JPS63142886A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS63142886A JPS63142886A JP61291053A JP29105386A JPS63142886A JP S63142886 A JPS63142886 A JP S63142886A JP 61291053 A JP61291053 A JP 61291053A JP 29105386 A JP29105386 A JP 29105386A JP S63142886 A JPS63142886 A JP S63142886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- end surfaces
- onto
- active layer
- substrate
- vicinity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術
半導体レーザ装置は、光デイスク上の信号の読み取りや
レーザビームプリンタの光源、そして光通信にと広く実
用されるに至っている。これらの光情報機器においては
、必要なレーザ出力は２０ｍＷ以下がほとんどであった
。しかし、近年、光ディスクの書き込みなどの用途に高
出力半導体レーザの要望が益々高まっている。
レーザビームプリンタの光源、そして光通信にと広く実
用されるに至っている。これらの光情報機器においては
、必要なレーザ出力は２０ｍＷ以下がほとんどであった
。しかし、近年、光ディスクの書き込みなどの用途に高
出力半導体レーザの要望が益々高まっている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来の半導体レーザでは高出力で駆動さ
せると端面の結晶がレーザ光を吸収して溶融する、いわ
ゆる端面破壊を生じるために、安定な高出力動作は困難
とされていた。
せると端面の結晶がレーザ光を吸収して溶融する、いわ
ゆる端面破壊を生じるために、安定な高出力動作は困難
とされていた。
本発明は、前記問題点に鑑み端面破壊を防ぎ、安定な高
出力動作をすることのできる半導体レーザ装置を提供す
るものである。
出力動作をすることのできる半導体レーザ装置を提供す
るものである。
問題点を解決するための手段
前記問題点を解決するために本発明の半導体レーザ装置
は、基板上に端面近傍での高さが高くなるように２本の
平行なリッジが記載され、前記基板上に活性層を含む各
層が記載されて構成されている。
は、基板上に端面近傍での高さが高くなるように２本の
平行なリッジが記載され、前記基板上に活性層を含む各
層が記載されて構成されている。
作用
この構成によって、端面近傍での活性層の厚さが薄くな
り、したがって端面でのレーザのスポットサイズが広が
り、光出力密度が下がるために高出力動作が可能となる
。
り、したがって端面でのレーザのスポットサイズが広が
り、光出力密度が下がるために高出力動作が可能となる
。
実施例
以下本発明の第１の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
ｐＷＧａＡｓ基板１（１ｏｏ）面上に（０１１）方向に
第４図に示すような高さ６μｍのメサをエツチングによ
シ形成する。この基板上にｎ型ブロッキング層２の成長
を行ない、その後成長表面に第１図に示すような２本の
平行なりッジ７をエツチングにより形成する。リッジの
幅は各２０μｍ。
第４図に示すような高さ６μｍのメサをエツチングによ
シ形成する。この基板上にｎ型ブロッキング層２の成長
を行ない、その後成長表面に第１図に示すような２本の
平行なりッジ７をエツチングにより形成する。リッジの
幅は各２０μｍ。
リッジ間の溝の幅は６μｍとする。そして端面より２０
μｍ以内の端面近傍では基板を深くエツチングしてリッ
ジの高さを６μｍとし、端面近傍以外のレーザ中央部で
は高さを１．６μｍとする。リッジを形成したウェハー
上に液相エピタキシャル法により活性層を含む各層を形
成する。成長を行なったウェハーの表裏にそれぞれオー
ミック電極を形成し、キャビティ長２６０μｍにへき関
し、レーザチップを得る。
μｍ以内の端面近傍では基板を深くエツチングしてリッ
ジの高さを６μｍとし、端面近傍以外のレーザ中央部で
は高さを１．６μｍとする。リッジを形成したウェハー
上に液相エピタキシャル法により活性層を含む各層を形
成する。成長を行なったウェハーの表裏にそれぞれオー
ミック電極を形成し、キャビティ長２６０μｍにへき関
し、レーザチップを得る。
上記の工程で作製したレーザの端面近傍での断面図を第
６図に、レーザ内部での断面図を第６図に示す。
６図に、レーザ内部での断面図を第６図に示す。
本実施例の半導体レーザ装置は以上の構成を有するので
以下に述べるような効果がある。
以下に述べるような効果がある。
リッジを有する基板上に液相エピタキシャル法により成
長を行なうと、結晶成長の異方性により、リッジ上での
膜厚は薄くなる。この効果はりッジの高さが高いほど大
きい。そのため、本実施例のように端面近傍でのみ高さ
の高いリッジ上に成長を行なうとレーザ内部に比べて端
面近傍ではより薄い活性層を形成することができる（ｄ
、（ｄ２）。
長を行なうと、結晶成長の異方性により、リッジ上での
膜厚は薄くなる。この効果はりッジの高さが高いほど大
きい。そのため、本実施例のように端面近傍でのみ高さ
の高いリッジ上に成長を行なうとレーザ内部に比べて端
面近傍ではより薄い活性層を形成することができる（ｄ
、（ｄ２）。
この結果、端面近傍では活性層４からクラブト層（３お
よび５）へ光が大きく広がるためにレーザのスポットサ
イズが広がり、光出力密度が下がる。
よび５）へ光が大きく広がるためにレーザのスポットサ
イズが広がり、光出力密度が下がる。
そのため、端面破壊を生じる最大光出力が上昇し、より
高出力での動作が可能となる。
高出力での動作が可能となる。
第２図は第２の実施例の端面近傍での断面図を示す。第
６図と比較すればわかるように、第２の実施例ではりッ
ジ７の間の溝の深さは一定で、リッジの外側のみ端面近
傍で深くなっている構造であるが、第１の実施例と同様
の効果が期待できる。
６図と比較すればわかるように、第２の実施例ではりッ
ジ７の間の溝の深さは一定で、リッジの外側のみ端面近
傍で深くなっている構造であるが、第１の実施例と同様
の効果が期待できる。
第３図は第３の実施例の端面近傍での断面図を示す。第
３の実施例ではｎ型ＧａムＳ基板９を用い、活性層上部
に形成したＺｎ拡散領域８より電流注入を行なう構造と
なっているが、明らかに第１の実施例と同様の効果が期
待できる。
３の実施例ではｎ型ＧａムＳ基板９を用い、活性層上部
に形成したＺｎ拡散領域８より電流注入を行なう構造と
なっているが、明らかに第１の実施例と同様の効果が期
待できる。
発明の効果
以上のように本発明は、端面近傍の高さが高くなるよう
に２つの平行なりッジが記載された基板の上に、活性層
を含む各層が記載されることにより、端面でのスポット
サイズが広がり、高出方動作が可能となる。
に２つの平行なりッジが記載された基板の上に、活性層
を含む各層が記載されることにより、端面でのスポット
サイズが広がり、高出方動作が可能となる。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の第１の実施例の構
造図、第２図は本発明の半導体レーザ装置の第２の実施
例の端面近傍での構造断面図、第３図は本発明の半導体
レーザ装置の第３の実施例の端面近傍での構造断面図、
第４図は本発明の半導体レーザ装置の第１の実施例の作
製工程の途中を示す図、第６図は本発明の第１の実施例
の端面近傍断面図、第６図は本発明の第１の実施例のレ
ーザ内部断面図である。 １・・・・・・ｐ型ＧａＡＳ基板、２・・・・・・ｎ型
ＧａＡＳ層、３・・・・・・ｐＷＧａＡ５Ａｓ層、４・
・・・・・Ｇ＆ムｌムＳ活性層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｔ−
−−ｐ竺ｈｈ基試
造図、第２図は本発明の半導体レーザ装置の第２の実施
例の端面近傍での構造断面図、第３図は本発明の半導体
レーザ装置の第３の実施例の端面近傍での構造断面図、
第４図は本発明の半導体レーザ装置の第１の実施例の作
製工程の途中を示す図、第６図は本発明の第１の実施例
の端面近傍断面図、第６図は本発明の第１の実施例のレ
ーザ内部断面図である。 １・・・・・・ｐ型ＧａＡＳ基板、２・・・・・・ｎ型
ＧａＡＳ層、３・・・・・・ｐＷＧａＡ５Ａｓ層、４・
・・・・・Ｇ＆ムｌムＳ活性層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｔ−
−−ｐ竺ｈｈ基試
Claims (1)
- ２本の平行なリッジがレーザ端面近傍において中央部に
おけるよりも高く形成された基板上に、活性層を含む複
数の層が形成されている半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291053A JPS63142886A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291053A JPS63142886A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63142886A true JPS63142886A (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=17763819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61291053A Pending JPS63142886A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63142886A (ja) |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP61291053A patent/JPS63142886A/ja active Pending
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