JPS63142811A - 界面超構造の製造方法 - Google Patents
界面超構造の製造方法Info
- Publication number
- JPS63142811A JPS63142811A JP61290881A JP29088186A JPS63142811A JP S63142811 A JPS63142811 A JP S63142811A JP 61290881 A JP61290881 A JP 61290881A JP 29088186 A JP29088186 A JP 29088186A JP S63142811 A JPS63142811 A JP S63142811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- ray
- superstructure
- boundary
- diffracted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は界面超構造の製造方法に関するものである。
従来、フィジカル レビュー レターズ（Ｐｈｙｓ。
Ｒｅｖ、Ｌｅｌｌ、）５６（１９８６）３５５に記載さ
れているように、アモルファスＳＬと（１１１）Ｓｉの
界面に７Ｘ７超構造が存在することが透過電子線回折法
により示されている。しかし、これは電子線回折を行う
ために試料を破壊する手法であり、これまでその場観察
による製造方法は報告されていない。
れているように、アモルファスＳＬと（１１１）Ｓｉの
界面に７Ｘ７超構造が存在することが透過電子線回折法
により示されている。しかし、これは電子線回折を行う
ために試料を破壊する手法であり、これまでその場観察
による製造方法は報告されていない。
界面超構造のその場ｗｔ察による製造方法がないために
、界面超構造を多層に成長させることが困難である。ま
た、評価したあとの構造物の電気的、光学的性質を利用
できない。
、界面超構造を多層に成長させることが困難である。ま
た、評価したあとの構造物の電気的、光学的性質を利用
できない。
本発明の目的は試料を破壊しないで評価しながら界面超
構造を製造する方法を提供することにある。
構造を製造する方法を提供することにある。
本発明は固体一固体界面において、界面付近の数原子層
に存在するバルク結晶より大きい周期をもつ超構造をＸ
線によって評価しながら一層または多層にわたって積層
することを特徴とする界面超構造の製造方法である。
に存在するバルク結晶より大きい周期をもつ超構造をＸ
線によって評価しながら一層または多層にわたって積層
することを特徴とする界面超構造の製造方法である。
本発明は界面超構造作成の際、その場観察をＸ線で行う
ものである。Ｘ線は電子線より固体内への侵入深さが大
きく試料を破壊する必要がなく、多層にわたって積層可
能となる。
ものである。Ｘ線は電子線より固体内への侵入深さが大
きく試料を破壊する必要がなく、多層にわたって積層可
能となる。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明に係る界面超構造の製造装置を示すもの
である。第１図において、超高真空槽８に真空ポンプ９
を接続し、該超高真空槽８の底部側に、蒸着物質４を充
填してなる蒸着源５を設置する。６は液体窒素シュラウ
ドである。
である。第１図において、超高真空槽８に真空ポンプ９
を接続し、該超高真空槽８の底部側に、蒸着物質４を充
填してなる蒸着源５を設置する。６は液体窒素シュラウ
ドである。
さらに、前記蒸着源５の上部に設けた窓部５ａの上方の
所定位置に試料台２をゴニオメータによる回転機構３に
支持させて設置し、該試料台２の下面に試料１をセット
する。また蒸着源５の窓部５ａにシャッター１０を開閉
可能に設置する。
所定位置に試料台２をゴニオメータによる回転機構３に
支持させて設置し、該試料台２の下面に試料１をセット
する。また蒸着源５の窓部５ａにシャッター１０を開閉
可能に設置する。
一方、前記超高真空槽８の側壁には前記試料台２とほぼ
同一高さ位置にＸ線１１の入射用窓７ａと回折ＸＡ１１
２の出射用ベリリウム窓７ｂとを設けである。
同一高さ位置にＸ線１１の入射用窓７ａと回折ＸＡ１１
２の出射用ベリリウム窓７ｂとを設けである。
まず、ゴニオメータの回転機構３の試料台２に試料１を
取付けて該試料１を所定位置にセットし。
取付けて該試料１を所定位置にセットし。
シャッター１０を開いて蒸着源５から蒸着物質を試料台
２の試料１に向けて放出し該試料１に蒸着物質４を蒸着
させる。その際、超高真空槽８の窓７ａ。
２の試料１に向けて放出し該試料１に蒸着物質４を蒸着
させる。その際、超高真空槽８の窓７ａ。
からシンクロトロン放射Ｘ線などの強力なＸ線１１を試
料１に照射する。試料１に照射されたＸ線１１は試料１
の界面超構造で回折され、回折Ｘ線１２となって超高真
空槽８のベリリウム窓７ｂから出射する。この回折Ｘ線
１２の強度をモニターすることにより、その場観察を行
いつつ、界面付近の数原子層に存在するノ１ルク結晶よ
り大きい周期をもつ超構造をＸ線で評価しながら一層又
は多層にわたって積層する。また、Ｘ線で超構造のその
場観察を行う場合には、ゴニオメータによる回転機構３
を駆動して試料１を適宜角回転させ超構造に対するＸ線
の入射方向を変更してＸ線での評価を多方向から行う。
料１に照射する。試料１に照射されたＸ線１１は試料１
の界面超構造で回折され、回折Ｘ線１２となって超高真
空槽８のベリリウム窓７ｂから出射する。この回折Ｘ線
１２の強度をモニターすることにより、その場観察を行
いつつ、界面付近の数原子層に存在するノ１ルク結晶よ
り大きい周期をもつ超構造をＸ線で評価しながら一層又
は多層にわたって積層する。また、Ｘ線で超構造のその
場観察を行う場合には、ゴニオメータによる回転機構３
を駆動して試料１を適宜角回転させ超構造に対するＸ線
の入射方向を変更してＸ線での評価を多方向から行う。
本発明は以上説明したように、試料に蒸着物質を蒸着さ
せる際、界面超構造での回折Ｘ線の強度をモニターする
ことにより、その場ＥＰＸを行うことができ、かつ試料
を破壊することがないため、多層に成長させることがで
きる効果を有するものである。
せる際、界面超構造での回折Ｘ線の強度をモニターする
ことにより、その場ＥＰＸを行うことができ、かつ試料
を破壊することがないため、多層に成長させることがで
きる効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。
１・・・試料 ２・・・試料台３・・・回
転機構 ４・・・蒸着物質５・・・蒸着源
６・・・液体窒素シュラウド７ａ・・・窓
７ｂ・・・ベリリウム窓８・・・超高真空
槽 ９・・・真空ポンプ１０・・・シャッター
１１・・・入射Ｘ線１２・・・回折Ｘ線
転機構 ４・・・蒸着物質５・・・蒸着源
６・・・液体窒素シュラウド７ａ・・・窓
７ｂ・・・ベリリウム窓８・・・超高真空
槽 ９・・・真空ポンプ１０・・・シャッター
１１・・・入射Ｘ線１２・・・回折Ｘ線
Claims (1)
- （１）固体−固体界面において、界面付近の数原子層に
存在するバルク結晶より大きい周期をもつ超構造をＸ線
によって評価しながら一層または多層にわたって積層す
ることを特徴とする界面超構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61290881A JPS63142811A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 界面超構造の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61290881A JPS63142811A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 界面超構造の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63142811A true JPS63142811A (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=17761716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61290881A Pending JPS63142811A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 界面超構造の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63142811A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233350U (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | ||
| JPH02247549A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Raimuzu:Kk | 多層膜の形成方法 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP61290881A patent/JPS63142811A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233350U (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | ||
| JPH02247549A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Raimuzu:Kk | 多層膜の形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hasegawa et al. | A study of adsorption and desorption processes of Ag on Si (111) surface by means of RHEED-TRAXS | |
| Shimatsu et al. | Metal bonding during sputter film deposition | |
| Hazra et al. | Ripple structure of crystalline layers in ion-beam-induced Si wafers | |
| US20010051399A1 (en) | Control system for use when growing thin-films on semiconductor-based materials | |
| Coloma Ribera et al. | In vacuo growth studies of Ru thin films on Si, SiN, and SiO2 by high-sensitivity low energy ion scattering | |
| JPS63142811A (ja) | 界面超構造の製造方法 | |
| JPH05113416A (ja) | 単結晶材料の異質相の析出を検査する方法 | |
| Chang et al. | Growth and characterization of Ge/Si strained‐layer superlattices | |
| Krzywinski et al. | Damage thresholds for blaze diffraction gratings and grazing incidence optics at an X-ray free-electron laser | |
| Zheludeva et al. | X-ray standing waves in bragg diffraction and in total reflection regions using langmuir-blodgett multilayers | |
| Röhlsberger et al. | Observation of nuclear diffraction from multilayers with a Fe/57Fe superstructure | |
| JP2560226B2 (ja) | 高分解能ｘ線ｃｔ装置 | |
| US5166966A (en) | Coated x-ray filters | |
| Tadayyon et al. | Auger electron spectroscopy and X-ray diffraction study of interdiffusion and solid state amorphization of Ni/Ti multilayers | |
| Höchst et al. | Synchrotron radiation assisted metalorganic layer epitaxy | |
| Stachura et al. | Analysis of Ti nanolayers irradiated with Xeq+ ions using synchrotron radiation based X-ray reflectometry | |
| Roberto et al. | Positive− ion− induced Kossel lines in copper | |
| Jenkins et al. | TEM studies of displacement cascades in Nb3Sn | |
| Mc Grath et al. | Epitaxial growth of W (110) on Al2O3 (11̄20) by pulsed laser deposition | |
| Sanyal et al. | X-ray reflectivity study of semiconductor interfaces | |
| Dietsch et al. | Characterization of ultra smooth interfaces in Mo/Si-multilayers | |
| Sinha et al. | Glancing angle soft x-ray reflectivity (SXR) and total electron yield (TEY) characterization of ZrO2 thin film near O K-edge | |
| Kubo et al. | A novel in-situ molecular beam epitaxy monitoring system using low energy ion scattering | |
| Howitt et al. | A comparison between electron and ion damage in quartz | |
| Gunnella et al. | X-ray absorption spectroscopy study of atomic structure of epitaxial ErSi 1.7 (0001) on Si (111) |