JPS63127151U - - Google Patents

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JPS63127151U
JPS63127151U JP1987017529U JP1752987U JPS63127151U JP S63127151 U JPS63127151 U JP S63127151U JP 1987017529 U JP1987017529 U JP 1987017529U JP 1752987 U JP1752987 U JP 1752987U JP S63127151 U JPS63127151 U JP S63127151U
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JP
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semiconductor devices
semiconductor
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semiconductor element
semiconductor device
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案の半導体装置に使用する加
圧接触型半導体素子の断面図、第2図は、この考
案の一実施例を示す半導体装置の平面図、第3図
は、上記半導体装置の正面図、第4図は、従来の
半導体装置の平面図、第5図は、上記半導体装置
の断面図、第6図は、この考案および従来の半導
体装置に内蔵される半導体素子の回路構成を示す
回路図である。 3……絶縁層、4……冷却フイン、15,23
a,23b……内部接続導体、20……加圧接触
型半導体素子。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 少なくとも2個の半導体素子が絶縁層を介して
    冷却フイン上に配置され、前記半導体素子を覆う
    ように前記放熱板上に配置されたケースの上面に
    、前記半導体素子に接続された配線用の内部接続
    導体の一端が端子として引出される構造の半導体
    装置において、前記ケースに内蔵される半導体素
    子として加圧接触構造の半導体素子を用いたこと
    を特徴とする半導体装置。
JP1987017529U 1987-02-09 1987-02-09 Pending JPS63127151U (ja)

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JPS63127151U true JPS63127151U (ja) 1988-08-19

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5958855A (ja) * 1982-08-30 1984-04-04 シ−メンス・アクチエンゲセルシヤフト 電力用半導体モジユ−ル

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5958855A (ja) * 1982-08-30 1984-04-04 シ−メンス・アクチエンゲセルシヤフト 電力用半導体モジユ−ル

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