JPS6314320A - 磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景− 技術分野 本発明は、電気記録媒体、特に金属薄１摸型の磁気記録
媒体に関する。

先行技術とその問題点 ビデオ用、オーディオ用等の磁気記録媒体として、テー
プ化して巻回したときのコンパクト性から、金属薄膜型
の磁性層を有するものの開発か活発行われている。

このような金属薄膜型の媒体の磁性層としては、特性上
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行う、いわゆ
る斜め蒸着法によフて形成したＣｏ系、Ｃｏ−Ｎｉ系等
からなる蒸着膜が好適である。

このような媒体では、小型化、長時間記録等のため、従
来より、例えば１０μｍ以下のフィルムを用いた媒体の
研究が進められているが、走行性、耐久性、強磁性金属
薄膜の強度等の点て問題か生じる。

そこで、こわらの不都合を解消するため、フィルム裏面
に金属薄膜補強層を設ける旨の提案（特開昭５６−１６
９３９号、同５８−９７１３１号、同５７−７８６２７
号、同５７−３７７３７号）あるいはフィルム表面に微
粒子を配設してヘットタッチ、走行面で改良をなす旨の
提案（特開昭５８−６８２２７号、同５８−１００２２
１号）等がなさねている。

また、耐久性や、電磁変換特性を向上させるために、強
磁性金属薄膜層を２層以上の多層構成とする。旨の提案
も種々行なわれている（特開昭５４−１４１６０８号、
特公昭５６−２６８９２号、特開昭５７−１３０２２８
号等）。

しかし、現状ては、１０μｍ以下のフィルムを用いた媒
体において、走行性、耐久性、強電性金属薄膜強度か良
好で、かつ電磁変換特性の面でも不都合の生じない技術
は未だ実現していない。

■　発明の目的 本発明の目的は、フィルム厚８μｍ以下のフィルム支持
体を用い媒体の走行性が良好で、走行による磁性層のク
ラックやケズレが少なく、さらにヘッド摩耗量およびド
ロップアウトか少なく、電磁変換特性の良好な金属薄１
ｍ　’Ａの磁気記録媒体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、厚さ８μｍ以下のプラスチックフ
ィルム基体上にＣｏを主成分とする強磁性金属薄膜層を
有し、この強電性金属薄膜層が２層以上の層からなる多
層構造を有し、強電性金属薄膜層被着時の基体法線に対
する被着物質の最小入射角が基体側の最下層設層時は５
０°以下、基体と反対側の最上層設層時は２０°〜９０
°であり、最下層の基体側界面近傍の酸素濃度Ｃ２を最
上層の基体と反対側表面近傍の酸素濃度Ｃ１で除した値
Ｃ２／Ｃ１か０．３以下であり、最上層の厚さが、最下
層の厚さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体で
ある。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明における磁性層としての強電性金属薄膜層は少な
くとも２層からなる多層構造を有するものである。　そ
して、本発明に用いる強磁性金属薄膜層は、ｃｏを主成
分とし、これにＯを含み、さらに必要に応しＮｉおよび
／またはＣｒが含有される組成を有する。

すなわち、好ましい態様においては、Ｃｏ単独からなっ
てもよく、ｃｏとＮｉからなってもよい。　Ｎｉが含ま
れる場合、Ｃｏ　／　Ｎ　ｉの重量比は、１．５以上で
あることか好ましい。

さらに、強磁性金属薄膜層中には、Ｃｒか含有されてい
てもよい。

このような場合、Ｃｒ　／　ＣｏあるいはＣｒ／（Ｃｏ
＋Ｎｉ）の重量比は、０．１以下、特に０．００１〜０
．１、より好ましくは、０．００５〜０．０５であるこ
とが好ましい。

さらに、本発明の強磁性金属薄膜中には０が含有される
ものである。

強磁性金属薄膜中の層全体の平均酸素量は、原子比、特
に０／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）の原子比で、最上
層における平均酸素量Ｃ，は０．１〜０．５程度、好ま
しくは０．１〜０．４程度である。

平均酸素量Ｃ１が、０．１未満では耐食性、走行性、磁
性層のクラック、ケズレ等の点で不十分であり、０．５
をこえると、表面酸化物層が増大しヘッドとのスペーシ
ングによる出力の低下等の問題を生じる。

そして、最下層のプラスチックフィルムとの界面近傍の
酸素濃度ｃ２．特にＯ／（ＣｏまたはＣｏ十Ｎ　ｉ　）
原子比を、最上層のプラスチックフィルムと反対側の表
面近傍での酸素濃度Ｃ１特に、０／（ＣｏまたはＣｏ＋
Ｎ　ｉ　）原子比で除した値は０．３以下、より好まし
くは０．１５以下であることか好ましい。

この場合、これら酸素濃度は、強磁性金属薄膜をＡｒ等
がイオンミリングないしイオンエツチングしながら、オ
ージェ分光分析、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）等を
行い、測定することができる。

すなわち、イオンエツチングを行ないながら０、Ｃｏ、
Ｎｉ等をカウントし、その膜厚方向のプロファイルを比
較する。

そして、プラスチックフィルムと反対側の強磁性金属薄
膜表面のＯ，／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎｉ）をＣ１とする
。また、最下層については、プラスチックフィルムまで
エツチングが行なわれ、Ｃがカウントされる直前のＯ／
（Ｃ。

またはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）を０２とする。

イオンエツチングおよびオージェ分光分析ないしＳＩＭ
Ｓの測定法は常法に従えばよい。

このように最上層表面の酸素濃度を相対的に高くするこ
とにより、保磁力Ｈｅが高くなり、また、最下層の酸素
濃度を相対的に低くすることにより、最大残留磁束Φｒ
および角形比ＳＱが高くなり、電電変換特性がきわめて
良好な磁性層となる。

また、本発明の磁性層としての強電性金属薄膜層では、
最上層と隣接する層の最上層との界面近傍の酸素濃度ｃ
３．特にＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎｉ）原子比を最上層
のプラスチックフィルムと反対側の表面近傍での酸素濃
度Ｃ１、特にＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）原子比
で除した値Ｃ３／ＣＩ　は、０．１〜３．０より好まし
くは０．２〜２．０であることが好ましい。

この場合、プラスチックフィルムと反対側の強磁性金属
薄膜表面のＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）　ＣＩは
前述と同様に測定することができる。　また、最上層に
隣接する層の最上層との界面近傍での酸素濃度Ｃ３につ
いては、最上層の膜厚に対応するエツチング時のカウン
トから０／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）を算出し、こ
れをＣ３とすればよい。　ただ、各層においては、通常
の成膜条件下ではそのフィルム基体反対面で酸素の濃度
が最大となる。　このため、通常は、イオンエツチング
を行ないなからＯをカウントとしたとき、膜内での極大
値をＣ３とすればよい。

このように最上層表面の酸素濃度Ｃ１を相対的に高くす
ることにより、保磁力Ｈｅが高くなり、また最上層の表
面より下の最上層に隣接する層との近傍までの部分の酸
素濃度を上記Ｃ１より相対的に低くすることにより、最
大残留磁束Φｒおよび角形比ｓｑが高くなり、電磁変換
特性がきわめて良好な磁性層となる。　し　たがって、
中心周波数５ＭＨｚ程度の比較的磁界の浅い信号は、最
上層で有効に保持されるものとなる。

また、最上層に隣接する層の最上層との界面近傍での酸
素濃度Ｃ３を、上記ＣＩとの関係が前述のようにＣ３／
Ｃ１が０．１〜３．０となる範囲において、相対的に高
くすることによリ、この部分ての保母力Ｈｃか高くなり
、また、最上層に隣接する層の最上層との界面近傍から
下の部分の酸素濃度を上記ｃ３より相対的に低くするこ
とにより、最大残留磁束Φｒおよび角形比ＳＱが高くな
り、電磁変換特性かきわめて良好な磁性層となる。　し
たがって、中心周波数０．７ＭＨｚ程度の比較的電界の
深い信号は、最上層の次の層以下で有効に保持されるも
のとなる。

そして、上記Ｃ１と０３との関係が前述のようにＣ３／
ＣＩが０．１〜３．０となるときに、磁性層の電磁変換
特性、耐食性等か最もバランスの良い優わた磁性層とな
る。

なお、表面近傍のＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）　
ＣＩ　は、一般に０．２〜０．７好ましくは０．３〜０
．６である。

従って、フィルム界面近傍のＯ／（ＣｏまたはＣｏ十Ｎ
１）Ｃ２は０．０６〜０．２１、好ましくは０，０９〜
０．１８である。

また、最上層に隣接する層の最上層近傍の０／（Ｃｏま
たはＣｏ＋Ｎ１）Ｃ３は０．０７〜０．６好ましくは０
．１〜０．５である。

さらに、最上層の層全体でのＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ
１）Ｃ１’は０．１〜０．５、より好ましくは０．１〜
０，４であることが好ましい。　また、最下層の層全体
でのＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ１）Ｃ２’は、０．５以
下、より好ましくは０．３以下であることか好ましい。

また最上層に隣接する層の層全体でのＯ／（Ｃｏまたは
Ｃｏ＋Ｎｉ）は０．５以下、より好ましくは０．３以下
であることが好ましい。

このとき、電磁変換特性、耐食性、走行耐久性、磁性膜
強度等はきわめて良好となる。

この場合、３層以上の多層構造の場合、それらの６層の
層全体でのＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎｉ）は、一般に、
０．５以下、好ましくは０．３以下とする。

なお、この場合、強磁性金属薄膜層の各層の表面では、
酸素が強磁性金属（Ｃｏ、Ｎｉ）と酸化物を形成してい
る。

すなわち、各層の表面から１００〜２０００人、より好
ましくは５００〜１０００人の厚さの範囲には、オージ
ェ分光分析により、酸化物を示すピークが認められるも
のである。

本発明では、強磁性金属薄膜層表面とフィルム側界面と
の酸素濃度を規制するものてあり、また、強磁性金属薄
膜層表面と最上層の隣接する層の最上層近傍との酸素濃
度を規制するものであり、そのとき本発明所定の効果が
実現するものである。

このため、強磁性金属薄膜の膜厚方向の酸素濃度プロフ
ァイルについては、通常、少なくとも最上層と最上層に
隣接する層との界面に酸素分布のピークが存在するもの
である。

なお、通常、強磁性金属薄膜は２層とすればよいが、必
要に応じ３層以上、特に３〜５層とすることもできる。

なお、このような強電性金属薄膜中には、さらに他の微
量成分、特に遷移元素、例えばＦｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ。

２ｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ等が含まれていてもよい。

このような強磁性金属薄膜層は、好ましい態様において
、上記したＣｏを主成分とする柱状結晶粒の集合体から
なる。

この場合、強磁性金属薄膜層の厚さは、総計で０．０５
〜０．５μｍ、好ましくは０．０７〜０．３μｍとされ
る。

そして、このような強磁性金属薄膜層の各層において、
最上層の厚さは、最下層の厚さよりも小さいものである
。

この場合、最上層の厚さと最下層の厚さとの比は０．２
〜０．９、より好ましくは０．４〜０．９の範囲である
ことか好ましい。

そして、３層以上の構成における中間に位置する層の厚
さは、通常、最上層の厚さと最下層の厚さの範囲内にあ
ればよい。

そして、柱状の結晶粒は各層の厚さ方向のほぼ全域に亘
る。長さをもち、その長手方向は、基体の主面の法線に
対する最小角度か最上層では２０〜９０°、より好まし
くは２０〜５０”の範囲、最下層では５０°以下、より
好ましくは０〜４０°の範囲にて傾斜していることが好
ましい。

この場合、３層以上の構成における中間に位置する各層
では、柱状結晶粒の基体主面法線に対する傾斜角度は、
通常、最上層と最下層における傾斜角度域内にあればよ
く、特に制限はない。

そして、この場合、相隣接する各磁性層の結晶粒の基体
主面法線に対する傾斜の向きは、媒体の長さ方向で同方
向であってよいが、好ましくは相対向する向きであるこ
とが好ましい。

このような、結晶粒の傾斜の向きを２層構成を例として
模式的に例示すると第１図および第２図のようになる。

第１図および第２図において、磁気記録媒体１は、基体
２上に強磁性金属薄膜下層部３および強磁性金属薄膜上
層部４とを有する。　そして、強磁性金属薄膜下層部３
内の下層結晶粒５の傾斜の向き、強磁性金属薄膜下層部
４内の上層結晶粒６の傾斜の向きは、第１図では媒体の
長さ方向ａで相対向する向きであり、第２図では媒体の
長さ方向ａで同方向ある。

本発明では、第１図あるいは第２図のいずれの結晶粒傾
斜を有するものであってよいが、好ましくは、第１図に
示される結晶粒傾斜を有するものが好ましい。

なお、酸素は、表面部の柱状の結晶粒の表面に面記のと
おり化合物の形で存在するものである。

また、強磁性金属薄膜層の酸素の濃度勾配の如何には特
に制限はない。

また、結晶粒の短径は、５０〜５００人程度の長さをも
つことが好ましい。

このように、強磁性金属薄膜層が多層構成をなすことに
より、柱状結晶粒の長さが小さいものとなるため強磁性
金属薄膜層の膜強度が向上する。

また、層厚が薄い最上層の柱状結晶粒が基体主面法線に
対し２０〜９０°の傾きを有し、特に５０°以上の傾き
を有するものがあるため、例えば比較的浅い磁界を有す
る中心周波数５ＭＨｚ程度の信号は最上層にて有効に保
持され得るものとなる。

また、層厚が厚い最下層の柱状結晶粒が基体主面法線に
対し５０°以下の傾きを有し、基体に対し立っている状
態を呈しているため、例えば比較的深い磁界を有する中
心周波数０．７５ＭＨｚ程度の信号は最下層等の最下層
域にて有効に保持され得るものとなる。

また、さらに、前述のように最上層の酸素濃度を高くす
ることにより、耐摩耗性に優れたＣｏ、Ｎｉ、等の酸化
物が最上層に形成されるため、多層構造との相乗効果に
より、強磁性金属薄膜層の膜強度がより高いものとなる
。

本発明の磁気記録媒体に用いられる基体の材質としては
、非磁性プラスチックであれば特に制限はないが、通常
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン２．６
−ナフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイ
ミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルフォン、
全芳昏族ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド等を用い
る。

また、その厚さは８μｍ以下、特に５〜７μｍ程度であ
ることが好ましい。

この厚さが８μｍをこえると媒体の小型化、長時間記録
等の目的は達成されない。　また、この厚さがあまり薄
くなりすぎると、磁性層を上述のように多層構造として
膜強度を向上させた効果が相殺され、走行性、出力低下
、ヘッド摩耗等の問題が生じる。

そして、本発明の強磁性金属薄膜層の多層構造化による
電磁変換特性向上の効果は、基体の厚さを薄いものにし
た場合に、より顕著に現われるものである。

例えば、２層構造を例にとれば基体の厚さ１０μｍにお
いて、強磁性金属薄膜層を従来の単層構造から本発明の
２層構造にすることによるＴＬ＠変換特性の向上巾は、
０．７５ＭＨｚの低周波領域の信号で＋６　（ｄＢ）程
度、５ＭＨｚの高周波領域の信号で＋６　（ｄＢ）程度
であるか、基体の厚さを７μｍとした場合の向上巾は０
．７５ＭＨｚの低周波領域の信号で＋６　（ｄＢ）程度
で基体厚１０μｍの場合と同様であるが、５ＭＨｚの高
周波領域の信号では＋７．５　（ｄＢ）程度まで増大す
る。

このように、１０μｍ厚の基体に比べ、７μｍ厚の基体
における電磁変換特性の向上が著しいのは、基体厚みを
１０μｍから７μｍにすることにより、基体剛度不足に
よるヘッドタッチが急激に悪化し５ＭＨｚ等の高周波領
域において、この影習がより大きく、このような場合に
本発明の効果が発現されるものである。

このようなプラスチックフィルムの磁性層が設けられて
いない他方の面上には公知の種々の裏地層を設層するこ
とが好ましい。

裏地層の材質については特に制限はないが、特に顔料と
放射線硬化型樹脂とを含有するものが好ましい。　裏地
層のＩ膜厚は、０．０５〜１．５μｍ、より好ましくは
０．０７〜１．０μｍとされる。

本発明の電気記録媒体の表面には、微細な突起が所定の
密度で設けられてもよい。

微細な突起は、３０〜３００人、より好ましくは５０〜
２５０人の高さを有するものである。

すなわち、本発明の突起は、光学顕微鏡で観察でき、か
つ触針型表面粗さ計で測定できるものではなく、走査型
電子顕微鏡にて観察できる程度のものである。

突起高さが３００人をこえ、光学顕微鏡にて観察できる
ものとなると、電磁変換特性の劣化と、走行安定性の低
下をもたらす。

また、５０λ未満となると、物性の向上の実効がない。

そして、その密度は１　ｍｍ２あたり平均１０５個以上
、より好ましくは１０５〜１０９個、特に１０６〜１０
８個である。

突起密度が１０５個／ｍｍ２未満となると、ノイズが増
大し、スチル特性が低下する等物性の低下をきたし、実
用に耐えない。

また、１０９個／ｍｌ１１２をこえると、物性上の効果
が少なくなってしまう。

なお、突起径は、一般に２００〜１０００人程度とする
。

このような突起を設けるには、通常、基体上に微粒子を
配設すればよい。　微粒子径は、３０〜１０００人すれ
ばよく、これにより微粒子径に対応した微細突起が形成
される。

用いる微粒子としては、通常、コロイド粒子として知ら
れているものであって、例えば５ｉ０２（コロイダルシ
リカ）、Ａ１２０３（アルミナゾル）　、ＭｇＯ，Ｔ　
ｉ　０２、ＺｎＯ，Ｆｅ２０３　、　ジルコニア、Ｃｄ
０１Ｎ　ｉ　Ｏ，ＣａＷｏ４　、ＣａＣｏ３、ＢａＣｏ
３、ＣｏＣｏ３、ＢａＴ　ｉ　０３、Ｔｉ（チタンブラ
ック）、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、各種ヒドロシ
ルや樹脂粒子等か使用可能である。　この場合、特に無
機物質を用いるものが好ましい。

このような微粒子は、各種溶媒を用いて塗布液とし、こ
れを基体上に塗布、乾燥してもよく、あるいは塗布液中
に各種水性エマルジョン等の樹脂分を添加したものを塗
布、乾燥してもよい。

また、樹脂分を用いる場合、これら微粒子にもとつく微
細突起に重畳してゆるやかな突起を設けることもときる
が、通常はこのようにする必要はない。

もし必要であるならば、強磁性金属薄膜層の最上層と最
下層との間に非磁性金属薄膜層を介在させてもよい。

本発明において、磁性層の形成は、いわゆる斜め蒸着法
によフて形成されることが好ましい。

この場合、基体法線に対する蒸着物質の最小入射角は最
下層設層時においては５０°以下、最−Ｌ層設層時にお
いては２０〜９０°、また３層以上の構造の場合におけ
る中間に位置する層の設層時においては２０〜５０°と
することが好ましい。

最小入射角がそれぞれ前記の入射角からはずわたものと
なると、電磁変換特性が低下する。

また、磁性層は一工程で２層以上を連続して設層しても
よいが、通常は、各層毎に蒸着工程にながして設層する
ことが好ましい。

このように磁性層の設層を各層毎に分けることにより、
前述のように基体法線に対する磁性柱状結晶粒の傾斜の
向きが相隣接する各層間で、媒体の長さ方向で相対向す
る向きとなる。

このように磁性層構成とすることにより、電磁変換特性
は極めて良好となる。

なお、蒸着雰囲気は、通常、アルゴン、ヘリウム、真空
等の不活性雰囲気に、酸素ガスを含む雰囲気とし、１０
−５〜１００Ｐａ程度の圧力とし、また、蒸着距離、基
体搬送方法、キャンやマスクの構造、配置等は公知の条
件と同様にすればよい。

そして、酸素雰囲気での蒸着により、表面に金属酸化物
の被膜が形成される。　なお、金属酸化物が形成される
酸素ガス分圧は、実験から容易に求めることができる。

なお、表面に金属酸化物の被膜を形成するには、各種酸
化処理が可能である。

適用できる酸化処理としては下記のようなものがある。

ｌ）乾式処理 ａ　エネルギー粒子処理 特願昭５８−７６６４０号に記載したように、蒸着の後
期に、イオンガンや中性ガンにより酸素をエネルギー粒
子として磁性層にさしむけるもの。

ｂ、グロー処理 ０２　、Ｎ２０．０２　＋Ｈ２０等とＡｒ、Ｎ２等の不
活性ガスとを用い、これをグロー放電してプラズマを生
じさせ、このプラズマ中に磁性膜表面をさらすもの。

Ｃ０酸化性ガス オゾン、加熱水蒸気等の酸化性ガスを吹きつけるもの。

ｄ、加熱処理 加熱によって酸化を行なうもの。　加熱温度は６０〜１
５０℃程度。

２）湿式処理 ａ、陽極酸化 す、アルカリ処理 Ｃ０酸処理 クロム酸塩処理、過マンガン酸塩処理、リン酸塩処理等
を用いる。

ｄ、酸化剤処理 Ｈ２Ｏ２等を用いる。

さらに、本発明の媒体は、磁性層上に表面層を設層して
、走行性をより一層向上することもできる。

表面層としては、公知の種々のものが適用でき、例えば
、各種高分子物質被膜、ないしはこれに潤滑剤、酸化防
止剤、界面活性剤、無機微粒子等を含有させたものや、
各種潤滑剤の塗膜ないし気相被着脱等がある。

表面層の厚さは、５〜３００人程度とする。

■　発明の具体的作用効果 本発明によれば、厚さ８μｍ以下の基体を用いるため、
媒体の小型化、長時間記録が可能となる。

また、磁性層が２層以上の層構成をなすことにより、磁
性柱状結晶粒の長さが小さいものとなるため磁性層の膜
強度が向上する。　このため走行安定性がきわめて高く
、また、走行による磁性層のクラックや磁性面のケズレ
の発生がきわめて少なく、ヘッド摩耗量もきわめて少な
いものとなる。

また、最上層の柱状結晶粒が基体主面方線に対し２０〜
９０°の傾きを仔し、特に５０°以上の傾きを有するも
のがあり、同時に最下層の酸素濃度Ｃ２と最上層の酸素
濃度Ｃ，との比Ｃ２／ＣＩが０．３以下であり、さらに
、最上層に隣接する層の最上層界面近傍の酸素濃度Ｃ３
と最上層の酸素濃度Ｃ１との比が０．１〜０．３である
ことにより、最上層では保磁力Ｈｃが相対的に高くなり
、比較的浅い磁界を仔する中心周波数が５ＭＨｚ程度の
信号有効に保持し、かつ分解能が良好なものとなる。

さらに、最下層の柱状結晶粒が基体主面方線に対して５
０°以下の傾きを有し、基体に対し立っている状態を呈
しており、また、同時の最下層では最大残留磁束Φｒ、
角形比が高く、さらに、最上層に隣接する層の最上層界
面近傍では、保磁力Ｈｃのピークが存在しているため、
比較的深い磁界を有する中心周波数０．７５ＭＨｚ程度
の信号を有効に保持するものである。

そして、上述の効果は、磁性層の最上層の厚さと最下層
の厚さとの比が０．２〜０．９となることにより、より
顕著に発現されるものである。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ 下記表１に示す厚さのポリエステル（ＰＥＴ）フィルム
を円筒状、冷却キャンの周面に沿わせて移動させ、０２
＋Ａｒ（容積比１：１）を毎分８００ｃｃの速さで流し
真空度を１．０ｘｌＯ−’Ｔｏｒｒとしたチャンバー内
で、Ｃｏ８０、Ｎｉ２０（重量比）の合金を溶融し、入
射角を表１に示す入射角として、斜め蒸着により第１図
に示されるＣｏ−Ｎｉ−０の２層薄１反を形成した。

また、比較として、入射角３０〜９０°の部分のみ斜め
蒸着し膜厚０．１５−のＣｏ−Ｎｉ−０の単層薄膜を形
成した。

酸素は下層と上層との界面およびベースと反対側の表面
に多く偏在していた。　また、ベースと反対側の表面は
ほぼ酸化物のみで覆われていた。

Ｈｃ＝ｌＯ０００ｅ０　膜中の平均酸素量はＣｏとＮｉ
に対する原子比 で４０％であった。

表１にはＡｒにてイオンエツチングを行ないながら、オ
ージェ分光分析を行なって得たＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋
Ｎｉ）原子比のうち、Ｃ１（表面）、ＣＩ”（上層平均
）、Ｃ２（下層の基体との界面）、Ｃ２”（下層平均）
、Ｃ３（下層の上層との界面近傍）か併記される。

なお、磁性層薄膜上のは、ミリスチン酸イソプロピルの
表面層を膜厚２５人にて設層し、また、基体裏面側には
０゜５膜厚にてカーボン、シリカおよび放射線硬化樹脂
を含む裏地層を設層した。

このようにとて形成した下記表１に示す各サンプルにつ
き、下記のｉ！ｉｌｌ定を行なった。　なお、媒体走行
方向と下層の基体法線に対する傾きの方向とを同一方向
とした。

１）耐久性 温度２０℃、湿度６０％ＲＨの条件下および温度４０℃
、湿度８０％ＲＨの条件下でそれぞれ連続走行テストを
行ない、出力か２ｄＢ低下するまでのパス回数を求めた
。

イ吏用デツキ：５ＯＮＹ　　Ａ−３００ヘツド　　ニス
バッタ　センダスト ２）スチル耐久性 温度０℃の条件下で出力が６ｄＢ低下するまでの時間を
求めた。

使用デツキ：５ＯＮＹ　　Ａ−３００（スチル解除機構
をはずして使用した） ヘッド　　ニスバッタセンダスト ３）電磁変換特性 中心周波数０．７５ＭＨｚおよび５ＭＨｚの出力を測定
しサンプルＮｏ、１５の出力をＯｄＢとした時の値を求
めた。

使用デツキ：５ＯＮＹ　　Ａ−３００ ヘッド：スパッタセンダスト モード：ＳＰモード なお、サンプルＮｏ１４（ベースＪ！Ｘ　７　ｐｘｎ　
。

磁性層構成：単層）の出力に対するサンプルＮｏ、１〜
１０（ベース厚７−１磁性層構成＝２層）の出力の向上
中を表１の（）内に記載した。

表１に示される結果より、本発明の効果は明かである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の暖気記録媒体の１実施例の媒体方向に
平行な断面の模式図である。 第２図は、本発明の磁気記録媒体の他の実施例の媒体方
向に平行な断面の模式図である。 符号の説明 １・・・・磁気記録媒体 ２・・・・基体 ３・・・・強磁性金属薄膜下層部 ４・・・・強電性金属薄膜上層部 ５・・・・下・層結晶粒 ６・・・・上層結晶粒 矢印ａ・・・・媒体長さ方向 出願人　ティーディーケイ株式会社 ＦＩＧ、１ −ａ　　　＜ 手もＲネ市正シタＦ（自発） 昭和６１年　８月　７日 特許庁長Ｔ−“　　黒　［Ｈ明　雄　殿２　発明の名称 磁気記録媒体 ３　補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住　　所　　東京都中央区日本橋−丁目１３番１号名　
　称　（３０６）　　ティーディーケイ株式会社゛　　
代表者　　大　歳　　寛 ４、代理人　〒１０１ 住　　所　　東京都千代田区宕本町３丁目２番２号千代
田岩本ビル　４階 ６、補正の内容 （１）委任状を別紙の通り補正する。 （２）明細書第２９ベージ下から４行目の「このように
とて」を「このようにして」と補正する。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）厚さ８μｍ以下のプラスチックフィルム基体上に
   Ｃｏを主成分とする強磁性金属薄膜層を有し、この強磁
   性金属薄膜層が２層以上の層からなる多層構造を有し、
   強磁性金属薄膜層被着時の基体法線に対する被着物質の
   最小入射角が基体側の最下層設層時は５０°以下、基体
   と反対側の最上層設層時は２０°〜９０°であり、最下
   層の基体側界面近傍の酸素濃度Ｃ＿２を最上層の基体と
   反対側表面近傍の酸素濃度Ｃ＿１で除した値Ｃ＿２／Ｃ
   ＿１が０．３以下であり、最上層の厚さが、最下層の厚
   さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）最上層に隣接する層の最上層との界面近傍での酸
   素濃度Ｃ＿３を最上層の基体と反対側表面近傍での酸素
   濃度Ｃ＿１で除した値Ｃ＿３／Ｃ＿１が０．１〜３．０
   である特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
3. （３）強磁性金属薄膜層が２層構造を有する特許請求の
   範囲第１項または第２項に記載の磁気記録媒体。