JPS6314861A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPS6314861A JPS6314861A JP15865786A JP15865786A JPS6314861A JP S6314861 A JPS6314861 A JP S6314861A JP 15865786 A JP15865786 A JP 15865786A JP 15865786 A JP15865786 A JP 15865786A JP S6314861 A JPS6314861 A JP S6314861A
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- JP
- Japan
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- metal
- crucible
- vapor deposition
- strip
- electron beam
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、鋼帯 °−−°のような帯板の表面に、金
属皮膜を連続的に真空蒸着するだめの装置に関するもの
である。
属皮膜を連続的に真空蒸着するだめの装置に関するもの
である。
例えば、５＠帯の表面に亜鉛やアルミニウムのような金
屑皮膜を連続的に真空蒸着するだめの装置として、鋼帯
が連続的に通過する真空槽と、真空槽内に配置された蒸
着用金属を収容するためのるつぼと、るつぼ内の蒸着用
金属を加熱蒸発させるための、るつぼに設けられた加熱
ヒータとからなる真空蒸着装置が知られている。
屑皮膜を連続的に真空蒸着するだめの装置として、鋼帯
が連続的に通過する真空槽と、真空槽内に配置された蒸
着用金属を収容するためのるつぼと、るつぼ内の蒸着用
金属を加熱蒸発させるための、るつぼに設けられた加熱
ヒータとからなる真空蒸着装置が知られている。
るつぼ内の蒸着用金属は、加熱ヒータによって加熱され
て蒸発し、蒸着用金属から蒸発した金属分子が１真空パ
槽内を連続的に通過する１帯の表面に付着して、鋼帯の
表面に蒸着用金属の薄い皮膜が形成される。
て蒸発し、蒸着用金属から蒸発した金属分子が１真空パ
槽内を連続的に通過する１帯の表面に付着して、鋼帯の
表面に蒸着用金属の薄い皮膜が形成される。
しかしながら、蒸着用金属が例えばチタンやシリコンの
ような高融点の金属の場合には、上述した従来の装置で
は、るつぼ内の蒸着用金属を十分に加熱蒸発させること
ができず、且つ、蒸着用金５属から蒸発した金属分子を
鋼帯の表面に強固に密着させることができない。さらに
、蒸着が進行してるつぼ内の蒸着用金属の量が減少する
と、帯板下面と蒸着用金属表面との間の距離が変化する
ために帯板下面に形成される蒸着皮膜の膜厚が不均一と
なる。しかも、蒸着用金属の表面レベルが下がると、電
子ビームの照射位置が変化するために蒸着用金属が均一
に加熱されない。
ような高融点の金属の場合には、上述した従来の装置で
は、るつぼ内の蒸着用金属を十分に加熱蒸発させること
ができず、且つ、蒸着用金５属から蒸発した金属分子を
鋼帯の表面に強固に密着させることができない。さらに
、蒸着が進行してるつぼ内の蒸着用金属の量が減少する
と、帯板下面と蒸着用金属表面との間の距離が変化する
ために帯板下面に形成される蒸着皮膜の膜厚が不均一と
なる。しかも、蒸着用金属の表面レベルが下がると、電
子ビームの照射位置が変化するために蒸着用金属が均一
に加熱されない。
このようなことから、アルミニウムや亜鉛のような低融
点の金属は勿論、チタンやシリコンのような高融点の金
属をも、鋼帯 −゛ のような帯板の表面に連続的
に且つ高い密着力で真空蒸着することができ、さらに、
蒸着用金属の表面レベル全常時基卆レベルに保持するこ
とができる真空蒸着装置の開発が強く望まれているが、
かかる装置は、まだ提案されていない。
点の金属は勿論、チタンやシリコンのような高融点の金
属をも、鋼帯 −゛ のような帯板の表面に連続的
に且つ高い密着力で真空蒸着することができ、さらに、
蒸着用金属の表面レベル全常時基卆レベルに保持するこ
とができる真空蒸着装置の開発が強く望まれているが、
かかる装置は、まだ提案されていない。
従って、この発明の目的は、銅帯、°−テ呼のような帯
板の表面に、アルミニウムや亜鉛のような低融点の金属
は勿論、チタンやシリコンのような高融点の金属をも、
連続的に且つ高い密着力で真空蒸着することができ、さ
らに、蒸着用金属の表面レベルを常時基準レベルに保持
することができる真空蒸着装置を提供することにある。
板の表面に、アルミニウムや亜鉛のような低融点の金属
は勿論、チタンやシリコンのような高融点の金属をも、
連続的に且つ高い密着力で真空蒸着することができ、さ
らに、蒸着用金属の表面レベルを常時基準レベルに保持
することができる真空蒸着装置を提供することにある。
この発明は、帯板が連続的に通過する真空槽と、前記真
空槽内を通過する前記帯板の下方シて設けられた、蒸着
用金属を収容するためのるつぼと、前記真空槽に取り付
けられた、前記蒸着用金属して電子ビームを当てて前記
蒸着用金属を加熱蒸発させるための電子ビーム銃と、前
記るつぼの上方に設けられた、前記蒸着用金属との間に
発生させたアークによって前記蒸着用金属から蒸発した
金属分前記電極と前記蒸着用金属との間に電圧を印加す
るだめの第１電源と、前記帯板に負の極性を与えるだめ
の第２電源と、前記るつぼ内の前記蒸着用金属の表面レ
ベルを測定するだめの表面レベル測定器と−からなり、
前記るつぼは、昇降手段によって上下方向に移動自在に
なっており、前記昇降手段は、前記表面レベル測定器か
らの測定結果に基いて作動することに特徴を有するもの
である。
空槽内を通過する前記帯板の下方シて設けられた、蒸着
用金属を収容するためのるつぼと、前記真空槽に取り付
けられた、前記蒸着用金属して電子ビームを当てて前記
蒸着用金属を加熱蒸発させるための電子ビーム銃と、前
記るつぼの上方に設けられた、前記蒸着用金属との間に
発生させたアークによって前記蒸着用金属から蒸発した
金属分前記電極と前記蒸着用金属との間に電圧を印加す
るだめの第１電源と、前記帯板に負の極性を与えるだめ
の第２電源と、前記るつぼ内の前記蒸着用金属の表面レ
ベルを測定するだめの表面レベル測定器と−からなり、
前記るつぼは、昇降手段によって上下方向に移動自在に
なっており、前記昇降手段は、前記表面レベル測定器か
らの測定結果に基いて作動することに特徴を有するもの
である。
次に、この発明の真空蒸着装置を図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は、この発明の真空蒸着装置の一実施態様を示す
断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図である。
断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図である。
第１図および第２図に示すように、真空槽１は水平な短
円筒状に形成されており、その側部には帯板人口３が、
そして、その上部には帯板出口４が設けられている。帯
板人口３および帯板出口４の各々には、ゲート５が取り
付けられている。真空槽１内は、真空ポンプ（図示せず
）によって、約１０−’ Ｔｏｒｒの高真空に保たれて
いる。６は真空槽１の一方の側面に設けられた開閉扉で
ある。
円筒状に形成されており、その側部には帯板人口３が、
そして、その上部には帯板出口４が設けられている。帯
板人口３および帯板出口４の各々には、ゲート５が取り
付けられている。真空槽１内は、真空ポンプ（図示せず
）によって、約１０−’ Ｔｏｒｒの高真空に保たれて
いる。６は真空槽１の一方の側面に設けられた開閉扉で
ある。
真空槽１内の上部には、帯板人口３を通って真空槽ｌ内
に水平に導かれた例えば銅帯のような帯板２の移動方向
を、帯板出口４に向けて上方に変更させるだめのガイド
ローラ７が設けられている。
に水平に導かれた例えば銅帯のような帯板２の移動方向
を、帯板出口４に向けて上方に変更させるだめのガイド
ローラ７が設けられている。
ガイドローラ７は、その内部を循環する水によって常時
冷却されている。
冷却されている。
真空槽１内の下部には、蒸着用金属８を収容するための
るつぼ９が、絶縁碍子を介して取り付けられている。る
つぼっけ、第３図および第４図に示すように、冷却通路
（図示せず）が壁内に形成された銅製外槽９Ａと外槽９
Ａ内にセラミック粉等の断熱材１０を介して設けられた
セラミック等でできた内槽９Ｂとからなっている。外Ｍ
９Ａと内槽９Ｂとは、複数個の通電プラグ１１によって
電気的に接続されている。通電プラグ１１の内部には、
通電プラグｌｌｉ冷却するための冷却水が通る冷却水通
′Ｍｒ１１Ａが形成されている。
るつぼ９が、絶縁碍子を介して取り付けられている。る
つぼっけ、第３図および第４図に示すように、冷却通路
（図示せず）が壁内に形成された銅製外槽９Ａと外槽９
Ａ内にセラミック粉等の断熱材１０を介して設けられた
セラミック等でできた内槽９Ｂとからなっている。外Ｍ
９Ａと内槽９Ｂとは、複数個の通電プラグ１１によって
電気的に接続されている。通電プラグ１１の内部には、
通電プラグｌｌｉ冷却するための冷却水が通る冷却水通
′Ｍｒ１１Ａが形成されている。
るつぼ９は昇降手段１２によって自在に上下動する。昇
降手段１２ば、るつぼ９の下面に垂直に固定された昇降
台１３と昇降台１３を昇降させるための駆動機１４とか
らなっている。、駆動機１４は、制御器１５からの指令
信号に従って駆動される。制御器１５ば、表面レベル測
定器１６からの測定結果とＭ準しベルとの差を演算し、
この演算結果が零になるように駆動機１４に指令信号を
発する。表面レベル測定器１６は、真空槽１内に設けら
れており、るつぼ９内の溶融蒸着用金属８の表面レベル
を非接触で測定する。
降手段１２ば、るつぼ９の下面に垂直に固定された昇降
台１３と昇降台１３を昇降させるための駆動機１４とか
らなっている。、駆動機１４は、制御器１５からの指令
信号に従って駆動される。制御器１５ば、表面レベル測
定器１６からの測定結果とＭ準しベルとの差を演算し、
この演算結果が零になるように駆動機１４に指令信号を
発する。表面レベル測定器１６は、真空槽１内に設けら
れており、るつぼ９内の溶融蒸着用金属８の表面レベル
を非接触で測定する。
真空槽１の上部には、るつぼ９内の蒸着用金属８に向け
て電子ビームを当てて蒸着用金属８を加熱蒸発させるだ
めの電子ビーム銃１７が取り付けられている。電子ビー
ム銃１７からの電子ビームが、るつぼ９内の蒸着用金属
８の表面を走査して、蒸着用金属８を平均に加熱するた
めに、電子ビーム銃１７の先端には、偏向コイル（図示
せず）が取り付けられている。
て電子ビームを当てて蒸着用金属８を加熱蒸発させるだ
めの電子ビーム銃１７が取り付けられている。電子ビー
ム銃１７からの電子ビームが、るつぼ９内の蒸着用金属
８の表面を走査して、蒸着用金属８を平均に加熱するた
めに、電子ビーム銃１７の先端には、偏向コイル（図示
せず）が取り付けられている。
真空槽１内のるつぼ９の上方には、例えばモリブデン製
の電極話が設けられている。電極１Ｂと通電プラグ１１
との間には、第１電源１９が設けられている。蒸着用金
属８から蒸発した金属分子は、電極１８と蒸着用金属８
との間に発生したアークによって、金属原子と電子とに
電離する。
の電極話が設けられている。電極１Ｂと通電プラグ１１
との間には、第１電源１９が設けられている。蒸着用金
属８から蒸発した金属分子は、電極１８と蒸着用金属８
との間に発生したアークによって、金属原子と電子とに
電離する。
真空槽ｌ内を通過する帯板２は、第２電源２０の負極側
に真空槽ｌを介して電気的に接続されているガイドロー
ラ７と電気的に接触している。従って、帯板２は、第２
電極２０の負極側に接、読されることになる。これによ
って、アーク放電により電離した正の電荷をもつ金属原
子は、帯板２の下面に電気的に吸着される。るつぼ９の
上方には、蒸発した金属分子が帯板２以外の部分に付着
することを防止するために、遮蔽壁２工が設けられてい
る。遮蔽壁２１の上端には、帯板２の下面への金属原子
の付着量を調整するだめのンヤツター２２が設けられて
いる。
に真空槽ｌを介して電気的に接続されているガイドロー
ラ７と電気的に接触している。従って、帯板２は、第２
電極２０の負極側に接、読されることになる。これによ
って、アーク放電により電離した正の電荷をもつ金属原
子は、帯板２の下面に電気的に吸着される。るつぼ９の
上方には、蒸発した金属分子が帯板２以外の部分に付着
することを防止するために、遮蔽壁２工が設けられてい
る。遮蔽壁２１の上端には、帯板２の下面への金属原子
の付着量を調整するだめのンヤツター２２が設けられて
いる。
２３は帯板２を巻き戻すためのアンコイラ−である。ア
ンコイラ−２３と真空槽１の帯板人口３とは、入側導管
２４によって気密に接続されている。入側導管２４内の
途中には、帯板２を予め加熱するだめの加熱用コイル２
５が設けられている。
ンコイラ−２３と真空槽１の帯板人口３とは、入側導管
２４によって気密に接続されている。入側導管２４内の
途中には、帯板２を予め加熱するだめの加熱用コイル２
５が設けられている。
２６は真空蒸着処理された帯板２を巻き取るだめのコイ
ラーである。真空槽１の帯板出口４とコイラー２６との
間は、出側導管２７によって気密に接続されている。
ラーである。真空槽１の帯板出口４とコイラー２６との
間は、出側導管２７によって気密に接続されている。
予め酸洗等によって表面が清浄化された帯板２は、アン
コイラ−２３によって巻戻され、入側導管２４、真空槽
１および出側導管２７内をガイドローラ７を経て連続的
に移動し、コイラー２６によって巻き取られる。このよ
うに移動する帯板２は、入側導管２４内に設けられた加
熱用コイル２５によって、３００〜５００°Ｃの温度に
加熱される。
コイラ−２３によって巻戻され、入側導管２４、真空槽
１および出側導管２７内をガイドローラ７を経て連続的
に移動し、コイラー２６によって巻き取られる。このよ
うに移動する帯板２は、入側導管２４内に設けられた加
熱用コイル２５によって、３００〜５００°Ｃの温度に
加熱される。
一方、るつぼ９内の蒸着用金属８は、電子ビーム銃１７
からの電子ビームによって加熱蒸発する。
からの電子ビームによって加熱蒸発する。
これによって生じた蒸着用金属８の金属分子は、電極１
７と蒸着用金属８との間に発生したアークによって金属
原子と電子とに電離する。そして、前記金属原子は、第
２電源２０の負極側にガイドローラー７を介して電気的
に接続されている帯板１の下面に電気的に吸引されて付
着する。このようにして、帯板２の下面に、２〜５ミク
ロンの厚さの蒸着用金属の皮膜が形成される。この後、
帯板２は出側導管２７を通り、コイラー２６に巻き取ら
れる。
７と蒸着用金属８との間に発生したアークによって金属
原子と電子とに電離する。そして、前記金属原子は、第
２電源２０の負極側にガイドローラー７を介して電気的
に接続されている帯板１の下面に電気的に吸引されて付
着する。このようにして、帯板２の下面に、２〜５ミク
ロンの厚さの蒸着用金属の皮膜が形成される。この後、
帯板２は出側導管２７を通り、コイラー２６に巻き取ら
れる。
帯板２への蒸着が進行するにつれて、るつぼ９内の蒸着
用金属８の量が減少してその表面レベルが下がるが、制
御器１５からの指令信号によって駆動器１４が作動する
。これによって、るつぼ９全体が表面レベルの低下分だ
け上昇するので、蒸着用金属８の表面レベルは常に基準
レベルに保持される。
用金属８の量が減少してその表面レベルが下がるが、制
御器１５からの指令信号によって駆動器１４が作動する
。これによって、るつぼ９全体が表面レベルの低下分だ
け上昇するので、蒸着用金属８の表面レベルは常に基準
レベルに保持される。
この発明の装置において、るつぼ９内の蒸着用金属８の
加熱は、上述したように、電子ビーム銃１７からの高い
エネルギーを有する重子ビームによって行なわれるので
、チタンやシリコンのような高融点の金属であっても、
容易に乃口熱蒸光させることができる。そして、蒸発し
た金属分子を、電極１８とるつぼ９内の蒸着用金属８と
の間ンこ発生させたアークによって電離させ、その金属
原子を帯板２の下面に電気的に吸着させるので、帯板２
の表面に高い密着力で金属皮膜を形成させることができ
、しかも、真空槽ｌの真空度をそれほど高めなくても済
む。
加熱は、上述したように、電子ビーム銃１７からの高い
エネルギーを有する重子ビームによって行なわれるので
、チタンやシリコンのような高融点の金属であっても、
容易に乃口熱蒸光させることができる。そして、蒸発し
た金属分子を、電極１８とるつぼ９内の蒸着用金属８と
の間ンこ発生させたアークによって電離させ、その金属
原子を帯板２の下面に電気的に吸着させるので、帯板２
の表面に高い密着力で金属皮膜を形成させることができ
、しかも、真空槽ｌの真空度をそれほど高めなくても済
む。
なお、遮蔽壁２１の上端には、シャッター２２が設けら
れているので、その開度を調節することにより、帯板２
に蒸着される金属皮膜の膜厚を調整することができる。
れているので、その開度を調節することにより、帯板２
に蒸着される金属皮膜の膜厚を調整することができる。
以上述べたように、この発明の真空蒸着装置によれば、
鋼帯 °−ような帯板の下 面に、アルミニウムや亜鉛のような低融点の金属は勿論
、チタンやシリコンのような高融点の金属をも、連続的
に且つ高い密着力で蒸着することができ、しかも、るつ
ぼ内の蒸着用金属の表面レベル全常時基準レベルに保持
することができるので、帯板の下面に均一に蒸着皮膜を
形成することができ、さらに、るつば内の蒸着用金属の
表面レベルが変化しないので、電子ビームの照射位置が
変化せず、このために蒸着用金属が均一に加熱されると
いった有用な効果がもたらされる。
鋼帯 °−ような帯板の下 面に、アルミニウムや亜鉛のような低融点の金属は勿論
、チタンやシリコンのような高融点の金属をも、連続的
に且つ高い密着力で蒸着することができ、しかも、るつ
ぼ内の蒸着用金属の表面レベル全常時基準レベルに保持
することができるので、帯板の下面に均一に蒸着皮膜を
形成することができ、さらに、るつば内の蒸着用金属の
表面レベルが変化しないので、電子ビームの照射位置が
変化せず、このために蒸着用金属が均一に加熱されると
いった有用な効果がもたらされる。
第１図は、この発明の真空蒸着装置の一実施態様を示す
断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は
、同実施態様におけるるつぼの断面図、第４図は、同る
つぼの部分切欠き斜視図である。図面において、 １・・・真空槽、 ２・・・帯板、３・・・帯
板入口、 ４・・・帯板出口、５・・・ゲート、
６・・・開閉扉、７・・・ガイドローラ、
８・・・蒸着用金属、９・・・るつぼ、
１０・・・断熱材、１１・・・通電プラグ、 １
２・・・昇降手段、１３・・・昇降台、 １４
・・駆動機、１５・・・制御器、 １６・・・
表面レベル迎ｊ定器、１７・・・電子ビーム銃、 １
８・・・電極、１９・・・第１電極、 ２０・・
・第２電極、２１・・・遮蔽壁、 ２２・・・
シャッター、２３・・・アンコイラ−１２４°・・入側
導管、２５・・加熱用コイル、 ２６・・・コイラー
、２７・・・出側導管。
断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は
、同実施態様におけるるつぼの断面図、第４図は、同る
つぼの部分切欠き斜視図である。図面において、 １・・・真空槽、 ２・・・帯板、３・・・帯
板入口、 ４・・・帯板出口、５・・・ゲート、
６・・・開閉扉、７・・・ガイドローラ、
８・・・蒸着用金属、９・・・るつぼ、
１０・・・断熱材、１１・・・通電プラグ、 １
２・・・昇降手段、１３・・・昇降台、 １４
・・駆動機、１５・・・制御器、 １６・・・
表面レベル迎ｊ定器、１７・・・電子ビーム銃、 １
８・・・電極、１９・・・第１電極、 ２０・・
・第２電極、２１・・・遮蔽壁、 ２２・・・
シャッター、２３・・・アンコイラ−１２４°・・入側
導管、２５・・加熱用コイル、 ２６・・・コイラー
、２７・・・出側導管。
Claims (1)
- 帯板が連続的に通過する真空槽と、前記真空槽内を通過
する前記帯板の下方に設けられた、蒸着用金属を収容す
るためのるつぼと、前記真空槽に取り付けられた、前記
蒸着用金属に電子ビームを当てて前記蒸着用金属を加熱
蒸発させるための電子ビーム銃と、前記るつぼの上方に
設けられた、前記蒸着用金属との間に発生させたアーク
によつて前記蒸着用金属から蒸発した金属分子を金属原
子と電子とに電離させるアークを発生させるための電極
と、前記電極と前記蒸着用金属との間に電圧を印加する
ための第１電源と、前記帯板に負の極性を与えるための
第２電源と、前記るつぼ内の前記蒸着用金属の表面レベ
ルを測定するための表面レベル測定器と、からなり、前
記るつぼは、昇降手段によつて上下方向に移動自在にな
つており、前記昇降手段は、前記表面レベル測定器から
の測定結果に基いて作動することを特徴とする真空蒸着
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15865786A JPS6314861A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15865786A JPS6314861A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314861A true JPS6314861A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15676499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15865786A Pending JPS6314861A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6314861A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1382713A3 (en) * | 2002-07-19 | 2004-06-02 | Lg Electronics Inc. | Source for thermal physical vapour deposition of organic electroluminescent layers |
| KR100669194B1 (ko) * | 2002-10-01 | 2007-01-17 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 증발원 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP15865786A patent/JPS6314861A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1382713A3 (en) * | 2002-07-19 | 2004-06-02 | Lg Electronics Inc. | Source for thermal physical vapour deposition of organic electroluminescent layers |
| US7025832B2 (en) | 2002-07-19 | 2006-04-11 | Lg Electronics Inc. | Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers |
| US7815737B2 (en) | 2002-07-19 | 2010-10-19 | Lg Display Co., Ltd. | Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers |
| KR100669194B1 (ko) * | 2002-10-01 | 2007-01-17 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 증발원 |
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