JPS63144953A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置Info
- Publication number
- JPS63144953A JPS63144953A JP61289446A JP28944686A JPS63144953A JP S63144953 A JPS63144953 A JP S63144953A JP 61289446 A JP61289446 A JP 61289446A JP 28944686 A JP28944686 A JP 28944686A JP S63144953 A JPS63144953 A JP S63144953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- mount
- elastic tube
- silicon wafer
- mount plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、シリコンウェハなどの波ωＩ磨材の表面を
研磨する研磨袋ｄに関する。
研磨する研磨袋ｄに関する。
〔従来の技術）
一般に、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体の塁板材料には、シ
リコンウェハが用いられている。このシリコンウェハは
片面が鏡面研磨されている。
リコンウェハが用いられている。このシリコンウェハは
片面が鏡面研磨されている。
従来、このようなシリコンウェハの研磨装置としては、
第３図に示すようなものが知られている。
第３図に示すようなものが知られている。
この図において、符号１は定盤であり、２はマウントプ
レート、３はマウントプレートの上部に装むされたマウ
ントヘッドである。
レート、３はマウントプレートの上部に装むされたマウ
ントヘッドである。
定５！（１は、平面視して円形の回転板であり、上面に
研磨パッドが装着されているものである。
研磨パッドが装着されているものである。
マウントプレート２は、セラミックやガラス材料からな
る円板であり、その両面が研磨されて平坦な面とされて
いる。このマウントプレート２の片面には、第４図に示
すように、１枚以上複数枚（この図では４枚）のシリコ
ンウェハ４・・・が平面視して等間隔な位置に固定され
ている。このシリコンウェハ４をマウントプレート２へ
固定する方法としては、シリコンウェハ４の片面にワッ
クスを塗布り”ることによりシリコンウェハ４をマウン
トプレート２の片面へ貼着するワックス法と、真空吸着
、水貼り等の方法により接着するワックスレス法とがあ
る。これらの方法によりシリコンウェハ４が片面に固定
されたマウントプレート２は、そのシリコンウェハ４が
固定されている面を下方に向けた状態で定盤１上に載置
されている。
る円板であり、その両面が研磨されて平坦な面とされて
いる。このマウントプレート２の片面には、第４図に示
すように、１枚以上複数枚（この図では４枚）のシリコ
ンウェハ４・・・が平面視して等間隔な位置に固定され
ている。このシリコンウェハ４をマウントプレート２へ
固定する方法としては、シリコンウェハ４の片面にワッ
クスを塗布り”ることによりシリコンウェハ４をマウン
トプレート２の片面へ貼着するワックス法と、真空吸着
、水貼り等の方法により接着するワックスレス法とがあ
る。これらの方法によりシリコンウェハ４が片面に固定
されたマウントプレート２は、そのシリコンウェハ４が
固定されている面を下方に向けた状態で定盤１上に載置
されている。
定盤１上に載置されていてるマウントプレート２は、１
つの定盤１上に１つ以上複数個（図では１つのみ示す）
が配置されている。これらのマウントプレート２・・・
は、平面視して周方向へ等間隔に位置している。このマ
ウントプレート２は、ぞの上部がマウントヘッド３に嵌
合され、その上面がマウントヘッド３の内平面と密着し
ている。
つの定盤１上に１つ以上複数個（図では１つのみ示す）
が配置されている。これらのマウントプレート２・・・
は、平面視して周方向へ等間隔に位置している。このマ
ウントプレート２は、ぞの上部がマウントヘッド３に嵌
合され、その上面がマウントヘッド３の内平面と密着し
ている。
マウントヘッド３は、その上部中央に加圧軸５が連結さ
れ、この加圧軸５に対して首振り自在、かつ、回転自在
となっている。
れ、この加圧軸５に対して首振り自在、かつ、回転自在
となっている。
上記のような構成の研磨装置を用いてシリコンウェハ４
を研磨するには、まず、定盤１上にコロイダルシリカの
アルカリ性Ｐ！濁液などの研磨砥粒を分散させる。この
ようにした定盤１上に、シリコンウェハ４が固定された
マウントプレート２をシリコンウェハ４が固定されてい
る面を下方に向けた状態で載置する。そして、このマウ
ントプレート２の上方に配置されているマウントヘッド
３をマウントプレート２の上部に装着する。この後、空
気圧シリンダ、油圧シリンダ等を用いて、マウントヘッ
ド３の上部に連結されている加圧軸５を下方へ押圧する
ことにより、シリ」ンウエハ４を定盤１の上面に押圧す
る。このような状態で定盤１を回転させる。この場合、
この定盤１とシリコンウェハ４との接触面における相対
速度は、そのシリコンウェハ４が定盤１の外側において
接触している場合に、より大きくなるので、同一のマウ
ントプレート２に固定されているシリコンウェハ４・・
・のうち、定盤１と外側で接触しているシリコンウェハ
４が定盤１の回転に引きずられることにより、゛マウン
トプレート２がその上部に装着されているマウントヘッ
ド３と共に定５１８１と同一方向に回転する。このよう
にして、シリコンウェハ４の下面が、定盤１の上面に分
散された研摩砥粒により研磨される。
を研磨するには、まず、定盤１上にコロイダルシリカの
アルカリ性Ｐ！濁液などの研磨砥粒を分散させる。この
ようにした定盤１上に、シリコンウェハ４が固定された
マウントプレート２をシリコンウェハ４が固定されてい
る面を下方に向けた状態で載置する。そして、このマウ
ントプレート２の上方に配置されているマウントヘッド
３をマウントプレート２の上部に装着する。この後、空
気圧シリンダ、油圧シリンダ等を用いて、マウントヘッ
ド３の上部に連結されている加圧軸５を下方へ押圧する
ことにより、シリ」ンウエハ４を定盤１の上面に押圧す
る。このような状態で定盤１を回転させる。この場合、
この定盤１とシリコンウェハ４との接触面における相対
速度は、そのシリコンウェハ４が定盤１の外側において
接触している場合に、より大きくなるので、同一のマウ
ントプレート２に固定されているシリコンウェハ４・・
・のうち、定盤１と外側で接触しているシリコンウェハ
４が定盤１の回転に引きずられることにより、゛マウン
トプレート２がその上部に装着されているマウントヘッ
ド３と共に定５１８１と同一方向に回転する。このよう
にして、シリコンウェハ４の下面が、定盤１の上面に分
散された研摩砥粒により研磨される。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、上記のような研磨装置によりシリコンウェハ
を研磨した場合、−表面を鏡面仕上げするという点にお
いては問題ないが、次のような解決すべき問題点がある
。
を研磨した場合、−表面を鏡面仕上げするという点にお
いては問題ないが、次のような解決すべき問題点がある
。
寸なわら、上記のような研磨装置によりシリコンウェハ
４を研磨する場合には、研磨面に接したシリコンウェハ
４の研磨抵抗によりマウントプレート２がマウントヘッ
ド３と加圧軸５との連結部を支点として研磨定盤回転の
進入方向に前傾する。
４を研磨する場合には、研磨面に接したシリコンウェハ
４の研磨抵抗によりマウントプレート２がマウントヘッ
ド３と加圧軸５との連結部を支点として研磨定盤回転の
進入方向に前傾する。
このとき、上記のマウントプレート２には、上記連結部
を支点として連結部口りに上下方向にモーメントがかか
る。このモーメントは支点からの距離が遠いほど大きく
なるから、セウントプレート２の縁部に最大のモーメン
トがかかり、マウントプレート２がざらに大きく傾斜す
る。そのため、シリコンウェハ４の下面が傾斜して行く
。このため１．上記のようにして研磨されたシリコンウ
ェハ４には、各部分の厚さが均一にならないという問題
点があった。
を支点として連結部口りに上下方向にモーメントがかか
る。このモーメントは支点からの距離が遠いほど大きく
なるから、セウントプレート２の縁部に最大のモーメン
トがかかり、マウントプレート２がざらに大きく傾斜す
る。そのため、シリコンウェハ４の下面が傾斜して行く
。このため１．上記のようにして研磨されたシリコンウ
ェハ４には、各部分の厚さが均一にならないという問題
点があった。
本発明は、この問題点を解決するためになされたもので
、マウントプレート２を均一に加圧し、モーメント支点
を定盤１の上面に近づけてマウントプレート２にかかる
モーメントを小さくすることによって、研磨されたシリ
コンウェハ４の各部分の厚さを均一にさせる研磨装置を
提供することを目的としている。
、マウントプレート２を均一に加圧し、モーメント支点
を定盤１の上面に近づけてマウントプレート２にかかる
モーメントを小さくすることによって、研磨されたシリ
コンウェハ４の各部分の厚さを均一にさせる研磨装置を
提供することを目的としている。
本発明の研磨装置は、内部に流体を充填した弾性チュー
ブを上記マウントプレートの上面にらせん状に配置し、
この弾性チューブの上方に配設したマウントヘッドによ
り上記弾性チューブを介して上記マウントプレートを押
圧するようにしたものである。
ブを上記マウントプレートの上面にらせん状に配置し、
この弾性チューブの上方に配設したマウントヘッドによ
り上記弾性チューブを介して上記マウントプレートを押
圧するようにしたものである。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示す図であっ
て、符号１．２はそれぞれ従来の研磨装置に用いられる
いるものと同様な定盤、マウントプレートである。上記
マウントプレート２は、従来同様、下面にシリコンウェ
ハ４が固定された状態で定盤１上に載置されている。こ
のマウントブレート２の上面には、弾性チューブ６を主
要部材とする弾性チューブ形成体７が配置されている。
て、符号１．２はそれぞれ従来の研磨装置に用いられる
いるものと同様な定盤、マウントプレートである。上記
マウントプレート２は、従来同様、下面にシリコンウェ
ハ４が固定された状態で定盤１上に載置されている。こ
のマウントブレート２の上面には、弾性チューブ６を主
要部材とする弾性チューブ形成体７が配置されている。
この弾性チューブ形成体７は内部に流体８を充填し両端
部を開栓した弾性チューブ６をらせん状に巻き、この弾
性チューブ６の両面に両面接着テープ等で薄い弾性板９
を接着して両方を固定したものである。この弾性チュー
ブ形成体７の上方にはマウントヘッド３ａが配設されて
いる。このマウントヘッド３ａには、下面に四部１０が
形成され、この四部１０と前記マウントプレート２との
間に前記弾性チューブ形成体７を配置するようになって
いる。また、マウントヘッド３ａの上面には円柱状の加
圧軸５ａが連結されている。
部を開栓した弾性チューブ６をらせん状に巻き、この弾
性チューブ６の両面に両面接着テープ等で薄い弾性板９
を接着して両方を固定したものである。この弾性チュー
ブ形成体７の上方にはマウントヘッド３ａが配設されて
いる。このマウントヘッド３ａには、下面に四部１０が
形成され、この四部１０と前記マウントプレート２との
間に前記弾性チューブ形成体７を配置するようになって
いる。また、マウントヘッド３ａの上面には円柱状の加
圧軸５ａが連結されている。
上記構成において、マウントヘッド３ａを持ち上げた際
に、凹部１０内の弾性チューブ形成体７が脱落しないよ
うに、弾性チューブ形成体７を両面接着テープ等で凹部
１０の内面に固定すると良い。
に、凹部１０内の弾性チューブ形成体７が脱落しないよ
うに、弾性チューブ形成体７を両面接着テープ等で凹部
１０の内面に固定すると良い。
上記構成の研磨装置を用いてシリコンウェハ４を研磨す
るには、まず、この研磨装置を第１図に示すような構成
にセットする。次に、従来の研磨装置と同様に、加圧軸
５ａを下方に押圧する。このようにすると、マウントヘ
ッド３ａは、その内平面により弾性チューブ形成体７を
通して流体８を押圧する。このため、流体８が加圧され
、この流体８が弾性デユープ形成体７を通してマウンｌ
−プレート２の上面を押圧する。そして、マウントプレ
ート２の下面に固定されているシリコンウェハ４が定盤
１の上面に押圧される。この状態で定盤１を回転させる
と、従来の研磨装置の場合と同様に、マウントプレート
２が定５１８１と同一方向に回転し、シリコンウェハ４
の下面が研磨される。
るには、まず、この研磨装置を第１図に示すような構成
にセットする。次に、従来の研磨装置と同様に、加圧軸
５ａを下方に押圧する。このようにすると、マウントヘ
ッド３ａは、その内平面により弾性チューブ形成体７を
通して流体８を押圧する。このため、流体８が加圧され
、この流体８が弾性デユープ形成体７を通してマウンｌ
−プレート２の上面を押圧する。そして、マウントプレ
ート２の下面に固定されているシリコンウェハ４が定盤
１の上面に押圧される。この状態で定盤１を回転させる
と、従来の研磨装置の場合と同様に、マウントプレート
２が定５１８１と同一方向に回転し、シリコンウェハ４
の下面が研磨される。
この研磨装置によれば、マウントプレート１の上面に弾
性チューブ形成体７を配置し、この弾性チューブ形成体
７の上方にマウントヘッド３ａを配設したから、このマ
ウントヘッド３ａが上記弾性チューブ形成体７を介して
マウントプレート２の上面を押圧するようになり、マウ
ントプレート２の上面に加わる圧力が７１クンドブレー
ト２の上面全面に亘って均一になる。このため、マウン
トプレート２の下面に固定されているシリコンウェハ４
の下面と定１！Ａ１の上面との間に加わる圧力は、シリ
コンウェハ４の下面の各部分において常に均一になるよ
うに保Ｉこれる。したがって、この研磨装置を用いて研
磨すれば、シリコンウェハ４の各部分の厚さを均一にで
きる。
性チューブ形成体７を配置し、この弾性チューブ形成体
７の上方にマウントヘッド３ａを配設したから、このマ
ウントヘッド３ａが上記弾性チューブ形成体７を介して
マウントプレート２の上面を押圧するようになり、マウ
ントプレート２の上面に加わる圧力が７１クンドブレー
ト２の上面全面に亘って均一になる。このため、マウン
トプレート２の下面に固定されているシリコンウェハ４
の下面と定１！Ａ１の上面との間に加わる圧力は、シリ
コンウェハ４の下面の各部分において常に均一になるよ
うに保Ｉこれる。したがって、この研磨装置を用いて研
磨すれば、シリコンウェハ４の各部分の厚さを均一にで
きる。
また、この研磨装置は、マウントプレート２の上面に弾
性チューブ形成体７を配置したことを除いて、従来から
用いられている研磨装置とほぼ同様な構造であり、また
、上記弾性チューブ６も一本の細長いデユープ構造であ
るから、比較的容易に製作することができる。
性チューブ形成体７を配置したことを除いて、従来から
用いられている研磨装置とほぼ同様な構造であり、また
、上記弾性チューブ６も一本の細長いデユープ構造であ
るから、比較的容易に製作することができる。
なお、本発明の研磨装置は、シリコンウェハ４に限らず
、化合物半導体ウェハ、石英ガラス等を研磨することも
できる。
、化合物半導体ウェハ、石英ガラス等を研磨することも
できる。
本発明の研磨装置によれば、マウントプレートの上面に
、内部に流体を充填した弾性チューブをらせん状に配置
し、この弾性チューブの上方に配設したマウントヘッド
により上記弾性チューブを介して上記マウントヘッドを
押圧するようにしたから、マウントプレートの下面に固
定されているシリコンウェハの下面と定盤の上面との間
に加わる圧力が、シリコンウェハの下面の各部分におい
て常に均一になるように保たれる。このため、この装置
を用いて研磨すれば、シリコンウェハの各部分の厚さを
均一にすることができる。
、内部に流体を充填した弾性チューブをらせん状に配置
し、この弾性チューブの上方に配設したマウントヘッド
により上記弾性チューブを介して上記マウントヘッドを
押圧するようにしたから、マウントプレートの下面に固
定されているシリコンウェハの下面と定盤の上面との間
に加わる圧力が、シリコンウェハの下面の各部分におい
て常に均一になるように保たれる。このため、この装置
を用いて研磨すれば、シリコンウェハの各部分の厚さを
均一にすることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す研磨装置の要部断面図
、第２図はこの研磨装置の一部である弾性チューブを平
面視した外観図、第３図は従来の研磨装置の要部外観図
、第４図はマウントプレート上に固定されたシリコンウ
ェハの配置を示す図である。 １・・・・・・定盤、２・・・・・・マウントプレート
、３ａ・・・・・・マウントヘッド、 ４・・・・・・被研磨材（シリコンウェハ）、６・・・
・・・弾性チューブ、８・・・・・・流体、。
、第２図はこの研磨装置の一部である弾性チューブを平
面視した外観図、第３図は従来の研磨装置の要部外観図
、第４図はマウントプレート上に固定されたシリコンウ
ェハの配置を示す図である。 １・・・・・・定盤、２・・・・・・マウントプレート
、３ａ・・・・・・マウントヘッド、 ４・・・・・・被研磨材（シリコンウェハ）、６・・・
・・・弾性チューブ、８・・・・・・流体、。
Claims (1)
- 下面に被研磨材が固定されたマウントプレートをこのマ
ウントプレートの下方に設けられた定盤上に押圧した状
態で上記被研磨材の下面を研磨するように構成された研
磨装置において、上記マウントプレートの上面に内部に
流体を充填した弾性チューブをらせん状に配置し、この
弾性チューブの上方に配設したマウントヘッドより上記
弾性チューブを介して上記マウントプレートを押圧する
ようにしたことを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61289446A JP2575674B2 (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 研磨装置 |
| KR1019870008594A KR910009320B1 (ko) | 1986-08-19 | 1987-08-05 | 연마장치 |
| US07/087,167 US4897966A (en) | 1986-08-19 | 1987-08-18 | Polishing apparatus |
| DE8787112033T DE3765904D1 (de) | 1986-08-19 | 1987-08-19 | Poliermaschine. |
| EP87112033A EP0264572B1 (en) | 1986-08-19 | 1987-08-19 | Polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61289446A JP2575674B2 (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144953A true JPS63144953A (ja) | 1988-06-17 |
| JP2575674B2 JP2575674B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=17743367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61289446A Expired - Lifetime JP2575674B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-12-04 | 研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2575674B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5444299A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-07 | Uingoo Kk | Grinding method and apparatus |
-
1986
- 1986-12-04 JP JP61289446A patent/JP2575674B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5444299A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-07 | Uingoo Kk | Grinding method and apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2575674B2 (ja) | 1997-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |