JPS6313352A - 半導体類の封止方法 - Google Patents
半導体類の封止方法Info
- Publication number
- JPS6313352A JPS6313352A JP15594686A JP15594686A JPS6313352A JP S6313352 A JPS6313352 A JP S6313352A JP 15594686 A JP15594686 A JP 15594686A JP 15594686 A JP15594686 A JP 15594686A JP S6313352 A JPS6313352 A JP S6313352A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- case
- welding
- laser
- infrared heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体類の封止方法にお°いて、熱可塑性樹
脂を使用したケースで溶着、封止する方法に関するもの
である。
脂を使用したケースで溶着、封止する方法に関するもの
である。
現在、半導体類の封止方法はエポキシ樹脂成形材料によ
るトランスファ成形が主体であるが、成形時間がながい
こと、自動化がむずかしいこと、チップに樹脂が直接ふ
れることが難点である。
るトランスファ成形が主体であるが、成形時間がながい
こと、自動化がむずかしいこと、チップに樹脂が直接ふ
れることが難点である。
この点を改善するために、予め熱可塑性樹脂でケースを
作っておき、リードフレームを接着、溶着する方法が考
えられている。例えば、特開昭５５−１０２２５７号公
報のように超音波方式があるが、その振幅のために配線
の破断を生じる。又、特開昭５６−１０１７６０号公報
のように加熱溶着法は、信頼性とパリが問題でちる。
作っておき、リードフレームを接着、溶着する方法が考
えられている。例えば、特開昭５５−１０２２５７号公
報のように超音波方式があるが、その振幅のために配線
の破断を生じる。又、特開昭５６−１０１７６０号公報
のように加熱溶着法は、信頼性とパリが問題でちる。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものでチシ、
その目的とするところは溶着部のパリ発生が少なく、安
定した気密性を有する半導体類の封止を確立することに
ある。
その目的とするところは溶着部のパリ発生が少なく、安
定した気密性を有する半導体類の封止を確立することに
ある。
本発明は、半導体類の素子をマウントしたり′−ドフレ
ームと、熱可塑性樹脂によって成形されたケースで挾み
こむ半導体類の封止方法において、少すくトもケースの
一方がリードフレームの溝ニ合致した凸部を有し、リー
ドフレームとの溶着は赤外線ヒーター又はレーザーで加
熱することを特徴とする半導体類の封止方法である。ケ
ースの材質である熱可塑性樹脂は、耐熱性のあるエンジ
ニアリングプラスチック特に、ビリフェニレンサルファ
イド、ダリエーテルサルフォン、イリエーテルエーテル
ケトンなどがよい。いずれも結晶性樹脂であるので金型
温度は９０℃以下の低温成形、ケースの表面はコロナ放
電などで他性化させる方が望ましい。又、ケース１の少
なくとも一方の溶着面の形状は、リードフレームの溝に
合致するように凸部９が形成されている。ケース１及び
リードフレーム８は、予め２００〜２５０℃に金型３で
加熱しておく。加圧装置５に送られてきたケースの溶着
面を赤外線ヒータもしくはレーザー４にて０．５〜１．
０秒３００〜３５０℃に加熱する。加熱０，５〜１．０
秒後に速やかに加圧装置５によシ、１０〜５０に９の圧
力で加圧する。
ームと、熱可塑性樹脂によって成形されたケースで挾み
こむ半導体類の封止方法において、少すくトもケースの
一方がリードフレームの溝ニ合致した凸部を有し、リー
ドフレームとの溶着は赤外線ヒーター又はレーザーで加
熱することを特徴とする半導体類の封止方法である。ケ
ースの材質である熱可塑性樹脂は、耐熱性のあるエンジ
ニアリングプラスチック特に、ビリフェニレンサルファ
イド、ダリエーテルサルフォン、イリエーテルエーテル
ケトンなどがよい。いずれも結晶性樹脂であるので金型
温度は９０℃以下の低温成形、ケースの表面はコロナ放
電などで他性化させる方が望ましい。又、ケース１の少
なくとも一方の溶着面の形状は、リードフレームの溝に
合致するように凸部９が形成されている。ケース１及び
リードフレーム８は、予め２００〜２５０℃に金型３で
加熱しておく。加圧装置５に送られてきたケースの溶着
面を赤外線ヒータもしくはレーザー４にて０．５〜１．
０秒３００〜３５０℃に加熱する。加熱０，５〜１．０
秒後に速やかに加圧装置５によシ、１０〜５０に９の圧
力で加圧する。
第１図が本発明で使用する溶着機の概略図である。３の
金型でケースは予め予熱されている。６の加圧金型に順
次送）込まれたケース１とリードフレーム８は内蔵され
ている赤外線ヒータ若しくはレーザー４によシ瞬間的に
溶着面が加熱され、加圧される。
金型でケースは予め予熱されている。６の加圧金型に順
次送）込まれたケース１とリードフレーム８は内蔵され
ている赤外線ヒータ若しくはレーザー４によシ瞬間的に
溶着面が加熱され、加圧される。
本発明に従うと、エポキシ樹脂のトランスファ成形に比
べて、ケースが早く又、安くできるので、合理的である
。
べて、ケースが早く又、安くできるので、合理的である
。
又、ケースの形状をリードフレームの溝に合致させてい
るので溶着した時のパリの発生が少なく、赤外線ヒータ
やレーザーによる瞬間的加熱は、ヒーターや熱風に比較
して非常に安定した温度が得られるので溶着した部分の
安定した密着性、耐湿性が得られる。
るので溶着した時のパリの発生が少なく、赤外線ヒータ
やレーザーによる瞬間的加熱は、ヒーターや熱風に比較
して非常に安定した温度が得られるので溶着した部分の
安定した密着性、耐湿性が得られる。
１６ ｐｉｎ ＤＩＰ用のリードフレームに合致させた
ケースを、ピリフェニレンサルファイドで、金型温度８
０℃で成形した。
ケースを、ピリフェニレンサルファイドで、金型温度８
０℃で成形した。
ケース及びリードフレームを溶着機の予熱型に挿入し、
２５０℃に予熱した。予熱されたケース及びリードフレ
ームをレーザーによ、Ｄ ０．５秒加熱溶融させ２０ｋ
ｆの圧力をかけて圧着した。得られた製品は有害なパリ
発生もなく、１２５℃ＰＣＴにおいても良好な結果が得
られた。
２５０℃に予熱した。予熱されたケース及びリードフレ
ームをレーザーによ、Ｄ ０．５秒加熱溶融させ２０ｋ
ｆの圧力をかけて圧着した。得られた製品は有害なパリ
発生もなく、１２５℃ＰＣＴにおいても良好な結果が得
られた。
第１図は本発明で使用する溶着機の概略断面図及び第２
図は本発明で使用するケースの断面図である。
図は本発明で使用するケースの断面図である。
Claims (1)
- 半導体類の素子をマウントしたリードフレームと、熱可
塑性樹脂によって成形されたケースで挾みこむ半導体類
の封止方法において、少なくともケースの一方がリード
フレームの溝に合致した凸部を有し、リードフレームと
の溶着は赤外線ヒーター又はレーザーで加熱することを
特徴とする半導体類の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15594686A JPS6313352A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 半導体類の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15594686A JPS6313352A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 半導体類の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313352A true JPS6313352A (ja) | 1988-01-20 |
Family
ID=15616979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15594686A Pending JPS6313352A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 半導体類の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6313352A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110061A (en) * | 1979-02-17 | 1980-08-25 | Hitachi Chem Co Ltd | Fabrication of semiconductor package |
| JPS5633847A (en) * | 1979-08-28 | 1981-04-04 | Hitachi Chem Co Ltd | Package molding for semiconductor |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP15594686A patent/JPS6313352A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110061A (en) * | 1979-02-17 | 1980-08-25 | Hitachi Chem Co Ltd | Fabrication of semiconductor package |
| JPS5633847A (en) * | 1979-08-28 | 1981-04-04 | Hitachi Chem Co Ltd | Package molding for semiconductor |
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