JPS6352967A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置Info
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- JPS6352967A JPS6352967A JP61193781A JP19378186A JPS6352967A JP S6352967 A JPS6352967 A JP S6352967A JP 61193781 A JP61193781 A JP 61193781A JP 19378186 A JP19378186 A JP 19378186A JP S6352967 A JPS6352967 A JP S6352967A
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- Japan
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- mount
- plate
- mount plate
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- diaphragm
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、シリコンウェハなどの製紐磨材の表面を研
磨する研磨装置に関テるものである−「従来の技術」 一般に、 ＩＣ，ＬＳＩ などの半導体の基板材料と
しては、シリコンウェハが用いられている。このシリコ
ンウェハは、片面が鏡面研磨式れている。
磨する研磨装置に関テるものである−「従来の技術」 一般に、 ＩＣ，ＬＳＩ などの半導体の基板材料と
しては、シリコンウェハが用いられている。このシリコ
ンウェハは、片面が鏡面研磨式れている。
従来、このようなシリコンウェハの研磨装置としては、
第３図（二示すようなものが知られている７この図ζ：
おいて符号１は定盤であり、２はマウントプレート、３
はマウントプレートの上部に装〕されたマウントヘット
である。
第３図（二示すようなものが知られている７この図ζ：
おいて符号１は定盤であり、２はマウントプレート、３
はマウントプレートの上部に装〕されたマウントヘット
である。
定盤１は、上面（二研磨バット°が装着でれた平面視し
て円形の回転板である。
て円形の回転板である。
マウントプレート２は、セラばツクやガラス材料からな
る円板であり、その両面が研Ｗ−Ｊれて平担な面ときれ
ている。このマウントプレート２の片面には、第４図に
示すように、−枚以上複数枚の（この図では４枚）シリ
コンウェハ４・・・が平面視して等間隔な位置に固定ざ
ｎている、このシリコンウェハ４をマウントプレート２
へ固定する方法としては、シリコンウェハ４の片面（；
ワックスを塗布することにより、シリコンウェハ４をマ
ウントプレート２の片面へ貼着するワックス法と。
る円板であり、その両面が研Ｗ−Ｊれて平担な面ときれ
ている。このマウントプレート２の片面には、第４図に
示すように、−枚以上複数枚の（この図では４枚）シリ
コンウェハ４・・・が平面視して等間隔な位置に固定ざ
ｎている、このシリコンウェハ４をマウントプレート２
へ固定する方法としては、シリコンウェハ４の片面（；
ワックスを塗布することにより、シリコンウェハ４をマ
ウントプレート２の片面へ貼着するワックス法と。
真壁吸着、水貼り等の方法により接着するワックスレス
法とがある。これらの方法によりシリコンウェハ４が片
面に固定されたマウントプレート２は、そのシリコンウ
ェハ４が固定されている面を下方に向けた状態で定盤ｌ
上に載置されている、定盤１上にｕｔ置てれているマウ
ントプレート２は、一つの定盤１上Ｃ１つ以上複数個（
図では１つのみ示す〕が配置式れている。これらのマウ
ントプレート２・・・は、平面視して周方向へ等間隔に
位置している。このマウントプレート２は、その上部が
マウントヘッド３に嵌合式れ、その上面がマウントヘッ
ド３の内平面と＠輩している、マウン＋へラド３は、そ
の上部の中央Ｃ；加圧軸５が連結でれ、この加圧軸５に
対して首振り自在、かつ、回転自在となっている、 上記のような構成の研磨装置を用いてシリコンウェハ４
を研磨するには、まず、定盤ｌ上にコロイダルシリカの
アルカリ性懸濁液などの研磨砥粒を分散さぜる。このよ
うにしｆｃ定定盤ｌ−、シリコンウェハ４が固定され几
マウントプレート２８シリコンウェハ４が固定されてい
る面を下方【二向は次状態で載ｔｉｌｔする。そして、
このマウントプレート２の上方に配置されているマウン
トヘッド３をマウントプレート２の上部に装Ｎする、こ
の後。
法とがある。これらの方法によりシリコンウェハ４が片
面に固定されたマウントプレート２は、そのシリコンウ
ェハ４が固定されている面を下方に向けた状態で定盤ｌ
上に載置されている、定盤１上にｕｔ置てれているマウ
ントプレート２は、一つの定盤１上Ｃ１つ以上複数個（
図では１つのみ示す〕が配置式れている。これらのマウ
ントプレート２・・・は、平面視して周方向へ等間隔に
位置している。このマウントプレート２は、その上部が
マウントヘッド３に嵌合式れ、その上面がマウントヘッ
ド３の内平面と＠輩している、マウン＋へラド３は、そ
の上部の中央Ｃ；加圧軸５が連結でれ、この加圧軸５に
対して首振り自在、かつ、回転自在となっている、 上記のような構成の研磨装置を用いてシリコンウェハ４
を研磨するには、まず、定盤ｌ上にコロイダルシリカの
アルカリ性懸濁液などの研磨砥粒を分散さぜる。このよ
うにしｆｃ定定盤ｌ−、シリコンウェハ４が固定され几
マウントプレート２８シリコンウェハ４が固定されてい
る面を下方【二向は次状態で載ｔｉｌｔする。そして、
このマウントプレート２の上方に配置されているマウン
トヘッド３をマウントプレート２の上部に装Ｎする、こ
の後。
空気圧シリンダ、油圧シリンダ等を用いて（デッドウェ
イト方式もある〕、マウントへラド３の上記に連結され
ている加圧軸５を下方へ押圧することによシ、シリコン
ウェハ４を定盤１の上面に押圧する。このような状態で
に盤１を回転させる。
イト方式もある〕、マウントへラド３の上記に連結され
ている加圧軸５を下方へ押圧することによシ、シリコン
ウェハ４を定盤１の上面に押圧する。このような状態で
に盤１を回転させる。
この場合、この定盤１とシリコンウェハ４との接触面に
おける相対速度は、そのシリコンウェハ４が定盤ｌの外
側において接触している場合に、よシ大き（なるので％
同一のマウントプレート２に固定されているシリコンウ
ェハ４・・・のうち、定盤１と外側で接触しているシリ
コンウェハ４が定盤ｌの回転に引きずられることにより
、マウントプレート２がその上部に装着されているマウ
ントヘッド３と共に定盤１と同一方向に回転する。この
よう（ニジて、シリコンウェハ４の下面が、定盤１の上
面（：分散された研磨砥粒により研磨きれる。
おける相対速度は、そのシリコンウェハ４が定盤ｌの外
側において接触している場合に、よシ大き（なるので％
同一のマウントプレート２に固定されているシリコンウ
ェハ４・・・のうち、定盤１と外側で接触しているシリ
コンウェハ４が定盤ｌの回転に引きずられることにより
、マウントプレート２がその上部に装着されているマウ
ントヘッド３と共に定盤１と同一方向に回転する。この
よう（ニジて、シリコンウェハ４の下面が、定盤１の上
面（：分散された研磨砥粒により研磨きれる。
「発明が解決しようとする問題点」
ところが、上記のような研磨装置によりシリコンウェハ
を研磨した場合、表面を鏡面仕上げするという点におい
ては問題ないが、次のような解決すべき問題点がある。
を研磨した場合、表面を鏡面仕上げするという点におい
ては問題ないが、次のような解決すべき問題点がある。
すなわち、上記のような研磨装置によフシリコンウエハ
を研磨する場合には、シリコンウェハの下面の研磨抵抗
が定盤回転の進入側において、よシ大きくなるので、マ
ウントプレートの下面（：固定されたシリコンウェハの
下面がマウントプレートの回転中心から外側に向けて傾
斜する。この状態のマウントプレートは、マウントヘッ
ドと加圧軸との連結部を支点としてマウントヘッドごと
定盤回転の進入側に前傾している。このような状態にな
ると、シリコンウェハの下面に加わる圧力は。
を研磨する場合には、シリコンウェハの下面の研磨抵抗
が定盤回転の進入側において、よシ大きくなるので、マ
ウントプレートの下面（：固定されたシリコンウェハの
下面がマウントプレートの回転中心から外側に向けて傾
斜する。この状態のマウントプレートは、マウントヘッ
ドと加圧軸との連結部を支点としてマウントヘッドごと
定盤回転の進入側に前傾している。このような状態にな
ると、シリコンウェハの下面に加わる圧力は。
定盤回転の進入側において最大となるような分布をとる
、こうなると、シリコンウェハの下面がさらに傾斜して
行く。この九め、上記のようにして研磨ざｔ′Ｌ次シリ
コンウェハには、各部分の厚さが均一にならないという
問題点があった。
、こうなると、シリコンウェハの下面がさらに傾斜して
行く。この九め、上記のようにして研磨ざｔ′Ｌ次シリ
コンウェハには、各部分の厚さが均一にならないという
問題点があった。
「問題点を解決する九めの手段」
この発明の研磨装置は、マウントプレート上に、少なく
とも一部が隔膜により覆われている中空体を配貨すると
共に、この中空体の隔膜を上記マウントプレートの上面
に密着し、上記中空体の内部に流体を充填して、この流
体の圧力；二より、上記隔膜を通して上記マウントプレ
ートを同マウントプレートの下方に設けられ次定盤上に
押圧するようにし次ものである。
とも一部が隔膜により覆われている中空体を配貨すると
共に、この中空体の隔膜を上記マウントプレートの上面
に密着し、上記中空体の内部に流体を充填して、この流
体の圧力；二より、上記隔膜を通して上記マウントプレ
ートを同マウントプレートの下方に設けられ次定盤上に
押圧するようにし次ものである。
「実施例」
＠１図は、この発明の第１実栴例を示す図である。
この図において符号１．２は、それぞれ、従来の研磨装
置に用いられているものと同様な定盤、マウントプレー
トである。上記マウントプレート２に、従来と同様（；
、下面にシリコンウェハ４が固定された状態で定盤１上
にｇ、宣されている。このマウントプレート２の上方に
は、円筒状の軸体６が配置されている。この軸体６の下
端には、下部に凹部７が形成てれている回転自在なマウ
ントヘッド３ａが装着てれている。このマウントヘッド
３ａに汀、マウントへラド３ａの下端開口縁を閉塞する
弾性材からなる隔膜８が装Ｍでれている。
置に用いられているものと同様な定盤、マウントプレー
トである。上記マウントプレート２に、従来と同様（；
、下面にシリコンウェハ４が固定された状態で定盤１上
にｇ、宣されている。このマウントプレート２の上方に
は、円筒状の軸体６が配置されている。この軸体６の下
端には、下部に凹部７が形成てれている回転自在なマウ
ントヘッド３ａが装着てれている。このマウントヘッド
３ａに汀、マウントへラド３ａの下端開口縁を閉塞する
弾性材からなる隔膜８が装Ｍでれている。
この隔膜８に、その外周部がリング状のリテイナ−９に
より凹部７に固定されている、上記マウントヘッド３ａ
と隔膜８とにより覆われた空間には、軸体６の内部を通
して流体１０が充填されている。
より凹部７に固定されている、上記マウントヘッド３ａ
と隔膜８とにより覆われた空間には、軸体６の内部を通
して流体１０が充填されている。
−！た、マウントプレート２には、その上部をリテイナ
−９の内周面に嵌合させるようにしてマウントヘッド３
ａが装着され、その上面に隔膜８が密着している、 上記のような構成の研磨装置を用いてシリコンウェハ４
を研磨する（−は、憶す、定盤１上イユ、コロイダルシ
リカのアルカリ性懸濁液などの研磨砥粒を分散ぢぜる。
−９の内周面に嵌合させるようにしてマウントヘッド３
ａが装着され、その上面に隔膜８が密着している、 上記のような構成の研磨装置を用いてシリコンウェハ４
を研磨する（−は、憶す、定盤１上イユ、コロイダルシ
リカのアルカリ性懸濁液などの研磨砥粒を分散ぢぜる。
このようにしてから、この研磨装置を男１図に系丁よう
な構成（−セットする。
な構成（−セットする。
次に、軸体６を固定した状態で軸体６の内部の流体１０
を崗示しない加圧部材により押圧し、このことにより、
マウントヘッド３ａと隔膜８により１われ比！！間の流
体１０を加圧する、このようにすると、流体１０が隔膜
８を通してマウントプレート２の上面を押圧し、このこ
とにより、マウントプレート２の下面に固定されている
シリコンウェハ４が定盤１の上面に押圧される。この状
態で定盤１を回転式せると、従来の研磨装置の場合と同
様に、マウントプレート２が定盤１と同一方向に回転し
、シリコンウェハ１０の下面が研磨される。
を崗示しない加圧部材により押圧し、このことにより、
マウントヘッド３ａと隔膜８により１われ比！！間の流
体１０を加圧する、このようにすると、流体１０が隔膜
８を通してマウントプレート２の上面を押圧し、このこ
とにより、マウントプレート２の下面に固定されている
シリコンウェハ４が定盤１の上面に押圧される。この状
態で定盤１を回転式せると、従来の研磨装置の場合と同
様に、マウントプレート２が定盤１と同一方向に回転し
、シリコンウェハ１０の下面が研磨される。
この研磨装置によれば、マウントプレート２上に、マウ
ントヘッド３ａと隔膜８とにより覆われ九窒間を形成し
、上記隔膜７をマウントプレート２の上面に密着し、上
記空間内１：流体１０を充填し九から、流体１０が隔膜
８を通してマウントプレート２の上面を押圧するように
なシ、マウントプレート２の上面１；加わる圧力がマウ
ントプレート２の上面全面に亙って均一になる。このた
め、マウントプレート２の下面１：固定されているシリ
コンウェハ４の下面と定盤１の上面との間に加わる圧力
は、シリコンウェハ４の下面の各部分において常に均−
になるようζ；保九れる。したがって、この研磨装置を
用いて研磨すれば、シリコンウェハ４の各部分の厚さを
均一にすることができる。
ントヘッド３ａと隔膜８とにより覆われ九窒間を形成し
、上記隔膜７をマウントプレート２の上面に密着し、上
記空間内１：流体１０を充填し九から、流体１０が隔膜
８を通してマウントプレート２の上面を押圧するように
なシ、マウントプレート２の上面１；加わる圧力がマウ
ントプレート２の上面全面に亙って均一になる。このた
め、マウントプレート２の下面１：固定されているシリ
コンウェハ４の下面と定盤１の上面との間に加わる圧力
は、シリコンウェハ４の下面の各部分において常に均−
になるようζ；保九れる。したがって、この研磨装置を
用いて研磨すれば、シリコンウェハ４の各部分の厚さを
均一にすることができる。
第２図は、この発明の第２実施例を示す図であ机
この実施例における研磨装置は、第１実施例における研
磨装置と同様に、流体１０の圧力によシ隔膜８ａを通し
てマウントプレート２を下方へ押圧するような構成とな
っている。この研磨装置が第１実ＩＭ例におけ、る研磨
装置と異なる点は、次のような点である。すなわち、こ
の研磨装置（：おいては、マウントプレート２とマウン
トヘッド３ａとの間に、内部に流体１０が充填されてい
る円板状の中空体が装着され、上記マウントヘッド３ａ
が円柱状の加圧＠５ａに固定されている７上記中空体は
、リテイナ−９ａによりマウントヘッド３ａの凹部７ａ
に固定され、その上面が凹部７ａの内平面に＠着してい
る。また、この中空体に、弾性材からなる隔膜８ａ（：
より構成されている。
磨装置と同様に、流体１０の圧力によシ隔膜８ａを通し
てマウントプレート２を下方へ押圧するような構成とな
っている。この研磨装置が第１実ＩＭ例におけ、る研磨
装置と異なる点は、次のような点である。すなわち、こ
の研磨装置（：おいては、マウントプレート２とマウン
トヘッド３ａとの間に、内部に流体１０が充填されてい
る円板状の中空体が装着され、上記マウントヘッド３ａ
が円柱状の加圧＠５ａに固定されている７上記中空体は
、リテイナ−９ａによりマウントヘッド３ａの凹部７ａ
に固定され、その上面が凹部７ａの内平面に＠着してい
る。また、この中空体に、弾性材からなる隔膜８ａ（：
より構成されている。
このような研磨装ｒ１１を用いてシリコンウェハ４を研
磨するには、まず、この研磨装置を第２因に示すような
構成にセットする。次に、従来の研磨装置と同様に、加
圧＠５ａを下方へ押圧する、このようにすると、マウン
トヘッド３ｂｈ、その内平面によフ隔膜８ａを通して上
記中空体の内部の流体１０を押圧する７この次め、流体
１０力靭り王され、この流体１０が隔膜８ａを通してマ
ウントプレート２の上面を押圧する７ この研磨装置によれば、マウントプレート２上に、内部
に流体１０が充填されている中空体を配置し、流体１０
の圧力によりマウントプレート２の上面を押圧するよう
にし穴から、この研磨装置を用いてシリコンウェハ４を
研、宿し之場合に、第１実施倒の研磨装置を用い次場合
と同様の効果が得られる。
磨するには、まず、この研磨装置を第２因に示すような
構成にセットする。次に、従来の研磨装置と同様に、加
圧＠５ａを下方へ押圧する、このようにすると、マウン
トヘッド３ｂｈ、その内平面によフ隔膜８ａを通して上
記中空体の内部の流体１０を押圧する７この次め、流体
１０力靭り王され、この流体１０が隔膜８ａを通してマ
ウントプレート２の上面を押圧する７ この研磨装置によれば、マウントプレート２上に、内部
に流体１０が充填されている中空体を配置し、流体１０
の圧力によりマウントプレート２の上面を押圧するよう
にし穴から、この研磨装置を用いてシリコンウェハ４を
研、宿し之場合に、第１実施倒の研磨装置を用い次場合
と同様の効果が得られる。
また、この研磨装置は、マウントプレート２とマウント
ヘッドとの間に、内部に流体１０が充填されている中空
体が装着されていることを除いて、従来から用いられて
いる研磨装置とほぼ同様な構造であるから、比較的容易
（二層布することができる。
ヘッドとの間に、内部に流体１０が充填されている中空
体が装着されていることを除いて、従来から用いられて
いる研磨装置とほぼ同様な構造であるから、比較的容易
（二層布することができる。
なお、この発明の研磨装置に、シリコンウェハ１４に限
らず、化合物半導体ウェハ、石英ガラス等を研磨するこ
ともできる８ 「発明の効果」 この発明の研磨装置によれば、少なくとも一部が隔膜に
よシ覆われている中空体をマウントプレート上に配置す
ると共（二、この中空体の隔膜を上記マウントプレート
の上面に密層し、上記中空体の内部にｖＩＬ体を充填し
て、この流体の圧力により。
らず、化合物半導体ウェハ、石英ガラス等を研磨するこ
ともできる８ 「発明の効果」 この発明の研磨装置によれば、少なくとも一部が隔膜に
よシ覆われている中空体をマウントプレート上に配置す
ると共（二、この中空体の隔膜を上記マウントプレート
の上面に密層し、上記中空体の内部にｖＩＬ体を充填し
て、この流体の圧力により。
上記隔膜を通して上記マウントプレートを同マウントプ
レートの下方に設けられた定盤上に押圧するようにし念
から、マウントブＶ −）の下面に固定で１でいるシリ
コンウェハの下面と定盤の上面との間に加わる圧力が、
シリコンウェハの下面の各部分において常に均−になる
ように保ｆにｎ、６゜このｔめ、この研磨装置を用いて
研、１丁ルば、シリコンウェハの各部分の厚；３均−に
することができる。
レートの下方に設けられた定盤上に押圧するようにし念
から、マウントブＶ −）の下面に固定で１でいるシリ
コンウェハの下面と定盤の上面との間に加わる圧力が、
シリコンウェハの下面の各部分において常に均−になる
ように保ｆにｎ、６゜このｔめ、この研磨装置を用いて
研、１丁ルば、シリコンウェハの各部分の厚；３均−に
することができる。
きる。
第１図は、この発明のｉｌ実施例を示した研磨装置の要
部の断面図であるい第２図は、この発明の第２実施例を
示した研磨装置の要部の断面図である。第３図は、従来
から用いられている研磨装置の要部の外観園である。、
第４図に、マウントプレート上に固定てれたシリコンウ
ェハの配置を示す図である。 １・・・・・・定盤、２・・・・・・マウントプレート
、４・・・・・・被研磨材（シリコンウェハ）、８・・
・・・・隔ｉ、１０・・・・・・流体。
部の断面図であるい第２図は、この発明の第２実施例を
示した研磨装置の要部の断面図である。第３図は、従来
から用いられている研磨装置の要部の外観園である。、
第４図に、マウントプレート上に固定てれたシリコンウ
ェハの配置を示す図である。 １・・・・・・定盤、２・・・・・・マウントプレート
、４・・・・・・被研磨材（シリコンウェハ）、８・・
・・・・隔ｉ、１０・・・・・・流体。
Claims (1)
- 下面に被研磨材が固定されたマウントプレートをこのマ
ウントプレートの下方に設けられた定盤上に押圧した状
態で上記被研磨材の下面を研磨するように構成された研
磨装置において、少なくとも一部が隔膜により覆われて
いる中空体を上記マウントプレート上に配置すると共に
、この中空体を上記マウントプレートの上面に密着し、
上記中空体の内部に流体を充填して、この流体の圧力に
より上記隔膜を通して上記マウントプレートを押圧する
ようにしたことを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193781A JP2504420B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 研磨装置 |
| KR1019870008594A KR910009320B1 (ko) | 1986-08-19 | 1987-08-05 | 연마장치 |
| US07/087,167 US4897966A (en) | 1986-08-19 | 1987-08-18 | Polishing apparatus |
| DE8787112033T DE3765904D1 (de) | 1986-08-19 | 1987-08-19 | Poliermaschine. |
| EP87112033A EP0264572B1 (en) | 1986-08-19 | 1987-08-19 | Polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193781A JP2504420B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6352967A true JPS6352967A (ja) | 1988-03-07 |
| JP2504420B2 JP2504420B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=16313694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61193781A Expired - Fee Related JP2504420B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2504420B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4918869A (en) * | 1987-10-28 | 1990-04-24 | Fujikoshi Machinery Corporation | Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor |
| JPH0265410U (ja) * | 1988-10-29 | 1990-05-17 | ||
| US5193316A (en) * | 1991-10-29 | 1993-03-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium |
| US5449316A (en) * | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
| FR2723831A1 (fr) * | 1994-08-25 | 1996-03-01 | Plazanet Maurice | Disque d'entrainement pour l'outil d'une machine pour la mise en etat et/ou l'entretien des sols |
| US5584751A (en) * | 1995-02-28 | 1996-12-17 | Mitsubishi Materials Corporation | Wafer polishing apparatus |
| US6722963B1 (en) * | 1999-08-03 | 2004-04-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| WO2016166928A1 (ja) * | 2015-04-16 | 2016-10-20 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッドの製造方法及び研磨ヘッド、並びに研磨装置 |
| US9790906B2 (en) | 2014-08-15 | 2017-10-17 | Continental Automotive Systems, Inc. | High pressure gasoline injector seat to reduce particle emissions |
Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5444299A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-07 | Uingoo Kk | Grinding method and apparatus |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61193781A patent/JP2504420B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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| JPS5444299A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-07 | Uingoo Kk | Grinding method and apparatus |
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