JPS63137984A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、表示素子や、液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子、更に詳しくは、電界に対する応答特性が
改善された新規な強誘電性液晶組成物を使用する強誘電
性液晶素子に関するものである。

〔背景技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著
“Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ”
Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４　（１９７１，，２，１５）、Ｐ
、１２７〜１２８の“Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｐｅｎｄｅｎ
ｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　
　ａＴ　ｗ　ｉ　ｓ　ｔ　ｅ　ｄ　Ｎ　ｅ　ｍ　ａ　ｔ
　ｉ　ｃ　Ｌ　ｉ　ｑ　ｕ　ｉ　ｄ　Ｃｒ　ｙ　ｓ　ｔ
　ａ　ｌ″に示されたＴＮ　（ｔｗｉｓｔｅｄ　　ｎｅ
ｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多（の応用のためには遅すぎる。

このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋおよ
びＬａｇｅｒｗａｌｌにより提案されている（特開昭５
６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号
明細書等）。双安定性液晶としては、一般にカイラルス
メクテイツクＣ相（Ｓ　ｍ　Ｃ”）又はＨ相（ＳｍＨ”
）を有する強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液
晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的
安定状態からなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ
型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば
一方の電界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液
晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学
的安定状態に液晶が配向される。またこの型の液晶は、
加えられる電界に応答して、上記２つの安定状態のいず
れかを取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維
持する性質（双安定性）を有する。

以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

このように強誘電性液晶はきわめて優れた特性を潜在的
に有しており、このような性質を利用することにより、
上述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、か
なり本質的な改善が得られる。

特に高速光学光シャッターや、高密度、大画面ディスプ
レイへの応用が期待される。

〔発明の解決しようとする問題点〕

このため、強誘電性液晶素子に用いる強誘電性を持つ液
晶材料に関しても広（研究がなされているが、現在まで
報告されている強誘電性液晶素子で■低温作動の温度範
囲を広げ、■低温での高速応答性を増すことを満足する
ものはほとんど無い。

本発明の目的は前述の欠点又は不利を解消した強誘電性
液晶素子を提供することにある。

また、本発明の別の目的は新規な強誘電性液晶組成物を
提供することにある。又、更に本発明の別の目的は双安
定なモノドメイン性を示す良好な配向状態を有する強誘
電性液晶素子を提供することにある。

〔発明の解決するための手段〕

強誘電性液晶素子に使用される強誘電性液晶組成物は本
発明者らの研究によれば下記一般式（Ｉ）で表される液
晶化合物を混合することにより、それを添加していない
場合に比ベスメクチツクＣ相を与える温度領域が特に低
温側において広がり且つ、応答速度が向上し、表示特性
が改善されることが見出されたのである。

以下本発明を更に詳細に説明する。以下の記載において
量比を表す「％」および「部」はいずれも重量基準とす
る。

Ｒｌ−Ａ　、−Ｘ　、−０−Ａ２−Ｘ２−Ｃ−Ｒ２・・
・・・・・（Ｉ）（式中、Ｒ８は置換基を有していても
良い分岐または直鎖の鎖状基を示す。

好ましくは、Ｒ１は置換基を有しても良い、メチル、エ
チル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、イソプ
ロピル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロピル
オキシ、ブトキシ、２−メチルブトキシ基等のアルコキ
シ基、アセチル、プロピオニル、ブチニル、バレリル、
バルミトイル、２−メチルプロピオニル等のアシル基、
アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチニルオキシ
、２−メチルプロピルオキシ等のアシルオキシ基、メト
キシカルボニル、エトキシカルボニル、ブトキシカルボ
ニル、２−メチルブトキシカルボニル等のアルコキシカ
ルボニル基、及びメトキシカルボニルオキシ、エトキシ
カルボニルオキシ、ブトキシカルボニルオキシ、２−メ
チルブトキシカルボニルオキシ等アルコキシカルボニル
オキシ基から選ばれ、Ｒ２は置換基を有しても良い、メ
チル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル
、イソプロピル等のアルキル基及びメトキシ、エトキシ
、プロピルオキシ、ブトキシ、２−メチルブトキシ等の
アルコキシ基から選ばれる。

さらに好ましくは、Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれか
一方は不斉炭素を持つ置換基を有していても良い分岐ま
たは直鎖アルキル基を有する鎖状基を示す。更にＲ１及
びＲ２の示す置換基としては、フッ素、塩素、臭素等の
ハロゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、
ブトキシ等のアルコキシ基、トリフルオロメタン又はシ
アノ基等が挙げられる。

Ａ１及びＡ２は置換基を有していても良い、六員環を有
する２価の基を示す。Ａ、及びＡ２の示す六員環を有す
る基の好ましい具体例は下記一般式％式％ （式中、Ａ３及びＡ４は置換基を有していても良い（つ
。

より選択するのが好ましく、ｍ、ｎは０．　１または２
であり、かつｍ　十ｎ　＝　１または２で示される。

又、更にＡ３及びＡ４の示す置換基としては、フッ素、
塩素、臭素等のハロゲン原子、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ等のアルコキシ基、トリフルオロメタン又はシア
ノ基等が挙げられる。）Ｘｌ及びｘ２は２価の鎖状基で
あり、好ましくは一０ＣＨ２Ｃ−から選ばれ、Ｘ２が−
ＣＨ＝ＣＨ−、、］１ −ＣＨ２ＣＨ２−及び−ＣＨ２−から選ばれることが望
ましい。

以下に、一般式（Ｉ）で示す化合物についての代例示化
合物Ｎｏ。

ＣＴ４ワ Ｏす 次に本発明で用いる化合物の代表的な合成例を下記に示
す。

〔合成例１）Ｐ−プロピルベンジルオキシ−Ｐ’　−（
２−エトキシプロピルオキシカルボニルビニレン）ビフ
ェニル（化合物例（１６））の合成Ｐ−ヒドロキシ−（
２−エトキシプロピルオキシカルボニルビニレン）ビフ
ェニル０．９９ｇをテトラヒドロフラン５ｍｌに溶解さ
せた所へ水素化ナトリウム０．０８ｇテトラヒドロフラ
ン３ｍｊ２と共に加え撹拌した。次いで、Ｐ−プロピル
ベンジルアルコール０．４５ｇをテトラヒドロフラン３
ｍｌに溶解させたものを反応溶液中に加え、撹拌しなが
ら、２時間加熱還流させた後にさらに室温で６時間反応
させた。

次に反応混合物を水に注入した後酢酸で中和し、イソプ
ロピルエーテルで抽出した。得られた有機層を硫酸ナト
リウムで乾燥後、溶媒を留去しシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーで精製した。（移動層、５％メタノール／
クロロホルム）収量　０．８３ｇ〔合成例２’ＩＰ−オ
クトキシ安息香酸Ｐ’　−（２−エトキシプロピル）オ
キシカルボニルフェネチルエステル（化合物例（１））
の合成 ３−ヒドロキシプロピオン酸２−エトキシプロピルエス
テル１．０ｇにピリジン３．２ｍＩ！を加え氷冷した後
、Ｐ−オクチルオキシカルボン酸塩化物１．０ｇを６ｍ
ｊｌ！のトルエン溶液としたものを滴下して加え２０℃
以下で３時間撹拌した後、室温で２０時間撹拌した。反
応終了後、反応混合物を水に注入し、ｌＮＨＣｌで酸性
にした後、酢酸エチルで抽出を行った。得られた有機層
はさらに水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留
去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動層、
ヘキサン；酢酸エチル＝３　：　１）で精製した。収量
１．２ｇ以上、代表的な化合物の合成法について述べた
が、一般式（Ｉ）で示される他の化合物も同様にして合
成された。

前記一般式（Ｉ）で表される化合物において、−Ｘ３ニ
ーＣＨ−ＣＨ−２−ＣＨ２ＣＨ２−９−ＣＨ２−９−Ｏ
ＣＨ２−、単結合 Ｐ　：０または１ とするとこの・化合物は以下のようにして合成される。

ｐ＝ｏのとき（例：合成例１） Ｒ、−Ａ　、−Ｘ　、−１＋　ＨＯ−Ａ２−ｘ２−ｃ−
Ｒ２Ｐ＝１のとき（例：合成例２） Ｒ，−Ａ、−Ｘ、−ＣＩ！＋ＨＯ−Ａ２−Ｘ２−Ｃ−Ｒ
２ここで使用している記号は前項で定義した通りである
。

本発明の液晶素子は、上記のように得られた一般式（Ｉ
）で与えられる化合物を少なくとも１種類、配合成分と
して含有する液晶組成物を用いたものである。

また、本発明による強誘電性液晶素子は前記液晶組成物
を真空中、等方性液体温度まで加熱し、素子セル中に封
入し、除々に冷却し液晶相を形成させ常圧に戻すことに
より得るのが望ましい。

本発明に用いる他の強誘電性液晶化合物とじて［亘］ 本発明の化合物と本発明の化合物以外の１種以上の上述
強誘電性液晶化合物（以下強誘電性液晶材料と略す）と
の配合割合は、強誘電性液晶材料１００重量部当たり本
発明の化合物を１〜５００重量部とすることが好ましい
。また、本発明の化合物を２種以上用いる場合も、強誘
電性液晶材料との配合割合は前述した強誘電性液晶材料
１００重量部当たり本発明の化合物の２種以上の混合物
を１〜５００重量部とすることが好ましい。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶表示素子の１例の断面
概略図である。

第１図において付号ｌは強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御膜、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２０３　、　５
ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘ
ｉｄｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。

その上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセ
テート植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に
並べる絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物
質として例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコ
ン炭化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有す
る硼素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、
ジルコニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウ
ムなどの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニル
アルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエス
テルイミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセクール、ポリ塩化ビニル、
ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロー
ス樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフ
ォトレジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御膜とし
て、２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、
また無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性
配向制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層
が無機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有
機絶縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（
溶剤に０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重
量％）を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スク
リーン印刷法、スピジー塗布法、ロール塗布法等で塗布
し、所定の硬化条件下（例えば加熱）下で硬化させ形成
させることができる。

絶縁性配向層の層の厚みは通常５０人〜１μ、好ましく
は１００人〜５０００人さらに好ましくは５００人〜３
０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間か（に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカ
ビーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板
２枚で挟持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着
材を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとし
て高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い
。その間に強誘電性液晶が封入されている。

強誘電性液晶が封入される素子セル厚は、一般に０．５
μ〜２０μ、好ましくは１μ〜５μである。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り
合わせである。

第１図は透過型なので光源９を備えている。

第２図は、強誘電性液晶素子の動作説明のために、セル
の例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそ
れぞれＩｎ２０３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電
極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶
分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ
＊相又はＳｍＨ＊相の液晶が封入されている。太線で示
した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２
３はその分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ土
）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に
一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のら
せん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ±）２４がす
べて電界方向に向（よう、液晶分子２３は配向方向を変
えることができる。液晶分子２３は、細長い形状を有し
ており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し
、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの
偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わ
る液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはＰｂは上向き（３４ａ）又は下向き（３４ｂ）のど
ちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示す
如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅａ又はＥｂを電
圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極子モ
ーメントは電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対応して
上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向きを変え、それに応
じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあるいは第２
の安定状態３３ｂの何れか１方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向き
の電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態２
３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界
を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅａ
あるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ前
の配向状態にやはり維持されている。

以下実施例により本発明の化合物について更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。

実施例１ ２枚の０．７ｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガラ
ス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成した。

さらにこの上にＳｉＯ２を蒸着させ絶縁層とした。

ガラス板上にシランカップリン剤〔信越化学■製ＫＢＭ
−６０２：Ｉ　Ｏ，２％イソプロピルアルコール溶液を
回転数２００Ｏｒ、ｐ、ｍのスピードで１５秒間塗布し
表面処理を施した。この後１２０℃にて２０分間加熱乾
燥処理を施した。

さらに表面処理を行ったＩＴＯ膜付きのガラス板上にポ
リイミド樹脂前駆体〔東しくＩｔｅＳＰ−５１０）　２
％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２０００ｒ、ｐ、
ｍのスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後、６０分間
３００℃加加熱台焼成処理を施した。この時の塗膜の膜
厚は約７００人であった。

この焼成後の被膜にはアセテート植毛布によるラビング
処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗浄
し、平均粒径２μｍのアルミナビーズを一方のガラス板
上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互いに平
行となる様にし、接着シール剤〔リクソンボンド（チッ
ソ■）〕を用いてガラス板をはり合わせ、６０分間１０
０℃にて加熱乾燥しセルを作成した。このセルのセル厚
をベレツク位相板によって測定したところ、約２μｍで
あった。

次に前記例示化合物Ｎα１と下記構造式で示される強誘
電性液晶化合物を下記の重量部で混合し、重量部 例示化合物Ｎｏ、　１　　　　　　　　　　　　　　　
５（以下　＊印は不斉炭素を示す） 等吉相下、均一混合液体状態で前述の方法で作製したセ
ル内に真空注入した。等吉相から０．５°Ｃ／ｈで３０
℃まで徐冷することにより、強誘電性液晶素子を作成し
た。

この強誘電性液晶素子を使ってピーク・トウ・ピーク電
圧２０Ｖの電圧印加により直交ニコル下での光学的な応
答を電圧印加時から透過光量変化が９０％変化するまで
の間を検知して応答速度（以後光学応答速度という）を
測定した。その結果を次に示す。

２０°Ｃ３０°Ｃ’　　　　　４０°Ｃ３７０μ５ｅｃ
３４０μ５ｅＣ２９５μＳｅＣ比較例１ 実施例１で使用した例示化合物Ｎ００１を強誘電性液晶
層に含有させなかった以外は全〈実施例１と同様の方法
で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を測定した
。その結果を次に示す。

２０８Ｃ３０°０　　　　４０℃ ４２０μ５ｅＣ３８０μ５ｅＣ３２５μＳｅＣ実施例２ 実施例１で使用した強誘電性液晶化合物ｌに代えて、下
記構造式で示す強誘電性液晶化合物を各重量部で用いた
ほかは、実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作
成し、実施例１と同様の方法で光重置部 ２５°０　　　　　３５°０　　　　　５０℃６００μ
ＳｅＣ４５０μＳｅＣ２００μＳｅＣ比較例２ 実施例２で使用した例示化合物Ｎｏ、１を強誘電性液晶
層に含有させなかった他は実施例２と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応
答速度を測定した。その結果を夕暮こ示す。

２０°０２５°Ｇ　　　３５８０　　　５０℃　　６０
’Ｃ８０”Ｃ１１００μｓｅｃ　　７３０　μｓｅｃ　
　５１０μｓｅｃ　　２３０μｓｅｃ　　１７０　ｐ　
ｓｅｃ　　１００μｓｅｃ実施例３ 実施例１で使用した強誘電性液晶化合物に代えて、下記
構造式で示す、強誘電性液晶化合物を各重量部で用いた
ほかは、実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作
成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定した
。その結果を次に示す。

２５°Ｃ；　３２００μｓｅｃ　　３５°Ｃ；　２６０
０μｓｅｃ　　４５°Ｃ；　１６００　μｓｅｃ比較例
３ 実施例３で使用した例示化合物Ｎｏ、１を強誘電性液晶
層に含有させなかった他は実施例３と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応
答速度を測定した。その結果を次に示す。

２０°Ｃ２５°Ｃ３５°Ｃ４５°Ｃ ５４００μｓｅｃ　　　３６００　μｓｅｃ　　　２９
００　ｐ　ｓｅｃ　　　１８００　μｓｅｃ実施例４ 実施例１で使用した強誘電性液晶化合物に代えて、下記
構造式で示す強誘電性液晶化合物を各重量部で用いたほ
かは、実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成
し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

５５°Ｃ；　　１００７ｚｓｅｃ　　　　６５°Ｃ；９
０μ５ｅＣ７０°Ｃ；測定不能比較例４ 実施例４で使用した例示化合物Ｎ００１を強誘電性液晶
層に含有させなかった他は実施例４と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応
答速度を測定した。その結果を次に示す。

７５℃　；　　Ｚｏｏ　μｓｅｃ 実施例５ 実施例１で使用した強誘電性液晶化合物に代えて、下記
構造式で示す強誘電性液晶化合物を各重量部で用いたほ
かは、実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成
し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

２５°Ｃ；　１５００７ｚｓｅｃ　　３５°Ｃ；　１３
００μｓｅｃ　　４５°Ｃ；８７０μＳｅＣ比較例５ 実施例５で使用した例示化合物Ｎｏ、１を強誘電性液晶
層に含有させなかった他は実施例５と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応
答速度を測定した。その結果を次に示す。

３５°Ｃ４５°Ｃ５０°Ｃ １５００μｓｅｃ　　　　１０００　μｓｅｃ　　　　
８００　μｓｅｃ実施例６ 実施例１で使用した強誘電性液晶化合物に代えて、下記
構造式で示す強誘電性液晶化合物を各重量部で用いたほ
かは、実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成
し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

５°Ｃ；　７５０μｓｅｃ　　　２０６Ｃ；　５００μ
ｓｅｃ　　　３５°Ｃ；　４３０μｓｅｃ比較例６ 実施例６で使用した例示化合物Ｎｏ、ｌを強誘電性液晶
層に含有させなかった他は実施例６と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応
答速度を測定した。その結果を次に示す。

５°Ｃ２０°Ｃ３５°Ｃ ９００μｓｅｃ　　　５６０μｓｅｃ　　　４８０μｓ
ｅｃ実施例８ 実施例１で使用したポリイミド樹脂前駆体２％ジメチル
アセトアミド溶液に代えて、ポリビニルアルコール樹脂
〔クラレ■製ＰＶＡ−１１７３２％水溶液を用いた他は
全く同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答
速度を測定した。

２０°Ｃ３０℃　　　　４０°Ｃ ３８０μｓｅｃ　　　３５０μｓｅｃ　　　２９０μｓ
ｅｃ実施例９ 実施例１で使用した５ｉＯ７を用いずに、ポリイミド樹
脂だけで絶縁性配向制御層を作成した以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応
答速度を測定した。

２０°Ｃ３０°Ｃ４０°Ｃ ３７０μｓｅｃ　　　　３５０　ｐ　ｓｅｃ　　　　３
１０　μｓｅｃ実施例１０〜１８ 実施例２で用いた例示化合物Ｎ０１１に代えて、例示化
合物２．４．６．９．　１２．　１４．■５．　１６を
表１に示す重量部で使用した以外は、実施例例２と全く
同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度
を測定した。その結果を表１に示す。

表　　　１ 〔発明め効果〕 本発明の化合物は強誘電性液晶素子の低温作動特性、高
速応答性等を改善し向上させる化合物であり、強誘電性
液晶素子に該化合物を含有させることによって、■低温
作動の温度範囲が広がり、■低温での高速応答性が増し
、■液晶層を良好な配向状態とした改善された強誘電性
液晶素子を得ることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の強誘電性液晶を用いた、液晶表示素子
の１例の断面概略図、 第２図および第３図は強誘電液晶素子の動作説明のため
に、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図。 第１図において、 １・・・強誘電液晶層　　　　２・・・ガラス基板３・
・・透明電極　　　　　　４・・・絶縁性配向制御膜５
・・・スペーサー　　　　　６・・・リード線７・・・
電源　　　　　　　　８・・・偏光板９・・・光源　　
　　　　　　■。・・・入射光■・・・透過光 第２図において、 ２１ａ・・・基板　　　　　　　２１ｂ・・・基板２２
・・・強誘電液晶層　　　　２３・・・液晶分子２４・
・・双極子モーメント（Ｐ土） 第３図において、

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板、電圧印加手段、配向制御層及び強誘電性液
   晶層を包含する強誘電性液晶素子において該強誘電性液
   晶層が下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・（
   I ） で表される化合物を少なくとも１種以上包含するもので
   あることを特徴とする強誘電性液晶素子。 （但し、式中Ｒ＿１及びＲ＿２は置換基を有していても
   良い分岐または直鎖の鎖状基を示し、Ｒ＿１とＲ＿２は
   同一であっても異なっいても良い。Ａ＿１及びＡ＿２は
   置換基を有していても良い、六員環を有する２価の基を
   示し、Ａ＿１及びＡ＿２は同一であっても異なっていて
   も良く、Ｘ＿１及びＸ＿２は２価の鎖状基である。）
2. （２）前記一般式（ I ）においてＲ＿１が置換基を有
   していても良い分岐または直鎖のアルキル基、アシル基
   、アシルオキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニ
   ル基及びアルコキシカルボニルオキシ基から選ばれ、Ｒ
   ＿２が置換基を有していても良い直鎖または分岐のアル
   キル基及びアルコキシ基からそれぞれ選ばれることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子
   。
3. （３）前記一般式（ I ）においてＲ＿１及びＲ＿２の
   少なくともいずれか一方は不斉炭素を持つことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子。
4. （４）前記一般式（ I ）においてＡ＿１及びＡ＿２が
   下記一般式（II）で示されることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子。 −（Ａ＿３）−＿ｍ−（Ａ＿４）−＿ｎ（II）（ただし
   、式中Ａ＿３及びＡ＿４は▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
   式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式、表
   等があります▼で表される置換基を有していても良い六
   員環を有する基であり、ｍ、ｎは０、１又は２であり、
   かつｍ＋ｎ＝１または２で示される。）
5. （５）前記一般式（ I ）においてＸ＿１が▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、▲数式、化学式、表等
   があります▼、 −ＣＨ＿２−、▲数式、化学式、表等があります▼及び
   ▲数式、化学式、表等があります▼から選ばれ、Ｘ＿２
   が−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、及び−ＣＨ
   ＿２−から選ばれることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の強誘電性液晶素子。
6. （６）前記一般式（ I ）においてＲ＿１及びＲ＿２の
   置換基がハロゲン原子、アルコキシ基、トリフルオロメ
   チル基及びシアノ基から選ばれることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子。
7. （７）前記一般式（ I ）においてＡ＿１及びＡ＿２の
   置換基がハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ト
   リフルオロメチル基及びシアノ基から選ばれることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子
   。
8. （８）特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子が
   液晶光変調素子である特許請求の範囲第１項記載の強誘
   電性液晶素子。
9. （９）特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子が
   、液晶表示素子である特許請求の範囲第１項記載の強誘
   電性液晶素子。