JPS63141370A - サイリスタの製造方法 - Google Patents
サイリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS63141370A JPS63141370A JP28801286A JP28801286A JPS63141370A JP S63141370 A JPS63141370 A JP S63141370A JP 28801286 A JP28801286 A JP 28801286A JP 28801286 A JP28801286 A JP 28801286A JP S63141370 A JPS63141370 A JP S63141370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- jcr
- substrate
- bevel
- jcr5
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thyristors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、交互に異なる導電形の三つの層が基板面に平
行な接合を介して隣接しており、基板面に平行な基板横
断面の面積が板厚の中央部で最も小さくされたシグマ
（Σ）ベベル構造を有するサイリスタの製造方法に関す
る。
行な接合を介して隣接しており、基板面に平行な基板横
断面の面積が板厚の中央部で最も小さくされたシグマ
（Σ）ベベル構造を有するサイリスタの製造方法に関す
る。
高耐圧サイリスタの高抵抗のベース層をはさむＰＮ接合
に逆バイアスがかかったときの表面電界強度を低減させ
るために、両ＰＮ接合の基板側面への露出部をそれぞれ
正ベベルにするために、第２図に示すようにｐＮｐＮ４
Ｆ！ｔを存するシリコン基板ｌの側面がＶ形の断面形伏
をもつように成形されるΣベベル構造が知られている。
に逆バイアスがかかったときの表面電界強度を低減させ
るために、両ＰＮ接合の基板側面への露出部をそれぞれ
正ベベルにするために、第２図に示すようにｐＮｐＮ４
Ｆ！ｔを存するシリコン基板ｌの側面がＶ形の断面形伏
をもつように成形されるΣベベル構造が知られている。
このようなサイリスタは、シリコン基板１と支持板とし
てのＭｏ板２を合金接着し、ゲート電極３．カソード電
極４を被着したのち、基板１の側面を砂噴射法によりあ
るいはダイヤモンドカッタを用いてΣベベル加工し、ベ
ベル部をエツチングしたサイリスタエレメントｌＯを平
面上に置き、中心軸１１を中心として回転させて接合被
覆樹脂（以下ＪＣＲと記す）５を塗布していた。しかし
、この方法では、図示のようにＪＣＲ５がＭｏ板２の側
面に流れ出て、精度の高い組立の障害となるため、Ｍｏ
板２の側面のＪＣＲ５を完全に除去しなければならなか
った。
てのＭｏ板２を合金接着し、ゲート電極３．カソード電
極４を被着したのち、基板１の側面を砂噴射法によりあ
るいはダイヤモンドカッタを用いてΣベベル加工し、ベ
ベル部をエツチングしたサイリスタエレメントｌＯを平
面上に置き、中心軸１１を中心として回転させて接合被
覆樹脂（以下ＪＣＲと記す）５を塗布していた。しかし
、この方法では、図示のようにＪＣＲ５がＭｏ板２の側
面に流れ出て、精度の高い組立の障害となるため、Ｍｏ
板２の側面のＪＣＲ５を完全に除去しなければならなか
った。
また、第３図に示すようにＭｏ仮２の周辺部に、Ｊ Ｃ
Ｒ流れ止め２１を設けて、ＪＣＲ５を塗布する方法もあ
るが、この方法も前記方法と同様、Σベベルの上部のＪ
ＣＲ５の厚みが薄くなる。そこでＪＣＲ５の厚みを充
分確保するために、第４図に示すように、Ｍｏ板２の径
と同一の内径をもつリング２２をエレメント１０周辺に
かぶせ、シリコン基板１の上面の周辺部にＪＣＲ流れ止
めを設けてリング２２とサイリスタ基板１との間にＪＣ
Ｒ５を充填する方法がある。
Ｒ流れ止め２１を設けて、ＪＣＲ５を塗布する方法もあ
るが、この方法も前記方法と同様、Σベベルの上部のＪ
ＣＲ５の厚みが薄くなる。そこでＪＣＲ５の厚みを充
分確保するために、第４図に示すように、Ｍｏ板２の径
と同一の内径をもつリング２２をエレメント１０周辺に
かぶせ、シリコン基板１の上面の周辺部にＪＣＲ流れ止
めを設けてリング２２とサイリスタ基板１との間にＪＣ
Ｒ５を充填する方法がある。
上記のように、Σベベル構造をもつサイリスタエレメン
トにＪＣＲを塗布しようとする際、第２図、第３図に示
した方法ではＪＣＲ５の厚みの薄い部分が生じ、６００
０ Ｖを越える高耐圧サイリスタでは、ＪＣＲの薄いと
ころで放電するという欠点がある。また第４図に示した
方法でも、ガスの脱出がベベルの突出部にさえぎられて
Σベベルの上部に気泡２４ができやすく、気泡部で放電
するという欠点があった。
トにＪＣＲを塗布しようとする際、第２図、第３図に示
した方法ではＪＣＲ５の厚みの薄い部分が生じ、６００
０ Ｖを越える高耐圧サイリスタでは、ＪＣＲの薄いと
ころで放電するという欠点がある。また第４図に示した
方法でも、ガスの脱出がベベルの突出部にさえぎられて
Σベベルの上部に気泡２４ができやすく、気泡部で放電
するという欠点があった。
本発明の目的は、基板面に平行な基板横断面の面積が板
厚中央部において最小のΣベベル構造をもつサイリスタ
基板の側面にＪＣＲを塗布する際に０、放電の原因とな
るＪＣＲの厚さの薄い部分あるいは気泡の発生がなく、
表面保護が十分で信転性の高いサイリスタの製造方法を
提供することにある。
厚中央部において最小のΣベベル構造をもつサイリスタ
基板の側面にＪＣＲを塗布する際に０、放電の原因とな
るＪＣＲの厚さの薄い部分あるいは気泡の発生がなく、
表面保護が十分で信転性の高いサイリスタの製造方法を
提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の方法は、サイリ
スタ基板面をほぼ鉛直面にして回転させながら、基板側
面上方よりＪＣＲを落下させてＪＣＲを塗布し、乾燥さ
せるものとする。
スタ基板面をほぼ鉛直面にして回転させながら、基板側
面上方よりＪＣＲを落下させてＪＣＲを塗布し、乾燥さ
せるものとする。
はぼ鉛直な状態で回転する基板側面にＪＣＲを塗布する
ことにより、重力によりＪＣＲがΣベベル下部に偏って
付着したり、支持板側面まで流れ落ちることがなく、ま
たΣベベルの開口部が上方に向いているのでガスが脱出
しやすいため気泡が残ることもなく、はぼ均一な厚さを
有するＪＣＲによってＰＮ接合露出部を保護することが
できる。
ことにより、重力によりＪＣＲがΣベベル下部に偏って
付着したり、支持板側面まで流れ落ちることがなく、ま
たΣベベルの開口部が上方に向いているのでガスが脱出
しやすいため気泡が残ることもなく、はぼ均一な厚さを
有するＪＣＲによってＰＮ接合露出部を保護することが
できる。
第１図は、本発明の一実施例のＪＣＲ塗布装置を示し、
第２〜第４図と共通の部分には同一の符号が付されてい
る０例えば直径８２鶴のシリコン基板１を直径８５龍の
１０支持板２に接着したサイリスタエレメント１０をチ
ャック治具７に嵌め、チャック治具７の中心軸７１を水
平に対し２０′″の角度に傾けて保持する。これにより
エレメント１０は治具７から落ちることがない、チャッ
ク治具回転軸７１はモータ８に接続されており、モータ
８は台８１の上に立てられた支柱８２によって支持され
ている。この状態でモータ８を低速で回転し、基板１の
ベベル部にディスペンサ９よりＪＣＲ５を滴下させて塗
布する。塗布後、エレメント１０を回転させなからＪＣ
Ｒの一次乾燥を施す、これにより第５図に示したように
ＪＣＲ５によりΣベベル面を保護されたサイリスタエレ
メント１０を得ることができる。
第２〜第４図と共通の部分には同一の符号が付されてい
る０例えば直径８２鶴のシリコン基板１を直径８５龍の
１０支持板２に接着したサイリスタエレメント１０をチ
ャック治具７に嵌め、チャック治具７の中心軸７１を水
平に対し２０′″の角度に傾けて保持する。これにより
エレメント１０は治具７から落ちることがない、チャッ
ク治具回転軸７１はモータ８に接続されており、モータ
８は台８１の上に立てられた支柱８２によって支持され
ている。この状態でモータ８を低速で回転し、基板１の
ベベル部にディスペンサ９よりＪＣＲ５を滴下させて塗
布する。塗布後、エレメント１０を回転させなからＪＣ
Ｒの一次乾燥を施す、これにより第５図に示したように
ＪＣＲ５によりΣベベル面を保護されたサイリスタエレ
メント１０を得ることができる。
塗布時の回転軸が水平に対して傾いているので、ＪＣＲ
５は下方がやや厚くなっているが、エレメント１０を鉛
直に近い状態で保持しているため、ＪＣＲ５はＭｏ板２
の側面への付着ならびにΣベベル上部のＪＣＲ５の薄い
部分あるいはＪＣＲ内の気泡残りの発生がなくなる。
５は下方がやや厚くなっているが、エレメント１０を鉛
直に近い状態で保持しているため、ＪＣＲ５はＭｏ板２
の側面への付着ならびにΣベベル上部のＪＣＲ５の薄い
部分あるいはＪＣＲ内の気泡残りの発生がなくなる。
この実施例では、すでにΣベベル部のエツチングを施し
たエレメントｌＯをチャック治具７に取付けたが、この
塗布装置を用いてエツチングからＪＣＲ塗布までの工程
を実施することもできる。
たエレメントｌＯをチャック治具７に取付けたが、この
塗布装置を用いてエツチングからＪＣＲ塗布までの工程
を実施することもできる。
（発明の効果〕
本発明によれば、Σベベルを有するサイリスタエレメン
ト耗のベベル部にＪＣＲを塗布する際、サイリスタエレ
メントをほぼ鉛直方向に保持した状態で回転させるため
、ＪＣＲがベベル面にとどまって不必要な箇所まで流出
することなく、ベベル上部のＪＣＲの薄い個所も生じな
い。また塗布時にΣベベルが上方に向いて開いているた
め、ＪＣＲからのガスの脱出が容易で、ＪＣＲを厚くし
ても気泡ができにくくなる。この結果、サイリスタの安
定した耐圧が保持され、サイリスタ製造歩留りが向上す
る。
ト耗のベベル部にＪＣＲを塗布する際、サイリスタエレ
メントをほぼ鉛直方向に保持した状態で回転させるため
、ＪＣＲがベベル面にとどまって不必要な箇所まで流出
することなく、ベベル上部のＪＣＲの薄い個所も生じな
い。また塗布時にΣベベルが上方に向いて開いているた
め、ＪＣＲからのガスの脱出が容易で、ＪＣＲを厚くし
ても気泡ができにくくなる。この結果、サイリスタの安
定した耐圧が保持され、サイリスタ製造歩留りが向上す
る。
第１図は本発明の一実施例におけるＪＣＲ塗布装匝の断
面図、第２図、第３図、第４図は従来のＪｃＲ塗布時の
サイリスタエレメントの断面図、第５図は第１図の装置
によって製造されたサイリスタエレメントの断面図であ
る。 １：シリコン基板、１０：サイリスタエレメント、５：
ＪＣＲ，’Ｉ：チャック治具、８：モータ、９：第１図
面図、第２図、第３図、第４図は従来のＪｃＲ塗布時の
サイリスタエレメントの断面図、第５図は第１図の装置
によって製造されたサイリスタエレメントの断面図であ
る。 １：シリコン基板、１０：サイリスタエレメント、５：
ＪＣＲ，’Ｉ：チャック治具、８：モータ、９：第１図
Claims (1)
- １）基板面に平行な基板横断面の面積が板厚中央部で最
小のシグマベベル構造をもつサイリスタ基板の側面に接
合被覆樹脂を塗布する際に、サイリスタ基板面をほぼ鉛
直面にして回転させながら、基板側面に上方より前記樹
脂を落下させて樹脂を塗布し、乾燥させることを特徴と
するサイリスタ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28801286A JPS63141370A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | サイリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28801286A JPS63141370A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | サイリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63141370A true JPS63141370A (ja) | 1988-06-13 |
Family
ID=17724664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28801286A Pending JPS63141370A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | サイリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63141370A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448639A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び製造方法 |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP28801286A patent/JPS63141370A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448639A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び製造方法 |
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