JPS63127538A - 半導体ウエハの洗浄装置 - Google Patents

半導体ウエハの洗浄装置

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Publication number
JPS63127538A
JPS63127538A JP27347586A JP27347586A JPS63127538A JP S63127538 A JPS63127538 A JP S63127538A JP 27347586 A JP27347586 A JP 27347586A JP 27347586 A JP27347586 A JP 27347586A JP S63127538 A JPS63127538 A JP S63127538A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
tank
semiconductor wafer
chemical solution
cleaning tank
Prior art date
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Pending
Application number
JP27347586A
Other languages
English (en)
Inventor
Hayaaki Fukumoto
福本 隼明
Toshiaki Omori
大森 寿朗
Nobumi Hattori
服部 信美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP27347586A priority Critical patent/JPS63127538A/ja
Publication of JPS63127538A publication Critical patent/JPS63127538A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体製品製造において半導体ウェハの洗浄
装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第5図は従来の半導体ウェハの洗浄装置における概略構
成を示す簡略図である。図において(1)は洗浄薬液(
7)によって満された洗浄槽、(2)はこの洗浄槽の周
囲に配置され洗浄槽からオーバーフローした洗浄用薬液
を集溜する念めのオーバーフロー槽、C3)は洗浄用薬
液(7)が通過する貫通孔(4)を多数配置した整流板
でありその平面図を第6図に示している。(5)はこの
整流板の上部に配置され洗浄すべき半導体ウニ八(6)
を上記洗浄槽(1)の中にセットするための半導体ウェ
ハセット架台、Iは循環ポンプでありこの循環ポンプに
より上記オーバー70一槽(2)に集溜した汚濁した洗
浄用薬液はこのオーバー70一槽の下部に設けられた排
出口(8)より配管00を経由してフィルタa2へ移送
される。このフィルタにより濾過された洗浄用薬液は配
管(10を経由して上記オーバーフロー槽(2)より下
部に設けられた導入口(9)より上記洗浄槽(1)へ供
給されろ。
従来の半導体ウェハの洗浄装置は上記のように構成され
、フィルタ(2)により濾過された清浄な洗浄用薬液は
洗浄槽(1)の下部に設けられた整流板(3)の多数の
貫通孔(4)を通過して洗浄槽(1)の上部側へ流動す
る。この洗浄槽(1)内に設置された半導体ウェハセッ
ト架台(Fl)にセットされた半導体ウェハ(6)は洗
浄用薬液との接触による化学反応と!!擦による物理的
作用によって洗浄される。
洗浄槽(1)よりオーバーフローした洗浄用薬液はオー
バーフロー槽(2)に集溜し循環ポンプαυによって再
び洗浄411(11へ送り返されるが、その途中でフィ
ルタ面中を通過させることにより汚濁物質を除去し清浄
な洗浄用薬液に戻している。
〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のような従来の半導体ウェハの洗浄装置では、洗浄
用薬液をフィルタ面で濾過後洗浄槽(1)へ戻す際に洗
浄槽(1)の底部近くの一側面に洗浄用薬液の流入口が
設けられているために整流板(3)の多数の貫通孔(4
)を通して洗浄用薬液の流れを整流しても、第8図に示
すような洗浄用薬液の理想的な層流は実現できず、実際
には第7図に示すような洗浄用薬液の流れとなり洗浄槽
(1)中に洗浄用薬液の循環流や滞留域が生じていた。
その結果として、半導体ウェハ(6)の洗浄中に半導体
ウェハ(6)の表面から剥離した酸化ケイ素膜やレジス
トの小片等の汚濁物は、洗浄槽(1)の上部からオーバ
ーフローすることなく洗浄槽(1)内に滞留し半導体ウ
ェハ(6)の汚染を引き起し、また洗浄用薬液の流れの
不均一性は半導体ウェハ(6)の洗浄状態を不均一にす
るという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、洗浄槽内の洗浄用薬液の流動状態をより均一
な層流状態に近づけることにより、洗浄用薬液の循環流
や滞留域をなくし洗浄槽内に汚濁物が滞留するのを防い
で、清浄な半導体ウェハを得ることができる洗浄装置を
得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体ウェハの洗浄装置は、洗浄槽内の
整流板の下部のほぼ全平面域にチューブ状平板フィルタ
を配置して、循環ポンプによって返流された洗浄用薬液
を上記チューブ状平板フィルターを通して洗浄槽内に供
給するようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、洗浄槽の整流板の下部のほぼ全平
面域にチューブ状平板フィルタを配置することにより、
洗浄槽内のほぼ全領域において洗浄用薬液が洗浄槽底面
から上部水面に向うほぼ理想的な層流状態が実現できる
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を説明する。
第1図〜第3図はこの発明の一実施例を示す半導体ウェ
ハの洗浄装置の図面である。第1図はこの洗浄装置の概
略構成を示す正面部分断面図、第2図はこの側面部分断
面図、第3図は整流板及びチューブ状平板フィルタの部
位を部分断面図で示したこの洗浄装置の平面図である。
(1)〜Qllは上記従来装置と全く同一のものである
a3は洗浄槽(1)内の整流板(3)の下部のほぼ全平
面域に配置されU字形に折り曲げさらにその先端を逆方
向にU字形にかつ平板状に幾重にも折り曲けて構成され
るチューブ状平板フィルタである。そしてこのチューブ
状平板フィルタ0の構造は、第4図に示すように円筒形
状であり、汚濁した洗浄用薬液の通る通液孔(13& 
)とその汚濁した洗浄用薬液が清浄化されながら通り抜
けるフィルタ層(13b)より成っており、またその最
終端部は接着剤により封止栓(13o)が貼り付けられ
ている。
次に、上記のように構成された半導体ウェハの洗浄装置
の作用・動作について以下に説明する。
まず、洗浄処理を施す半導体ウェハ(6)を半導体ウニ
八セット架台(5)の中にセットし、洗浄用薬液(7]
で満された処理槽(1)の中に設置された整流板(31
の上にこの半導体ウェハセット架台(5)をセットする
。チューブ状平板フィルタ0により清浄化された洗浄用
薬液(7)は整流板(3)の貫通孔(4)を通って洗浄
槽(1)の上部水面方向にほぼ層流状態で流れる。
洗浄[(1)内に一装置された半導体ウェハセット架台
(5)にセットされた半導体ウェハ(6)は、この洗浄
用薬液(7)との接触による化学反応と摩擦による物理
的作用によって洗浄される。
洗浄槽(1)内の洗浄用薬液(7)の流れは、洗浄! 
(11の壁面近傍及び水面付近を除いてほぼ理想的な層
流状態であり、半導体ウェハ(6)の洗浄により発生す
る酸化ケイ素膜やレジストの小片等の汚濁物は洗浄槽(
11内に滞留することなくすべてオーバーフロー槽(2
)へと排出される。
このオーバーフロー槽(2)に集溜した上記汚濁物を含
む汚濁した洗浄用薬液は、オーバーフロー槽(2)の下
部に設けられた排出口(8)より循環ポンプαDによっ
て配管σOを経由して洗浄槽(1)下部に配置されたチ
ューブ状平板フィルタσ3の導入口(9)へと導かれる
汚濁した洗浄用薬液は、第4図に示すようにチューブ状
平板フィルタ03を通過することにより再び清浄化され
た洗浄用薬液となり、はぼ理想的な層流状態で洗浄槽(
1)内へ供給されろ。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば洗浄槽の下部にチュー
ブ状平板フィルタを配置するように半導体ウェハの洗浄
装置を構成したので、洗浄槽内の洗浄用薬液の流れをほ
ぼ層流状態にすることができ、より清浄で均質な半導体
ウニへの洗浄か得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図はこの発明の一実施例による半導体ウェ
ハの洗浄装置を示す図面である。第1図はこの洗浄装置
の概略構成を示す正面部分断面図、第2図はこの側面部
分断面図、第3図は整流板及びチューブ状平板フィルタ
の部位を部分断面図で示したこの洗浄装置の平面図であ
る。尚、第4図は上記チューブ状平板フィルタの模式−
図である。 第5図は従来の半導体ウニへの洗浄装置における概略構
成を示す簡略図、第6図は整流板の平面、図である。 第7図は従来の洗浄装置において洗浄槽内での洗浄用薬
液の流動状態の一例を示す模式図、第8図は本発明が目
的とした洗浄用薬液の理想的な層流状態を示す模式図で
ある。 図において、(1)は洗浄槽、(2)はオーバーフロー
槽、(3)は整流板、(6)は半導体ウェハ、(7)は
洗浄用薬液、aDは循環ポンプ、■はフィルタ、α3は
チューブ状平板フィルタである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェハを薬液洗浄する洗浄装置において、洗浄用
    薬液によつて満された洗浄槽、この洗浄槽の周囲に配置
    され洗浄槽からオーバーフローした洗浄用薬液を集溜す
    るためのオーバーフロー槽、上記洗浄槽の下部に蛇行さ
    せて全体として平板状になるよう配置されたチューブ状
    フィルタ、このチューブ状フィルタの上部に配置されほ
    ぼ等間隔で多数の貫通孔を有した整流板、この整流板の
    上部に配置され洗浄すべき半導体ウェハを上記洗浄槽の
    中にセットするための半導体ウェハセット架台、上記オ
    ーバーフロー槽の排出口と上記チューブ状フィルタの導
    入口を連結し洗浄用薬液を上記洗浄槽へ循環させるため
    の循環ポンプを備えたことを特徴とする半導体ウェハの
    洗浄装置。
JP27347586A 1986-11-17 1986-11-17 半導体ウエハの洗浄装置 Pending JPS63127538A (ja)

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JP27347586A JPS63127538A (ja) 1986-11-17 1986-11-17 半導体ウエハの洗浄装置

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JPS63127538A true JPS63127538A (ja) 1988-05-31

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ID=17528431

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JP27347586A Pending JPS63127538A (ja) 1986-11-17 1986-11-17 半導体ウエハの洗浄装置

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