JPS614272A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、例えばファクシミリ等に用いられ、原稿など
の画像情報を時系列の電気信号に変換するイメージセン
サに係り、特（二、−次元に配列された光電変換素子と
、この光電変換素子を駆動する回路とを同−基板に具え
、原稿を近接させて用いる密着型イメージセンサに関す
る。

〔発明の技術的背景とその問題点〕　　　　　′近年、
ファクシミリなどに用いられる画像読み収り装置を小型
化するために、密着型イメージセンサの開発が盛んであ
る。密着型イメージセンサは、原稿と同一幅に所望の解
像度で光電変換素子を一列に配し、原稿を近接させて画
像情報を読み収るイメージセンサである。

通ｒｐＨ密看型イメージセンナは、同一基板上（二光電
反換素子を設け、さらにこの光電変換素子を駆動する駆
動回路を設けて構成される。しかしながら、同一基板上
に、光電変換素子を形成し、続いて駆動素子の実装・配
線と順を追って進めることは、光電変換素子が駆動素子
の実装・配線時シ二基恢上に既にあるため実装部の修復
が困難となるなど、歩留りの低下を招いているーこの歩
留りの低下を防止した密着型イメージセンチが、特願昭
５８−２０８５８６号に開示されている。この密看型イ
メージセンナは、光電変換素子を形成する基板と、光電
変換素子の駆動回路！実装・配線する基板とを分割し、
光電変換素子を形成する基板に透光性基板を用い、薄膜
で電極および光電変換素子を形成し、駆動回路を形成す
る基＆をセラミック基板を用いて厚膜スクリーン印刷法
によって駆動素子の配線を形成し、割基板をそれぞれ°
の工程が完了した後、黒色の接着剤を用いて裏打ち基板
に接着することを特徴としたものである。

しかしながら、近年、小型の基板上に高密な配線をし、
密着型イメージセンサを小型化する方向に技術の潮流が
ある。この為、駆動回路部も微細な配線がなされるよう
になり、特願昭５８−２０８５８６号に示した密着型イ
メージセンナの如く駆動回路部を厚膜で形成することは
、微細な配線を行なうし ことを困難とな−％密着型イメージセンナが大型化する
危険がある。

〔発明の目的〕

本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので。

光検出素子を形成する基板と、光検出素子の駆動回路を
実装・配線する基板とを分割して設けることにより、歩
留りを向上させ得、かつ廉価（二し得る密着型イメージ
センサを提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

上述の目的を達成するために、本発明の密着型イメージ
センサは、光電変換素子からなるセンサ基板と、この光
電変換素子を駆動する駆動回路からなる駆動基板とに分
割し、それぞれの基板の配線等を薄膜により形成したこ
とを特徴とする。したがって、駆動回路を高密度化にす
ることが可能となる。

〔発明の実施例〕

以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。

第１図及び第２図において、裏打ち基板（７）上には第
１のセラミック基板（１）および第２のセラミック基板
（８）がシリコーン樹脂系の接着部材（９）により接着
される。この第１のセラミック基板（１）上には共通電
極（２）および個別電極（５）が形成され、この個別電
極（５）上にはＰＩＮ接合の光電変換素子が薄膜で形成
され、さら（＝、この光電変換素子（３）および共通電
極（２）上には透光性共通室＆　（４）が形成される。

このようにして、第１のセラミック基板（５）上にセン
サ基板が構成される。一方、第２のセラミック基板（８
）上には光電変換素子（３）を駆動する駆動用ＩＣ（６
）およびこの駆動用ＩＣ（６）にワイヤポンディン′　
グされた個別電極（５０１）および共通電極（２０１）
よりなる光電変換素子駆動回路が薄膜で形成される。

このようにして、第２のセラミック基板（８）上には駆
動基板が形成される。第１のセラミック基板（１１上の
共通電極（２）および個別電極（５）と、第２のセラミ
ック基板（８）上の共通電極（２０１）および個別電極
（５０１）とはそれぞれ対応してワイヤボンディングさ
れる。　。

第１図および第２図に示した密接型イメージセンサは、
センナ基板と駆動基板とを別々に形成し、接続するので
歩留りが向上し、密着型イメージセンナ価格の低減が図
れる。さらに、光電変換素子（３）からなる画素が１ｍ
当り８個、１２個、および１６個となる高解像度用の密
着型イメージセンサにおいては、センサ基板上の画素が
高密度化となることに伴い、駆動基板上の駆動回路も高
密度化となる。したがって駆動回路も薄膜で形成するこ
とにより小型の駆動基板にて、高密度配線が可能とな、
る。また、センナ基板、駆動基板とを別々に製作手 することにより、その薄膜工程での子製品の流品は必要
最小限の形状で行なわれるので、その生産性は大幅に向
上する。その上、合体時仁は、センサ基板、駆動基板の
良品のみが行なわれ、その基板間の結線に自由度及び信
頼性が高いワイヤボンディングを採用することにより、
製品性能の安定したものが得られる効果もある。これ以
外に、ワイヤボンディング時にワイヤボンディングの結
線副次的効果もある。なお、第ｌのセラミック基板（１
）のかわりに、裏面を粗面状にしたガラス基板等を用い
、接着部材（９）に黒色接着剤を用いれば、黒色接着剤
と裏面の乱反射処理のため、ガラス基板を使用してもガ
ラス基板裏面の反射のｆｉｌを受けず原稿からの画像情
報を精度よく読みとることができる利点がある。

次に第３図を参照して本発明の他の実施例を説明する。

第３図において、密着型イメージセンサは、センサ基板
（１００）と駆動基板（１０３）とｙ！−裏打、ち基板
（ｔＯＳ）に接着部材ヲ介して構成されている。センサ
基板（１００）は、第１のセラミック基板上に薄膜技術
により光電変換素子（図示せず）を高密度で直線状（図
の表面から裏面への方向）にセンナ部薄膜導体Ｈｏｔ）
の略中央位置に配置して構成されている。このセンサ部
薄膜導体（ｌｏｔ）および光電変換素子（図示せず）上
には、透明な接置部材（図示せず）を介して光透過用ガ
ラス板（１０２）が機械的保護を目的として配置されて
いる。第２のセラミツ゛り基板上に薄膜技術により駆動
回路を形成して、駆動基板（１０３）は構成されている
。このｆ　　　　駆動回路上（：は、樹脂ベーヘト（図
示せず）を介して駆動用Ｉ　Ｃ（１０４）がマウントさ
れている。１枢動回路と駆動用Ｉ　Ｃ（１０４）の入出
力ボンディングパッドとは、ボンディングワイヤ（１０
５）により電気的に接続している。また、（１０６）は
ボンディングワイヤ（１０５）の保護用エンキャップ材
であり、（１０７）は集積回路（１０４）　、ボンディ
ングワイヤ（１０５）　、及び配線パターンを外部から
機械的保護をするための保護カバーであり、絶縁ペース
ト（図示せず）を介して駆動基ｖｉ（１０３）に載置固
定される。なお、配線パターン部は、駆動回路（１０４
）載置部、ボンディングパット部、及び外部回路（図示
せず）との入出力部分を除き高温ポリイミド樹脂等によ
りパッシベーションを施している。

また、センナ基板（１００）と駆動基板（１０３）とは
、ボンディングワイヤ（１０９）により行われている。

このボンディングワイヤ（１０９）は、エンキャップ材
（ｔｔｏ）　ｃより保護されている。

第３図に示す密着型イメージセンサは、ボンディングワ
イヤ（１０９）　’！’エンキャップＨ（ｔｉｏ）によ
り保護しているので、第１図及び第′２図に示した密着
型イメージセンナよりも信頼性が向上する。

次に第４図を参ｌｌ＜（して本発明の他の実施例を説明
すル。＄４図において、駆動基板（１０３）上にセンサ
基板（ｉｏｏ）ン接着部材（図示せす）を介して接着固
定したものである。第４図に示した密着型イメージセン
サは、裁板を小型化することと、センサ基板（１００）
奢原稿面（図示せず）に距離的に近づけることとに有効
である。なお、保護カバー（１０７）は合体後に接置取
付ければ良く、エンキャップ材（１００）まで保護カバ
ー（ｔｏ？）が延在しているのは集積回路の光ノイズ防
止のためである。

さらに、第５図を参照して本発明の密着型イメージセン
ナの回路図を説明する。

第５図において、（３０１）はガラス基板等の高抵抗基
板上に薄膜技術によって一列に高密度に並べた複数の光
電変換素子で、（３０２）は光電変換素子（３０１）か
らの光電変換信号に応答し、信号処理回路等からなる光
電変換素子駆動用集積回路、　（３０３）は光電変換素
子（３０１）の一端（３１０）を共通接続した共通電極
（３０４）は充電変換素子（３０１）を集積回　４゜路
（３０２）　′ｆｒ：通じて選択的に通電し読取をする
ための入力信号詳である。　　　　　　　　　　　　；
両口ｒ意」１！ゴ蚕、また前記光電変換素子（３０１）
のもう一端（ａｔｉ）は選択的に出力される集積回路（
３０２）の出力端子（３２１）に対応するように接続さ
れる。

（３０５）は集積回路（３０２）　＋７）出力信号用端
子、（３０６）は集積回路（３０２）への電源である。

このようにして紙幣鑑別装置の読取は所望の光電変換素
子（３０１）を選択的に通電させ行なわれる。なお、（
３３１）は光である。

〔発明の効果〕

本発明の密着型・ｆメージセンチは、光電変換素子を配
置したセンサ基板と、この光電変換素子を駆動する駆動
回路からなる駆動基板とに分割し、それぞれの基板の配
線等を薄膜により形成したことを特徴とする。したがっ
て、駆動回路等を簡易に高密度化することが可能となる
。また、これにより密着型イメージセンサが小型化する
こともできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の密着型イメージセンチの−実施例を示
す一部切欠斜視図、第２図は第１図の一部切欠断面図、
第３因は本発明の密着型イメージセンサの他の実施例を
示す断面図、第４図は本発明の密着型イメージセンサの
他の実施例を示す断面図、第５図をよ本発明の密着型イ
メージセンサの回路を示す模式図である。 （１）・・・第１のセラミック基板 ＋２１　、　（２０１）、　（３０４）・・・共通電極
（３１，（３０１）・・・光電変換素子（４）・・・透
光性共通電極 （５）、　（５０１）・・・個別電極 （６）・・・駆動用ＩＣ ＋７１．　（１０８）・・・裏打ち基板（８）・・第２
のセラミック基板 代理人　弁理士　則　近　憲　佑 （ほか１名） 第１図 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）第１の高抵抗基板上に薄膜で形成された共通電極
   、個別電極および光電変換素子よりなるセンサ基板と、
   第２の高抵抗基板上に薄膜で形成された共通電極、個別
   電極および駆動回路よりなる駆動基板と、前記センサ基
   板と前記駆動基板とを載置する裏打ち基板とを少なくと
   も具備することを特徴とする密着型イメージセンサ。
2. （２）前記駆動基板が前記裏打ち基板の役割をかね、且
   つ前記駆動基板上に前記センサ基板が載置固定されてい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の密着型
   イメージセンサ。