JPS631355U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS631355U JPS631355U JP9481386U JP9481386U JPS631355U JP S631355 U JPS631355 U JP S631355U JP 9481386 U JP9481386 U JP 9481386U JP 9481386 U JP9481386 U JP 9481386U JP S631355 U JPS631355 U JP S631355U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- light shielding
- insulating film
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
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- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
第１図は、本考案の薄膜トランジスタを示す断
面図、第２図は、従来構造の薄膜トランジスタを
示す断面図である。 １，１′…ガラス基板、２，２′…ゲート電極
、３，３′…ゲート絶縁膜、４，４′…半導体膜
、５，５′…ドレイン電極、６，６′…ソース電
極、７，７′…チヤネル保護用絶縁膜、８，８′
…遮光膜。
面図、第２図は、従来構造の薄膜トランジスタを
示す断面図である。 １，１′…ガラス基板、２，２′…ゲート電極
、３，３′…ゲート絶縁膜、４，４′…半導体膜
、５，５′…ドレイン電極、６，６′…ソース電
極、７，７′…チヤネル保護用絶縁膜、８，８′
…遮光膜。
Claims (1)
- 基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜
、ドレイン電極並びにソース電極、チヤンネル保
護用絶縁膜、及び遮光膜を順次積層してなり、上
記遮光膜を２．０ｅＶの光に対して１．０×１０
５cm−１以上の光吸収係数を有する非晶質半導体
膜にて構成した事を特徴とする薄膜トランジスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9481386U JPS631355U (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9481386U JPS631355U (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS631355U true JPS631355U (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=30958651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9481386U Pending JPS631355U (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS631355U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0943632A (ja) * | 1995-05-19 | 1997-02-14 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP9481386U patent/JPS631355U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0943632A (ja) * | 1995-05-19 | 1997-02-14 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ |