この窒化けい素膜
上に有機シランのプラズマ処理によるＣＶＤ膜を１００
人の厚さで被着させてサンプルＤを作った。
の反応装置内に載置して１５０℃に加熱し、系内を０．
８トルに減圧してから、こ＼にヘキサメチルジシラン（
（ＣＨｓ ） ｓ Ｓ ｉ Ｓ ｉ （ＣＨｓ ） ３
）にアルゴンガスをバブリングして得たヘキサメチル
ジシランガスを８．７ＳＣＣＭで流し、電極に１３．５
６Ｍ）Ｉｚ、５０Ｗの高周波電力を印加してプラズマを
発生させて、５秒間処理したところ、この窒化けい素膜
上に有機シランのプラズマ処理によるＣＶＤ膜を１００
人の厚さで被着させてサンプルＤを作った。
つぎにこのサンプルＣ，Ｄに電子線レジスト５ＥＬ−Ｎ
（前出）を厚さ０．８ｕで被着させたのち、これに加速
電圧２０ＫｅＶ、ドーズ量２．０μＣ／ｄの条件で電子
線描画を行い、現像液で現像したところ、サンプルＣの
ものでは現像の段階で剥離したがサンプルＤのものは全
く剥離しなかった。
（前出）を厚さ０．８ｕで被着させたのち、これに加速
電圧２０ＫｅＶ、ドーズ量２．０μＣ／ｄの条件で電子
線描画を行い、現像液で現像したところ、サンプルＣの
ものでは現像の段階で剥離したがサンプルＤのものは全
く剥離しなかった。
実施例３
実施例１と同じ反応装置内に厚さ０．４ｍのけい素基板
を載置して２５０℃に加熱し、こゝにアンモニアガスを
２ＳＣＣＭ、Ｂ、Ｈ，を４ＳＣＣＭ流し、チャンバー圧
力を１トルに設定してから電極に１３．５６ＭＨｚ、２
０Ｗの高周波電力を印加してプラズマを発生させてけい
素基板の片側に窒化ほう素のＣＶＤ膜を厚さ４ｐに被着
させた（これをサンプルＥと略記する）。
を載置して２５０℃に加熱し、こゝにアンモニアガスを
２ＳＣＣＭ、Ｂ、Ｈ，を４ＳＣＣＭ流し、チャンバー圧
力を１トルに設定してから電極に１３．５６ＭＨｚ、２
０Ｗの高周波電力を印加してプラズマを発生させてけい
素基板の片側に窒化ほう素のＣＶＤ膜を厚さ４ｐに被着
させた（これをサンプルＥと略記する）。
ついでこの窒化ほう素膜を被着させたけい素基板を同一
の反応装置内に載置して２５０℃に加熱し、こＮにフェ
ニルシラン（Ｃ，Ｈ，ＳｉＨ，）にアルゴンガスをバブ
リングして得たフェニルシランガスを５ＳＣＣＭで導入
し、チャンバー圧力を０゜５トルに設定してから電極に
１３．５６ＭＩＩｚ、３０Ｗの高周波電力を印加してプ
ラズマを発生させて、３０秒間処理したところ、この窒
化けい素膜上にフェニルシランのプラズマ処理によるＣ
ＶＤ膜を８０人の厚さで被着させたサンプルＦを作った
。
の反応装置内に載置して２５０℃に加熱し、こＮにフェ
ニルシラン（Ｃ，Ｈ，ＳｉＨ，）にアルゴンガスをバブ
リングして得たフェニルシランガスを５ＳＣＣＭで導入
し、チャンバー圧力を０゜５トルに設定してから電極に
１３．５６ＭＩＩｚ、３０Ｗの高周波電力を印加してプ
ラズマを発生させて、３０秒間処理したところ、この窒
化けい素膜上にフェニルシランのプラズマ処理によるＣ
ＶＤ膜を８０人の厚さで被着させたサンプルＦを作った
。
つぎにこのサンプルＥ、Ｆに電子線レジスト５ＥＬ−Ｎ
（前出）を０．８μ曹で被着させたのち、これに加速
電圧２０にｅＶ、ドーズ量２．０μｃ／ｄの条件で電子
線描画を行い、現像液で現像したところ、サンプルＥの
ものは現像の段階で剥離したがサンプルＦのものは全く
剥離しなかった。
（前出）を０．８μ曹で被着させたのち、これに加速
電圧２０にｅＶ、ドーズ量２．０μｃ／ｄの条件で電子
線描画を行い、現像液で現像したところ、サンプルＥの
ものは現像の段階で剥離したがサンプルＦのものは全く
剥離しなかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、窒化ほう素、窒化けい素、酸化けい素などの無機物
薄膜の表面に、有機シランのプラズマ法による化学蒸着
膜を被着させてなることを特徴とするＸ線リソグラフィ
ー用マスク表面の処理方法。 ２、有機シランが式 Ｒ＾２＿ｎＳｉ＿ｍＨ＿２＿ｍ＿
＋２＿−＿ｎ（こゝにＲ＾２は炭素数６以下の１価炭化
水素基、ｍは１または２でｍが１のときｎは１〜４の整
数、ｍが２のときｎは１〜６の整数）で示されるもので
ある特許請求の範囲第１項記載のＸ線リソグラフィー用
マスク表面の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61271457A JPS63124521A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | Ｘ線リソグラフイ−用マスク表面の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61271457A JPS63124521A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | Ｘ線リソグラフイ−用マスク表面の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124521A true JPS63124521A (ja) | 1988-05-28 |
Family
ID=17500298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61271457A Pending JPS63124521A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | Ｘ線リソグラフイ−用マスク表面の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124521A (ja) |
Cited By (17)
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| US9662450B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
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| US20180135183A1 (en) * | 2016-11-13 | 2018-05-17 | Applied Materials, Inc. | Surface Treatment For EUV Lithography |
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-
1986
- 1986-11-14 JP JP61271457A patent/JPS63124521A/ja active Pending
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