JPH02116170A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH02116170A JPH02116170A JP63269680A JP26968088A JPH02116170A JP H02116170 A JPH02116170 A JP H02116170A JP 63269680 A JP63269680 A JP 63269680A JP 26968088 A JP26968088 A JP 26968088A JP H02116170 A JPH02116170 A JP H02116170A
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- JP
- Japan
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- gate electrode
- output gate
- electrode
- diffusion layer
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- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
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- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に関し、特にＣＣＤ固体撮像装置
に関する。
に関する。
従来電荷結合素子を用いた固体撮像装置は入射光量に応
じて電荷を蓄積する感光部と、この感光部に蓄積された
電荷を転送する転送レジスタと、転送されて来た電荷を
検出する電荷検出部から構成されている。この中で電荷
検出部付近の構成は、転送されて来た電荷を受ける浮遊
拡散層、この浮遊拡散層に隣接して転送レジスタ側に出
力ゲート電極、反対側にリセット電極が設けられている
。
じて電荷を蓄積する感光部と、この感光部に蓄積された
電荷を転送する転送レジスタと、転送されて来た電荷を
検出する電荷検出部から構成されている。この中で電荷
検出部付近の構成は、転送されて来た電荷を受ける浮遊
拡散層、この浮遊拡散層に隣接して転送レジスタ側に出
力ゲート電極、反対側にリセット電極が設けられている
。
この固体撮像装置の電荷検出部は、第４図に示すように
転送されて来た電荷を受ける浮遊拡散層１、浮遊拡散層
１に隣接して片側に出力ゲート電極（２，３＞、反対側
に転送されて来た電荷を感光部毎にリセットするリセッ
ト電極１２で構成されている。そしてこの浮遊拡散層１
は寸法的には感度の点から小さくする必要がある。それ
には精度よく加工する必要があり、浮遊拡散層１の両側
の電極は通常１層目の電極で構成する形を取っている。
転送されて来た電荷を受ける浮遊拡散層１、浮遊拡散層
１に隣接して片側に出力ゲート電極（２，３＞、反対側
に転送されて来た電荷を感光部毎にリセットするリセッ
ト電極１２で構成されている。そしてこの浮遊拡散層１
は寸法的には感度の点から小さくする必要がある。それ
には精度よく加工する必要があり、浮遊拡散層１の両側
の電極は通常１層目の電極で構成する形を取っている。
又出力がゲート電極に隣接する転送電極の最後の電極は
通常１層目で終わるため出力ゲート電極は２層、１層と
電極を設けこれら２つの電極（第２出力ゲート電極３と
第１出力ゲート電極２）を配線で接続し直流のバイアス
電圧印加端子１５に接続している。このため拡散プロセ
スによっては出力ゲート電極の２層目の電極（第２出力
ゲート３）下の方が電位的に高くなる事がある。
通常１層目で終わるため出力ゲート電極は２層、１層と
電極を設けこれら２つの電極（第２出力ゲート電極３と
第１出力ゲート電極２）を配線で接続し直流のバイアス
電圧印加端子１５に接続している。このため拡散プロセ
スによっては出力ゲート電極の２層目の電極（第２出力
ゲート３）下の方が電位的に高くなる事がある。
こうなった場合には出力ゲート電極下で１層目と２層目
の電位差分の電荷が取り残される事になり転送効率が悪
くなってしまう欠点を持っている。
の電位差分の電荷が取り残される事になり転送効率が悪
くなってしまう欠点を持っている。
本発明は拡散プロセスによって生じる恐れのある転送効
率劣化を防ぎ安定した歩留りが得られる固体撮像装置を
提供する事を目的としている。
率劣化を防ぎ安定した歩留りが得られる固体撮像装置を
提供する事を目的としている。
本発明の固体撮像装置は、半導体基板の一主面に設けら
れた感光部から電荷を受け取って転送する転送レジスタ
と、前記転送レジスタの最終段の転送電極に隣接して順
次に配置された第２出力ゲート電極、第１出力ゲート電
極及び電荷検出用の浮遊拡散層を有する固体撮像装置に
おいて、前記第１の出力ゲート電極に前記第２出力ゲー
ト電極より高い電圧を印加する手段を備えているという
ものである。
れた感光部から電荷を受け取って転送する転送レジスタ
と、前記転送レジスタの最終段の転送電極に隣接して順
次に配置された第２出力ゲート電極、第１出力ゲート電
極及び電荷検出用の浮遊拡散層を有する固体撮像装置に
おいて、前記第１の出力ゲート電極に前記第２出力ゲー
ト電極より高い電圧を印加する手段を備えているという
ものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ＞は本発明の一実施例を示す平面模式図、第
１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
シリコン半導体基板に設けられた浮遊拡散層１に隣接し
て１層目多結晶シリコン膜からなる第１出力ゲート電極
２、この第１出力ゲート電極に隣接して２層目多結晶シ
リコンからなる第２出力ゲート電極３が各々独立して電
圧印加端子１４゜１５に接続されている。ここでの動作
は次の様になる。第２図は転送電極駆動パルス１，２の
信号波形図、第３図は電荷転送の格子を説明するための
電位分布推移図である。いまあるタイミング１、におい
て転送レジスタの最終段の転送電極４下に転送されて来
た電荷（第３図に斜線で示す〉があり、この電荷が浮遊
拡散層１に流れ込むには転送電極４（１層目の多結晶シ
リコン膜からなる）に印加される電圧が低いレベルにな
ると（タイミングｔ２）電位が浅くなり電荷は出力ゲー
ト電極下を通って浮遊拡散層に流入する。この時第１出
力ゲート電極２の方が第２出力ゲート電極３に比べて高
い電圧（ＩＶ程度）を印加する様にしておけば転送電極
下の電荷はすべて出力ゲート電極下を通って浮遊拡散層
に流入する事になり出力ゲート電極下での転送残りは発
生しない。
て１層目多結晶シリコン膜からなる第１出力ゲート電極
２、この第１出力ゲート電極に隣接して２層目多結晶シ
リコンからなる第２出力ゲート電極３が各々独立して電
圧印加端子１４゜１５に接続されている。ここでの動作
は次の様になる。第２図は転送電極駆動パルス１，２の
信号波形図、第３図は電荷転送の格子を説明するための
電位分布推移図である。いまあるタイミング１、におい
て転送レジスタの最終段の転送電極４下に転送されて来
た電荷（第３図に斜線で示す〉があり、この電荷が浮遊
拡散層１に流れ込むには転送電極４（１層目の多結晶シ
リコン膜からなる）に印加される電圧が低いレベルにな
ると（タイミングｔ２）電位が浅くなり電荷は出力ゲー
ト電極下を通って浮遊拡散層に流入する。この時第１出
力ゲート電極２の方が第２出力ゲート電極３に比べて高
い電圧（ＩＶ程度）を印加する様にしておけば転送電極
下の電荷はすべて出力ゲート電極下を通って浮遊拡散層
に流入する事になり出力ゲート電極下での転送残りは発
生しない。
この様に、第２出力ゲート電極と第１出力ゲート電極が
それぞれ別の端子に接続されているので、第１出力ゲー
ト電極の方に若干高い電圧を印加することにより、確実
に電荷を浮遊拡散層に送り込むことができ、転送効率の
劣化は防止される。
それぞれ別の端子に接続されているので、第１出力ゲー
ト電極の方に若干高い電圧を印加することにより、確実
に電荷を浮遊拡散層に送り込むことができ、転送効率の
劣化は防止される。
以上説明した様に本発明は、浮遊拡散層に隣接する第１
．第２出力ゲート電極を別々の電圧印加端子に接続し、
浮遊拡散層に隣接する方（第１出力ゲート電極）に高い
電圧を印加する様にする事により、出力ゲート電極下で
の電荷転送残りによる問題はなくなり固体撮像装置の安
定した歩留りが実現できる効果がある。
．第２出力ゲート電極を別々の電圧印加端子に接続し、
浮遊拡散層に隣接する方（第１出力ゲート電極）に高い
電圧を印加する様にする事により、出力ゲート電極下で
の電荷転送残りによる問題はなくなり固体撮像装置の安
定した歩留りが実現できる効果がある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す電荷検出部近傍
の平面模式図、第１図（ｂ）は第１図（ａ＞のＡ−Ａ’
線断面模式図、第２図は転送電極駆動パルスの信号波形
図、第３図は電荷転送の様子を説明するための電位分布
推移図、第４図は従来例を示す電荷検出部近傍の平面模
式図である。 １・・・浮遊拡散層、２・・・第１出力ゲート電極、３
・・・第２出力ゲート電極、４〜１１・・・転送電極、
１２・・・リセット電極、１３・・・リセットドレイン
、１４・・・第１出力ゲート電極電圧印加端子、１５・
・・第２出力ゲート電極電圧印加端子、１６・・・酸化
シリコン膜。
の平面模式図、第１図（ｂ）は第１図（ａ＞のＡ−Ａ’
線断面模式図、第２図は転送電極駆動パルスの信号波形
図、第３図は電荷転送の様子を説明するための電位分布
推移図、第４図は従来例を示す電荷検出部近傍の平面模
式図である。 １・・・浮遊拡散層、２・・・第１出力ゲート電極、３
・・・第２出力ゲート電極、４〜１１・・・転送電極、
１２・・・リセット電極、１３・・・リセットドレイン
、１４・・・第１出力ゲート電極電圧印加端子、１５・
・・第２出力ゲート電極電圧印加端子、１６・・・酸化
シリコン膜。
Claims (1)
- 半導体基板の一主面に設けられた感光部から電荷を受け
取って転送する転送レジスタと、前記転送レジスタの最
終段の転送電極に隣接して順次に配置された第２出力ゲ
ート電極、第１出力ゲート電極及び電荷検出用の浮遊拡
散層を有する固体撮像装置において、前記第１の出力ゲ
ート電極に前記第２出力ゲート電極より高い電圧を印加
する手段を備えている事を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63269680A JPH02116170A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63269680A JPH02116170A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116170A true JPH02116170A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17475697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63269680A Pending JPH02116170A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116170A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176726A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Sony Corp | 電荷転送装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634681A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-09 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP63269680A patent/JPH02116170A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634681A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-09 | Nec Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176726A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Sony Corp | 電荷転送装置 |
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