JPS631440A - 気相反応装置 - Google Patents
気相反応装置Info
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- JPS631440A JPS631440A JP14427186A JP14427186A JPS631440A JP S631440 A JPS631440 A JP S631440A JP 14427186 A JP14427186 A JP 14427186A JP 14427186 A JP14427186 A JP 14427186A JP S631440 A JPS631440 A JP S631440A
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- fork
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
- B01J12/02—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor for obtaining at least one reaction product which, at normal temperature, is in the solid state
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分升コ
本発明は気相反応装置に関する。更に詳細には、本発明
はウェハ載置台およびウェハフォークなどの表面にポリ
シリコンの薄膜が施された気相反応装置に関する。
はウェハ載置台およびウェハフォークなどの表面にポリ
シリコンの薄膜が施された気相反応装置に関する。
［従来技術コ
薄膜の形成方法として、゛ト導体工業において一般に広
く用いられているものの一つに、気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
ｉｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応
で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
く用いられているものの一つに、気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
ｉｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応
で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積７ｕ度で種々の薄膜が得られること、および
、成長した薄膜の純度が高＜、ＳＩやＳｉｔの熱酸化膜
１−に成長した場合も電気的特性が安定であることで、
広く゛ｒ導体表面のパッシベーション膜として利用され
ている。
り低い堆積７ｕ度で種々の薄膜が得られること、および
、成長した薄膜の純度が高＜、ＳＩやＳｉｔの熱酸化膜
１−に成長した場合も電気的特性が安定であることで、
広く゛ｒ導体表面のパッシベーション膜として利用され
ている。
Ｃ Ｖ Ｉ）による薄膜形成は、例えば５００゜Ｃ程度
に加熱したウェハに反応ガス（例えば、ＳｉＨ４＋０２
，またはＳ ｉ ＨＱ ＋ＰＨＪ ＋０２ ）を供給し
て行われる。−Ｌ記の反応ガスはＮ２ガスをキャリャと
して反応炉（ベルジャ）内のウェハに吹きつけられ、１
亥ウェハの表面にＳｉ０２あるいはフォスフォシリケー
トガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する。また、ＳｉＯ２
とＰＳＧとの２相成膜が行われることもある。
に加熱したウェハに反応ガス（例えば、ＳｉＨ４＋０２
，またはＳ ｉ ＨＱ ＋ＰＨＪ ＋０２ ）を供給し
て行われる。−Ｌ記の反応ガスはＮ２ガスをキャリャと
して反応炉（ベルジャ）内のウェハに吹きつけられ、１
亥ウェハの表面にＳｉ０２あるいはフォスフォシリケー
トガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する。また、ＳｉＯ２
とＰＳＧとの２相成膜が行われることもある。
このようなＣＶＤによる薄膜形成操作を行うために従来
から用いられている装置の一例を第２図に郎分断面図と
して示す。
から用いられている装置の一例を第２図に郎分断面図と
して示す。
第２図において、反応炉（ペルジャ）１は、円錐状のバ
ッファ２を円錐状のカバー３で覆い、上記バッファ２の
周囲にリング状のウェハ載置台４を駆動機構５で回転駆
動可能、または自公転可能に設置するとともに、上記ウ
ェハ載置台の上に被加工物であるウェハ６を順次に供給
し、該ウェハを順次に搬出するウェハフォーク７を設け
て構成されている。ウェハフォークを炉内に導入するた
めの開閉可能なゲート部１１が反応炉に設けられている
。
ッファ２を円錐状のカバー３で覆い、上記バッファ２の
周囲にリング状のウェハ載置台４を駆動機構５で回転駆
動可能、または自公転可能に設置するとともに、上記ウ
ェハ載置台の上に被加工物であるウェハ６を順次に供給
し、該ウェハを順次に搬出するウェハフォーク７を設け
て構成されている。ウェハフォークを炉内に導入するた
めの開閉可能なゲート部１１が反応炉に設けられている
。
前記円錐状カバー３の頂点付近に反応ガス送入管８およ
び９が接続されている。使用する反応ガスのＳｉＨ４お
よび０２はそれぞれ別のガス送入管により反応炉に送入
しなければならない。例えば、ＳｉＨ４を送入管８で送
入し、そして、０２を送入管９で送入する。また、ＰＨ
ａを使用する場合、ＳｉＨ４とともに送入できる。取り
扱いを容易にするために、反応ガスのＳｉＨｑ及び０２
はＮ２キャリアガスで希釈して使用することが好ましい
。
び９が接続されている。使用する反応ガスのＳｉＨ４お
よび０２はそれぞれ別のガス送入管により反応炉に送入
しなければならない。例えば、ＳｉＨ４を送入管８で送
入し、そして、０２を送入管９で送入する。また、ＰＨ
ａを使用する場合、ＳｉＨ４とともに送入できる。取り
扱いを容易にするために、反応ガスのＳｉＨｑ及び０２
はＮ２キャリアガスで希釈して使用することが好ましい
。
前記のウェハ載置台４の直下には僅かなギャップを介し
て加熱手段１０が設けられていてウェハ６を所定のＩｕ
度（例えば約５００゜Ｃ）に加熱し、化学反応によって
生成される物質（Ｓｉ０２またはＰＳＧ）の薄膜をウェ
ハ６の表面に生成せしめる。
て加熱手段１０が設けられていてウェハ６を所定のＩｕ
度（例えば約５００゜Ｃ）に加熱し、化学反応によって
生成される物質（Ｓｉ０２またはＰＳＧ）の薄膜をウェ
ハ６の表面に生成せしめる。
［発明が解決しようとする問題点］
ウェハ表面への成膜が終了した後、反応炉内からのウェ
ハの取り出しは、第３図に示されるように以下の動作順
序で行われる。
ハの取り出しは、第３図に示されるように以下の動作順
序で行われる。
（１）ウェハ載置台４内に収納されていた突き上げピン
１２が上昇してウェハ載置台上の成膜済ウェハ６を持ち
上げる； （２）持ちＬげられたウェハ６とウェハ載置台４との間
にフォーク７が進入する； （３）突き−１−げピンｌ２が下降し、ウェハ６をフォ
ーク７に乗せる； （４）フォーク７が移動することによりウェハを反応炉
外へ搬出する。
１２が上昇してウェハ載置台上の成膜済ウェハ６を持ち
上げる； （２）持ちＬげられたウェハ６とウェハ載置台４との間
にフォーク７が進入する； （３）突き−１−げピンｌ２が下降し、ウェハ６をフォ
ーク７に乗せる； （４）フォーク７が移動することによりウェハを反応炉
外へ搬出する。
反応炉内ヘウェハを搬入する動作はほぼこの逆の動作と
なる。
なる。
成膜反応の進行につれて、反応炉内、特に反応炉の内壁
面にＳｉＯおよび／またはＳｉ０２等の酸化物のフレー
クが成長●付着してくる。これらの異物は僅かな振動や
気流により壁面から剥れ落ちて炉内を浮遊する。そして
、ウェハ載置台，突き１・，げピンおよびフォークなど
の表面に落丁●付首する。
面にＳｉＯおよび／またはＳｉ０２等の酸化物のフレー
クが成長●付着してくる。これらの異物は僅かな振動や
気流により壁面から剥れ落ちて炉内を浮遊する。そして
、ウェハ載置台，突き１・，げピンおよびフォークなど
の表面に落丁●付首する。
前記のウェハ搬入Φ搬出動作において，反応炉内でウェ
ハに直接接触するものとして、ウェハ載置台の載置而，
突き上げピンの上端而およびフォークのウェハ載置而等
が考えられる。従って、これらの部材の表面に落下●付
着している異物類は当然ウェハの裏面にも付青してくる
。また、ウェハを取り扱う部材に異物類が付着している
と、ウェハの裏面に限らず、表（おちて）而にも異物類
が付着する可能性が大きくなる。
ハに直接接触するものとして、ウェハ載置台の載置而，
突き上げピンの上端而およびフォークのウェハ載置而等
が考えられる。従って、これらの部材の表面に落下●付
着している異物類は当然ウェハの裏面にも付青してくる
。また、ウェハを取り扱う部材に異物類が付着している
と、ウェハの裏面に限らず、表（おちて）而にも異物類
が付着する可能性が大きくなる。
このように、ウェハに異物類が付着すると成膜にピンホ
ールを発生させる。
ールを発生させる。
これら異物がウェハの表面に付着して成膜にピンホール
を発生させると半導体素子の製造歩留りが著しく低下さ
れる。
を発生させると半導体素子の製造歩留りが著しく低下さ
れる。
前記のようなウェハ取扱の際における異物付７ｔの問題
はＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装置に限らず、反応炉および該
反応炉内にウェハを搬入●搬出するために前記のような
手段を使用する気相反応装置類、例えば、エビタキシャ
ル装置，拡散炉，酸化炉，イオン打ち込み装置，スパッ
タリング装置，蒸着装置等についても認められる。
はＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装置に限らず、反応炉および該
反応炉内にウェハを搬入●搬出するために前記のような
手段を使用する気相反応装置類、例えば、エビタキシャ
ル装置，拡散炉，酸化炉，イオン打ち込み装置，スパッ
タリング装置，蒸着装置等についても認められる。
［発明の［１的コ
従って、本発明の１１的はウェハを反応炉内で取り扱う
ウェハ載置台、ウェハ突き上げピンおよびウェハフォー
クなどに異物類が付青しに《い気相反応装置を提供する
ことである。
ウェハ載置台、ウェハ突き上げピンおよびウェハフォー
クなどに異物類が付青しに《い気相反応装置を提供する
ことである。
［問題点を解決するための千段コ
前記問題点を解決し、あわせて本発明の目的を達成する
ための手段として、この発明は、反応炉，該炉内に配設
されたウェハ突き上げ機構付きウェハ載置台および該ウ
ェハ載置台にウェハを搬送するためのウェハフォークを
有する気相反応装置において、少なくとも、前記ウェハ
載置台のウェハ載置而、ウェハ突き上げビンならびにウ
ェハフォークのウェハとの各接触面にポリシリコンの薄
膜が施されていることを特徴とする気相反応装置を提供
する。
ための手段として、この発明は、反応炉，該炉内に配設
されたウェハ突き上げ機構付きウェハ載置台および該ウ
ェハ載置台にウェハを搬送するためのウェハフォークを
有する気相反応装置において、少なくとも、前記ウェハ
載置台のウェハ載置而、ウェハ突き上げビンならびにウ
ェハフォークのウェハとの各接触面にポリシリコンの薄
膜が施されていることを特徴とする気相反応装置を提供
する。
［作用コ
前記のように、本発明の気相反応装置におけるウェハ載
置台、ウェハ突き１−げピンおよびウェハフォークのそ
れぞれウェハと接触する而にはポリシリコンの薄膜が施
されている。
置台、ウェハ突き１−げピンおよびウェハフォークのそ
れぞれウェハと接触する而にはポリシリコンの薄膜が施
されている。
本発明者らは反応炉内の異物対策を検討中に、偶然にも
ウェハと同様な素材をウェハ載置台等に使用すると異物
が付着しにくいことを発見した。
ウェハと同様な素材をウェハ載置台等に使用すると異物
が付着しにくいことを発見した。
史に、ウェハと同様な素材で製造したウェハ載置台の表
面を鏡而仕」−げすると異物が一層付着しにくくなるこ
とを発見した。
面を鏡而仕」−げすると異物が一層付着しにくくなるこ
とを発見した。
この発見に基づき、ウェハ載置台だけでなく、ウェハと
接触するｉｉＪ能性のある、ウェハ突き上げピンおよび
ウェハフォークにもウェハと同様な素材であるポリシリ
コンの薄膜を施したところ、異物が殆ど付着しなかった
。
接触するｉｉＪ能性のある、ウェハ突き上げピンおよび
ウェハフォークにもウェハと同様な素材であるポリシリ
コンの薄膜を施したところ、異物が殆ど付着しなかった
。
ウェハ載置台、ウェハ突き上げビンおよびウェハフォー
クに異物が付着しないので、これらにより取り扱われる
ウェハの裏面にも異物が付着しないこととなる。史に、
ウェハの裏面に異物が付青しないと、搬送中でもウェハ
の表（おちて）而に人物が付着することはない。
クに異物が付着しないので、これらにより取り扱われる
ウェハの裏面にも異物が付着しないこととなる。史に、
ウェハの裏面に異物が付青しないと、搬送中でもウェハ
の表（おちて）而に人物が付着することはない。
かくして、ウェハに酸化物フレークが付着して成膜にピ
ンホールを発生させるような不都合な″−１［態が起こ
ることを減少させることができ、゛ｌ１導体素子の製造
歩留りを向一ヒさせることができるばかりか、゛！ヘ導
体シ造工程全体のスループットを向上させることができ
る。
ンホールを発生させるような不都合な″−１［態が起こ
ることを減少させることができ、゛ｌ１導体素子の製造
歩留りを向一ヒさせることができるばかりか、゛！ヘ導
体シ造工程全体のスループットを向上させることができ
る。
［実施例コ
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
第１図は本発明の気相反応装置で使用されるウェハｌ１
置台、ウェハ突きＬげピンおよびウェハフォークの一実
施例の部分！要図である。
置台、ウェハ突きＬげピンおよびウェハフォークの一実
施例の部分！要図である。
第１図に示されるように、ステンレス製のウェハ載置台
４の上面にポリシリコンの薄膜２０ａを施す。同様に、
ステンレス製の突きトげピンの上端面にボリンリコンの
薄膜２０ｂを施し、更に、ステンレス製のウェハフォー
クのウェハＨ置而にポリシリコンの薄膜２０ｃを施す。
４の上面にポリシリコンの薄膜２０ａを施す。同様に、
ステンレス製の突きトげピンの上端面にボリンリコンの
薄膜２０ｂを施し、更に、ステンレス製のウェハフォー
クのウェハＨ置而にポリシリコンの薄膜２０ｃを施す。
ポリシリコン薄膜は前記のようにウェハと接触する部分
だけに施すこともできるが、ウェハ載置台，突き１−げ
ピンおよびウェハフォークの各部材の全表面積に施すこ
ともできる。異物の付着防止の観点からすれば、全表面
積にポリシリコン薄膜を施すことが好ましい。
だけに施すこともできるが、ウェハ載置台，突き１−げ
ピンおよびウェハフォークの各部材の全表面積に施すこ
ともできる。異物の付着防止の観点からすれば、全表面
積にポリシリコン薄膜を施すことが好ましい。
ポリシリコン薄膜は、例えば、シリコン蒸発源と部材を
真空チャンバー内に入れ、高真空中でシリコンを加熱し
て蒸発させることにより部材の表面に気相蒸着させるこ
とができる。これ以外の方法、例えば、電ｒ・ビーム蒸
着，スパッタ，またはＣＶＤなとの方法によっても薄膜
を彼着させることができる。
真空チャンバー内に入れ、高真空中でシリコンを加熱し
て蒸発させることにより部材の表面に気相蒸着させるこ
とができる。これ以外の方法、例えば、電ｒ・ビーム蒸
着，スパッタ，またはＣＶＤなとの方法によっても薄膜
を彼着させることができる。
ポリシリコン薄膜の厚みは数μｍから数十μｍ程度でよ
い。これ以上の厚みも使用できるが、経済的ではない。
い。これ以上の厚みも使用できるが、経済的ではない。
波着させたポリシリコン薄膜の表面を研磨し鏡面仕上げ
する。このような研磨による鏡而仕」―げの具体的処理
方法は当業者に周知である。
する。このような研磨による鏡而仕」―げの具体的処理
方法は当業者に周知である。
［発明の効果］
以−ｌ一説明したように、本発明の気相反応装置におけ
るウェハ載置台、ウェハ突きｌ−げビンおよびウェハフ
ォークのそれぞれウェハと接触する面にはポリシリコン
の薄膜が施されている。
るウェハ載置台、ウェハ突きｌ−げビンおよびウェハフ
ォークのそれぞれウェハと接触する面にはポリシリコン
の薄膜が施されている。
本発明者らは反応炉内の異物対策を検討中に、偶然にも
ウェハと同様な素材をウェハ載置台等に使用すると異物
が付着しにくいことを発見した。
ウェハと同様な素材をウェハ載置台等に使用すると異物
が付着しにくいことを発見した。
川に、ウェハと同様な素材で製造したウェハ載置台の表
面を鏡而仕−ヒげすると兇物が一層付青しにくくなるこ
とを発見した。
面を鏡而仕−ヒげすると兇物が一層付青しにくくなるこ
とを発見した。
この発見に基づき、ウェハ載置台だけでなく、ウェハと
接触する可能性のある、ウェハ突き上げビンおよびウェ
ハフォークにもウェハと同様な素材であるポリシリコン
の薄膜を施したところ、兇物が殆ど付着しなかった。
接触する可能性のある、ウェハ突き上げビンおよびウェ
ハフォークにもウェハと同様な素材であるポリシリコン
の薄膜を施したところ、兇物が殆ど付着しなかった。
ウェハｆｄｉ置台、ウェハ突き上げピンおよびウェハフ
ォークに異物が付着しないので、これらにより取り扱わ
れるウェハの裏面にも異物が付着しないこととなる。更
に、ウェハの裏面に異物が付着しないと、搬送中でもウ
ェハの表（おちて）面に異物が付着することはない。
ォークに異物が付着しないので、これらにより取り扱わ
れるウェハの裏面にも異物が付着しないこととなる。更
に、ウェハの裏面に異物が付着しないと、搬送中でもウ
ェハの表（おちて）面に異物が付着することはない。
かくして、ウェハに酸化物フレークが付着して成膜にピ
ンホールを発生させるような不都合な事態が起こること
を減少させることができ、半導体素ｒ−の製造歩留りを
向」−させることができるばかりか、半導体製造工程全
体のスループットを向」−させることができる。
ンホールを発生させるような不都合な事態が起こること
を減少させることができ、半導体素ｒ−の製造歩留りを
向」−させることができるばかりか、半導体製造工程全
体のスループットを向」−させることができる。
４．図面の而弔な説明
第１図は本発明の気相反応装置で使用されるウェハ載置
台、ウェハ突き上げピンおよびウェハフォークの一実施
例の部分Ｗ１認図，第２図は従来のＣＶＤ薄膜形成装置
の断面４１！！５図，第３図は該装ｊ６におけるウェハ
取扱状態を示す部分概要図である。
台、ウェハ突き上げピンおよびウェハフォークの一実施
例の部分Ｗ１認図，第２図は従来のＣＶＤ薄膜形成装置
の断面４１！！５図，第３図は該装ｊ６におけるウェハ
取扱状態を示す部分概要図である。
Claims (3)
- （１）反応炉、該炉内に配設されたウェハ突き上げ機構
付きウェハ載置台および該ウェハ載置台にウェハを搬送
するためのウェハフォークを有する気相反応装置におい
て、少なくとも、前記ウェハ載置台のウェハ載置面、ウ
ェハ突き上げピンならびにウェハフォークのウェハとの
各接触面にポリシリコンの薄膜が施されていることを特
徴とする気相反応装置。 - （２）ウェハ載置台、ウェハ突き上げピンおよびウェハ
フォークの各々のほぼ全面にポリシリコンの薄膜が施さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の気相反応装置。 - （３）前記ポリシリコンの薄膜は鏡面仕上げされている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に
記載の気相反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14427186A JPS631440A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 気相反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14427186A JPS631440A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 気相反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS631440A true JPS631440A (ja) | 1988-01-06 |
Family
ID=15358207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14427186A Pending JPS631440A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 気相反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS631440A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02281744A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板支持装置 |
| JPH0482100U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-16 | ||
| US5965981A (en) * | 1994-06-10 | 1999-10-12 | Nippondenso Co., Ltd | Transparent thin-film EL display apparatus |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14427186A patent/JPS631440A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02281744A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板支持装置 |
| JPH0482100U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-16 | ||
| US5965981A (en) * | 1994-06-10 | 1999-10-12 | Nippondenso Co., Ltd | Transparent thin-film EL display apparatus |
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