JPS63144589A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS63144589A JPS63144589A JP61293667A JP29366786A JPS63144589A JP S63144589 A JPS63144589 A JP S63144589A JP 61293667 A JP61293667 A JP 61293667A JP 29366786 A JP29366786 A JP 29366786A JP S63144589 A JPS63144589 A JP S63144589A
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- JP
- Japan
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- buried
- type
- conductivity type
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
- H01S5/0035—Simulations of laser characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体レーザに関し、特に埋込みへテロ接合構
造を有する半導体レーザ素子に関するものである。
造を有する半導体レーザ素子に関するものである。
〈従来技術〉
レーザ発振用活性層を活性層より屈折率が小さくエネル
ギーギャップの大きい半導体層で囲んだ埋込み型の半導
体レーザ素子は、発振閾電流値が低く安定な横モードで
発振する等の利点を有しており、光通信システムや光計
測システム用の光源として利用され、産業上非常に重要
な素子となっている。しかし、この埋込み型レーザ素子
では、注入電流量を増加していくと活性層を通らない無
効電流が急激に増大し、これが出力の最大＠を抑制する
結果となっている。また、この無効電流は温度の上昇と
ともに増加することも知られており、特にＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩＩＰ系の埋込み型半導体レーザでは実用上の障
害となっている。
ギーギャップの大きい半導体層で囲んだ埋込み型の半導
体レーザ素子は、発振閾電流値が低く安定な横モードで
発振する等の利点を有しており、光通信システムや光計
測システム用の光源として利用され、産業上非常に重要
な素子となっている。しかし、この埋込み型レーザ素子
では、注入電流量を増加していくと活性層を通らない無
効電流が急激に増大し、これが出力の最大＠を抑制する
結果となっている。また、この無効電流は温度の上昇と
ともに増加することも知られており、特にＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩＩＰ系の埋込み型半導体レーザでは実用上の障
害となっている。
上記無効電流の原因は次の様に考えられる。埋込み型半
導体レーザは、主として第３図（Ｎ′！たはＣＢ）に示
した様な構造に作製される。第３図（Ａ）は例えばｎ型
１ｎＰ基板！上にｎ型１ｎＰバッファ層２、ノンドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４を順
次エピタキシャル成長した後、通常の化学エツチング法
を用いてエピタキシャル成長層をメサ型にエツチング成
型し、この両側にｐ型ＩｎＰ埋込層５、ｎ型１ｎＰ埋込
層６を成長させたものである。第３図（Ｂ）は例えばｎ
型１ｎＰ基板Ｉ上にｐ型１ｎＰ埋込層５、ｎ型１ｎＰ埋
込層６を順次エピタキシャル成長させた後、通常の化学
エツチング法を用いて溝を彫り、その後ｎ型１ｎＰバッ
ファ層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ型１ｎＰクラッ
ド層４を順次溝内にエピタキシャル成長させたものであ
る。いずれの方式で炸裂された素子においてもレーザ発
掘は活性層３を通る注入電流７に依存しており、活性層
３の両側の埋込層５，６によって作られるｐ−ｎ接合は
逆バイアスされているため、注入電流７が小さい時はこ
の部分には殆んど電流は流れない。しかし、注入電流量
を大きくしていくと活性層３０両側の埋込層５，６にも
相当量の電流が流れるようになる。この原因はクラッド
層４から埋込層５へ流れるゲート電流７ｂによって、ク
ラッド層４、埋込層５及びバッフ７層２（又は基板１）
で形成されるサイリスタが導通するためである（樋ロ他
：レーザ研究第＋３巻、第１５６頁、１９８５年）。注
入電流７ｂを小さくするためには活性層３を下方の埋込
層５と上方の埋込層６の頂度接合面の箇所に層設すれば
よいが、現在の液相エピタキシャル技術と化学エツチン
グ技術では、このような精巧な層厚制御は不可能であり
、上述の原因で生じる無効電流を防ぐことはできない０ 上述の無効電流を防ぐ方法として、第２図に示すような
構造がある。この構造ではメサ状部の幅を４μｍ以下と
十分狭くすれば埋込成長のさい、メサ状部上への成長が
生じない（水戸他：電子通信学会技術報告０ＱＥ８０−
１１６）ことを利用して、基板と同導電型の第１埋込層
、逆導電型の第２埋込層、同導電型の第８埋込層を順次
エピタキシャル成長することにより、ゲート電流７ｂの
流路を完全に遮断するようにしている。しかし、この構
造では、メサ状部の側部での成長連層が速いため、メサ
状部上部への成長を防ぐためには、成長時間を余り長く
することができない。従って、メサ状部から離れた場所
では、３つの埋込層５゜６．８の層厚が薄くな９基板１
．バッフ７一層２又は第１埋込層８と第２埋込層５．第
３埋込層６゜クラッド層４′からなるサイリスタの電流
阻止特性が必ずしも十分なものではなかった。
導体レーザは、主として第３図（Ｎ′！たはＣＢ）に示
した様な構造に作製される。第３図（Ａ）は例えばｎ型
１ｎＰ基板！上にｎ型１ｎＰバッファ層２、ノンドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４を順
次エピタキシャル成長した後、通常の化学エツチング法
を用いてエピタキシャル成長層をメサ型にエツチング成
型し、この両側にｐ型ＩｎＰ埋込層５、ｎ型１ｎＰ埋込
層６を成長させたものである。第３図（Ｂ）は例えばｎ
型１ｎＰ基板Ｉ上にｐ型１ｎＰ埋込層５、ｎ型１ｎＰ埋
込層６を順次エピタキシャル成長させた後、通常の化学
エツチング法を用いて溝を彫り、その後ｎ型１ｎＰバッ
ファ層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ型１ｎＰクラッ
ド層４を順次溝内にエピタキシャル成長させたものであ
る。いずれの方式で炸裂された素子においてもレーザ発
掘は活性層３を通る注入電流７に依存しており、活性層
３の両側の埋込層５，６によって作られるｐ−ｎ接合は
逆バイアスされているため、注入電流７が小さい時はこ
の部分には殆んど電流は流れない。しかし、注入電流量
を大きくしていくと活性層３０両側の埋込層５，６にも
相当量の電流が流れるようになる。この原因はクラッド
層４から埋込層５へ流れるゲート電流７ｂによって、ク
ラッド層４、埋込層５及びバッフ７層２（又は基板１）
で形成されるサイリスタが導通するためである（樋ロ他
：レーザ研究第＋３巻、第１５６頁、１９８５年）。注
入電流７ｂを小さくするためには活性層３を下方の埋込
層５と上方の埋込層６の頂度接合面の箇所に層設すれば
よいが、現在の液相エピタキシャル技術と化学エツチン
グ技術では、このような精巧な層厚制御は不可能であり
、上述の原因で生じる無効電流を防ぐことはできない０ 上述の無効電流を防ぐ方法として、第２図に示すような
構造がある。この構造ではメサ状部の幅を４μｍ以下と
十分狭くすれば埋込成長のさい、メサ状部上への成長が
生じない（水戸他：電子通信学会技術報告０ＱＥ８０−
１１６）ことを利用して、基板と同導電型の第１埋込層
、逆導電型の第２埋込層、同導電型の第８埋込層を順次
エピタキシャル成長することにより、ゲート電流７ｂの
流路を完全に遮断するようにしている。しかし、この構
造では、メサ状部の側部での成長連層が速いため、メサ
状部上部への成長を防ぐためには、成長時間を余り長く
することができない。従って、メサ状部から離れた場所
では、３つの埋込層５゜６．８の層厚が薄くな９基板１
．バッフ７一層２又は第１埋込層８と第２埋込層５．第
３埋込層６゜クラッド層４′からなるサイリスタの電流
阻止特性が必ずしも十分なものではなかった。
〈発明の目的〉
本発明は上述の問題点に鑑み、埋込層に流れ込む電流を
極力抑えて無効電流が注入電流量によって大幅には変化
しないようにすると七もに、メサ部から離れた部分での
電流阻止特性を大幅に改善できる構造の半導体レーザー
素子を提供することを目的とする。
極力抑えて無効電流が注入電流量によって大幅には変化
しないようにすると七もに、メサ部から離れた部分での
電流阻止特性を大幅に改善できる構造の半導体レーザー
素子を提供することを目的とする。
〈発明の概要〉
本発明は、上記目的全達成するため、導電型がｐ型又は
ｎ型に選定された第１導電型の化合物半導体基板上に、
該基板よｐ屈折率が高くエネルギーギャップの小さい活
性層及び基板と反対導電型のクラッド層を順次エピタキ
シャル成長させてレーザー発振動作部を形成した後、４
μｍ以下の間隔で上記半導体基板に達する深さの平行な
２本の溝を形成し、次いで該２本の溝の間を除いた部分
に前記半導体基板と同導電型の第１埋込層、逆導電型の
第２埋込層、同導電型の第３埋込層を順次成長させ、さ
らに全面に逆導電型のクラッド層をエピタキシャル成長
させた素子構造を特徴とする。
ｎ型に選定された第１導電型の化合物半導体基板上に、
該基板よｐ屈折率が高くエネルギーギャップの小さい活
性層及び基板と反対導電型のクラッド層を順次エピタキ
シャル成長させてレーザー発振動作部を形成した後、４
μｍ以下の間隔で上記半導体基板に達する深さの平行な
２本の溝を形成し、次いで該２本の溝の間を除いた部分
に前記半導体基板と同導電型の第１埋込層、逆導電型の
第２埋込層、同導電型の第３埋込層を順次成長させ、さ
らに全面に逆導電型のクラッド層をエピタキシャル成長
させた素子構造を特徴とする。
〈実施例〉
以下、本発明の１実施例について図面を参照しながら詳
説する。
説する。
第１図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ素子の構
成図である。このレーザ素子の製作法は、まずｎ型（＋
００）ＩｎＰ基板１上にｎ型１ｎＰ バッフ１層２（
厚さ３μｍ）、ノンドープＩ ｎＧａＡｓＰ活性層３（
発光波長１．３７！ｊＦ＋１．厚さ０．２μｍ ）、
ｐ型１ｎＰクラッド層４（厚さ０．５μ？７１）ｔ−通
常の液相エピタキシャル成長法により順次成長させる。
成図である。このレーザ素子の製作法は、まずｎ型（＋
００）ＩｎＰ基板１上にｎ型１ｎＰ バッフ１層２（
厚さ３μｍ）、ノンドープＩ ｎＧａＡｓＰ活性層３（
発光波長１．３７！ｊＦ＋１．厚さ０．２μｍ ）、
ｐ型１ｎＰクラッド層４（厚さ０．５μ？７１）ｔ−通
常の液相エピタキシャル成長法により順次成長させる。
次にフォトリングラフィ技術により、間隔２μｍ。
幅７μｍの２本の平行なストライプ状のパターン（図示
せず）？＜０１１＞方向に形成し、これをマスクとして
Ｂｒ−メタノール溶液によりこの多層結晶講造をバッフ
ァ層２の途中迄エツチングし、２本の平行な溝を形成す
る。
せず）？＜０１１＞方向に形成し、これをマスクとして
Ｂｒ−メタノール溶液によりこの多層結晶講造をバッフ
ァ層２の途中迄エツチングし、２本の平行な溝を形成す
る。
上記バッファ層２Ｉ／′ｉ、なくてもよいが、ＩｎＰ基
板ｌ中に含まれる欠陥等の影響を防ぐために設けである
。次に、２回目の液相エピタキシャル成長により、まず
バッフ７層２（又は基板１）と同じ導電型のｎ型１１Ｐ
第１埋込層８（平坦部での厚さ０．５層ｍ）ｔ−成長さ
せ、順次ｐ型１ｎＰ第２埋込層５（平坦部での厚さ０．
８μｍ）、ｎ型１ｎＰ第３埋込層６（平坦部での厚さ０
．８μ７Ｆり、ｐ型ＩｎＰクラッド層４′（厚さ３μｍ
）を成長する。第１．第２゜第３の埋込層８，５．６は
先に述べたように上記平行な溝の間の領域では成長しな
いように成長時ｒ？ＩＪを設定しである。一方クラッド
層４′は平坦化の為の層でもあり十分厚く成長させるこ
とによジ、メサの上部にも自動的に成長させることがで
き成長上面を平坦面とすることができる。次にｎ側及び
ｐ側の電極（図示せず）を基板１表面とクラッド層４表
面にそれぞれ形成した後、（１１０）面で襞間してレー
ザ発振用共振器を形成する。上記構造の重要な点Ｉ／′
ｉ第１埋込層８七してバッフ、層２（又は基板１）ｂ同
じ導電型の層を成長させたことにある。この層即ち第■
埋込層８が介挿されることによって、本実施例の素子構
造ではゲート電流７ｂは流れることができなくなってい
る。その代わりにクラッド層４から活性層３を通らない
で、第１埋込層８を通って流れる無効電流が存在するこ
とになる。この点を更に詳しく説明するために、第８図
に示す構造の半導体レーザ素子の等価回路を第４図（Ａ
）に、第１図に示す本実施例の半導体レーザ素子の等価
回路を第４図（Ｂ）に示す。電流阻止構造はいずれの素
子構造でもサイリスタの等価回路（破線内の回路）で表
わされるが、第４図囚の構造では注入電流（１７）７が
増加するにつれてゲート電流（Ｉｃ）７ｂも増加し、こ
のためサイリスタが導通しその増幅作用のためＩＧより
はるかに大きな電流■ｓが流れる。１５はダイオードＤ
Ａで表わされる活性層を通らない無効電流であるから、
この等価回路で表わされる従来の素子では注入電流１７
が増加するにつれて無効電流も急激に増加することとな
る。一方、第４図（Ｂ）の構造では注入電流！Ｔが増加
するにつれて活性層と差動に接続されたダイオードＤＳ
を通る無効電流は増加するが、その量は注入電流量に単
に比例するだけであり、サイリスタは非導通状態を保つ
ため、無効電流の増加は第４図（Ａ）の場合と比較する
と極めて小さい。
板ｌ中に含まれる欠陥等の影響を防ぐために設けである
。次に、２回目の液相エピタキシャル成長により、まず
バッフ７層２（又は基板１）と同じ導電型のｎ型１１Ｐ
第１埋込層８（平坦部での厚さ０．５層ｍ）ｔ−成長さ
せ、順次ｐ型１ｎＰ第２埋込層５（平坦部での厚さ０．
８μｍ）、ｎ型１ｎＰ第３埋込層６（平坦部での厚さ０
．８μ７Ｆり、ｐ型ＩｎＰクラッド層４′（厚さ３μｍ
）を成長する。第１．第２゜第３の埋込層８，５．６は
先に述べたように上記平行な溝の間の領域では成長しな
いように成長時ｒ？ＩＪを設定しである。一方クラッド
層４′は平坦化の為の層でもあり十分厚く成長させるこ
とによジ、メサの上部にも自動的に成長させることがで
き成長上面を平坦面とすることができる。次にｎ側及び
ｐ側の電極（図示せず）を基板１表面とクラッド層４表
面にそれぞれ形成した後、（１１０）面で襞間してレー
ザ発振用共振器を形成する。上記構造の重要な点Ｉ／′
ｉ第１埋込層８七してバッフ、層２（又は基板１）ｂ同
じ導電型の層を成長させたことにある。この層即ち第■
埋込層８が介挿されることによって、本実施例の素子構
造ではゲート電流７ｂは流れることができなくなってい
る。その代わりにクラッド層４から活性層３を通らない
で、第１埋込層８を通って流れる無効電流が存在するこ
とになる。この点を更に詳しく説明するために、第８図
に示す構造の半導体レーザ素子の等価回路を第４図（Ａ
）に、第１図に示す本実施例の半導体レーザ素子の等価
回路を第４図（Ｂ）に示す。電流阻止構造はいずれの素
子構造でもサイリスタの等価回路（破線内の回路）で表
わされるが、第４図囚の構造では注入電流（１７）７が
増加するにつれてゲート電流（Ｉｃ）７ｂも増加し、こ
のためサイリスタが導通しその増幅作用のためＩＧより
はるかに大きな電流■ｓが流れる。１５はダイオードＤ
Ａで表わされる活性層を通らない無効電流であるから、
この等価回路で表わされる従来の素子では注入電流１７
が増加するにつれて無効電流も急激に増加することとな
る。一方、第４図（Ｂ）の構造では注入電流！Ｔが増加
するにつれて活性層と差動に接続されたダイオードＤＳ
を通る無効電流は増加するが、その量は注入電流量に単
に比例するだけであり、サイリスタは非導通状態を保つ
ため、無効電流の増加は第４図（Ａ）の場合と比較する
と極めて小さい。
本実施例においては上記サイリスタは溝部の電流阻止構
造に対応している。一方、溝以外の部分／ｒｉ ｐ −
ｎ −ｐ −ｎ −ｐ−ｎの多層構造となっており、電
流阻止特性はより良好なものとなっている。上記実施例
では無効電流が小さいため、室温で７０ｍＷ以上の高出
方動作が可能となり、また無効電流による発熱の影響が
少ないため、１４０°Ｃ以上の高温までレーザ発振が可
能であった。尚、上記実施例は成長用基板としてｎ型基
板？用いた場合について説明を行なったがｐ型基板を用
いた場合でも同様である。また活性層として１．３μｍ
の発光波長を呈する１１ＧａＡｓＰｋ用いた場合につい
て説明しているが、本発明はこれに限定されることなく
１．１−１．６１１ ｍの範囲内のＩｎＧａＡＳＰを使
用してもよい。また第１．第２．第３の埋込層としてＩ
ｎＰを用いた場合について説明を行なったが、これらの
埋込層上しては活性層より屈折率が小さくかつエネルギ
ーギャップの大きいＩｎＧａＡｓＰ等他の材料を用いて
もよい。また、上記実施例はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系
の半導体レーザにっ、いて説明を行なったが、他の層−
Ｖ族化合物についても適用できることは明らかである。
造に対応している。一方、溝以外の部分／ｒｉ ｐ −
ｎ −ｐ −ｎ −ｐ−ｎの多層構造となっており、電
流阻止特性はより良好なものとなっている。上記実施例
では無効電流が小さいため、室温で７０ｍＷ以上の高出
方動作が可能となり、また無効電流による発熱の影響が
少ないため、１４０°Ｃ以上の高温までレーザ発振が可
能であった。尚、上記実施例は成長用基板としてｎ型基
板？用いた場合について説明を行なったがｐ型基板を用
いた場合でも同様である。また活性層として１．３μｍ
の発光波長を呈する１１ＧａＡｓＰｋ用いた場合につい
て説明しているが、本発明はこれに限定されることなく
１．１−１．６１１ ｍの範囲内のＩｎＧａＡＳＰを使
用してもよい。また第１．第２．第３の埋込層としてＩ
ｎＰを用いた場合について説明を行なったが、これらの
埋込層上しては活性層より屈折率が小さくかつエネルギ
ーギャップの大きいＩｎＧａＡｓＰ等他の材料を用いて
もよい。また、上記実施例はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系
の半導体レーザにっ、いて説明を行なったが、他の層−
Ｖ族化合物についても適用できることは明らかである。
〈発明の効果〉
以上詳説した如く、本発明によれば、注入電流を増加さ
せても電流阻止層を通って流れる電流を殆んど増加させ
ることなく、高出方動作を可能とすることができ、信号
光源として適する半導体レーザ素子を作製することがで
きる。またその結果、活性層を通らない無効電流による
素子の発熱を防止することができ、極めて高い温度まで
動作させることが可能な半導体レーザ素子が得られる。
せても電流阻止層を通って流れる電流を殆んど増加させ
ることなく、高出方動作を可能とすることができ、信号
光源として適する半導体レーザ素子を作製することがで
きる。またその結果、活性層を通らない無効電流による
素子の発熱を防止することができ、極めて高い温度まで
動作させることが可能な半導体レーザ素子が得られる。
第１図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ素子の模
式断面図である。第２図および第３図は従来の埋込型半
導体レーザ素子を示す模式断面図である。第４図（Ａ）
（Ｂ）は埋込型半導体レーザ素子の電気的等価回路を示
す回路図である。 ■・・・基板、２・・・バッフ１層、３・・・活性層、
４・・・クラッド層、５．６．８・・・埋込層、７・・
・注入電流、９・・・溝部。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 第２図
式断面図である。第２図および第３図は従来の埋込型半
導体レーザ素子を示す模式断面図である。第４図（Ａ）
（Ｂ）は埋込型半導体レーザ素子の電気的等価回路を示
す回路図である。 ■・・・基板、２・・・バッフ１層、３・・・活性層、
４・・・クラッド層、５．６．８・・・埋込層、７・・
・注入電流、９・・・溝部。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 第２図
Claims (1)
- １、半導体基板上に該半導体基板より屈折率が高くエネ
ルギーギャップの小さい活性層と前記半導体基板とは逆
導電型のクラッド層を順次積層してなるダブルヘテロ接
合構造が堆積され、該ダブルヘテロ接合構造に４μｍ以
下の間隔で前記半導体基板に達する深さの平行な２本の
溝が形設され、該２本の溝の間を除いた部分に前記半導
体基板と同導電型の第１埋込層、逆導電型の第２埋込層
及び同導電型の第３埋込層が順次成長形成され、前記半
導体基板と逆導電型の平坦化層がこの上全面に成長され
ていることを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293667A JPS63144589A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体レ−ザ素子 |
| US07/130,352 US4910744A (en) | 1986-12-09 | 1987-12-08 | Buried heterostructure semiconductor laser device |
| GB8728761A GB2200247B (en) | 1986-12-09 | 1987-12-09 | A semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293667A JPS63144589A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144589A true JPS63144589A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17797689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61293667A Pending JPS63144589A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4910744A (ja) |
| JP (1) | JPS63144589A (ja) |
| GB (1) | GB2200247B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01218085A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Nec Corp | 半導体レーザ |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5170404A (en) * | 1989-09-04 | 1992-12-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device suitable for optical communications systems drive |
| JP2501969B2 (ja) * | 1991-03-25 | 1996-05-29 | 株式会社東芝 | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
| JP2823476B2 (ja) * | 1992-05-14 | 1998-11-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US5309465A (en) * | 1992-11-05 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Ridge waveguide semiconductor laser with thin active region |
| DE69404367T2 (de) * | 1993-03-25 | 1998-02-26 | Nippon Electric Co | Planar-Vergrabene-Heterostruktur-Laserdiode mit zwei Kanälen und niedrigem Leckstrom |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204994A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0083697B1 (en) * | 1981-10-19 | 1987-09-09 | Nec Corporation | Double channel planar buried heterostructure laser |
| JPS59104189A (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-15 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体レ−ザ |
| JPS5957486A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Nec Corp | 埋め込み形半導体レ−ザ |
| NL8301745A (nl) * | 1983-05-17 | 1984-12-17 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting. |
| US4661961A (en) * | 1983-06-20 | 1987-04-28 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Buried heterostructure devices with unique contact-facilitating layers |
| US4706255A (en) * | 1985-05-20 | 1987-11-10 | Xerox Corporation | Phased array semiconductor laser with preferred emission in the fundamental supermode |
| JPS61284987A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6218082A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| CA1279394C (en) * | 1985-07-26 | 1991-01-22 | Naoki Chinone | Multiple quantum well type semiconductor laser |
| US4839900A (en) * | 1985-08-21 | 1989-06-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Buried type semiconductor laser device |
| JPS6267890A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS62177989A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | Nec Corp | 半導体レ−ザダイオ−ド |
| JPS62204587A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP61293667A patent/JPS63144589A/ja active Pending
-
1987
- 1987-12-08 US US07/130,352 patent/US4910744A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-09 GB GB8728761A patent/GB2200247B/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204994A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01218085A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Nec Corp | 半導体レーザ |
Also Published As
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| GB2200247B (en) | 1990-01-24 |
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