JPS63129623A - イオンビ−ム露光マスク - Google Patents
イオンビ−ム露光マスクInfo
- Publication number
- JPS63129623A JPS63129623A JP61277483A JP27748386A JPS63129623A JP S63129623 A JPS63129623 A JP S63129623A JP 61277483 A JP61277483 A JP 61277483A JP 27748386 A JP27748386 A JP 27748386A JP S63129623 A JPS63129623 A JP S63129623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- mask
- ion beam
- si3n4
- beam exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオンビーム露光用のマスク構造に関する。
従来、イオンビーム露光用マスクけＪ、 Ｘｂ Ｂａｒ
ｔｅｌｔ「マスクイオンビームリゾグラフィ二次世代新
技術Ｊ 、 ５ｏｌｉｄ、 ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎ
ｏｌｏｇｌ １月本版會Ｒ４４〜５ Ｌ ｋｘｇｕｓ
ｔ １９８６に示されている如く、第２図α）〜（ｃｙ
）及び第３図の様な製作工穆図及び１ＦＩＴ図にて示さ
れる構造となっていた。すなわち、第２図でＦｉ、□□
□）Ｓｉ単結晶基板表面２０にポロンをドープＬｆＳｉ
エピタ千シャル層２１を２μ毒成長す也の）化学蒸着法
によりＥｉ Ｏｘ膜２２とｓｚｓ Ｎ４ ＠２５．２６
を形成し、（ｃ）１１面５ｆｆｌｓＮ＋膿２６を図形状
にマツチソゲして、該図形状５ｚｓＮ＋ ＩＩＩをマス
クとしてＳｉ幕板２０をエツチングして薄幌化し、（ｄ
）異方性エッチに！Ｑボｃ１７・ドープエビタ千シャル
層までエッチンルてＢｉ ＱＪ１２２とＢｉ Ｏ！膜２
３．２６を除去し、（ｅ）バイレツクス ガラス リン
グ２４をα基材に貼付け、Ｃ１ルジスト２５塗布を表面
に行って１図形状に露光現傷り、（（７１異方性エツチ
ング（リアクティブ イオン エツチング：ＲＴＩＣ）
ＫよりＳ＜エピタキシャル膜２１を図形状にエツチング
してレジストヲ除去する工穆をとってい几。
ｔｅｌｔ「マスクイオンビームリゾグラフィ二次世代新
技術Ｊ 、 ５ｏｌｉｄ、 ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎ
ｏｌｏｇｌ １月本版會Ｒ４４〜５ Ｌ ｋｘｇｕｓ
ｔ １９８６に示されている如く、第２図α）〜（ｃｙ
）及び第３図の様な製作工穆図及び１ＦＩＴ図にて示さ
れる構造となっていた。すなわち、第２図でＦｉ、□□
□）Ｓｉ単結晶基板表面２０にポロンをドープＬｆＳｉ
エピタ千シャル層２１を２μ毒成長す也の）化学蒸着法
によりＥｉ Ｏｘ膜２２とｓｚｓ Ｎ４ ＠２５．２６
を形成し、（ｃ）１１面５ｆｆｌｓＮ＋膿２６を図形状
にマツチソゲして、該図形状５ｚｓＮ＋ ＩＩＩをマス
クとしてＳｉ幕板２０をエツチングして薄幌化し、（ｄ
）異方性エッチに！Ｑボｃ１７・ドープエビタ千シャル
層までエッチンルてＢｉ ＱＪ１２２とＢｉ Ｏ！膜２
３．２６を除去し、（ｅ）バイレツクス ガラス リン
グ２４をα基材に貼付け、Ｃ１ルジスト２５塗布を表面
に行って１図形状に露光現傷り、（（７１異方性エツチ
ング（リアクティブ イオン エツチング：ＲＴＩＣ）
ＫよりＳ＜エピタキシャル膜２１を図形状にエツチング
してレジストヲ除去する工穆をとってい几。
第３図はこのシリコン働チャンネリングマスクの作用を
示す断面図であり、Ｓｉエピタキシャル層〆 ３１をメンプランとしｆｔ Ｅｉ単結晶３０の図形状マ
スクではプロトン（ｕｉ；加速されて照射されると単結
晶格子間をＨが打込まれ、５ｆｆ１層の薄い部分ｋＨ＋
の広＾ｔす＾を少ない状態で図形状にイオン・シャワー
が放出される様子を示し７ｔ４のである。
示す断面図であり、Ｓｉエピタキシャル層〆 ３１をメンプランとしｆｔ Ｅｉ単結晶３０の図形状マ
スクではプロトン（ｕｉ；加速されて照射されると単結
晶格子間をＨが打込まれ、５ｆｆ１層の薄い部分ｋＨ＋
の広＾ｔす＾を少ない状態で図形状にイオン・シャワー
が放出される様子を示し７ｔ４のである。
〔発明が解決しようとする間Ｍ４）
しかし、上記従来技術によると、ＳＺエピタ千シャル層
でエツチング・ストップする場合に、８＜エピタキシャ
ル層と基板とのボロン濃贋分布＾ｔシャープになるとけ
いえ、少なからぬボロン拡散ｈ；基板５ｆｆｌに入るこ
とはまぬがれず、Ｓｉメンプランの膜厚制御が充分でな
−という問題点等がある。
でエツチング・ストップする場合に、８＜エピタキシャ
ル層と基板とのボロン濃贋分布＾ｔシャープになるとけ
いえ、少なからぬボロン拡散ｈ；基板５ｆｆｌに入るこ
とはまぬがれず、Ｓｉメンプランの膜厚制御が充分でな
−という問題点等がある。
・ 本発明は、かかる従来技術の問題点をなくシ。
啄めて薄くて均一な単結晶メンプラン膜を形成する几め
のイオンビーム露光マスク構造を提供する事を目的とす
る。
のイオンビーム露光マスク構造を提供する事を目的とす
る。
本発明け、かかる従来技術の問題点を解決するために、
イオンビーム露光マスクに於て、単結晶ＢｉＣをメンプ
ラン膜となし、＃ＳｊｃＳｉメンプラン膜上晶ｇｉエピ
タキシャル層を図形状に形成する構造となす手段をとる
。
イオンビーム露光マスクに於て、単結晶ＢｉＣをメンプ
ラン膜となし、＃ＳｊｃＳｉメンプラン膜上晶ｇｉエピ
タキシャル層を図形状に形成する構造となす手段をとる
。
単結晶ＢｉＣをメンブラン嘩として用いる事により、イ
オン透過率が高く、且つ啄めて薄い均一なメンプラン膜
が形成できる作用がある。
オン透過率が高く、且つ啄めて薄い均一なメンプラン膜
が形成できる作用がある。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１１は本発明の一実施例を示すＢｉ Ｃチャンネリン
グマスクの製作工径図である。すなわち、ケ）単結晶の
Ｓｉ１の表面にエピタキシャル層により単結晶の８ｚ’
０２を０．１μｍ穆度形成し、（ｂ）更にｓｉエピタキ
シャル３から成る単結晶Ｂｉ！；１１を１μｍ程度形成
し、（Ｃ）化学蒸着法によりＢ１５Ｎ４４ 、 ５ｉｓ
Ｎ番５．及び６を形成し、頓１！に直Ｂ１５Ｎ＋を図形
状にエッチして、該図形状Ｒ４５Ｍ４をマスクとしてＳ
ｊＪ＆結晶を板を裏面エッチ７を施し、ＳｉＣ２でニッ
チ・ストツブシ、（ｅ）日ム穐５及び６とＢｉ Ｏｔ
４を除去して、パイレヴクスリング８を貼付け、＜ｐｅ
面にイオン・ビームレジスト９を塗布して、イオン・ビ
ーム露光及び現像を施して、（ロ））＃記聞形状イオン
ビーム・レジスト９をマスクとしてＲ工Ｆ！（リアクテ
ィブ イオンエッチ）によるＲ工Ｅエッチ１０を施して
８ｉエピタ千シヤル３を図形状にエッチして、ＳａＣチ
ャンネリング・マスクができる。
グマスクの製作工径図である。すなわち、ケ）単結晶の
Ｓｉ１の表面にエピタキシャル層により単結晶の８ｚ’
０２を０．１μｍ穆度形成し、（ｂ）更にｓｉエピタキ
シャル３から成る単結晶Ｂｉ！；１１を１μｍ程度形成
し、（Ｃ）化学蒸着法によりＢ１５Ｎ４４ 、 ５ｉｓ
Ｎ番５．及び６を形成し、頓１！に直Ｂ１５Ｎ＋を図形
状にエッチして、該図形状Ｒ４５Ｍ４をマスクとしてＳ
ｊＪ＆結晶を板を裏面エッチ７を施し、ＳｉＣ２でニッ
チ・ストツブシ、（ｅ）日ム穐５及び６とＢｉ Ｏｔ
４を除去して、パイレヴクスリング８を貼付け、＜ｐｅ
面にイオン・ビームレジスト９を塗布して、イオン・ビ
ーム露光及び現像を施して、（ロ））＃記聞形状イオン
ビーム・レジスト９をマスクとしてＲ工Ｆ！（リアクテ
ィブ イオンエッチ）によるＲ工Ｅエッチ１０を施して
８ｉエピタ千シヤル３を図形状にエッチして、ＳａＣチ
ャンネリング・マスクができる。
本発明による８ｊＯチヤンネリング・マスクによると、
啄めて薄いメンプラン膜が均一な厚さで形成できる効果
ｈｔある。
啄めて薄いメンプラン膜が均一な厚さで形成できる効果
ｈｔある。
第１図（ロ））〜（ｑ）は本発明の一実施例を示すｓｅ
ａチャンネリングマスクの製作工程図である。 第２図ｂ）〜（ａ）は、従来のチャンネリングマスクの
製造工種断面図。 第３図は従来のシリコンチャンネリングマスクの断面図
。 １．２０．５０・・・・・・ｇｉ単結晶２・・・・・・
ｓｉ ｃ ３．２１．３１ ・・・・・・Ｓｉエピタ千シャル層４
．２２・・・・・・ｓｈｏ雪 ５、６．２５．２６・・・・・・５４ａＮ４７…・・・
裏面エッチ ８．２４・・・・・・パイレヴクスｅ１１ング９．２５
・・・・・・イオンビーム露光マスク１０・・・・・・
Ｒ工Ｅエッチ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最上 務 他１名°゛−２゛ 第２図
ａチャンネリングマスクの製作工程図である。 第２図ｂ）〜（ａ）は、従来のチャンネリングマスクの
製造工種断面図。 第３図は従来のシリコンチャンネリングマスクの断面図
。 １．２０．５０・・・・・・ｇｉ単結晶２・・・・・・
ｓｉ ｃ ３．２１．３１ ・・・・・・Ｓｉエピタ千シャル層４
．２２・・・・・・ｓｈｏ雪 ５、６．２５．２６・・・・・・５４ａＮ４７…・・・
裏面エッチ ８．２４・・・・・・パイレヴクスｅ１１ング９．２５
・・・・・・イオンビーム露光マスク１０・・・・・・
Ｒ工Ｅエッチ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最上 務 他１名°゛−２゛ 第２図
Claims (1)
- 単結晶ＳｉＣをメンブラン膜となし、該ＳｉＣメンブ
ラン膜上に単結晶Ｓｉエピタキシャル層を図形状に構成
した事を特徴とするイオンビーム露光マスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61277483A JPS63129623A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | イオンビ−ム露光マスク |
| KR1019870011307A KR930001889B1 (ko) | 1986-10-13 | 1987-10-13 | 이온빔 노출마스크 |
| US07/107,424 US4902897A (en) | 1986-10-13 | 1987-10-13 | Ion beam gun and ion beam exposure device |
| KR1019920019579A KR930001433B1 (ko) | 1986-10-13 | 1992-10-23 | 이온 빔 총 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61277483A JPS63129623A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | イオンビ−ム露光マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63129623A true JPS63129623A (ja) | 1988-06-02 |
Family
ID=17584222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61277483A Pending JPS63129623A (ja) | 1986-10-13 | 1986-11-20 | イオンビ−ム露光マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63129623A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03295181A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Amp Japan Ltd | モジュール型コネクタ |
| JPH0782098A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 炭化珪素埋め込み層をもつシリコン基板及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-11-20 JP JP61277483A patent/JPS63129623A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03295181A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Amp Japan Ltd | モジュール型コネクタ |
| JPH0782098A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 炭化珪素埋め込み層をもつシリコン基板及びその製造方法 |
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