JPS6314323B2 - - Google Patents
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- JPS6314323B2 JPS6314323B2 JP54501630A JP50163079A JPS6314323B2 JP S6314323 B2 JPS6314323 B2 JP S6314323B2 JP 54501630 A JP54501630 A JP 54501630A JP 50163079 A JP50163079 A JP 50163079A JP S6314323 B2 JPS6314323 B2 JP S6314323B2
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- film
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- torr
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0042—Controlling partial pressure or flow rate of reactive or inert gases with feedback of measurements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00596—Mirrors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S80/00—Details, accessories or component parts of solar heat collectors not provided for in groups F24S10/00-F24S70/00
- F24S80/50—Elements for transmitting incoming solar rays and preventing outgoing heat radiation; Transparent coverings
- F24S80/52—Elements for transmitting incoming solar rays and preventing outgoing heat radiation; Transparent coverings characterised by the material
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Description
技術分野
本発明は可視線を透過し、赤外線を反射するた
めの透明なヒートミラー（heat mirror）の分野
にあり、更に詳しくいえば例えば可撓性の重合体
フイルムのような重合体の基体上の透過性のヒー
トミラーに関する。
めの透明なヒートミラー（heat mirror）の分野
にあり、更に詳しくいえば例えば可撓性の重合体
フイルムのような重合体の基体上の透過性のヒー
トミラーに関する。
背景技術
透明なヒートミラーはスペクトル的に選択的な
コーチングの一種である。このヒートミラーは、
可視線の高い透過率および赤外線の高い反射能
（reflectivity）を持つことができる光学的性質を
有している。このような透明なヒートミラーは、
太陽エネルギーの収集における潜在的な用途を伴
う透明な熱線シールド、窓の絶縁等々の重要な用
途がある。
コーチングの一種である。このヒートミラーは、
可視線の高い透過率および赤外線の高い反射能
（reflectivity）を持つことができる光学的性質を
有している。このような透明なヒートミラーは、
太陽エネルギーの収集における潜在的な用途を伴
う透明な熱線シールド、窓の絶縁等々の重要な用
途がある。
透明なヒートミラーをつくるのに提案された材
料の一種としてスズをドープした酸化インジウム
のフイルムがある。例えばFan，J.C.C.および
Bachner F.J.著Applied Optics Vol.15、No.４、
1976年４月発行、1012〜1017頁、Fan，J.C.C.、
Bachner、F.J.およびFoley、G.H.著Applied
Physics Letters，Vol.31、No.11、1977年12月発
行、773〜775頁およびFan，J.C.C.および
Bachner、F.J.著J.Electrochem.Soc.：Solid−
State Science and Technology、Vol.122、No.
12、1975年12月発行、1719〜1725頁を参照のこ
と。
料の一種としてスズをドープした酸化インジウム
のフイルムがある。例えばFan，J.C.C.および
Bachner F.J.著Applied Optics Vol.15、No.４、
1976年４月発行、1012〜1017頁、Fan，J.C.C.、
Bachner、F.J.およびFoley、G.H.著Applied
Physics Letters，Vol.31、No.11、1977年12月発
行、773〜775頁およびFan，J.C.C.および
Bachner、F.J.著J.Electrochem.Soc.：Solid−
State Science and Technology、Vol.122、No.
12、1975年12月発行、1719〜1725頁を参照のこ
と。
上記刊行物により証拠立てられているように、
透明なヒートミラーとして有用にするのに充分な
光学的性質を有する、スズをドープした酸化イン
ジウムのフイルムがつくられてきた。しかしなが
ら、そのようなフイルムは典型的には付着処理中
の基体の温度が、ほとんどの重合体フイルムの耐
熱性を超える必要があつたり、あるいはアニーリ
ングのような後処理を必要とし、またほとんどの
重合体フイルムを許容できる温度を超える必要が
あつた。このフイルムに関するほとんど総ての今
迄の操作は高周波ダイオードスパツタリングを含
み、それはあまりにも多くの内部加熱を有し、ま
た最も入手可能な重合体の基体については電子衝
撃処理を含んでいた。重合体のフイルム上で良好
な波長選択性をもつスズをドープした酸化インジ
ウムのフイルムを得ることに対する上記障害は当
業で知られていた。例えばFan，J.C.C.著Solid−
State Chemistry of Energy Conversion and
Storage、Advance in Chemistry Series 163、
アメリカ化学学会1977年刊149〜164頁および
Sobajima et al、Proc.6th International
Vacuum Congress、1974、Japan J.Appl.Phys.
Suppl.2、Pt.1 1974年刊、475〜478頁を参照のこ
と。
透明なヒートミラーとして有用にするのに充分な
光学的性質を有する、スズをドープした酸化イン
ジウムのフイルムがつくられてきた。しかしなが
ら、そのようなフイルムは典型的には付着処理中
の基体の温度が、ほとんどの重合体フイルムの耐
熱性を超える必要があつたり、あるいはアニーリ
ングのような後処理を必要とし、またほとんどの
重合体フイルムを許容できる温度を超える必要が
あつた。このフイルムに関するほとんど総ての今
迄の操作は高周波ダイオードスパツタリングを含
み、それはあまりにも多くの内部加熱を有し、ま
た最も入手可能な重合体の基体については電子衝
撃処理を含んでいた。重合体のフイルム上で良好
な波長選択性をもつスズをドープした酸化インジ
ウムのフイルムを得ることに対する上記障害は当
業で知られていた。例えばFan，J.C.C.著Solid−
State Chemistry of Energy Conversion and
Storage、Advance in Chemistry Series 163、
アメリカ化学学会1977年刊149〜164頁および
Sobajima et al、Proc.6th International
Vacuum Congress、1974、Japan J.Appl.Phys.
Suppl.2、Pt.1 1974年刊、475〜478頁を参照のこ
と。
本発明の開示
本発明は一般に可視線に対し高い透過率を有し
かつまた赤外線に対し高い反射能を有するスズを
ドープした酸化インジウムフイルムおよびアンチ
モンをドープした酸化スズフイルムを例えば可撓
性重合体フイルムのような重合体基体上に生成さ
せることに関する。
かつまた赤外線に対し高い反射能を有するスズを
ドープした酸化インジウムフイルムおよびアンチ
モンをドープした酸化スズフイルムを例えば可撓
性重合体フイルムのような重合体基体上に生成さ
せることに関する。
そのようなフイルムは低温付着法を用いること
によりまた付着処理中の酸素分圧を注意深く制御
することにより重合体フイルム上にうまく生成さ
せることができる。
によりまた付着処理中の酸素分圧を注意深く制御
することにより重合体フイルム上にうまく生成さ
せることができる。
例えば一例ではイオンビームスパツタリング法
を用いてスズをドープした酸化インジウムのフイ
ルムを付着する。なぜならその付着処理は多くの
重合体フイルムにより許容できる温度を超える温
度に基体を加熱することがないからである。酸化
インジウムとスズまたは酸化スズとの混合物を含
むターゲツト源にアルゴンイオンを当ててターゲ
ツト源から原子を放出させる。この付着処理中充
分な酸素をスパツタリング室に入れて室内の分圧
を約２×10-5トル〜約５×10-5トルの水準に保持
する。
を用いてスズをドープした酸化インジウムのフイ
ルムを付着する。なぜならその付着処理は多くの
重合体フイルムにより許容できる温度を超える温
度に基体を加熱することがないからである。酸化
インジウムとスズまたは酸化スズとの混合物を含
むターゲツト源にアルゴンイオンを当ててターゲ
ツト源から原子を放出させる。この付着処理中充
分な酸素をスパツタリング室に入れて室内の分圧
を約２×10-5トル〜約５×10-5トルの水準に保持
する。
本発明はフイルムの品質を改良するための後付
着処理を何ら必要とせずに低温で高品質透明熱反
射フイルムを付着させることができる。このよう
に、重合体の基体上にスズをドープした酸化イン
ジウムおよびアンチモンをドープした酸化スズフ
イルムから透明なヒートミラーを作成できる。こ
のことはこれらの物質からつくられた透明ヒート
ミラーの有用な用途が劇的に増大する。
着処理を何ら必要とせずに低温で高品質透明熱反
射フイルムを付着させることができる。このよう
に、重合体の基体上にスズをドープした酸化イン
ジウムおよびアンチモンをドープした酸化スズフ
イルムから透明なヒートミラーを作成できる。こ
のことはこれらの物質からつくられた透明ヒート
ミラーの有用な用途が劇的に増大する。
第１図は本発明による透明ヒートミラーをつく
るのに適したイオンビームスパツタリング装置の
模式図である。
るのに適したイオンビームスパツタリング装置の
模式図である。
第２図は酸素分圧対アルゴンイオンを用いるイ
オンビームスパツタリング方法においてつくられ
たフイルムの固有抵抗のプロツトである。
オンビームスパツタリング方法においてつくられ
たフイルムの固有抵抗のプロツトである。
第３図は酸素分圧対同じイオンビームスパツタ
リング方法において得られたフイルムについて
10μｍでの有効反射能のプロツトである。そして 第４図は酸素分圧対同じイオンビームスパツタ
リング方法で得られたフイルムの積算透過率のプ
ロツトである。
リング方法において得られたフイルムについて
10μｍでの有効反射能のプロツトである。そして 第４図は酸素分圧対同じイオンビームスパツタ
リング方法で得られたフイルムの積算透過率のプ
ロツトである。
本発明の最良の実施態様
本発明の好ましい態様は特に図面を参照しなが
ら詳細に説明できる。
ら詳細に説明できる。
第１図はイオンビームスパツタリング装置の模
式図である。例えばCommonwealth Scientific
Corp.、バージニア州、アレクサンドリア、ある
いはJon Tech、Inc、コロラド州Ft.コリンズに
より販売されているイオンビーム銃１０を用意
し、例えばアルゴンのようなガスをイオン化し、
これを銃の室に供給する。アルゴンイオンをエク
ストラクターの電圧により加速し、グリツド１２
によりターゲツトに指向させる。このアルゴンイ
オンの流れは、例えば酸化インジウムおよび酸化
スズのような付着せんとする物質の水冷されたタ
ーゲツト源１４に当る。ターゲツト源１４を冷却
して過熱を防ぐ。これは裏側にウオータージヤケ
ツトを設けることにより行うことができる。被覆
すべき重合体フイルム１６を回転する円盤基体の
プラツトフオーム１８上に取り付ける。
式図である。例えばCommonwealth Scientific
Corp.、バージニア州、アレクサンドリア、ある
いはJon Tech、Inc、コロラド州Ft.コリンズに
より販売されているイオンビーム銃１０を用意
し、例えばアルゴンのようなガスをイオン化し、
これを銃の室に供給する。アルゴンイオンをエク
ストラクターの電圧により加速し、グリツド１２
によりターゲツトに指向させる。このアルゴンイ
オンの流れは、例えば酸化インジウムおよび酸化
スズのような付着せんとする物質の水冷されたタ
ーゲツト源１４に当る。ターゲツト源１４を冷却
して過熱を防ぐ。これは裏側にウオータージヤケ
ツトを設けることにより行うことができる。被覆
すべき重合体フイルム１６を回転する円盤基体の
プラツトフオーム１８上に取り付ける。
酸素分圧は、例えばUTI、カリフオルニア州
サニーヴエイルによりModelNo.100Nsyのという
名で市販されているような残留ガス分析装置２０
により付着室においてモニターできる。残留ガス
分析装置２０はサンプリング室２２に付いてお
り、室自体のポンプステーシヨン２４を有し、こ
のステーシヨンは毛細管リークを通じて主スパツ
タリング室と連絡している。酸素供給ライン２６
を通じて酸素導入し室内の酸素分圧を所望水準に
保つ。
サニーヴエイルによりModelNo.100Nsyのという
名で市販されているような残留ガス分析装置２０
により付着室においてモニターできる。残留ガス
分析装置２０はサンプリング室２２に付いてお
り、室自体のポンプステーシヨン２４を有し、こ
のステーシヨンは毛細管リークを通じて主スパツ
タリング室と連絡している。酸素供給ライン２６
を通じて酸素導入し室内の酸素分圧を所望水準に
保つ。
第２図は第１図の装置においてマイラー、ポリ
エチレンテレフタレートのフイルム上に付着させ
たフイルムについての固有抵抗を示している。そ
こから分るように、固有抵抗は約５×10-5トル
（Torr）以下の酸素分圧についてほゞ一定である
が、その後急速に上昇する。
エチレンテレフタレートのフイルム上に付着させ
たフイルムについての固有抵抗を示している。そ
こから分るように、固有抵抗は約５×10-5トル
（Torr）以下の酸素分圧についてほゞ一定である
が、その後急速に上昇する。
この固有抵抗の増加は通常赤外における反射能
（自由電子の効果による）は下げることを意味す
る。第３図はこの結果を確認するものである。そ
こでは10ミクロメートルにおける反射能は、約５
×10-5トル以下の酸素分圧で得たフイルム（約
0.5μｍ厚）について約84％であるが、しかしより
高い酸素分圧については減少することが分る。赤
外線の測定を積算球（integrating spheres）を
用いるギエル ダンケル（Gier Dunkel）反射計
で行ない、室温の黒体からの法線に近い入射線で
の積算反射能を測定した。そこでは放射は10ミク
ロンでピークである。
（自由電子の効果による）は下げることを意味す
る。第３図はこの結果を確認するものである。そ
こでは10ミクロメートルにおける反射能は、約５
×10-5トル以下の酸素分圧で得たフイルム（約
0.5μｍ厚）について約84％であるが、しかしより
高い酸素分圧については減少することが分る。赤
外線の測定を積算球（integrating spheres）を
用いるギエル ダンケル（Gier Dunkel）反射計
で行ない、室温の黒体からの法線に近い入射線で
の積算反射能を測定した。そこでは放射は10ミク
ロンでピークである。
第４図は0.5μｍ厚のスズをドープした酸化イン
ジウムフイルムの、0.45〜0.80ミクロン範囲の波
長での積算光透過率を酸素分圧の関数として説明
している。低い分圧では透明性は全く低く、フイ
ルムは暗色となつた。分圧を増大させると、透明
性は最初は急速に増加して３×10-5トルで80％を
超え、次いでより高い分圧について90％以上で一
定となつた。透過率は基体の影響を除いてプロツ
トした。0.5μｍ厚のフイルムについてこれらの測
定をしたけれども、このフイルムの10μｍでの赤
外反射能はフイルムが0.3μｍ以上の厚みである限
り、フイルムの厚みには全く感じない。もちろ
ん、フイルムがより薄くなると、可視透過率は増
大する。
ジウムフイルムの、0.45〜0.80ミクロン範囲の波
長での積算光透過率を酸素分圧の関数として説明
している。低い分圧では透明性は全く低く、フイ
ルムは暗色となつた。分圧を増大させると、透明
性は最初は急速に増加して３×10-5トルで80％を
超え、次いでより高い分圧について90％以上で一
定となつた。透過率は基体の影響を除いてプロツ
トした。0.5μｍ厚のフイルムについてこれらの測
定をしたけれども、このフイルムの10μｍでの赤
外反射能はフイルムが0.3μｍ以上の厚みである限
り、フイルムの厚みには全く感じない。もちろ
ん、フイルムがより薄くなると、可視透過率は増
大する。
これらのことから、良い透明な熱反射性を有す
る、スズをドープした酸化インジウムのフイルム
は、もし分圧が約２×10-5〜約５×10-5に保持さ
れるならばイオンビームスパツタリング方法でつ
くれることが分る。記載された実験は約200Å／
分の付着速度で行つた。100Å／分の付着速度で
行つた。100Å／分〜400Å／分の他の速度での初
めての実験は酸素分圧の有効範囲は付着速度で若
干変わることを示している。例えば100Å／分の
付着速度では酸素分圧の有効範囲は約1.0×10-5
〜４×10-5トルであり、400Å／分の速度では有
効範囲は３×10-5〜６×10-5トルであつた。
る、スズをドープした酸化インジウムのフイルム
は、もし分圧が約２×10-5〜約５×10-5に保持さ
れるならばイオンビームスパツタリング方法でつ
くれることが分る。記載された実験は約200Å／
分の付着速度で行つた。100Å／分の付着速度で
行つた。100Å／分〜400Å／分の他の速度での初
めての実験は酸素分圧の有効範囲は付着速度で若
干変わることを示している。例えば100Å／分の
付着速度では酸素分圧の有効範囲は約1.0×10-5
〜４×10-5トルであり、400Å／分の速度では有
効範囲は３×10-5〜６×10-5トルであつた。
一般に良質フイルムについての酸素窓は非常に
狭く、付着条件に若干敏感である。約200Å／分
の付着速度ではこの窓は約２×10-5〜約５×10-5
トルである。より低い付着速度では酸素窓はより
低い酸素分圧の方に僅かに移行し、一方より高い
付着速度ではより高い方へ僅かに移行する。
狭く、付着条件に若干敏感である。約200Å／分
の付着速度ではこの窓は約２×10-5〜約５×10-5
トルである。より低い付着速度では酸素窓はより
低い酸素分圧の方に僅かに移行し、一方より高い
付着速度ではより高い方へ僅かに移行する。
イオンビームスパツタリング法を特に記載して
きたけれども、いずれの付着方法でももし基体の
温度を重合体の基体が許容できる温度以上に上昇
させないのであれば適している。
きたけれども、いずれの付着方法でももし基体の
温度を重合体の基体が許容できる温度以上に上昇
させないのであれば適している。
イオンビームスパツタリングで得られた性質に
匹敵する性質を有する高品質の透明な熱反射フイ
ルムは、酸化インジウムと酸化スズの混合物を入
れたタンタルと白金のボートからスズをドープし
た酸化インジウムの熱蒸発により付着された。こ
の場合酸素分圧は200Å／分の付着速度で約４〜
５×10-5トルに保持された。酸素は、フイルムの
品質を最も良くコントロールするために蒸発ボー
トの直ぐ上にある空間に向けたノズルジエツトを
通して真空装置に供給された。後付着アニーリン
グは必要でなかつた。
匹敵する性質を有する高品質の透明な熱反射フイ
ルムは、酸化インジウムと酸化スズの混合物を入
れたタンタルと白金のボートからスズをドープし
た酸化インジウムの熱蒸発により付着された。こ
の場合酸素分圧は200Å／分の付着速度で約４〜
５×10-5トルに保持された。酸素は、フイルムの
品質を最も良くコントロールするために蒸発ボー
トの直ぐ上にある空間に向けたノズルジエツトを
通して真空装置に供給された。後付着アニーリン
グは必要でなかつた。
他の低温方法はマグネトロスパツタリング、ト
リオードスパツタリングおよびある真空付着法を
含み、それらは基体の過熱あるいは電子衝撃を起
さないものである。
リオードスパツタリングおよびある真空付着法を
含み、それらは基体の過熱あるいは電子衝撃を起
さないものである。
特定の重合体の基体を選ぶことはもちろん厳密
な用途に拠つている。フイルムのいくつかの例は
マイラーポリエチレンテレフタレート、レキサン
ポリカーボネート、カプトンポリイミドおよび
FEPテフロンである。
な用途に拠つている。フイルムのいくつかの例は
マイラーポリエチレンテレフタレート、レキサン
ポリカーボネート、カプトンポリイミドおよび
FEPテフロンである。
上記の実験操作はスズをドープした酸化インジ
ウムについて行われたけれども、アンチモンをド
ープした酸化スズフイルムも上記の技術により重
合体の基体上に低温で付着させることができる。
これらは好ましい物質である。しかし更に自由電
荷を担持するものであるいずれのドープ剤も使用
できる。例えばIn2O3の場合にはドーパントは
Sn、Ge、SiまたはSbとすることができる。ドー
ピングはまた酸素不足でも行うことができる。
SnO2の場合には、適当なドーパントの例はSbま
たはBiである。
ウムについて行われたけれども、アンチモンをド
ープした酸化スズフイルムも上記の技術により重
合体の基体上に低温で付着させることができる。
これらは好ましい物質である。しかし更に自由電
荷を担持するものであるいずれのドープ剤も使用
できる。例えばIn2O3の場合にはドーパントは
Sn、Ge、SiまたはSbとすることができる。ドー
ピングはまた酸素不足でも行うことができる。
SnO2の場合には、適当なドーパントの例はSbま
たはBiである。
工業的用途
本発明の工業的用途は透明なヒートミラーを重
合体材料の上につくることである。
合体材料の上につくることである。
均等物
当業者であれば上記の本発明の特定の態様と均
等なものが多くあることを認めるだろう。そのよ
うな均等なものは本発明の一部であり、請求の範
囲に入ることは意図するところである。
等なものが多くあることを認めるだろう。そのよ
うな均等なものは本発明の一部であり、請求の範
囲に入ることは意図するところである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ドープされた酸化インジウムまたはドープさ
れた酸化スズのフイルムを基体上に付着させるこ
とによつて透明なヒートミラーを製造する方法に
おいて、上記付着処理は低温で重合体の基体上
に、スパツタリング、熱蒸発、真空蒸着または電
子衝撃により付着させることからなり、付着中、
太陽の可視スペクトルに対して高い透過性を有
し、赤外スペクトルに対して高い反射性を有する
上記物質のフイルムを直接生成する範囲内の酸素
分圧を用いることを特徴とする、透明なヒートミ
ラーの製造方法。 ２ 酸素分圧は約１×10-5トル〜約６×10-5トル
である、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３ 上記物質はスズをドープした酸化インジウム
またはアンチモンをドープした酸化スズからな
る、特許請求の範囲第１項または第２項に記載の
方法。 ４ 酸素分圧は約５×10-5トルより低い、特許請
求の範囲第３項に記載の方法。 ５ (イ)イオンビームスパツタリング室に酸化イン
ジウムおよび酸化スズまたはスズのターゲツト源
を用意し、(ロ)スズでドープされた酸化インジウム
の付着が行われる上記イオンビームスパツタリン
グ室内の位置に重合体の基体を取り付け、(ハ)上記
ターゲツト源に十分にイオンを衝突させてターゲ
ツト源物質を追い出すことからなる、特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の方法。 ６ 衝突するイオンはアルゴンイオンである、特
許請求の範囲第５項に記載の方法。 ７ 重合体の基体は重合体のフイルムである、特
許請求の範囲第１項〜第６項のいずれか１項に記
載の方法。 ８ 重合体の基体はポリエチレンテレフタレート
のフイルムからなる、特許請求の範囲第１項〜第
７項のいずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US94626478A | 1978-09-27 | 1978-09-27 | |
| US06/059,794 US4248687A (en) | 1979-07-23 | 1979-07-23 | Method of forming transparent heat mirrors on polymeric substrates |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55500725A JPS55500725A (ja) | 1980-10-02 |
| JPS6314323B2 true JPS6314323B2 (ja) | 1988-03-30 |
Family
ID=26739186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54501630A Expired JPS6314323B2 (ja) | 1978-09-27 | 1979-09-13 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0020456B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6314323B2 (ja) |
| DE (1) | DE2967638D1 (ja) |
| WO (1) | WO1980000713A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0312325U (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-07 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3316548C2 (de) * | 1983-03-25 | 1985-01-17 | Flachglas AG, 8510 Fürth | Verfahren zur Beschichtung eines transparenten Substrates |
| JPS60102794A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-06 | ブラザー工業株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| US4952294A (en) * | 1988-03-15 | 1990-08-28 | Collins George J | Apparatus and method for in-situ generation of dangerous polyatomic gases, including polyatomic radicals |
| US5059292A (en) * | 1989-02-28 | 1991-10-22 | Collins George J | Single-chamber apparatus for in-situ generation of dangerous polyatomic gases and radicals from a source material contained within a porous foamed structure |
| ES2185454B1 (es) * | 2000-08-28 | 2004-05-01 | Centro De Investigaciones Energeticas, Medioambientales Y Tecnologicas (C.I.E.M.A.T.) | Metodo de obtencion de oxidos conductores electricos y transparentes mediante pulverizacion catodica. |
| DE10252543A1 (de) * | 2002-11-08 | 2004-05-27 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Beschichtung für ein Kunststoffsubstrat |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3907660A (en) * | 1970-07-31 | 1975-09-23 | Ppg Industries Inc | Apparatus for coating glass |
| JPS52113380A (en) * | 1976-03-19 | 1977-09-22 | Koito Mfg Co Ltd | Process for preparing film shorn with a hottwire cutter |
| US4065600A (en) * | 1970-05-20 | 1977-12-27 | Triplex Safety Glass Company Limited | Metal oxide films |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3356529A (en) * | 1964-07-31 | 1967-12-05 | Gen Electric | Method for the deposition of an electro-conductive transparent indium oxide coating |
| JPS5135431B2 (ja) * | 1973-05-07 | 1976-10-02 |
-
1979
- 1979-09-13 WO PCT/US1979/000719 patent/WO1980000713A1/en not_active Ceased
- 1979-09-13 JP JP54501630A patent/JPS6314323B2/ja not_active Expired
- 1979-09-13 DE DE7979901261T patent/DE2967638D1/de not_active Expired
-
1980
- 1980-04-22 EP EP79901261A patent/EP0020456B1/en not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4065600A (en) * | 1970-05-20 | 1977-12-27 | Triplex Safety Glass Company Limited | Metal oxide films |
| US3907660A (en) * | 1970-07-31 | 1975-09-23 | Ppg Industries Inc | Apparatus for coating glass |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0312325U (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1980000713A1 (en) | 1980-04-17 |
| DE2967638D1 (en) | 1987-01-15 |
| JPS55500725A (ja) | 1980-10-02 |
| EP0020456A1 (en) | 1981-01-07 |
| EP0020456B1 (en) | 1986-12-03 |
| EP0020456A4 (en) | 1981-03-09 |
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