JPS63141366A - Ccdイメ−ジセンサ− - Google Patents

Ccdイメ−ジセンサ−

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Publication number
JPS63141366A
JPS63141366A JP61286740A JP28674086A JPS63141366A JP S63141366 A JPS63141366 A JP S63141366A JP 61286740 A JP61286740 A JP 61286740A JP 28674086 A JP28674086 A JP 28674086A JP S63141366 A JPS63141366 A JP S63141366A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image sensor
charge transfer
transfer region
charge
photoelectric conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61286740A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Murayama
任 村山
Takashi Mitsuida
高 三井田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP61286740A priority Critical patent/JPS63141366A/ja
Publication of JPS63141366A publication Critical patent/JPS63141366A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/15Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/158Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、CCDイメージセンサに関し、特に信号電荷
を転送するための転送領域に発生する不用電界を排出す
る機構を有するCCDイメージセンサに関する。
〔従来技術〕
従来、電荷転送ディバイスを用いたイメージセンサ(C
CDイメージセンサ)は第2図に示す構造となっている
。同図において、斜線で示される矩形領域1が画素とな
る光電変換部、垂直方向に延びる斜線部分2が電荷転送
領域fあり、光電変換部1と電荷転送領域2の間はトラ
ンスファゲート3を介して接続されている。水平方向に
は複数の転送電極4.5が延設され、転送電極4,5に
特定の駆動信号が印加されると、電荷転送領域2内にポ
テンシャル井戸が形成され、これらのポテンシャル井戸
の変化によって信号電荷が垂直方向(矢印Xf示す)K
転送される。尚、光電変換部1に発生した信号電荷を電
荷転送領域2へ移すには、転送電極5&C特定電位の制
御信号を印加してトランスファゲート3を導通させるこ
とにより行なわれる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、このような従来のCCDイメージセンサ
にあっては、電荷転送領域内に発生あるいは混入する不
要電荷に起因して、スミア現象を引き起こし、再生画像
を劣化させる問題がある・特に動画を撮映するムービー
カメラより得られ映像信号に基づいて画像を再生した場
合には、画像が動くためにこのスミアの影響は少ないが
、を子スチルカメラよりの映像信号に基づいて得られる
静止画では大きな問題となる。
従来は、このような問題点を解消する1こめに本来の撮
映前に通常と同じ電荷転送動作を行ない、電荷転送領域
内の不要電荷を出力端子を介して排出している。しかし
、画素数が多くなって転送すべき信号電荷が多くなるほ
どこの方法費は時間がかかり、本来の撮映のための処理
時間を圧迫し、設計の自由度を低下する問題な招来する
、また、制御回路が複雑となる問題もあった、 〔問題点を解決するだめの手段〕 本発明はこのような問題点に鑑みて成されたものであり
、電荷転送領域内の不要電荷を容易かつ短時間に排出し
、スミア現象の発生を防止することができるCCDイメ
ージセンサを提供することを目的とする、 この目的を達成するため本発明は、CCDイメージセン
サにおいて、電荷転送領域に、特定電圧の制御信号に基
づいて導通非導通となるチャネル部を介してオーバー7
0−ドレインヲ隣接して形成したことを技術的要点とす
る。
〔実施例〕
以下本発明によるCCDイメージセンサの一実施例を第
1図と共に説明する。
まず構成を説明すると、同図において、斜線で示される
矩形領域6が夫々の画素を形成する光電変換部〒あり、
夫々の光電変換部6の右側に電荷転送領域7が隣接して
形成されている(図中の垂直方向に延設された斜線部分
)。そして、相互に隣接する光電変換部6と電荷転送領
域7はトランスファゲート8を介して接続されている□
又、夫々の光電変換部6の左側には、オー・々−フロー
Pレイン9が隣接して形成され、他のトランスファゲー
ト10を介して相互に接続されている。そして、水平方
向には複数の転送電極11゜12が延設され、転送電極
11.12に所謂駆動信号を印加することにより、光電
変換素子乙に発生する信号電荷をトランスファゲート8
を介して電荷転送領域7へ移すと共K、電荷転送領域7
内を通常の電荷転送動作させることによ#)該信号電荷
を出力端子(図示せず)より外へ出力する。
更に、このように配置された電荷転送領域7とオーバー
70−ドレイン9のうち、相互に隣接する電荷転送領域
7とオーツ々−フロードレイン90間にチャネル部13
が形成されている。即ち、電荷転送領域7とオーバーフ
ロードレイン9との間の領域の上部に制御電極14が設
けられ、制御電極14に特定電圧の制御信号を印加する
ことによシチャネル部13を導通にし、電荷転送領域7
の電荷をオーバーフロードレイン9へ移すことカ1きる
ようになっている。一方、制御電極14に制御信号を印
加しない場合はチャネル部13は障壁となるの1.電荷
の移動は行なわれない。このオーバーフロードレイン9
は、特定の電圧が印加されており、このように移された
電荷は吸収されて除かれることになる、 また、オーバーフロードレイン9は、トランスファゲー
ト10を介して光電変換部6よりの電荷を吸収し、不用
電荷も除くことが1きる、尚、本発明でゲート10は必
須フはない。画素部に関しては周知の縦型オーバーフロ
ードレインを用いても良い。
このようにこの実施例によれば、電荷転送領域7に発生
あるいは残留した不要電荷をチャネル部13を介してオ
ーツマーフロードレイン9へ排出することが1き、この
動作は制御電極13を制御するだげなのマ、極めて容易
かつ短時間に行なうことかできる。
尚、この実施例では、電荷転送領域7とオーツセーフ0
−ドレイン9の間を全部分にわたってチャネル部13と
したが、これに限らず、長手方向に適宜の間隔及び幅で
複数のチャネル部を設けるようにしてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、電荷転送領域に転
送チャネルを介してオーバーフロードレインを設け、該
転送チャネルな導通にすることにより電荷転送領域内の
不要電荷を排出するようにしたの〒、極めて容易かつ短
時間で該不要電荷の除去を行なうことができるの1、他
の信号処理のために時間を有効利用することができるこ
ととなり設計の自由度を憎子ことができる。更に加えて
構造が簡素であることから高集積度のイメージセンサの
実現に極めて有効フある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるCCU<メージセンサの一実施例
を説明するため受光部の要部を示した平面図、第2図は
従来のCCDイメージセンサの受光部の構造を示す要部
平面図である。 6・・・光電変換部 7・・・電荷転送領域 8.10・・・トランスファゲート 9・・・オーバーフロードレイン 11.12・・・転送電極 13・・・チャネル部 14・・・制御電極 第  1  図 第  2  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 信号電荷を転送する電荷転送領域を有するCCDイメー
    ジセンサーにおいて、 前記電荷転送領域に、特定電圧の制御信号に基づいて導
    通・非導通となるチャネル部を介してオーバーフロード
    レインを設けたことを特徴とするCCDイメージセンサ
    ー。
JP61286740A 1986-12-03 1986-12-03 Ccdイメ−ジセンサ− Pending JPS63141366A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61286740A JPS63141366A (ja) 1986-12-03 1986-12-03 Ccdイメ−ジセンサ−

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61286740A JPS63141366A (ja) 1986-12-03 1986-12-03 Ccdイメ−ジセンサ−

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Publication Number Publication Date
JPS63141366A true JPS63141366A (ja) 1988-06-13

Family

ID=17708412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61286740A Pending JPS63141366A (ja) 1986-12-03 1986-12-03 Ccdイメ−ジセンサ−

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